CN211151831U - 推挽拓扑初级rcd吸收自适应调整电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，包括输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路、推挽输出电路；输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路、推挽输出电路依次串联在一起；RCD吸收电路设置有可调电阻电路，RCD吸收电路设置有PWM控制芯片。利用RCD吸收自适应调整技术，通过对输入电压进行实时取样比较，输出控制信号。使用MOS管搭建分立电路，实现RCD吸收电路中的电阻功能，并可随控制信号进行阻值的实时调整。RCD自适应调整技术可以让RCD吸收电路的参数随输入电压的变化而实时变化，在钳位效果和功率损耗之间，一直处在一个较好的平衡点，实现了良好的吸收效果的同时提高了电源整体转换效率。
Description
技术领域
本实用新型属于电路控制技术领域，具体涉及推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路。
背景技术
开关电源的拓扑中，推挽拓扑常用于通信领域供电。为钳位初级侧开关MOS管关断时产生的尖峰电压，通常需要在初级侧MOS管漏极与输入之间使用RCD吸收电路，避免MOS管上漏源间电压尖峰超过额定值，造成MOS管损坏。
MOS管上的尖峰电压随输入电压变化会产生变化，目前现行的RCD吸收电路，均为固定取值，参数不能随输入电压的改变而改变，在不同的输入电压条件下，RCD吸收的效果不同，一定程度影响了钳位效果并增加了损耗。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，利用RCD吸收自适应调整技术，通过对输入电压进行实时取样比较，输出控制信号。使用MOS管搭建分立电路，实现RCD吸收电路中的电阻功能，并可随控制信号进行阻值的实时调整。RCD自适应调整技术可以让RCD吸收电路的参数随输入电压的变化而实时变化，在钳位效果和功率损耗之间，一直处在一个较好的平衡点，实现了良好的吸收效果的同时提高了电源整体转换效率。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，利用RCD吸收自适应调整技术，通过对输入电压进行实时取样比较，输出控制信号。使用MOS管搭建分立电路，实现RCD吸收电路中的电阻功能，并可随控制信号进行阻值的实时调整。
本实用新型采用的技术方案是：
本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，包括输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路、推挽输出电路；输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路、推挽输出电路依次串联在一起；RCD吸收电路设置有可调电阻电路，RCD吸收电路设置有PWM控制芯片。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，输入滤波电路设置有接地地线，输入滤波电路设置有并联的电容。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，输入取样比较控制电路设置有两个串联的电阻，输入取样比较控制电路设置有接地地线；在两个电阻之间连接有运算放大器，运算放大器与可调电阻电路连接。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,PWM控制芯片和RCD吸收电路之间连接有场效应管，场效应管设置有接地地线。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，RCD吸收电路采用两级串联方式连接，RCD吸收电路设置有场效应管、电阻、电容、二极管，电容、二极管串联，场效应管连接在电容、二极管串联电路中间；场效应管与电阻串联，最后一级RCD吸收电路的电阻与前一级RCD吸收电路电连接。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，最后一级的RCD吸收电路与推挽输出电路之间设有变压器。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，所述的场效应管为N道沟场效应管增强型。
本实用新型的优点：RCD自适应调整技术可以让RCD吸收电路的参数随输入电压的变化而实时变化，在钳位效果和功率损耗之间，一直处在一个较好的平衡点，实现了良好的吸收效果的同时提高了电源整体转换效率。
附图说明
图1为本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路实施例示意图；
图中符号说明：1、输入滤波电路；2、输入取样比较控制电路；3、RCD吸收电路；301、可调电阻电路；302、PWM控制芯片；4、推挽输出电路。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行进一步描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1：
如图1所示，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，包括输入滤波电路1、输入取样比较控制电路2、RCD吸收电路3、推挽输出电路4；输入滤波电路1、输入取样比较控制电路2、RCD吸收电路3、推挽输出电路4依次串联在一起；RCD吸收电路3设置有可调电阻电路301，RCD吸收电路3设置有PWM控制芯片302。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，输入滤波电路1设置有接地地线，输入滤波电路1设置有并联的电容。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，输入取样比较控制电路2设置有两个串联的电阻，输入取样比较控制电路2设置有接地地线；在两个电阻之间连接有运算放大器，运算放大器与可调电阻电路301连接。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,PWM控制芯片302和RCD吸收电路3之间连接有场效应管，场效应管设置有接地地线。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，RCD吸收电路3采用两级串联方式连接，RCD吸收电路3设置有场效应管、电阻、电容、二极管；所述的电容、二极管串联，场效应管连接在电容与二极管的串联电路中间；场效应管与电阻串联，最后一级RCD吸收电路3的电阻与前一级RCD吸收电路3电连接。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，最后一级的RCD吸收电路3与推挽输出电路4之间设有变压器。
进一步的，本实用新型所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，所述的场效应管为N道沟场效应管增强型。
本实用新型的优点：RCD自适应调整技术可以让RCD吸收电路的参数随输入电压的变化而实时变化，在钳位效果和功率损耗之间，一直处在一个较好的平衡点，实现了良好的吸收效果的同时提高了电源整体转换效率。
上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型的举例，对本领域的普通技术人员而言，根据上述说明可加以变动或变换，而所有这些变动或变换都应为本实用新型的保护范围内。
Claims (7)
1.推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,包括输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路、推挽输出电路；输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路、推挽输出电路依次串联在一起；RCD吸收电路设置有可调电阻电路，RCD吸收电路设置有PWM控制芯片。
2.如权利要求1所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,输入滤波电路设置有接地地线，输入滤波电路设置有并联的电容。
3.如权利要求1所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,输入取样比较控制电路设置有两个串联的电阻，输入取样比较控制电路设置有接地地线；在两个电阻之间连接有运算放大器，运算放大器与可调电阻电路连接。
4.如权利要求1所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,PWM控制芯片和RCD吸收电路之间连接有场效应管，场效应管设置有接地地线。
5.如权利要求1所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,RCD吸收电路采用两级串联方式连接，RCD吸收电路设置有场效应管、电阻、电容、二极管，电容、二极管串联，场效应管连接在电容、二极管串联电路中间；场效应管与电阻串联，最后一级RCD吸收电路（3）的电阻与前一级RCD吸收电路电连接。
6.如权利要求1所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,最后一级的RCD吸收电路与推挽输出电路之间设有变压器。
7.如权利要求5所述的推挽拓扑初级RCD吸收自适应调整电路，其特征在于,场效应管为N道沟场效应管增强型。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211151831U true CN211151831U (zh) | 2020-07-31 |
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ID=71748902
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
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2019
- 2019-12-30 CN CN201922454514.5U patent/CN211151831U/zh active Active
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