CN109921615A - 瞬时负压关断功率mos管驱动电路及驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，它的驱动供电电路用于给变压器驱动电路供电；变压器驱动电路用于将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器；功率MOS管正向导通驱动电路用于将变压器输出的正向电压信号加在功率MOS管栅极和源极上，使功率MOS管导通；瞬时负压产生电路用于产生功率MOS管关断瞬间时需要的负向电压信号，并加在功率MOS管栅极和源极上，使功率MOS管关断。本发明能够依据自动产生负压，不需要额外增加电源模块，节省成本，由于减少器件数量，提高产品可靠性。

Description

瞬时负压关断功率MOS管驱动电路及驱动方法

技术领域

本发明涉及自动化控制技术领域，具体地指一种瞬时负压关断功率MOS管驱动电路及驱动方法。

背景技术

在高频开关电源中，功率MOS(metal oxide semiconductor)管开关损耗一直是开关电源工程师们关心的问题，特别是随着工作频率的提高，开关损耗问题更加突出。

目前采取的措施是软开关控制方式，使功率管在关断或者导通时电压或者电流为零，但是软开关控制方式具有局限性，当电源负载变化范围较宽时，在某些负载范围不能实现软开关，此时需要让开关管快速关断，或者导通以减小开关损耗。

在关断时给功率MOS管一个负压可以加速关断，目前采取的措施是增加一个负电压输出的电源模块，此种方式电路成本高。

发明内容

本发明提供一种瞬时负压关断功率MOS管驱动电路及驱动方法，旨在解决高频电源功率MOS管关断时开关损耗大的问题。

为实现此目的，本发明所设计的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：它包括驱动供电电路、变压器驱动电路、变压器、功率MOS管正向导通驱动电路和瞬时负压产生电路；

所述驱动供电电路用于给变压器驱动电路供电；

所述变压器驱动电路用于将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器；

所述功率MOS管正向导通驱动电路用于将变压器输出的正向电压信号加在功率MOS管栅极和源极上，使功率MOS管导通；

所述瞬时负压产生电路用于产生功率MOS管关断瞬间时需要的负向电压信号，并加在功率MOS管栅极和源极上，使功率MOS管关断。

相比于现有的负压关断功率MOS管驱动电路，本发明提供的一种瞬时负压关断功率MOS管驱动装置，能够依据自动产生负压，不需要额外增加电源模块(有的驱动电路负压通过增加的电源模块产生，成本高，)，节省成本，由于减少器件数量，提高产品可靠性。

附图说明

图1为本发明的原理框图；

图2为本发明的电路图；

其中，1—驱动供电电路、2—变压器驱动电路、3—变压器、4—功率MOS管正向导通驱动电路、5—瞬时负压产生电路、6—功率MOS管。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明：

本发明所设计的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，如图1和2所示，它包括驱动供电电路1、变压器驱动电路2、变压器3、功率MOS管正向导通驱动电路4和瞬时负压产生电路5；

所述驱动供电电路1用于给变压器驱动电路供电；

所述变压器驱动电路2用于将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器3；

所述功率MOS管正向导通驱动电路4用于将变压器3输出的正向电压信号加在功率MOS管6栅极和源极上，使功率MOS管6迅速导通；

所述瞬时负压产生电路5用于产生功率MOS管6关断瞬间时需要的负向电压信号，并加在功率MOS管6栅极和源极上，使功率MOS管6关断。

上述技术方案中，所述变压器驱动电路2包括电阻R1B1、电阻R1B2、电阻R1B3、电阻R1B4、电阻R1B5、电容C1B1、电容C1B2、电容C1B3、电容C1B4、变压器驱动芯片U1B、电阻R2B3、电阻R2B4、电阻R2B5、电容C2B1、电容C2B2、电容C2B3和变压器驱动芯片U2B，其中，所述变压器驱动芯片U1B和变压器驱动芯片U2B用于将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器3(前级控制信号功率有限不能驱动变压器)；

所述电阻R1B3和电容C1B1用于为变压器驱动芯片U1B滤出掉干扰信号，电阻R1B4和电阻R1B5用于对变压器驱动芯片U1B输出的驱动信号进行限流，电容C1B4用于隔离直流信号，防止驱动变压器饱和，所述电阻R1B2为上拉电阻，使变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输入端使能控制端ENA和第二信号放大输入端使能控制端ENB始终为高电平，电容C1B2和电容C1B3为去耦电容，防止外界电压波动对变压器驱动芯片U1B的影响；

所述电阻R2B3和电容C2B1用于为变压器驱动芯片U2B滤出掉干扰信号，电阻R2B4和电阻R2B5用于对变压器驱动芯片U2B输出的驱动信号进行限流，电容C2B2和电容C2B3为去耦电容，防止外界电压波动对变压器驱动芯片U2B的影响。

上述技术方案中，所述变压器驱动芯片U1B和变压器驱动芯片U2B的变压器前级控制信号为互补的方波信号。互补驱动信号由开关电源原理决定，该驱动电路应用到开关电源功率管驱动上。

上述技术方案中，所述电阻R1B3的一端连接第一路变压器前级控制信号输入端，电阻R1B3的另一端连接变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输入端INA和第二信号放大输入端INB，电容C1B1的一端连接电阻R1B3的另一端，电容C1B1的另一端接地，电容C1B2的一端连接驱动供电电路1的供电端，电容C1B2的另一端接地，电容C1B3的一端连接驱动供电电路1的供电端，电容C1B3的另一端接地，变压器驱动芯片U1B的接地端GND接地，电阻R1B1的一端连接12V电源，电阻R1B1的另一端连接电阻R1B2的一端；

电阻R1B2的另一端连接变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输入端使能控制端ENA和第二信号放大输入端使能控制端ENB，以及变压器驱动芯片U2B的第一信号放大输入端使能控制端ENA和第二信号放大输入端使能控制端ENB连接(此时第一信号放大输入端INA和第二信号放大输入端INB始终与对应的第一信号放大输出端OUTA和第二信号放大输出端OUTB导通，每个变压器驱动芯片中两路放大电路并联，提高带载能力)；

驱动供电电路1的供电端口连接变压器驱动芯片U1B的供电端VCC，驱动供电电路1的供电端口还连接电阻R1B1的另一端，变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输出端OUTA连接电阻R1B5的一端，变压器驱动芯片U1B的第二信号放大输出端OUTB连接电阻R1B4的一端，电阻R1B5的另一端连接电阻R1B4的另一端，电阻R1B5的另一端连接电容C1B4的一端，电容C1B4的另一端连接变压器3初级的一端；

所述电阻R2B3的一端连接第二路变压器前级控制信号输入端，电阻R2B3的另一端连接变压器驱动芯片U2B的第一信号放大输入端INA和第二信号放大输入端INB，电容C2B1的一端连接电阻R2B3的另一端，电容C2B1的另一端接地，电容C2B2的一端连接驱动供电电路1的供电端，电容C2B2的另一端接地，电容C2B3的一端连接驱动供电电路1的供电端，电容C2B3的另一端接地，变压器驱动芯片U2B的接地端GND接地；

驱动供电电路1的供电端口连接变压器驱动芯片U2B的供电端VCC，变压器驱动芯片U2B的第一信号放大输出端OUTA连接电阻R2B5的一端，变压器驱动芯片U2B的第二信号放大输出端OUTB连接电阻R2B4的一端，电阻R2B5的另一端连接电阻R2B4的另一端，电阻R2B5的另一端连接变压器3初级的另一端。

上述技术方案中，所述变压器3(驱动变压器)用于将放大后的信号隔离，使控制信号用电合功率电隔离。

上述技术方案中，所述功率MOS管正向导通驱动电路4包括电阻R3B1、电阻R3B2、电阻R3B3、电阻R3B4、电阻R3B5、二极管D3B1、二极管D3B2、稳压二极管D3B3、二极管D3B4(整流二极管)、稳压二极管D3B5、稳压二极管D3B6、MOS管Q3B1、电容C3B1、电容C3B2和电容C3B3；所述电阻R3B1和电阻R3B2的一端均连接变压器3次级第一绕组的一端，电阻R3B2的另一端连接二极管D3B1的正极，二极管D3B1的负极连接电阻R3B1的另一端，电阻R3B3的一端连接二极管D3B1的负极，电阻R3B3的另一端连接变压器3次级第一绕组的另一端，MOS管Q3B1的栅极连接电阻R3B3的另一端，MOS管Q3B1的漏极连接二极管D3B1的负极，MOS管Q3B1的源极连接二极管D3B2的正极，二极管D3B2的负极连接变压器3次级第一绕组的另一端，二极管D3B4的正极连接二极管D3B1的负极，二极管D3B4的负极连接电阻R3B4的一端，电容C3B2的一端连接电阻R3B4的一端，电容C3B2的另一端连接电阻R3B4的另一端，稳压二极管D3B3的正极连接二极管D3B2的正极，稳压二极管D3B3的负极连接电阻R3B4的另一端，电阻R3B5的一端连接二极管D3B1的负极，电阻R3B5的另一端连接电容C3B3的一端，电容C3B3的另一端连接电阻R3B4的另一端，稳压二极管D3B5的一端连接二极管D3B1的负极，稳压二极管D3B5的另一端连接稳压二极管D3B6的一端，稳压二极管D3B6的另一端连接电阻R3B4的另一端，所述电阻R3B4的另一端连接功率MOS管6的栅极，稳压二极管D3B3的负极连接功率MOS管6的源极。

上述技术方案中，所述瞬时负压产生电路5包括电阻R4B1、电阻R4B2、电阻R4B3、电阻R4B4、电阻R4B5、二极管D4B1、二极管D4B2、稳压二极管D4B3、二极管D4B4(整流二极管)、稳压二极管D4B5、稳压二极管D4B6、MOS管Q4B1、电容C4B1、电容C4B2和电容C4B3；所述电阻R4B1和电阻R4B2的一端均连接变压器3次级第二绕组的一端，电阻R4B2的另一端连接二极管D4B1的正极，二极管D4B1的负极连接电阻R4B1的另一端，电阻R4B3的一端连接二极管D4B1的负极，电阻R4B3的另一端连接变压器3次级第二绕组的另一端，MOS管Q4B1的栅极连接电阻R4B3的另一端，MOS管Q4B1的漏极连接二极管D4B1的负极，MOS管Q4B1的源极连接二极管D4B2的正极，二极管D4B2的负极连接变压器3次级第二绕组的另一端，二极管D4B4的正极连接二极管D4B1的负极，二极管D4B4的负极连接电阻R4B4的一端，电容C4B2的一端连接电阻R4B4的一端，电容C4B2的另一端连接电阻R4B4的另一端，稳压二极管D4B3的正极连接二极管D4B2的正极，稳压二极管D4B3的负极连接电阻R4B4的另一端，电阻R4B5的一端连接二极管D4B1的负极，电阻R4B5的另一端连接电容C4B3的一端，电容C4B3的另一端连接电阻R4B4的另一端，稳压二极管D4B5的一端连接二极管D4B1的负极，稳压二极管D4B5的另一端连接稳压二极管D4B6的一端，稳压二极管D4B6的另一端连接电阻R4B4的另一端，所述电阻R4B4的另一端连接功率MOS管6的栅极，稳压二极管D4B3的负极连接功率MOS管6的源极。

上述技术方案中，所述电阻R3B2为功率MOS管6的输入匹配电阻，用于调节输入波形边沿，所述二极管D3B1用于防止反向电压流通电阻R3B2，二极管D3B4、电阻R3B4、电容C3B2、稳压二极管D3B5和稳压二极管D3B6组成功率MOS管6输入保护电路，防止输入过压，静电高压损坏功率MOS管6，所述二极管D3B2防止产生负压流向变压器3，稳压二极管D3B3和电容C3B1在功率MOS管正向驱动时产生压降。当变压器正向导通时MOS管Q3B1不工作，负向导通时MOS管Q3B1导通，为稳压二极管D3B3产生负压提供通路，从而为功率MOS管6提供负压通路。

上述技术方案中，所述电阻R4B2为功率MOS管6的输入匹配电阻，用于调节输入波形边沿，所述二极管D4B1用于防止反向电压流通电阻R4B2，二极管D4B4、电阻R4B4、电容C4B2、稳压二极管D4B5和稳压二极管D4B6组成功率MOS管6输入保护电路，防止输入过压，静电高压损坏功率MOS管6，所述二极管D4B2防止产生负压流向变压器3，稳压二极管D4B3和电容C4B1在功率MOS管正向驱动时产生压降，当变压器反向驱动时，MOS管Q4B1导通，稳压二极管D4B3和电容C4B1在功率MOS管6正向驱动时产生压降反向加在功率MOS管6栅极和源极上，此时功率MOS管栅6极源极相当于加了负压，在此负压作用下，功率MOS管迅速关断。

一种瞬时负压关断功率MOS管驱动方法，它包括如下步骤：

步骤1：变压器驱动电路2将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器3；

步骤2：所述功率MOS管正向导通驱动电路4将变压器3输出的正向电压信号加在功率MOS管6栅极和源极上，使功率MOS管6导通；

步骤3：瞬时负压产生电路5用于产生功率MOS管6关断瞬间时需要的负向电压信号，并加在功率MOS管6栅极和源极上，使功率MOS管6关断。

本说明书未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (10)

1.一种瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：它包括驱动供电电路(1)、变压器驱动电路(2)、变压器(3)、功率MOS管正向导通驱动电路(4)和瞬时负压产生电路(5)；

所述驱动供电电路(1)用于给变压器驱动电路(2)供电；

所述变压器驱动电路(2)用于将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器(3)；

所述功率MOS管正向导通驱动电路(4)用于将变压器(3)输出的正向电压信号加在功率MOS管(6)栅极和源极上，使功率MOS管(6)导通；

所述瞬时负压产生电路(5)用于产生功率MOS管(6)关断瞬间时需要的负向电压信号，并加在功率MOS管(6)栅极和源极上，使功率MOS管(6)关断。

2.根据权利要求1所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述变压器驱动电路(2)包括电阻R1B1、电阻R1B2、电阻R1B3、电阻R1B4、电阻R1B5、电容C1B1、电容C1B2、电容C1B3、电容C1B4、变压器驱动芯片U1B、电阻R2B3、电阻R2B4、电阻R2B5、电容C2B1、电容C2B2、电容C2B3和变压器驱动芯片U2B，其中，所述变压器驱动芯片U1B和变压器驱动芯片U2B用于将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器(3)；

所述电阻R1B3和电容C1B1用于为变压器驱动芯片U1B滤出掉干扰信号，电阻R1B4和电阻R1B5用于对变压器驱动芯片U1B输出的驱动信号进行限流，电容C1B4用于隔离直流信号，防止驱动变压器饱和，所述电阻R1B2为上拉电阻，使变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输入端使能控制端ENA和第二信号放大输入端使能控制端ENB始终为高电平，电容C1B2和电容C1B3为去耦电容，防止外界电压波动对变压器驱动芯片U1B的影响；

所述电阻R2B3和电容C2B1用于为变压器驱动芯片U2B滤出掉干扰信号，电阻R2B4和电阻R2B5用于对变压器驱动芯片U2B输出的驱动信号进行限流，电容C2B2和电容C2B3为去耦电容，防止外界电压波动对变压器驱动芯片U2B的影响。

3.根据权利要求2所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述变压器驱动芯片U1B和变压器驱动芯片U2B的变压器前级控制信号为互补的方波信号。

4.根据权利要求2所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述电阻R1B3的一端连接第一路变压器前级控制信号输入端，电阻R1B3的另一端连接变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输入端INA和第二信号放大输入端INB，电容C1B1的一端连接电阻R1B3的另一端，电容C1B1的另一端接地，电容C1B2的一端连接驱动供电电路(1)的供电端，电容C1B2的另一端接地，电容C1B3的一端连接驱动供电电路(1)的供电端，电容C1B3的另一端接地，变压器驱动芯片U1B的接地端GND接地，电阻R1B1的一端连接12V电源，电阻R1B1的另一端连接电阻R1B2的一端；

电阻R1B2的另一端连接变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输入端使能控制端ENA和第二信号放大输入端使能控制端ENB，以及变压器驱动芯片U2B的第一信号放大输入端使能控制端ENA和第二信号放大输入端使能控制端ENB连接；

驱动供电电路(1)的供电端口连接变压器驱动芯片U1B的供电端VCC，驱动供电电路(1)的供电端口还连接电阻R1B1的另一端，变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输出端OUTA连接电阻R1B5的一端，变压器驱动芯片U1B的第二信号放大输出端OUTB连接电阻R1B4的一端，电阻R1B5的另一端连接电阻R1B4的另一端，电阻R1B5的另一端连接电容C1B4的一端，电容C1B4的另一端连接变压器(3)初级的一端；

所述电阻R2B3的一端连接第二路变压器前级控制信号输入端，电阻R2B3的另一端连接变压器驱动芯片U2B的第一信号放大输入端INA和第二信号放大输入端INB，电容C2B1的一端连接电阻R2B3的另一端，电容C2B1的另一端接地，电容C2B2的一端连接驱动供电电路(1)的供电端，电容C2B2的另一端接地，电容C2B3的一端连接驱动供电电路(1)的供电端，电容C2B3的另一端接地，变压器驱动芯片U2B的接地端GND接地；

驱动供电电路(1)的供电端口连接变压器驱动芯片U2B的供电端VCC，变压器驱动芯片U2B的第一信号放大输出端OUTA连接电阻R2B5的一端，变压器驱动芯片U2B的第二信号放大输出端OUTB连接电阻R2B4的一端，电阻R2B5的另一端连接电阻R2B4的另一端，电阻R2B5的另一端连接变压器(3)初级的另一端。

5.根据权利要求1所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述变压器(3)用于将放大后的信号隔离，使控制信号用电合功率电隔离。

6.根据权利要求1所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述功率MOS管正向导通驱动电路(4)包括电阻R3B1、电阻R3B2、电阻R3B3、电阻R3B4、电阻R3B5、二极管D3B1、二极管D3B2、稳压二极管D3B3、二极管D3B4、稳压二极管D3B5、稳压二极管D3B6、MOS管Q3B1、电容C3B1、电容C3B2和电容C3B3；所述电阻R3B1和电阻R3B2的一端均连接变压器(3)次级第一绕组的一端，电阻R3B2的另一端连接二极管D3B1的正极，二极管D3B1的负极连接电阻R3B1的另一端，电阻R3B3的一端连接二极管D3B1的负极，电阻R3B3的另一端连接变压器(3)次级第一绕组的另一端，MOS管Q3B1的栅极连接电阻R3B3的另一端，MOS管Q3B1的漏极连接二极管D3B1的负极，MOS管Q3B1的源极连接二极管D3B2的正极，二极管D3B2的负极连接变压器(3)次级第一绕组的另一端，二极管D3B4的正极连接二极管D3B1的负极，二极管D3B4的负极连接电阻R3B4的一端，电容C3B2的一端连接电阻R3B4的一端，电容C3B2的另一端连接电阻R3B4的另一端，稳压二极管D3B3的正极连接二极管D3B2的正极，稳压二极管D3B3的负极连接电阻R3B4的另一端，电阻R3B5的一端连接二极管D3B1的负极，电阻R3B5的另一端连接电容C3B3的一端，电容C3B3的另一端连接电阻R3B4的另一端，稳压二极管D3B5的一端连接二极管D3B1的负极，稳压二极管D3B5的另一端连接稳压二极管D3B6的一端，稳压二极管D3B6的另一端连接电阻R3B4的另一端，所述电阻R3B4的另一端连接功率MOS管(6)的栅极，稳压二极管D3B3的负极连接功率MOS管(6)的源极。

7.根据权利要求1所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述瞬时负压产生电路(5)包括电阻R4B1、电阻R4B2、电阻R4B3、电阻R4B4、电阻R4B5、二极管D4B1、二极管D4B2、稳压二极管D4B3、二极管D4B4、稳压二极管D4B5、稳压二极管D4B6、MOS管Q4B1、电容C4B1、电容C4B2和电容C4B3；所述电阻R4B1和电阻R4B2的一端均连接变压器(3)次级第二绕组的一端，电阻R4B2的另一端连接二极管D4B1的正极，二极管D4B1的负极连接电阻R4B1的另一端，电阻R4B3的一端连接二极管D4B1的负极，电阻R4B3的另一端连接变压器(3)次级第二绕组的另一端，MOS管Q4B1的栅极连接电阻R4B3的另一端，MOS管Q4B1的漏极连接二极管D4B1的负极，MOS管Q4B1的源极连接二极管D4B2的正极，二极管D4B2的负极连接变压器(3)次级第二绕组的另一端，二极管D4B4的正极连接二极管D4B1的负极，二极管D4B4的负极连接电阻R4B4的一端，电容C4B2的一端连接电阻R4B4的一端，电容C4B2的另一端连接电阻R4B4的另一端，稳压二极管D4B3的正极连接二极管D4B2的正极，稳压二极管D4B3的负极连接电阻R4B4的另一端，电阻R4B5的一端连接二极管D4B1的负极，电阻R4B5的另一端连接电容C4B3的一端，电容C4B3的另一端连接电阻R4B4的另一端，稳压二极管D4B5的一端连接二极管D4B1的负极，稳压二极管D4B5的另一端连接稳压二极管D4B6的一端，稳压二极管D4B6的另一端连接电阻R4B4的另一端，所述电阻R4B4的另一端连接功率MOS管(6)的栅极，稳压二极管D4B3的负极连接功率MOS管(6)的源极。

8.根据权利要求6所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述电阻R3B2为功率MOS管(6)的输入匹配电阻，用于调节输入波形边沿，所述二极管D3B1用于防止反向电压流通电阻R3B2，二极管D3B4、电阻R3B4、电容C3B2、稳压二极管D3B5和稳压二极管D3B6组成功率MOS管(6)输入保护电路，防止输入过压,所述二极管D3B2防止产生负压流向变压器(3)，稳压二极管D3B3和电容C3B1在功率MOS管正向驱动时产生压降。

9.根据权利要求7所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路，其特征在于：所述电阻R4B2为功率MOS管(6)的输入匹配电阻，用于调节输入波形边沿，所述二极管D4B1用于防止反向电压流通电阻R4B2，二极管D4B4、电阻R4B4、电容C4B2、稳压二极管D4B5和稳压二极管D4B6组成功率MOS管(6)输入保护电路，防止输入过压,所述二极管D4B2防止产生负压流向变压器(3)，稳压二极管D4B3和电容C4B1在功率MOS管正向驱动时产生压降，当变压器反向驱动时，MOS管Q4B1导通，稳压二极管D4B3和电容C4B1在功率MOS管(6)正向驱动时产生压降反向加在功率MOS管(6)栅极和源极上，此时功率MOS管栅(6)极源极相当于加了负压，在此负压作用下，功率MOS管迅速关断。

10.一种瞬时负压关断功率MOS管驱动方法，其特征在于，它包括如下步骤：

步骤1：变压器驱动电路(2)将变压器前级控制信号放大，并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器(3)；

步骤2：所述功率MOS管正向导通驱动电路(4)将变压器(3)输出的正向电压信号加在功率MOS管(6)栅极和源极上，使功率MOS管(6)导通；

步骤3：瞬时负压产生电路(5)用于产生功率MOS管(6)关断瞬间时需要的负向电压信号，并加在功率MOS管(6)栅极和源极上，使功率MOS管(6)关断。