CN210936194U - 一种晶片清洗槽 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种晶片清洗槽,包括:装载有多个晶片的槽体，所述槽体的上端呈倾斜状；在所述槽体内位于高位一侧放置有若干个导入管，所述导入管用于将清洗液导入到槽体内；所述槽体的低位一端外壁上设有溢流槽，所述溢流槽的底部联通有排出管；所述槽体内低位一侧设有用于避免清洗液回流到晶片处的引流组件，本实用新型的晶片清洗槽，当CMP后的晶片放入清洗槽中时，清洗槽中的清洗液一直处于流动的状态，并且由于引流组件的存在，清洗液不会由于产生回流碰撞到槽体的内壁，而对晶片造成二次污染，保证了晶片清洗的洁净度，满足了晶片清洗的需求。

Description

一种晶片清洗槽

技术领域

本实用新型涉及一种清洗槽，尤其涉及一种用于CMP后晶片的清洗槽。

背景技术

晶片在CMP后还需要进行后续的清洗，在清洗前大多将晶片上下叠加放置到对应的浸泡有臭氧水的放置槽内，用于使晶片处于潮湿状态，便于晶片后续的清洗。

目前的清洗槽如附图1所示，其主要包括槽体2、溢流槽4和导入管3，将CMP后的晶片收纳在槽体2中，导入管3给槽体2中的晶片提供清洗液，清洗液在槽体2内的流动方向为从导入管3流进，再由溢流槽4排出，在清洗液循环流动的过程中，清洗了晶片后的清洗液可能产生回流后撞到槽体的内壁上，这样清洗液就会分别从上方和下方流动，而从下方流动的清洗液会回流到晶片处，使得回流清洗液中的污染物和颗粒可能对清洗后的晶片造成二次污染。

实用新型内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种结构简单，改造成本低，避免由于清洗液的回流而对晶片造成二次污染的晶片清洗槽。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种晶片清洗槽,包括:

装载有多个晶片的槽体，所述槽体的上端呈倾斜状；

在所述槽体内位于高位一侧放置有若干个导入管，所述导入管用于将清洗液导入到槽体内；

所述槽体的低位一端外壁上设有溢流槽，所述溢流槽的底部联通有排出管；

所述槽体内低位一侧设有用于避免清洗液回流到晶片处的引流组件。

进一步的，所述挡板位于槽体的低位一端，且挡板和槽体的低位一端构成了用于容纳清洗液的容置腔；所述挡板上设有多个流通孔。

进一步的，在所述容置腔的底部设有调整阀。

进一步的，所述引流组件为竖向设置的废液配管；所述废液配管上开有多个进液孔，且废液配管的底部与槽体底部的出口相通。

进一步的，所述废液配管与对应设置在出口内的调整阀相通。

进一步的，所述槽体内低位的一侧呈倾斜状。

进一步的，所述清洗液为臭氧水。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型方案的晶片清洗槽，当CMP后的晶片放入清洗槽中时，清洗槽中的清洗液一直处于流动的状态，并且由于引流组件的存在，清洗液不会由于产生回流碰撞到槽体的内壁，而对晶片造成二次污染，保证了晶片清洗的洁净度，满足了晶片清洗的需求。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

附图1为现有技术的结构示意图；

附图2为本实用新型中第二实施例的结构示意图；

附图3为附图2的主视图；

附图4为本实用新型中第五实施例的结构示意图；

附图5为槽体的低位一侧呈倾斜状的结构示意图；

其中：1、晶片；2、槽体；3、导入管；4、溢流槽；5、调整阀；10、挡板；100、流通孔；20、废液配管；200、进液孔。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

本实用新型所述的一种晶片清洗槽，包括设置有多个晶片1的槽体2，多个所述晶片1上下依次按序排列在槽体2的内部，且所述槽体2的上端呈倾斜状；在所述槽体2内位于高位一侧放置有若干个导入管3，所述导入管3用于将清洗液导入到槽体2内，在本实用新型中的清洗液为臭氧水；所述槽体2的低位一端外壁上设有溢流槽4，所述溢流槽4的底部联通有排出管（图中未示出），清洗液由导入管流入到槽体内，最后经由溢流槽4后从排出管将清洗液排出；所述槽体2的低位一端呈倾斜状；并且在所述槽体2的低位一侧设有用于避免清洗液回流到晶片处的引流组件。

以下结合多个实施例来对本实用新型进行具体的说明。

实施例一：在本实施例中，引流组件为一呈长方形的挡板10，挡板10设置在槽体2内部，并且挡板10位于槽体2的低位一端，挡板10和槽体2的低位一端构成了用于容纳清洗液的容置腔，在所述挡板10上设有多个流通孔100，流通孔100的数量可以根据清洗液的流通速度在数量和方向上进行调整。

实际使用时，将多个CMP后的晶片1放置在槽体2内，清洗液从导入管3进入到槽体2内后在槽体2内循环流动，清洗液循环的流程为从槽体2的高位一端向低位一端流动，清洗液再从挡板10上的流通孔100流入到容置腔内，然后清洗过晶片的清洗液就暂存在容置腔后再从溢流槽3排出，这样就不会由于清洗液回流时撞到槽体2的内壁，导致污染物和颗粒留在槽体2的底部，对晶片造成二次污染。

实施例二：请参阅附图2-3，本实施例是对实施例一的进一步补充，其在容置腔底部增设了一个调整阀5，调整阀5的数量可以为一个或多个，这样当清洗液的流量较大时，可以打开调整阀5，让清洗液由调整阀5处流出，同理由于清洗过晶片的清洗液是留在容置腔内的，所以也不会将污染物和颗粒留在槽体2的底部，而造成晶片的二次污染，同时还增加了清洗液的流通速度，进一步提升了晶片的清洗效果。

实施例三：请参阅附图5，本实施例是对实施例二的进一步补充，在本实施例中槽体2的低位一侧呈倾斜状，具体的如附图5所示为向右上方倾斜，这样槽体2底部的容量比顶部的容量小，当清洗液经由导入管3进入到槽体2内后，槽体2的底部的清洗液会快速从槽体2的底部流入到顶部，再经由溢流槽4和排出管排出，提升了清洗液在底部的流动速度，进一步避免清洗液由于回流对晶片造成二次污染的问题。

实施例四：在本实施例中，引流组件为竖向设置的废液配管20，所述废液配管20设置在槽体2的内部，且废液配管20的底部与槽体2底部的出口相通，所述废液配管20上设有多排依次上下分布的进液孔200；其中，进液孔200也可以根据清洗液的流通速度在数量和方向上进行调整。

实际使用时，将多个CMP后的上下叠加的晶片1放置在槽体2内，清洗液从导入管3进入到槽体2内后，清洗液在槽体2内循环流动，清洗液从槽体2的高位一端向低位一端流动，然后清洗液从进液孔200流入到废液配管20内，最后从槽体2底部的出口流出，这样也就能很好的避免由于清洗液回流时撞到槽体2的内壁，导致将污染物和颗粒留在槽体2的底部，对晶片1造成二次污染的问题。

实施例五：请参阅附图4，本实施例是对实施例四的进一步补充，在槽体2的底部出口处增设有与废液配管20对应的调整阀5，这样可以通过调整阀5的打开/关闭满足清洗液不同流通速度的需求。

实施例六：请参阅附图5，本实施例是对实施例五的进一步补充，在本实施例中槽体2的低位一端呈倾斜状，具体的如附图5所示为向右上方倾斜，这样槽体2底部的容量比顶部的容量小，当清洗液经由导入管3进入到槽体2内后，槽体2的底部的清洗液会快速从槽体2的底部流入到顶部，再经由溢流槽4和排出管排出，避免了清洗液在底部的流动速度慢，从而可能导致清洗液回流对晶片造成二次污染的问题。

本实用新型的晶片清洗槽，当CMP后的晶片放入清洗槽中时，清洗槽中的清洗液一直处于流动的状态，并且由于引流组件的存在，清洗液不会由于产生回流碰撞到槽体的内壁，而对晶片造成二次污染，保证了晶片清洗的洁净度，满足了晶片清洗的需求。

以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。

Claims (7)

1.一种晶片清洗槽,其特征在于，包括:

装载有多个晶片的槽体，所述槽体的上端呈倾斜状；

在所述槽体内位于高位一侧放置有若干个导入管，所述导入管用于将清洗液导入到槽体内；

所述槽体的低位一端外壁上设有溢流槽，所述溢流槽的底部联通有排出管；

所述槽体内低位一侧设有用于避免清洗液回流到晶片处的引流组件。

2.根据权利要求1所述的晶片清洗槽，其特征在于：所述引流组件为一挡板；所述挡板位于槽体的低位一端，且挡板和槽体的低位一端构成了用于容纳清洗液的容置腔；所述挡板上设有多个流通孔。

3.根据权利要求2所述的晶片清洗槽，其特征在于：在所述容置腔的底部设有调整阀。

4.根据权利要求1所述的晶片清洗槽，其特征在于：所述引流组件为竖向设置的废液配管；所述废液配管上开有多个进液孔，且废液配管的底部与槽体底部的出口相通。

5.根据权利要求4所述的晶片清洗槽,其特征在于：所述废液配管与对应设置在出口内的调整阀相通。

6.根据权利要求1所述的晶片清洗槽,其特征在于：所述槽体内低位的一侧呈倾斜状。

7.根据权利要求1所述的晶片清洗槽,其特征在于：所述清洗液为臭氧水。

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