CN211017043U - 一种晶圆切割道结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶圆切割道结构，包括硅片，所述硅片的顶部粘接有覆膜，所述硅片的底部粘接有绷片，所述绷片的底部固定连接有支架，所述覆膜的之间纵横设置有多个缺口，所述覆膜被多个缺口分割成多个，所述硅片之间纵横设置有多个刀路，所述硅片被多个刀路分割成多个，所述绷片设置在硅片与支架之间，所述绷片胶接固定设置在支架的内部中心处，所述支架的中心处设置有与绷片对应的凹槽。本实用新型通过在硅片表面设置覆膜，使得硅片在切割过程中不会轻易崩坏，且碎屑不会乱飞。本实用新型通过在覆膜之间设置缺口，使得在切割过程中有明确的参照，避免切割刀在切割过程中发生偏移，而导致整块晶圆报废。
Description
技术领域
本实用新型涉及芯片制造领域，尤其涉及一种晶圆切割道结构。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。晶圆在刻蚀之后需要进行切割，切割所用的刀具材料为金刚石，转数往往在数万转每分钟，在切割过程中，为了避免晶圆损坏，需要确定芯片的位置，之后决定切割道的位置进行切割，由于晶圆很脆，非常容易崩片，且因为崩片而导致芯片损坏，导致良品率下降。现有防损坏是在晶圆底部设置固定装置，防止晶圆崩坏，且切割时没有参照物，切伤只能在切割完成时进行检查，导致效率下降。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种晶圆切割道结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种晶圆切割道结构，包括硅片，所述硅片的顶部粘接有覆膜，所述硅片的底部粘接有绷片，所述绷片的底部固定连接有支架。
进一步地，所述绷片的直径远远大于硅片的直径。
进一步地，所述覆膜被多个缺口分割成多个。
进一步地，所述硅片之间纵横设置有多个刀路，所述硅片被多个刀路分割成多个。
进一步地，所述绷片设置在硅片与支架之间，所述绷片胶接固定设置在支架的内部中心处，所述支架的中心处设置有与绷片对应的凹槽。
进一步地，所述硅片粘接在绷片的中心位置。
进一步地，所述支架的材料为金属材料。
本实用新型具有如下有益效果：
1、本实用新型通过在硅片表面设置覆膜，使得硅片在切割过程中不会轻易崩坏，且碎屑不会乱飞。
2、本实用新型通过在覆膜之间设置缺口，使得在切割过程中有明确的参照，避免切割刀在切割过程中发生偏移，而导致整块晶圆报废。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种晶圆切割道结构的局部截面视图；
图2为本实用新型提出的一种晶圆切割道结构的硅片示意图；
图3为图2中A处的放大图。
图例说明：
1、覆膜；2、缺口；3、刀路；4、绷片；5、硅片；6、支架。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参照图1-3，本实用新型提供的一种实施例：一种晶圆切割道结构，包括硅片5，就是晶圆，硅片5的顶部粘接有覆膜1，防止碎屑四溅，硅片5的底部粘接有绷片4，用于粘接固定硅片5，绷片4的底部固定连接有支架6，绷片4为软体，支架6为固体，用于进一步固定硅片5。
绷片4的直径远远大于硅片5的直径，保护硅片5的边缘。覆膜1的之间纵横设置有多个缺口2，切割刀根据缺口2的位置进行切割，覆膜1被多个缺口2分割成多个，多个覆膜1的底部就是芯片。硅片5之间纵横设置有多个刀路3，切割刀真正要切割的位置，硅片5被多个刀路3分割成多个，整个硅片5被分割成一个个芯片。绷片4设置在硅片5与支架6之间，绷片4胶接固定设置在支架6的内部中心处，支架6的中心处设置有与绷片4对应的凹槽，方便固定。硅片5粘接在绷片4的中心位置。支架6的材料为金属材料，保证切割过程中不会造成弯折。
工作原理：按照芯片的位置确定切割道刀路3的位置，制造出统一的覆膜1，将覆膜1与硅片5精确贴合，之后使用金钢石刀片沿着覆膜1的缺口2进行切割，由于硅片5的轻薄，且很脆，直接切割时碎屑会乱飞，表明的覆膜1和底部绷片4保证了切割时碎屑表明粘有覆膜1和绷片4的一部分，整体重量增加后，碎屑会直接落下，并且覆膜1和绷片4也保证了在切割过程中，裂缝不会轻易的延伸到芯片的位置，导致芯片有暗伤，以至于影响良品率，通过覆膜1的缺口2和刀路3的统一性，可以通过缺口2和覆膜1的情况观察出切割刀是否偏移，从而根据偏移量及时调整切割刀的位置，以此来确保偏移不会进一步加大而导致晶圆报废，切割完成后，通过特定的红外照射，降低覆膜1和绷片4的粘度，方便取下。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
Claims (7)
1.一种晶圆切割道结构，包括硅片(5)，其特征在于：所述硅片(5)的顶部粘接有覆膜(1)，所述硅片(5)的底部粘接有绷片(4)，所述绷片(4)的底部固定连接有支架(6)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆切割道结构，其特征在于：所述绷片(4)的直径大于硅片(5)的直径。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆切割道结构，其特征在于：所述覆膜(1)的之间纵横设置有多个缺口(2)，所述覆膜(1)被多个缺口(2)分割成多个。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆切割道结构，其特征在于：所述硅片(5)之间纵横设置有多个刀路(3)，所述硅片(5)被多个刀路(3)分割成多个。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆切割道结构，其特征在于：所述绷片(4)设置在硅片(5)与支架(6)之间，所述绷片(4)胶接固定设置在支架(6)的内部中心处，所述支架(6)的中心处设置有与绷片(4)对应的凹槽。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆切割道结构，其特征在于：所述硅片(5)粘接在绷片(4)的中心位置。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆切割道结构，其特征在于：所述支架(6)的材料为金属材料。
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