CN211125643U - 一种芯片转接结构 - Google Patents

一种芯片转接结构 Download PDF

Info

Publication number
CN211125643U
CN211125643U CN201922333521.XU CN201922333521U CN211125643U CN 211125643 U CN211125643 U CN 211125643U CN 201922333521 U CN201922333521 U CN 201922333521U CN 211125643 U CN211125643 U CN 211125643U
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
layer
rubber layer
printed circuit
substrate layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201922333521.XU
Other languages
English (en)
Inventor
周天飞
徐永敏
魏垂亚
李广辉
邵疆
陈参参
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Giga Force Electronics Co ltd
Original Assignee
Giga Force Electronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Giga Force Electronics Co ltd filed Critical Giga Force Electronics Co ltd
Priority to CN201922333521.XU priority Critical patent/CN211125643U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN211125643U publication Critical patent/CN211125643U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本实用新型涉及芯片电性测试技术领域,具体涉及一种芯片转接结构,包括:一橡胶层,所述橡胶层内嵌入高密度金线,用于引出一信号;一基片层,与所述橡胶层连接,位于所述橡胶层下表面,用于接收所述信号;一印刷线路板层,位于所述基片层下表面,所述基片层焊接于所述印刷线路板层上,用于将所述基片层接收的所述信号引出,并扩展连接到一仪器或一自动化设备上。本实用新型芯片锡球或者衬垫与橡胶层表面的金线接触,将信号引出,无需过度关注芯片与转接结构的定位问题,且能对芯片样品即时测试,无需进行复杂、冗长的反复植球工作,节约成本,保障样品安全;同时橡胶层替换方式简单,便于后期维护,维护成本低。

Description

一种芯片转接结构
技术领域
本实用新型涉及芯片电性测试技术领域,尤其涉及一种芯片转接结构。
背景技术
芯片的电性测试在半导体制作工艺的各阶段中都是相当重要的。每一个芯片都必须接受测试以确保其电性功能。在芯片的测试过程中,使用的测试设备主要包括:测试机及探针台。其中,测试机是用于晶圆和其他成品测试的一种专用设备,可以实现各种电性参数的测量,以检测集成电路芯片的电性功能。但现有的芯片电性测试中,通常会遇到以下技术问题:
1.客户退料一般都被使用过,锡球不完整或者平整度不够,因而需要植球。但是0.18mm间距数量庞大的锡球使得植球极为耗时,很难保证成功率,无法直接焊接后进行测量;
2.使用手动探针台进行扎针测量,那么一个700球左右的芯片,测量任意曲线工作量将无比繁复:699*(699+1)/2=244650次换针动作,容易出错,无法自动化;
3.使用弹簧针制作测试夹具,可以实现,但是由于0.180mm间距要求,势必导致弹簧针直径更小,结构极为脆弱,植针失败率极高,成本过大;
4.定位问题,目前转接方案大致有两种,一种是以封装外形尺寸作为定位方法,代工厂可以保证的切割精度约±0.050mm,球的直径约0.100mm,这就意味着临近两个球之间最近距离为0.180-100=0.080mm<0.100mm,弹簧针方案会有很大的短路风险。另一种浮板方案,存在芯片无法沉入凹槽,导致锡球无法与针接触情况。
发明内容
为了解决以上技术问题,本实用新型提供了一种芯片转接结构。
本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案实现:
一种芯片转接结构,包括:
一橡胶层,所述橡胶层内嵌入高密度金线,用于引出一信号;
一基片层,与所述橡胶层连接,位于所述橡胶层下表面,用于接收所述信号;
一印刷线路板层,位于所述基片层下表面,所述基片层焊接于所述印刷线路板层上,用于将所述基片层接收的所述信号引出,并扩展连接到一仪器或一自动化设备上。
优选的,所述橡胶层的橡胶为高密度导电橡胶。
优选的,所述高密度金线以一预设倾角镶嵌于所述橡胶层内。
优选的,所述橡胶层上表面连接一芯片,所述芯片通过一锡球或一衬垫与所述高密度金线接触将所述信号输出。
优选的,所述高密度金线凸出于所述橡胶层表面,用于与所述锡球或所述衬垫接触引出所述信号。
优选的,所述高密度金线直径小于两个所述锡球间的间距和所述锡球直径。
优选的,所述基片层由多层印刷线路板组成,所述多个印刷线路板之间的焊盘间距从上到下逐级增大一预设值,用以将0.18mm焊盘间距转化为0.4mm焊盘间距。
优选的,所述橡胶层左右两端设有一定位栓。
优选的,所述芯片转接结构适用于0.18mm间距的球状引脚栅格阵列封装芯片或晶圆片级芯片规模封装芯片。
其有益效果在于:
本实用新型芯片的锡球或者衬垫与橡胶层表面的凸出的高密度金线接触,将信号引出,无需过度关注芯片与转接结构的定位问题,且能对芯片样品即时测试,无需进行复杂、冗长的反复植球工作,节约成本,保障样品安全;同时橡胶层替换方式简单,便于后期维护,维护成本低。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种芯片转接结构的结构图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明,但不作为本实用新型的限定。
参照图1为本实用新型提供的一种芯片转接结构的结构图,包括:
一橡胶层1,橡胶层1内嵌入高密度金线4,用于引出一信号;
一基片层2,与橡胶层1连接,位于橡胶层1下表面,用于接收信号;
一印刷线路板层3,位于基片层2下表面,基片层2焊接于印刷线路板层3上,用于将基片层2接收的信号引出,并扩展连接到一仪器或一自动化设备上。
具体的,当芯片6均匀受力时,芯片6的信号通过锡球7或衬垫与高密度金丝的接触将信号传递到橡胶层1,基片层2接收橡胶层1传递的信号并将信号传递到印刷线路板层3上,印刷线路板层3将信号传递到仪器或自动化测试设备上。
进一步地,橡胶层1的橡胶为高密度导电橡胶。
具体的,高密度导电橡胶具有一定弹性,防止挤压时过度损伤橡胶层1,且替换方式简单,便于后期维护,维护成本低。
进一步地,高密度金线4以一预设倾角镶嵌于橡胶层1内。
进一步地,橡胶层1上表面连接一芯片6,芯片6通过一锡球7或一衬垫与高密度金线4接触将信号输出。
具体的,在芯片6受力挤压作用下,即使芯片6的锡球7不完整或者被完全剔除,芯片6上残留的衬垫也会与橡胶层1表面凸出的高密度金线4接触,将信号引出。
进一步地,高密度金线4凸出于橡胶层1表面,用于与锡球7或衬垫接触引出信号。
进一步地,高密度金线4直径小于两个锡球7间的间距和锡球7直径。
具体的,高密度金线4直径远小于两个锡球7之间间距和锡球7直径,保证任意一根高密度金线4不会同时触碰两个锡球7,防止短路;
进一步地,基片层2由多层印刷线路板组成,多个印刷线路板之间的焊盘间距从上到下逐级增大一预设值,用以将0.18mm焊盘间距转化为0.4mm焊盘间距。
具体的,基片层2为特殊的印刷线路板材质,由多层印刷线路板组成,多个印刷线路板之间的焊盘间距从上到下逐级增大一预设值,用以实现将0.18mm焊盘间距转化为0.4mm焊盘间距。
具体的,仪器或自动化测试设备通过接收来自印刷线路板层3传递的的信号对芯片6进行电性检测,检测过程中芯片6的锡球7或者衬垫与橡胶层1表面的凸出的高密度金线4接触,将信号引出,无需过度关注芯片6与转接结构的定位问题,且能对芯片6样品即时测试,无需进行复杂、冗长的反复植球工作,节约成本。
进一步地,橡胶层1左右两端设有一定位栓5。
进一步地,芯片转接结构适用于0.18mm间距的球状引脚栅格阵列封装芯片或晶圆片级芯片规模封装芯片。
综上,本实用新型芯片6的锡球7或者衬垫与橡胶层1表面的凸出的高密度金线4接触,将信号引出,无需过度关注芯片6与转接结构的定位问题,且能对芯片6样品即时测试,无需进行复杂、冗长的反复植球工作,节约成本,保障样品安全;同时橡胶层1替换方式简单,便于后期维护,维护成本低。
以上所述仅为本实用新型较佳的实施例,并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (9)

1.一种芯片转接结构,其特征在于,包括:
一橡胶层,所述橡胶层内嵌入高密度金线,用于引出一信号;
一基片层,与所述橡胶层连接,位于所述橡胶层下表面,用于接收所述信号;
一印刷线路板层,位于所述基片层下表面,所述基片层焊接于所述印刷线路板层上,所述印刷线路板层用于将所述基片层接收的所述信号引出,并扩展连接到一仪器或一自动化设备上。
2.根据权利要求1所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述橡胶层的橡胶为高密度导电橡胶。
3.根据权利要求1所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述高密度金线以一预设倾角镶嵌于所述橡胶层内。
4.根据权利要求1所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述橡胶层上表面连接一芯片,所述芯片通过一锡球或一衬垫与所述高密度金线接触将所述信号输出。
5.根据权利要求4所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述高密度金线凸出于所述橡胶层表面,用于与所述锡球或所述衬垫接触引出所述信号。
6.根据权利要求4所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述高密度金线直径小于两个所述锡球间的间距和所述锡球直径。
7.根据权利要求1所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述基片层由多层印刷线路板组成,所述多个印刷线路板之间的焊盘间距从上到下逐级增大一预设值,用以将0.18mm焊盘间距转化为0.4mm焊盘间距。
8.根据权利要求1所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述橡胶层左右两端设有一定位栓。
9.根据权利要求1所述的一种芯片转接结构,其特征在于,所述芯片转接结构适用于0.18mm间距的球状引脚栅格阵列封装芯片或晶圆片级芯片规模封装芯片。
CN201922333521.XU 2019-12-23 2019-12-23 一种芯片转接结构 Active CN211125643U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201922333521.XU CN211125643U (zh) 2019-12-23 2019-12-23 一种芯片转接结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201922333521.XU CN211125643U (zh) 2019-12-23 2019-12-23 一种芯片转接结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN211125643U true CN211125643U (zh) 2020-07-28

Family

ID=71698712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201922333521.XU Active CN211125643U (zh) 2019-12-23 2019-12-23 一种芯片转接结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN211125643U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6489790B1 (en) Socket including pressure conductive rubber and mesh for testing of ball grid array package
KR101411565B1 (ko) 싱귤레이션된 다이를 테스트하는 장치 및 방법
US20010020743A1 (en) Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit
KR100712561B1 (ko) 웨이퍼 형태의 프로브 카드 및 그 제조방법과 웨이퍼형태의 프로브 카드를 구비한 반도체 검사장치
TW200941002A (en) A socket, test device and test method for testing electronic element packages with leads
KR20010093661A (ko) 반도체 디바이스 검사장치의 전기적 접촉방법 및 장치
CN211125643U (zh) 一种芯片转接结构
CN109031102A (zh) 一种芯片测试装置
US10663487B2 (en) Low force wafer test probe with variable geometry
JP2000106257A (ja) 半導体素子検査用ソケット、半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の検査方法
US7474113B2 (en) Flexible head probe for sort interface units
KR101322265B1 (ko) 검사 탐침 장치
JPH08285890A (ja) プローブカード
CN209979703U (zh) 一种用于芯片检测的高密度悬臂式探针卡
TWM460390U (zh) 晶圓測試載板及晶圓測試機台
KR0141453B1 (ko) 노운 굳 다이의 제조장치와 제조방법
US6597188B1 (en) Ground land for singulated ball grid array
KR20000002612A (ko) 프로브 카드의 수평 유지 장치
CN209979702U (zh) 一种用于植球芯片检测的垂直探针卡
KR100477526B1 (ko) 반도체 테스트 장치의 포고 핀
US6525553B1 (en) Ground pin concept for singulated ball grid array
CN217034053U (zh) 一种测试探针卡
JPS59208469A (ja) プロ−ブカ−ド
TW202318014A (zh) 封裝陣列基板的測試裝置及其測試方法
KR101794136B1 (ko) 반도체 테스트를 위한 검사용 소켓 및 검사장치

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant