CN210839018U - 智能设备及其充电电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种智能设备及其充电电路，其中，所述充电电路包括：第一接口充电模块；第二接口充电模块，所述第二接口充电模块与所述第一接口充电模块并联连接，且所述第二接口充电模块的输出端与所述第一接口充电模块的输出端连接；用电模块，所述用电模块的输入端与所述第一接口充电模块或所述第二接口充电模块的输出端连接，以通过所述第一接口充电模块或所述第二接口充电模块的输出端对所述用电模块进行充电。本实用新型技术方案所述用电模块可通过两个充电接口进行充电，以增加所述充电电路的多样性及实用性。

Description

智能设备及其充电电路

技术领域

本实用新型涉及智能电子设备领域，特别涉及一种智能设备及其充电电路。

背景技术

笔记本电脑的充电接口通常只有一种类型接口，且该充电接口不兼容其他接口，使得充电接口对应的充电的适配器选择局限性大，对经常外出的造成诸多不便。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种充电电路，旨在解决笔记本电脑只有一种充电接口的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种充电电路，所述充电电路包括：

第一接口充电模块；

第二接口充电模块，所述第二接口充电模块与所述第一接口充电模块并联连接，且所述第二接口充电模块的输出端与所述第一接口充电模块的输出端连接；

用电模块，所述用电模块的输入端与所述第一接口充电模块或所述第二接口充电模块的输出端连接，以通过所述第一接口充电模块或所述第二接口充电模块的输出端对所述用电模块进行充电。

可选地，所述第一接口充电模块包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的栅极接入第一外部设备的模拟数据采集端，所述第一场效应晶体管的源极接地，所述用电模块的输入端及所述第二接口充电模块的供电端并联接入所述第一场效应晶体管的漏极。

可选地，所述第一接口充电模块还包括第二场效应晶体管及第三场效应晶体管，所述第二场效应晶体管的栅极与所述第三场效应晶体管的栅极并联接入所述第一场效应晶体管的漏极，所述第二场效应晶体管的源极与所述第三场效应晶体管的源极连接，所述第三场效应晶体管的源极接地，所述第二场效应晶体管的漏极与所述第一外部设备的模拟数据采集端连接，所述第三场效应晶体管的漏极与所述第一外部设备的直流电源输入端连接。

可选地，所述第一场效应晶体管的栅极还接有第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电阻的另一端接地。

可选地，所述第一场效应晶体管的栅极还接有第一电容，所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电容的一端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电容的另一端接地。

可选地，所述第二接口充电模块包括第四场效应晶体管与电源开关，所述第四场效应晶体管的漏极与所述用电模块的输入端连接，所述第四场效应晶体管的源极接地，所述第四场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述电源开关的控制端与所述第四场效应晶体管的漏极并联接入所述用电模块的模拟数据采集端，所述电源开关的供电端接入所述第一场效应晶体管的漏极，所述电源开关的触发端与第二外部设备的直流电源输入端连接。

可选地，所述第四场效应晶体管的栅极接有第五场效应晶体管，所述第五场效应晶体管的漏极与所述第四场效应晶体管的栅极连接，所述第五场效应晶体管的源极接地，所述第五场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的栅极连接。

可选地，所述第四场效应晶体管的栅极还接有所述第二外部设备的模拟数据采集端，所述第二外部设备的模拟数据采集端与所述第五场效应晶体管的漏极并联接入所述第四场效应晶体管的栅极。

本申请还提出一种智能设备，所述智能设备包括如上所述的充电电路；

其中，所述智能设备通过所述第一接口充电模块与第一外部的充电设备连接；或者，所述智能设备通过所述第二接口充电模块与第二外部的充电设备连接。

可选地，所述智能设备设有通用串行总线方口，和/或所述智能设备设有 C型通用串行总线接口。

本实用新型技术方案通过对用电模块接入两种接口的充电模块，其为第一接口充电模块与第二接口充电模块，通过所述第一接口充电模块与所述第二接口充电模块并联接入所述用电模块内，以使所述用电模块可通过两个充电接口进行充电，以增加所述充电电路的多样性及实用性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为第一接口充电模块的电路示意图；

图2为第二接口充电模块的电路示意图；

图3为充电电路的模块示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				1	第一接口充电模块	15	第一电容
2	第二接口充电模块	21	电源开关
				11	第一场效应晶体管	22	第四场效应晶体管
12	第二场效应晶体管	23	第五场效应晶体管
				13	第三场效应晶体管	24	第二电阻
14	第一电阻	3	用电模块

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示) 下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

笔记本电脑的充电接口通常只有一种类型接口，且该充电接口不兼容其他接口，使得充电接口对应的充电的适配器选择局限性大，对经常外出的造成诸多不便，针对上述技术问题，请参照图1-3所示，本申请提出一种充电电路的第一实施例，其中，所述充电电路包括：

第一接口充电模块1；

第二接口充电模块2，所述第二接口充电模块2与所述第一接口充电模块 1并联连接，且所述第二接口充电模块2的输出端与所述第一接口充电模块1 的输出端连接；

用电模块3，所述用电模块3的输入端与所述第一接口充电模块1或所述第二接口充电模块2的输出端连接，以通过所述第一接口充电模块1或所述第二接口充电模块2的输出端对所述用电模块3进行充电。

所述第一接口充电模块1上设有第一接口连接端，所述第一接口连接端用于与第一外部设备连接，所述第二接口充电模块2上设有第二接口连接端，所述第二接口连接端用于与第二外部设备连接，其中，所述第一外部设备设有模拟数据采集端，所述模拟数据采集端与所述第一接口连接端连接，其中所述模拟数据采集端的pin脚与所述第一接口连接端的pin脚接触实现电源/ 信号传输，所述第二外部设备设有模拟数据采集端，所述模拟数据采集端与所述第一接口连接端连接，其中所述模拟数据采集端的pin脚与所述第二接口连接端的pin脚接触实现电源/信号传输，需要说明的是，所述第一外部设备的模拟数据采集端的pin脚组合方式与所述第二外部设备的模拟数据采集端的pin脚的组合方式不同，以使所述第一接口连接端处设置的pin脚组合方式与所述第二接口连接端的pin脚组合方式不同，以使本申请的充电电路适应至少两种类型的充电插口。

具体地，所述第一接口充电模块1为所述用电模块3提供第一充电回路，通过所述第一外部设备的模拟数据采集端接入所述第一接口连接端，以使所述第一充电回路导通，以通过所述第一外部设备将电源传输至所述用电模块 3，以供所述用电模块3使用和/或存储。

其中，所述第一接口充电模块1包括第一场效应晶体管11，所述第一场效应晶体管11的栅极接入第一外部设备的模拟数据采集端，所述第一场效应晶体管11的源极接地，所述用电模块3的输入端及所述第二接口充电回路的供电端并联接入所述第一场效应晶体管11的漏极，也就是说，当所述第一外部设备接入所述第一接口充电模块1时，与之连接的所述第一场效应晶体管 11的栅极处于高电平状态，所述第一场效应晶体管11的栅极高于第一场效应晶体管11的源极的电压，第一场效应晶体管11的栅极将电压下来至所述第一场效应晶体管11的源极，所述第一场效应晶体管11的栅极控制电平由高变低，在所述第一场效应晶体管11的栅极的电压变低过程中，以所述第一场效应晶体管11的栅极用高电平驱动所述第一场效应晶体管11导通，所述第一场效应晶体管11导通后，所述第一接口充电模块1的充电线路导通，所述第一外部设备以将电源通过所述第一接口充电模块1传输至用电模块3中使用和/或存储。

所述第一接口充电模块1还包括第二场效应晶体管12与第三场效应晶体管13，所述第二场效应晶体管12的源极与所述第三场效应晶体管13的源极连接，所述第三场效应晶体管13的源极接地，所述第二场效应晶体管12的栅极与所述第三场效应晶体管13的栅极并联接入所述第一场效应晶体管11 的漏极，述第二场效应晶体管12的漏极与所述第一接口的模拟数据采集端连接，所述第三场效应晶体管13的漏极与所述第一接口的直流电源输入端连接，其中，所述第一场效应管导通时，所述第二场效应晶体管12的栅极与所述第三场效应晶体管13的栅极处于高电平状态，所述第二场效应晶体管12的栅极高于第二场效应晶体管12的源极的电压，第二场效应晶体管12的栅极将电压下来至所述第二场效应晶体管12的源极，所述第二场效应晶体管12的栅极控制电平由高变低，在所述第二场效应晶体管12的栅极的电压变低过程中，以所述第二场效应晶体管12的栅极用高电平驱动所述第二场效应晶体管 12导通，所述第三场效应晶体管13的栅极高于第三场效应晶体管13的源极的电压，第三场效应晶体管13的栅极将电压下来至所述第三场效应晶体管13 的源极，所述第三场效应晶体管13的栅极控制电平由高变低，在所述第三场效应晶体管13的栅极的电压变低过程中，以所述第三场效应晶体管13的栅极用高电平驱动所述第三场效应晶体管13导通，进而，所述第一场效应晶体管11导通并控制所述第二场效应晶体管12与所述第三场效应晶体管13导通，进而使所述第一接口充电模块1导通，所述第一外部设备以将电源通过所述第一接口充电模块1传输至用电模块3中使用和/或存储。

其中，为了保护所述第一接口充电模块1的传输安全性，在所述第一场效应晶体管11的栅极端还接有第一电容15以及第一电阻14，所述第一电容 15与所述第一电阻14并联连接在所述第一场效应晶体管11的栅极。

所述第一电容15的另一端接地，以通过所述第一电容15的接地线路进行滤波，为了消除电路中的高频成分，第一电容15的容抗与电路信号的频率及第一电容15的电容量成反比，所以第一电容15的电容量一定时，对高频成分的容抗较低，容易经所述第一电容15接地。

所述第一电阻14接地以防止电力或电子等设备遭雷击而采取的保护性措施，工作原理是电流由接地装置流入大地再经大地流向另一接地体或向远处扩散所遇到的第一电阻14，把雷电产生的雷击电流通过避雷针引入到大地，接地也是保护人身安全的一种有效手段，当某种原因引起的相线(如电线绝缘不良，线路老化等)和设备外壳碰触时，设备的外壳就会有危险电压产生，由此生成的电流就会经保护地线到大地，从而起到人身安全保护作用。

具体地，所述第二接口充电模块2为所述用电模块3提供第二充电回路，通过所述第二外部设备的模拟数据采集端接入所述第二接口连接端，以使所述第二充电回路导通，以通过所述第二外部设备将电源传输至所述用电模块3，以供所述用电模块3使用和/或存储。

所述第二接口充电模块2包括第四场效应晶体管22与电源开关21，所述第四场效应晶体管22的漏极与所述用电模块3的输入端连接，所述第四场效应晶体管22的源极接地，所述第四场效应晶体管22的栅极与所述第一场效应晶体管11的栅极连接，所述电源开关21的控制端与所述第四场效应晶体管22的漏极并联接入所述用电模块3的模拟数据采集端，所述电源开关21 的供电端接入所述第一场效应晶体管11的漏极，所述电源开关21的触发端与第二外部设备的直流电源输入端连接，。

当所述第二外部设备接入所述第二接口充电模块2时，与之连接的所述第四场效应晶体管22的栅极处于高电平状态，所述第四场效应晶体管22的栅极高于第四场效应晶体管22的源极的电压，第四场效应晶体管22的栅极将电压下来至所述第四场效应晶体管22的源极，所述第四场效应晶体管22 的栅极控制电平由高变低，在所述第四场效应晶体管22的栅极的电压变低过程中，以所述第四场效应晶体管22的栅极用高电平驱动所述第四场效应晶体管22导通，其中，所述第四场效应晶体管22的漏极还与所述电源开关21的控制端连接，所述第四场效应晶体管22导通后，所述电源开关21的控制端电压被拉低，进而所述电源开关21导通，所述第二外部设备以将电源通过所述第二接口充电模块2传输至用电模块3中使用和/或存储。

所述第四场效应晶体管22的栅极接有第五场效应晶体管23，所述第五场效应晶体管23的漏极与所述第四场效应晶体管22的栅极连接，所述第五场效应晶体管23的源极接地，所述第五场效应晶体管23的栅极与所述第一场效应晶体管11的栅极连接，当所述第一接口充电模块1接入电源后，电源在传入所述第一场效应晶体管11的同时，电源还接入所述第五场效应晶体管23 的栅极端，进而所述第五场效应晶体管23导通，所述第五场效应晶体管23 导通时这两个电都被拉到地，使得所述第四场效应晶体管22的栅极无接入电源，所述第四场效应晶体管22此时处于断开状态，所述第四场效应晶体管22 断开(注：R11598在原理图中是灰色表示预留但未上的器件，所以所述第四场效应晶体管22断开时，所述电源开关21的控制信号连接在所述第四场效应晶体管22的漏极跟上面的电阻之间，为高电平)，使得所述电源开关21的控制端处于高电平状态，所述电源开关21内的开关线路断开，进而所述第一接口充电模块1在充电时，所述第二接口充电模块2断开充电，若，当所述第一接口充电模块1与所述第二接口充电模块2同时接入电源时，所述第一接口充电模块1的充电电源控制所述第二充电电路中的电源开关21断开，以使所述第一接口充电模块1进行优先充电。

需要说明的是，所述第四场效应晶体管22的栅极还接有所述第二外部设备的模拟数据采集端，所述第二外部设备的模拟数据采集端与所述第五场效应晶体管23的漏极并联接入所述第四场效应晶体管22的栅极。

在所述第四场效应晶体管22的栅极连接由第二电阻24，其中，所述第二电阻24的一端与所述第四场效应晶体管22的栅极连接，所述第二电阻24的另一端接地，所述第二电阻24以防止电力或电子等设备遭雷击而采取的保护性措施，当某种原因引起的相线(如电线绝缘不良，线路老化等)和设备外壳碰触时，设备的外壳就会有危险电压产生，由此生成的电流就会经保护地线到大地，从而起到人身安全保护作用。

在本实施例中，通过对用电模块3接入两种接口的充电模块，其为第一接口充电模块1与第二接口充电模块2，通过所述第一接口充电模块1与所述第二接口充电模块2并联接入所述用电模块3内，以使所述用电模块3可通过两个充电接口进行充电，以增加所述充电电路的多样性及实用性。

本申请还提出一种智能设备，所述智能设备包括如上所述的充电电路；

其中，所述智能设备通过所述第一接口充电模块与第一外部的充电设备连接；或者，所述智能设备通过所述第二接口充电模块与第二外部的充电设备连接。

其中，所述第一外部的充电设备的充电接口与所述第二外部的充电设备的充电接口不同，所述第一外部的充电设备的充电接口为通用串行总线方口，对应的所述智能设备设有相对应的通用串行总线方口，所述通用串行总线方口与所述第一接口充电模块连接，所述第二外部的充电设备的充电接口为C 型通用串行总线接口，对应的所述智能设备设有相对应的C型通用串行总线接口，所述C型通用串行总线接口与所述第二接口充电模块连接。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种充电电路，其特征在于，所述充电电路包括：

第一接口充电模块；

第二接口充电模块，所述第二接口充电模块与所述第一接口充电模块并联连接，且所述第二接口充电模块的输出端与所述第一接口充电模块的输出端连接；

用电模块，所述用电模块的输入端与所述第一接口充电模块或所述第二接口充电模块的输出端连接，以通过所述第一接口充电模块或所述第二接口充电模块的输出端对所述用电模块进行充电。

2.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一接口充电模块包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的栅极接入第一外部设备的模拟数据采集端，所述第一场效应晶体管的源极接地，所述用电模块的输入端及所述第二接口充电模块的供电端并联接入所述第一场效应晶体管的漏极。

3.如权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一接口充电模块还包括第二场效应晶体管及第三场效应晶体管，所述第二场效应晶体管的栅极与所述第三场效应晶体管的栅极并联接入所述第一场效应晶体管的漏极，所述第二场效应晶体管的源极与所述第三场效应晶体管的源极连接，所述第三场效应晶体管的源极接地，所述第二场效应晶体管的漏极与所述第一外部设备的模拟数据采集端连接，所述第三场效应晶体管的漏极与所述第一外部设备的直流电源输入端连接。

4.如权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管的栅极还接有第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电阻的另一端接地。

5.如权利要求4所述的充电电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管的栅极还接有第一电容，所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电容的一端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电容的另一端接地。

6.如权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第二接口充电模块包括第四场效应晶体管与电源开关，所述第四场效应晶体管的漏极与所述用电模块的输入端连接，所述第四场效应晶体管的源极接地，所述第四场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述电源开关的控制端与所述第四场效应晶体管的漏极并联接入所述用电模块的模拟数据采集端，所述电源开关的供电端接入所述第一场效应晶体管的漏极，所述电源开关的触发端与第二外部设备的直流电源输入端连接。

7.如权利要求6所述的充电电路，其特征在于，所述第四场效应晶体管的栅极接有第五场效应晶体管，所述第五场效应晶体管的漏极与所述第四场效应晶体管的栅极连接，所述第五场效应晶体管的源极接地，所述第五场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的栅极连接。

8.如权利要求7所述的充电电路，其特征在于，所述第四场效应晶体管的栅极还接有所述第二外部设备的模拟数据采集端，所述第二外部设备的模拟数据采集端与所述第五场效应晶体管的漏极并联接入所述第四场效应晶体管的栅极。

9.一种智能设备，其特征在于，所述智能设备包括如权利要求1-8任一项所述的充电电路；

其中，所述智能设备通过所述第一接口充电模块与第一外部的充电设备连接；或者，所述智能设备通过所述第二接口充电模块与第二外部的充电设备连接。

10.如权利要求9所述的智能设备，其特征在于，所述智能设备设有通用串行总线方口，和/或所述智能设备设有C型通用串行总线接口。

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