CN211606096U - 一种低功耗mcu唤醒电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电路领域,公开了一种低功耗MCU唤醒电路，包括外接电源VCC、开关K1、电容C1、三极管Q1、电阻R1和R2，外接电源VCC通过开关K1电连接电容C1一端，电容C1另一端分别电连接电阻R1一端和三极管Q1的基极，电阻R1另一端和三极管Q1的发射极均接地，单片机的电源引脚电连接电阻R2一端，电阻R2另一端分别电连接单片机的输入引脚和三极管Q1的集电极。当单片机在待机状态时开关K1按下瞬间，电容C1会瞬间导通，三极管Q1会瞬间导通，然后单片机的输入引脚会接入一个低电平的唤醒信号进而进入运行状态，单片机运行时电容C1是断开的，电阻R1和R2上无电流通过，从而降低能耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及电学领域，具体涉及一种低功耗MCU唤醒电路。
背景技术
如图1所示，在大部分单片机控制外围电路工作时，外接电源VCC通过稳压电路接入单片机的电源引脚和通过开关K1向外围电路供电。在某些重要场合，为了保证单片机能实时响应，需要让单片机在不工作时保持待机状态，当唤醒电路向单片机输入唤醒信号时，单片机从待机状态进入运行状态。然而现有唤醒电路在向单片机输入唤醒信号后一直工作，增加整个电路的能耗。
实用新型内容
鉴于背景技术的不足，本实用新型是提供了一种低功耗MCU唤醒电路，所要解决的技术问题是现有唤醒电路在向单片机输入唤醒信号后一直工作，增加整个电路的能耗。
为解决以上技术问题，本实用新型提供了如下技术方案：一种低功耗MCU唤醒电路，包括外接电源VCC、开关K1、电容C1、三极管Q1、电阻R1和R2，外接电源VCC通过开关K1电连接电容C1一端，电容C1另一端分别电连接电阻R1一端和三极管Q1的基极，电阻R1另一端和三极管Q1的发射极均接地，单片机的电源引脚电连接电阻R2一端，电阻R2另一端分别电连接单片机的输入引脚和三极管Q1的集电极。
一种低功耗MCU唤醒电路，包括外接电源VCC、开关K1、电容C1、MOS管M1、电阻R1和R2，外接电源VCC通过开关K1电连接电容C1一端，电容C1另一端分别电连接电阻R1一端和MOS管M1的栅极，电阻R1另一端和MOS管M1的源极均接地，单片机的电源引脚电连接电阻R2一端，电阻R2另一端分别电连接单片机的输入引脚和MOS管M1的漏极。
本实用新型与现有技术相比所具有的有益效果是：当单片机在待机状态时按下开关K1瞬间，电容C1接入外接电源VCC，此时电容C1相当于接入了一个瞬时的交流电，而且C1此时的容抗近似为零，然后三极管Q1的基极或者MOS管的栅极由于接入了高电平的信号而导通，单片机连接电阻R2的一端的电平由高电平变为低电平，该低电平信号为单片机的唤醒信号，当单片机从待机状态进入运行状态时，由于电容C1能隔直流通交流且C1的容抗近似为零，电容C1在瞬间导通后变为断开状态，电阻R1和R2上没有电流通过，进而降低功耗。
附图说明
本实用新型有如下附图：
图1为现有单片机电路的结构图；
图2为本实用新型实施例一的电路图；
图3为本实用新型实施例二的电路图。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
实施例一
如图2所示，一种低功耗MCU唤醒电路，包括外接电源VCC、开关K1、电容C1、三极管Q1、电阻R1和R2，外接电源VCC通过开关K1电连接电容C1一端，电容C1另一端分别电连接电阻R1一端和三极管Q1的基极，电阻R1另一端和三极管Q1的发射极均接地，单片机的电源引脚电连接电阻R2一端，电阻R2另一端分别电连接单片机的输入引脚和三极管Q1的集电极。
当单片机在待机状态时按下开关K1瞬间，电容C1接入外接电源VCC，此时电容C1相当于接入了一个瞬时的交流电，而且C1此时的容抗近似为零，然后三极管Q1的基极由于接入了高电平的信号而导通，单片机连接电阻R2的一端的电平由高电平变为低电平，该低电平信号为单片机的唤醒信号，当单片机从待机状态进入运行状态时，由于电容C1的隔直流通交流且C1容抗近似为零，电容C1在瞬间导通后变为断开状态，电阻R1和R2上没有电流通过，进而降低功耗。
实施例二
如图3所示，一种低功耗MCU唤醒电路，包括外接电源VCC、开关K1、电容C1、MOS管M1、电阻R1和R2，外接电源VCC通过开关K1电连接电容C1一端，电容C1另一端分别电连接电阻R1一端和MOS管M1的栅极，电阻R1另一端和MOS管M1的源极均接地，单片机的电源引脚电连接电阻R2一端，电阻R2另一端分别电连接单片机的输入引脚和MOS管M1的漏极。
当单片机在待机状态时按下开关K1瞬间，电容C1接入外接电源VCC，此时电容C1相当于接入了一个瞬时的交流电，而且C1此时的容抗近似为零，然后MOS管M1的栅极由于接入了高电平的信号而导通，单片机连接电阻R2的一端的电平由高电平变为低电平，该低电平信号为单片机的唤醒信号，当单片机从待机状态进入运行状态时，由于电容C1的隔直流通交流且C1此时的容抗近似为零，电容C1在瞬间导通后变为断开状态，电阻R1和R2上没有电流通过，进而降低功耗。
上述依据本实用新型为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (2)
1.一种低功耗MCU唤醒电路，包括外接电源VCC和开关K1，其特征在于：还包括电容C1、三极管Q1、电阻R1和R2，所述外接电源VCC通过开关K1电连接电容C1一端，电容C1另一端分别电连接电阻R1一端和三极管Q1的基极，电阻R1另一端和三极管Q1的发射极均接地，单片机的电源引脚电连接电阻R2一端，电阻R2另一端分别电连接单片机的输入引脚和三极管Q1的集电极。
2.一种低功耗MCU唤醒电路，包括外接电源VCC和开关K1，其特征在于：还包括电容C1、MOS管M1、电阻R1和R2，所述外接电源VCC通过开关K1电连接电容C1一端，电容C1另一端分别电连接电阻R1一端和MOS管M1的栅极，电阻R1另一端和MOS管M1的源极均接地，单片机的电源引脚电连接电阻R2一端，电阻R2另一端分别电连接单片机的输入引脚和MOS管M1的漏极。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202020573388.5U CN211606096U (zh) | 2020-04-16 | 2020-04-16 | 一种低功耗mcu唤醒电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202020573388.5U CN211606096U (zh) | 2020-04-16 | 2020-04-16 | 一种低功耗mcu唤醒电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211606096U true CN211606096U (zh) | 2020-09-29 |
Family
ID=72583935
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202020573388.5U Active CN211606096U (zh) | 2020-04-16 | 2020-04-16 | 一种低功耗mcu唤醒电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211606096U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112543017A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-23 | 广州朗国电子科技有限公司 | 长连接且不影响功耗的电路 |
-
2020
- 2020-04-16 CN CN202020573388.5U patent/CN211606096U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112543017A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-23 | 广州朗国电子科技有限公司 | 长连接且不影响功耗的电路 |
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