CN201344951Y - 掉电检测电路 - Google Patents

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江猛
谢卫国
杜坦
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Suzhou Huaxin Microelectronics Co., Ltd.
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Abstract

本实用新型公开一种掉电检测电路，其特征在于包括PMOS管、NMOS管和施密特缓冲器，所述PMOS管的栅极接地、源级接电源，所述NMOS管的栅极接电源、源级接地，所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极形成一节点，所述节点与施密特缓冲器的输入端连接，施密特缓冲器的输出端输出掉电检测信号。本实用新型的掉电检测电路采用MOS管代替传统电路中的电阻，利用施密特缓冲器代替传统的比较器结构，电路结构简单，电路面积小，不仅成本低、可靠性高、控制简单、性能好，还降低了电路的功耗，且具有较强的抗干扰能力。

Description

掉电检测电路
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域的一种掉电检测电路。
背景技术
在各种集成电路中，尤其在MCU(微控制单元)电路中，掉电检测电路是至关重要的一部分。掉电检测的目的是时刻检测电源电压，在电压降到一定的范围时，掉电检测电路的输出信号发生改变，系统检测到这个信号后，就进行一系列的动作，如复位等。
传统的掉电检测电路，如图1所示：比较器的负端(或正端)接一参考电压，比较器的正端(或负端)接一电源到地的分压电路，如果电源电压降低，则由于电阻R1，R2的分压关系，X点电位也会降低，当X点电位低于参考电压Vref时(如果正负端接对调，则X点电位与Vref的关系也对调)，输出端out则由高变低，从而实现检测电源电压的目的。
用比较器组成的电路比较容易调试，且易懂，是目前比较典型的应用方式。但这种电路存在面积较大(比较器占用较大面积)、功耗较高(比较器的功耗较高)等缺点，一般不能用于电池式供电电路中。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种不采用传统的比较器结构，利用MOS管(金属-氧化物-半导体场效应管)的特性实现的掉电检测电路。
本实用新型采用如下技术方案：
一种掉电检测电路，其特征在于包括PMOS管(P沟道MOS管)、NMOS管(N沟道MOS管)和施密特缓冲器，所述PMOS管的栅极接地、源级接电源，所述NMOS管的栅极接电源、源级接地，所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极形成一节点，所述节点与施密特缓冲器的输入端连接，施密特缓冲器的输出端输出掉电检测信号。
本实用新型的掉电检测电路采用MOS管代替传统电路中的电阻，利用施密特缓冲器代替传统的比较器结构，电路结构简单，电路面积小，不仅成本低、可靠性高、控制简单、性能好，还降低了电路的功耗(功耗可降低到1uW以内)，且具有较强的抗干扰能力。
附图说明
图1是传统的掉电检测电路原理图。
图2是本实用新型的掉电检测电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图2对本实用新型作进一步的描述。
如图2所示，掉电检测电路包括PMOS管P1、NMOS管N1和施密特缓冲器T1，PMOS管P1的栅极接地、源级接电源，NMOS管N1的栅极接电源、源级接地，PMOS管P1的漏极接NMOS管N1的漏极形成节点A，节点A与施密特缓冲器T1的输入端连接，施密特缓冲器的输出端Y输出掉电检测信号。节点A通过电容C1接地。施密特缓冲器本身具有一定的抗干扰作用，增加电容C1的目的是进一步提高电路的抗干扰能力。
其中PMOS管P1为较小宽长比PMOS管，NMOS管N1为较小宽长比NMOS管。PMOS管P1的栅极接地、源级接电源，处于常导通状态，NMOS管N1的栅极接电源、源级接地，也处于常导通状态。由于PMOS管P1和NMOS管N1是常导通的，好像两个电阻在分压，当电源电压较高时，PMOS管P1导通较好，节点A的电压较高，施密特缓冲器的输出端Y输出为高，当电源电压较低时，PMOS管P1的导通电阻变大，使节点A电位变低，当节点A的电位降到一定的程度时，施密特缓冲器的输出端Y输出由高变低，系统检测到输出端Y输出为低，即可做出相应的反应。
本实用新型掉电检测电路尤其适合应用于由电池供电的电路系统的芯片内。由于电池的容量有限，芯片的静态功耗要求很低，所以必须使用功耗小的掉电检测电路。
本实用新型掉电检测电路不仅可以用于掉电检测，也可用于上电检测。
本实用新型掉电检测电路的一个应用实例是用在MCU电路中，MCU可时刻检测电池电压，一旦电压降到一定程度，则提醒用户更换电池。
本实用新型掉电检测电路的另一个应用实例是用在ASIC电路(专用集成电路)中，ASIC可时刻检测电池电压，一旦电压降到一定程度，ASIC就停止工作，可有效避免ASIC的死机现象。

Claims (2)

1.一种掉电检测电路，其特征在于包括PMOS管、NMOS管和施密特缓冲器，所述PMOS管的栅极接地、源级接电源，所述NMOS管的栅极接电源、源级接地，所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极形成一节点，所述节点与施密特缓冲器的输入端连接，施密特缓冲器的输出端输出掉电检测信号。
2、如权利要求1所述的掉电检测电路，其特征在于所述节点通过电容接地。
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Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SUZHOU CHINA-CHIP MICROELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: SUZHOU HUAXIN MICRO-ELECTRONICS CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: 215011 No. 198 Xiangyang Road, hi tech Zone, Jiangsu, Suzhou

Patentee after: Suzhou Huaxin Microelectronics Co., Ltd.

Address before: 3, building 625, block A, Binhe Road, 215011 New District, Jiangsu, Suzhou

Patentee before: Suzhou HuaXin Micro-electronics Co., Ltd.

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: The Ministry of industry and Information Technology Research Institute of East China branch fifth (Chinese CEPREI (China) laboratory)

Assignor: Suzhou Huaxin Microelectronics Co., Ltd.

Contract record no.: 2011990000413

Denomination of utility model: Three-phase source phase failure and power failure detection circuit

Granted publication date: 20091111

License type: Exclusive License

Record date: 20110603

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Granted publication date: 20091111

Termination date: 20161219