CN213846230U - 一种过流保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种过流保护电路，应用于电力电子技术领域，该电路包括：逻辑处理电路及检测电路，逻辑处理电路在其第一输入端未接收到任何信号，且其第二输入端接收到控制信号的情况下输出驱动信号，驱动SiC MOSFET导通，检测电路在接收到驱动信号的情况下，采集与SiC MOSFET的流通电流对应的检测电压，并在出现过流故障的情况下输出保护信号，以使逻辑处理电路停止输出驱动信号，关断SiC MOSFET，在电路中检测电压与流经SiC MOSFET的电流相对应，可以根据需求灵活调整基准电压的取值，设置不同的基准电压，即可实现对不同电流的考核，从而在非短路故障情况下对SiC MOSFET进行过流保护。

Description

一种过流保护电路

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，特别涉及一种过流保护电路。

背景技术

SiC MOSFET作为一种新型的晶体管功率器件，以其开关速度快，开关损耗小等优点得到广泛应用。与其他类型的晶体管功率器件一样，在使用过程中容易因为过流而损坏，因此，需要为SiC MOSFET设置必要的过流保护电路。现有主流的保护方式是基于SiCMOSFET的流通电流实现的，在需要保护SiC MOSFET时，控制驱动电路关断SiC MOSFET。

上述SiC MOSFET的保护方式，主要针对SiC MOSFET出现短路故障的工作场景，即当SiC MOSFET流通的电流大于等于故障电流阈值时控制SiC MOSFET关断。然而，在现有应用中，故障电流阈值远远超过器件的最大允许工作电流，这使得SiC MOSFET在电流大于最大允许工作电流但小于故障电流阈值的非短路故障情况下无法得到有效保护，SiC MOSFET有可能在该非短路故障情况下因过流而损坏，现有方法的保护效果欠佳。

实用新型内容

本实用新型提供一种过流保护电路，能够在非短路故障情况下为SiC MOSFET提供过流保护，提高SiC MOSFET运行的安全性。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

本实用新型提供一种过流保护电路，包括：逻辑处理电路及检测电路，其中，

所述逻辑处理电路的第一输入端与所述检测电路的第一输出端相连，所述逻辑处理电路的第二输入端用于接收控制信号，所述逻辑处理电路的输出端分别与所述检测电路的输入端以及晶体管驱动电路的输入端相连；

所述晶体管驱动电路的输出端以及所述检测电路的第二输出端分别与SiCMOSFET相连；

在所述逻辑处理电路的第一输入端未接收到任何信号，且所述逻辑处理电路的第二输入端接收到所述控制信号的情况下，所述逻辑处理电路输出驱动信号；

所述晶体管驱动电路接收所述驱动信号，驱动所述SiC MOSFET导通；

所述检测电路接收所述驱动信号，采集与所述SiC MOSFET的流通电流对应的检测电压，并在所述检测电压大于等于预设的基准电压的情况下输出保护信号；

所述逻辑处理电路在接收到所述保护信号的情况下，停止输出驱动信号，以使所述SiC MOSFET关断。

可选的，所述检测电路包括：开关电路、消隐电路、转换电路，以及比较电路，其中，

所述消隐电路包括恒流源电路和消隐电容；

所述开关电路和所述消隐电容并联，形成并联支路；

所述恒流源电路的输出端经所述并联支路接地；

所述转换电路的输入端与所述恒流源电路的输出端相连，所述转换电路的输出端作为所述检测电路的第二输出端与所述SiC MOSFET的源极相连；

所述比较电路的第一输入端与所述恒流源电路的输出端相连，以采集所述检测电压，所述比较电路的第二输入端接入所述基准电压，所述比较电路的输出端作为所述检测电路的第一输出端；

所述开关电路的控制端作为所述检测电路的输入端，所述开关电路在接收到所述驱动信号的情况下关断，并在未接收到所述驱动信号的情况下导通。

可选的，所述转换电路包括：转换电阻和第一二极管，其中，

所述转换电阻和所述第一二极管串联连接，形成串联支路；

所述串联支路的一端作为所述转换电路的输入端，所述串联支路的另一端作为所述转换电路的输出端。

可选的，所述转换电路还包括：稳压二极管，其中，

所述稳压二极管与所述串联支路串联连接，且所述稳压二极管的阳极靠近所述SiC MOSFET的漏极。

可选的，所述开关电路包括：反相器和开关管，其中，

所述开关管的漏极与所述消隐电容的一端相连，所述开关管的源极与所述消隐电容的另一端相连后接地；

所述反相器的输入端作为所述开关电路的控制端，所述反相器的输出端与所述开关管的栅极相连。

可选的，所述开关电路还包括第二二极管，其中，

所述开关管的漏极经所述第二二极管与所述消隐电容相连，且所述开关管的漏极与所述第二二极管的阴极相连。

可选的，所述比较电路包括：比较器和基准电源，其中

所述比较器的正输入端作为所述比较电路的第一输入端；

所述比较器的负输入端与所述基准电源相连，接收所述基准电源提供的基准电压；

所述比较器的输出端作为所述比较电路的输出端。

可选的，所述消隐电路还包括第三二极管和第四二极管，其中，

所述第三二极管与所述消隐电容反向并联；

所述第四二极管与所述恒流源电路反向并联。

可选的，所述检测电路还包括工作电源电路，其中，

所述工作电源电路用于为所述检测电路提供工作电压。

可选的，所述逻辑处理电路包括：RS触发器和与门电路，其中，

所述RS触发器的第一输入端作为所述逻辑处理电路的第一输入端；

所述RS触发器的第二输入端作为所述逻辑处理电路的第二输入端，且所述RS触发器的第二输入端与所述与门电路的第一输入端相连；

所述RS触发器的输出端与所述与门电路的第二输入端相连；

所述与门电路的输出端作为逻辑处理电路的输出端。

本实用新型提供的过流保护电路包括：逻辑处理电路及检测电路，逻辑处理电路在其第一输入端未接收到任何信号，且其第二输入端接收到控制信号的情况下输出驱动信号，从而通过晶体管驱动电路驱动SiC MOSFET导通，同时，检测电路在接收到驱动信号的情况下，采集与SiC MOSFET的流通电流对应的检测电压，并在SiC MOSFET出现过流故障，导致检测电压大于等于预设的基准电压的情况下输出保护信号，逻辑处理电路在接收到该保护信号的情况下，会停止输出驱动信号，以使SiC MOSFET关断，从而达到保护SiC MOSFET的目的。

在本实用新型提供的过流保护电路中，检测电压与流经SiC MOSFET的电流相对应，通过检测电压可以直观反应SiC MOSFET的流通电流的情况，同时，本过流保护电路中的基准电压是预设的，设计人员可以根据需求灵活调整基准电压的取值，由于检测电压是与SiC MOSFET的电流对应的，设置不同的基准电压，即可实现对不同电流的考核，从而在非短路故障情况下对SiC MOSFET进行过流保护，显著提高SiC MOSFET的运行安全性，具有良好的保护效果。

进一步的，检测电路只有在接收到逻辑处理电路的驱动信号之后才开始工作，可以有效避免误保护的情况出现。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术内的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述内的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种过流保护电路的结构框图；

图2本实用新型实施例提供的一种逻辑处理电路的电路拓扑图；

图3是本实用新型实施例提供的一种检测电路的结构框图；

图4是本实用新型实施例提供的一种检测电路的电路拓扑图；

图5是本实用新型实施例提供的另一种检测电路的结构拓扑图；

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

可选的，参见图1，图1是本实用新型实施例提供的一种过流保护电路的结构框图，本实用新型实施例提供的过流保护电路包括：逻辑处理电路10和检测电路20。

具体的，逻辑处理电路10设置有第一输入端、第二输入端和输出端，其中，逻辑处理电路10的第一输入端与检测电路20的第一输出端相连，结合后续内容可知，检测电路20在满足一定条件的情况下，通过第一输出端向逻辑处理电路10输出保护信号，对于此部分内容将在后续内容中详细展开。逻辑处理电路10的第二输入端用于接收控制信号，在实际应用中，控制信号主要来自于对SiC MOSFET的工作过程进行控制的控制器，控制信号具体可以是一个高电平信号，在现有技术中能够提供相应控制信号的控制器都是可选的，本实用新型对于控制信号的具体来源不做限定。

逻辑处理电路10的输出端分别与检测电路20的输入端以及晶体管驱动电路30的输入端相连。需要说明的是，对于晶体管驱动电路30的具体构成可以参照现有技术实现，任何能够驱动SiC MOSFET导通的驱动电路都是可选的，本实用新型对此不做限定。

进一步的，晶体管驱动电路30的输出端以及检测电路20的第二输出端分别与SiCMOSFET相连。具体的，晶体管驱动电路30的输出端与SiC MOSFET40的栅极相连，检测电路20的第二输出端与SiC MOSFET40的漏极相连，SiC MOSFET40的源极接地。

基于上述连接关系，逻辑处理电路10在其第二输入端接收到控制信号，并且，其第一输入端未接收到任何信号，即未接收到检测电路20的保护信号的情况下，输出驱动信号。

驱动信号会同步的输入到检测电路20和晶体管驱动电路30，晶体管驱动电路30在接收到驱动信号后，驱动SiC MOSFET40导通。检测电路20在接收到驱动信号之后，采集与SiC MOSFET40的流通电流相对应的检测电压，并将所得检测电压与预设的基准电压进行比较，如果所得检测电压大于等于预设的基准电压，检测电路20会输出保护信号。

如前所述，检测电路20的第一输出端与逻辑处理电路10的第一输入端相连，保护信号通过二者之间的连接传递至逻辑处理电路10，逻辑处理电路10在接收到保护信号的情况下，停止输出驱动信号，以使SiC MOSFET40关断。

由此可见，逻辑处理电路10是否输出驱动信号，由其第一输入端和第二输入端各自接收信号的情况共同决定，在初始上电阶段，在逻辑处理电路10的第二输入端接收到控制信号之前，检测电路20不会得到驱动信号，因而也就不会对SiC MOSFET40进行保护，不会输出保护信号，反过来对于逻辑处理电路10而言，其第一输入端不会接收到任何信号，满足输出驱动信号的条件，进而输出驱动信号。

可选的，参见图2，图2是本实用新型实施例提供的逻辑处理电路10的电路拓扑图。本实施例提供的逻辑处理电路10包括：RS触发器和与门电路，其中，RS触发器的第一输入端作为逻辑处理电路10的第一输入端，用于接收检测电路20的保护信号；RS触发器的第二输入端作为逻辑处理电路10的第二输入端，用于接收控制信号，且RS触发器的第二输入端与与门电路的第一输入端相连；RS触发器的输出端与与门电路的第二输入端相连。与门电路的输出端作为逻辑处理电路的输出端，用于输出驱动信号。

逻辑处理电路10输出驱动信号后，检测电路20和晶体管驱动电路30才分别开始工作，执行上述内容所述的各自对应的功能，此处不再复述。

综上所述，本实用新型提供的过流保护电路中，检测电压与流经SiC MOSFET的电流相对应，通过检测电压可以直观反应SiC MOSFET的流通电流的情况，同时，本过流保护电路中的基准电压是预设的，设计人员可以根据需求灵活调整基准电压的取值，由于检测电压是与SiC MOSFET的电流对应的，设置不同的基准电压，即可实现对不同电流的考核，从而在非短路故障情况下对SiC MOSFET进行过流保护，显著提高SiC MOSFET的运行安全性，具有良好的保护效果。

进一步的，检测电路只有在接收到逻辑处理电路的驱动信号之后才开始工作，可以有效避免误保护的情况出现。

可选的，参见图3，图3是本实用新型实施例提供的一种检测电路的结构框图，本实施例提供的检测电路包括：开关电路210、消隐电路220、转换电路230，以及比较电路240，其中，消隐电路220包括恒流源电路A和消隐电容C1，此外，为了便于描述连接关系，图3中还示出了晶体管驱动电路30和SiC MOSFET40。

具体的，开关电路210和消隐电容C1并联连接，形成并联支路。恒流源电路A的输出端经所得并联支路接地。

转换电路230的输入端与恒流源电路A的输出端相连，转换电路230的输出端作为检测电路的第二输出端与SiC MOSFET40的源极相连，SiC MOSFET40的栅极接晶体管驱动电路30，SiC MOSFET40的漏极接地。

结合图3所示的连接关系可知，转换电路230的压降与SiC MOSFET40的导通压降之和，即为恒流源电路A的输出端与转换电路230的连接点出的电压，同样也是本实用新型各个实施例中述及的检测电压，比较电路240的第一输入端与恒流源电路A的输出端相连，可以直接采集到该检测电压。比较电路240的第二输入端接入基准电压，对所得基准电压和检测电压进行比较，比较电路240的输出端作为检测电路的第一输出端，根据基准电压与检测电压的比较结果确定是否输出保护信号。

开关电路210的控制端作为检测电路的输入端，与逻辑处理电路(图3中未示出)相连，开关电路210在接收到驱动信号的情况下关断，恒流源电路A对消隐电容C1充电，防止误保护；相应的，开关电路210在未接收到驱动信号的情况下导通，恒流源电路A接地，确保比较电路240的第一输入端为低电平，肯定不会高于比较电路240的第一输入端接入的基准电压，有效防止误保护发生。

下面在图1、图3所示结构框图的基础上，结合具体的电路拓扑对本实用新型提供的过流保护电路进行介绍。可选的，参见图4，图4是本实用新型实施例提供的一种过流保护电路的电路拓扑图，本实施例提供的过流保护电路中，过流保护电流的各构成部分的可选实现方式如下：

转换电路包括：转换电阻R1和第一二极管D1。转换电阻R1和第一二极管D1串联连接，形成串联支路，所得串联支路的一端作为转换电路的输入端，与恒流源电路A的输出端相连，串联支路的另一端作为转换电路的输出端，与SiC MOSFET Q2的漏极相连。

根据转换电路的具体构成可以看出，当SiC MOSFET Q2导通时，电流会流经转换电阻R1和第一二极管D1，并产生相应的压降，因此，转换电阻R1、第一二极管D1的压降，与SiCMOSFET Q2的导通压降之和，即为前述各个实施例中述及的检测电压。对于确定的第一二极管D1和确定的SiC MOSFET Q2而言，二者的导通压降是一定的，因此，可以通过调整转换电阻R1的大小，即可改变检测电压的大小，进而实现对SiC MOSFET Q2不同流通电流的保护。

开关电路包括：反相器U2和开关管Q1。开关管Q1的漏极与消隐电容C1的一端相连，开关管Q1的源极与消隐电容C1的另一端相连后接地；开关管Q1的栅极与反相器U2的输出端相连。

反相器U2的输入端作为开关电路的控制端，与图3中并未示出的逻辑处理电路的输出相连，逻辑处理电路输出的接收驱动信号。

比较电路包括：比较器U1和基准电源V1。比较器U1的正输入端作为比较电路的第一输入端，与转换电阻R1的一端相连，采集检测电压；比较器U1的负输入端与基准电源V1相连，接收基准电源V1提供的基准电压，并将基准电压与检测电压进行比较，比较器U1的输出端作为比较电路的输出端，在检测电压大于等于基准电压U1的情况下，输出保护信号(具体为高电平信号)。

可选的，参见图5，图5是本实用新型实施例提供的另一种检测电路的电路拓扑图，本实施例对图4所示的检测电路进行了完善和优化。

具体的，转换电路还包括稳压二极管DZ1，该稳压二极管DZ1与转换电阻R1和第一二极管D1串联行程的串联支路连接，为保证电路正常工作，稳压二极管DZ1的阳极靠近SiCMOSFETQ2的漏极。与图4所示实施例中单独采用转换电阻R1调节检测电压的方式相比，增加稳压二极管DZ1之后，转换电路中转换电阻R1的取值可以适当减小，防止选取过大导致的误保护，而且，还能提高转换电路的抗干扰性能。

开关电路还包括第二二极管D2。开关管Q1的漏极经第二二极管D2与消隐电容C1相连，且开关管Q1的漏极与第二二极管D2的阴极相连。也可以看作是消隐电容C1与第二二极管D2和开关管Q1的串联支路并联连接。通过增加第二二极管D2，可以防止检测电压过高，起到钳位电压的作用。

消隐电路还包括第三二极管D3和第四二极管D4。其中，第三二极管D3与消隐电容C1反向并联；第四二极管D4与恒流源电路A反向并联。进一步的，检测电路还设置有工作电源电路VCC。工作电源电路VCC用于为检测电路提供工作电压。通过设置第三二极管D3，同样可以防止检测电压过高，起到钳位电压的作用，设置第四二极管D4，可以起到隔离SiCMOSFET Q2侧的高压的作用，防止引入高电压。

需要说明的是，在图5所示的电路拓扑中，仅是示例性的给出工作电源VCC与检测电路中恒流源电路A，以及第四二极管D4的连接关系，在实际应用中，工作电源电路VCC还可以为比较器U1、反相器U2等有源器件供电，为更为清楚的展示本实施例所提供的检测电路的关键构成，并未示出这些连接关系，在具体应用时，可以根据现有技术实现。

下面对图4和图5所示的具体电路拓扑的工作原理进行简要介绍：

逻辑处理电路未输出驱动信号(输出低电平)时，晶体管驱动电路无法驱动SiCMOSFET Q2,SiC MOSFET Q2处于关断状态，不会出现过流。与此同时，反相器U2输出高电平，开关管Q1导通，比较器U1正输入端的电压为0V，比较器U1不会输出保护信号，即输出的是低电平，不会产生误保护。

逻辑处理电路输出驱动信号(输出高电平)时，SiC MOSFET Q2为导通状态。驱动信号经过反相器U2后输出低电平，开关管Q1关断，恒流源电路A输出电流给C1充电，同时流过转换电路和SiC MOSFET Q2。

此时，由于存在驱动信号，SiC MOSFET Q2为导通状态，当SiC MOSFET Q2的电流增大时，转换电路与恒流源电路的连接点的电压便会升高，如果这种电压升高是由故障引起的，最终会导致比较器U1正输入端的电压大于基准电源V1提供的基准电压，比较器U1便会输出保护信号。

逻辑处理电路收到保护信号后，基于前述逻辑处理逻辑，便会停止输出驱动信号(即把驱动信号由高电平变为低电平)，从而关断SiC MOSFET Q2，对器件进行过流保护。

需要说明的是，在实际应用中，由于SiC MOSFET Q2开通需要一定的时间，因此SiCMOSFET Q2的漏源电压下降需要一定时间，为了防止在SiC MOSFET Q2开通阶段，产生误保护，设置消隐电容C1，通过消隐电容C1的储能作用，可以调整保护的消隐时间，在消隐时间不进行保护，进而有效防止误保护。

具体的，过流保护的电流保护值的计算过程如下：

假设基准电源提供的基准电压为Vref，稳压二极管DZ1的稳压电压为Vdz，第一二极管D1的压降为Vd，恒流源电流A输出的电流为I，输出保护信号时SiC MOSFET Q2漏源压降为Vds。则有：Vds＝Vref-(Vdz+Vd+I*R1)。

计算出Vds后，可通过SiC MOSFET Q2的器件手册查出对应的保护电流。进而确定对应Vds的值，通过调整稳压二极管DZ1的压降Vdz和转换电阻R1的电阻值，使Vref-Vdz+Vd+I*R1等于Vds，则在达到设置的保护电流后，进行保护。

进一步的，消隐电路的消隐时间可按照如下过程计算：

假设所需消隐时间为T，消隐电容C1电容值为C，则T＝C*Vref/I。

通过改变消隐电容C1的容值，即可调整消隐时间大小，消隐时间设置为SiCMOSFET Q2开通时间的1.5～2倍即可，不要设置过大，否则保护动作时间太长，起不到保护作用。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：逻辑处理电路及检测电路，其中，

所述逻辑处理电路的第一输入端与所述检测电路的第一输出端相连，所述逻辑处理电路的第二输入端用于接收控制信号，所述逻辑处理电路的输出端分别与所述检测电路的输入端以及晶体管驱动电路的输入端相连；

所述晶体管驱动电路的输出端以及所述检测电路的第二输出端分别与SiC MOSFET相连；

在所述逻辑处理电路的第一输入端未接收到任何信号，且所述逻辑处理电路的第二输入端接收到所述控制信号的情况下，所述逻辑处理电路输出驱动信号；

所述晶体管驱动电路接收所述驱动信号，驱动所述SiC MOSFET导通；

所述检测电路接收所述驱动信号，采集与所述SiC MOSFET的流通电流对应的检测电压，并在所述检测电压大于等于预设的基准电压的情况下输出保护信号；

所述逻辑处理电路在接收到所述保护信号的情况下，停止输出驱动信号，以使所述SiCMOSFET关断。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述检测电路包括：开关电路、消隐电路、转换电路，以及比较电路，其中，

所述消隐电路包括恒流源电路和消隐电容；

所述开关电路和所述消隐电容并联，形成并联支路；

所述恒流源电路的输出端经所述并联支路接地；

所述转换电路的输入端与所述恒流源电路的输出端相连，所述转换电路的输出端作为所述检测电路的第二输出端与所述SiC MOSFET的源极相连；

所述比较电路的第一输入端与所述恒流源电路的输出端相连，以采集所述检测电压，所述比较电路的第二输入端接入所述基准电压，所述比较电路的输出端作为所述检测电路的第一输出端；

所述开关电路的控制端作为所述检测电路的输入端，所述开关电路在接收到所述驱动信号的情况下关断，并在未接收到所述驱动信号的情况下导通。

3.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，所述转换电路包括：转换电阻和第一二极管，其中，

所述转换电阻和所述第一二极管串联连接，形成串联支路；

所述串联支路的一端作为所述转换电路的输入端，所述串联支路的另一端作为所述转换电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于，所述转换电路还包括：稳压二极管，其中，

所述稳压二极管与所述串联支路串联连接，且所述稳压二极管的阳极靠近所述SiCMOSFET的漏极。

5.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，所述开关电路包括：反相器和开关管，其中，

所述开关管的漏极与所述消隐电容的一端相连，所述开关管的源极与所述消隐电容的另一端相连后接地；

所述反相器的输入端作为所述开关电路的控制端，所述反相器的输出端与所述开关管的栅极相连。

6.根据权利要求5所述的过流保护电路，其特征在于，所述开关电路还包括第二二极管，其中，

所述开关管的漏极经所述第二二极管与所述消隐电容相连，且所述开关管的漏极与所述第二二极管的阴极相连。

7.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，所述比较电路包括：比较器和基准电源，其中

所述比较器的正输入端作为所述比较电路的第一输入端；

所述比较器的负输入端与所述基准电源相连，接收所述基准电源提供的基准电压；

所述比较器的输出端作为所述比较电路的输出端。

8.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，所述消隐电路还包括第三二极管和第四二极管，其中，

所述第三二极管与所述消隐电容反向并联；

所述第四二极管与所述恒流源电路反向并联。

9.根据权利要求8所述的过流保护电路，其特征在于，所述检测电路还包括工作电源电路，其中，

所述工作电源电路用于为所述检测电路提供工作电压。

10.根据权利要求1-9任一项所述的过流保护电路，其特征在于，所述逻辑处理电路包括：RS触发器和与门电路，其中，

所述RS触发器的第一输入端作为所述逻辑处理电路的第一输入端；

所述RS触发器的第二输入端作为所述逻辑处理电路的第二输入端，且所述RS触发器的第二输入端与所述与门电路的第一输入端相连；

所述RS触发器的输出端与所述与门电路的第二输入端相连；

所述与门电路的输出端作为逻辑处理电路的输出端。

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