CN210898921U - 一种电源电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种电源电路,该电源电路包括主电路和开关驱动电路;主电路包括电源芯片和MOS开关,MOS开关的第一通路端接收工作电压,MOS开关的第二通路端通过电感连接电源输出端;开关驱动电路包括第一光电耦合器和MOS驱动器,第一光电耦合器的第一端与电源芯片的第一开关节点相连以接收第一开关频率信号,第一光电耦合器的第二端输出第二开关频率信号至MOS驱动器的输入端,MOS驱动器的输出端输出第三开关频率信号至MOS开关的栅极。本实用新型通过开关驱动电路的第一光电耦合器和MOS驱动器,使主电路的MOS开关能根据第三开关频率信号输出大电流,则电源电路可以使用现有电源芯片驱动大功率负载需求的治具及电路。
Description
技术领域
本实用新型属于电源领域,特别涉及一种电源电路。
背景技术
电源电路可以通过电压转换为电子设备提供工作电源,以保障电子设备能够正常工作。如今,电源电路还可以通过相应的芯片提供工作电源。图1为现有降压电源芯片的内部部分连接图,如图1所示,一降压电源芯片10可以包括驱动单元11和两个MOS管(T1和T2),两个MOS管相连且在两个MOS管的连线中设置有开关节点SW(switch),驱动单元10驱动两个MOS管并在开关节点处产生一开关频率信号。
然而,对于使用芯片的电源电路,MOS管一般受限于芯片使得MOS管的栅极端接收的电压较低,从而,芯片的开关节点处输出电流较小例如为1~3A,从而,电源电路在使用芯片时无法驱动大功率负载需求的治具(例如一拖多的治具)及电路,而需要通过花费昂贵的费用购买可以输出大功率的芯片来解决驱动问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型目的在于提供一种具有更大的输出功率的电源电路,以满足高负载的需求。
本实用新型实施例提供一种电源电路,所述电源电路包括主电路和开关驱动电路;所述主电路包括电源芯片和MOS开关,所述电源芯片包括第一开关节点,所述MOS开关包括第一通路端、第二通路端和栅极,所述MOS开关的第一通路端接收工作电压,所述MOS开关的第二通路端通过电感连接电源输出端;所述开关驱动电路包括第一光电耦合器和MOS驱动器,所述第一光电耦合器的第一端与所述电源芯片的第一开关节点相连以接收第一开关频率信号,所述第一光电耦合器的第二端输出第二开关频率信号至所述MOS驱动器的输入端,所述MOS驱动器的输出端输出第三开关频率信号至所述MOS开关的栅极。
进一步地,所述电源电路还包括第一接地端、第二接地端、第一电压转换模块和第二电压转换模块,所述第一接地端分别与所述第一电压转换模块、所述电源芯片、所述第一光电耦合器相连,还通过第一电容与所述电源输出端相连,所述第二接地端分别与所述第二电压转换模块、所述第一光电耦合器、所述MOS驱动器、所述MOS开关的第二通路端相连,所述第一电压转换模块根据第一电压降压生成第二电压;所述第二电压转换模块根据第三电压降压生成第四电压。
进一步地,所述第一接地端和所述第一电压转换模块设置在所述主电路上,所述第二接地端和所述第二电压转换模块设置在所述开关驱动电路上。
进一步地,所述电源芯片包括输入端、反馈端和接地端,所述电源芯片的输入端通过第一电阻接收所述第二电压,且通过第二电容与所述第一接地端相连,所述电源芯片的反馈端接收来自所述电源输出端的反馈电压,所述电源芯片的接地端与所述第一接地端相连。
进一步地,所述电源芯片包括使能端,所述电源芯片的使能端接收使能信号,所述电源芯片的电压输入端通过第二电阻接收所述使能信号。
进一步地,所述第一光电耦合器包括第一发光源、第一受光器、供电端和接地端,所述第一发光源的阳极通过所述第一光电耦合器的第一端接收所述第一开关频率信号,所述第一发光源的阴极与所述第一接地端相连,所述第一受光器的第一端接收所述第四电压,所述第一受光器的第二端为所述第一光电耦合器的第二端;所述第一光电耦合器的供电端接收所述第四电压,所述第一光电耦合器的接地端与所述第二接地端相连。
进一步地,所述MOS驱动器包括供电端和接地端,所述MOS驱动器的供电端接收所述第三电压,所述MOS驱动器的接地端与所述第二接地端相连。
进一步地,所述电源电路包括保护二极管,所述保护二极管的正极与所述MOS开关的第二端相连,所述保护二极管的负极与所述第一接地端相连。
进一步地,所述电源电路包括第三电压转换模块,所述第三电压转换模块分别与所述第一接地端和所述第二接地端相连,所述第三电压转换模块包括第二光电耦合器并根据所述第一电压生成所述第三电压。
进一步地,所述第三电压转换模块包括变压器、第一二极管、第二二极管、所述第二光电耦合器和电压转换器;所述变压器包括第一端、第二端、第三端和第四端,所述变压器的第一端通过第三电阻接收所述第一电压,且通过第三电容与所述第一接地端相连,所述变压器的第三端与所述第二接地端相连;所述第一二极管的正极与所述变压器的第四端相连,所述第一二极管的负极通过第四电阻输出所述第三电压,且通过第四电容与所述第二接地端相连;所述第二二极管的正极与第五电阻的第一端相连,所述第二二极管的负极与所述第一二极管的负极相连;所述第二光电耦合器包括第二发光源、第二受光器,所述第二发光源的阳极与所述第五电阻的第二端相连,所述第二发光源的阴极与所述第二接地端相连,所述第二受光器的第二端与所述第一接地端相连;所述电压转换器包括供电端、第二开关节点、接地端、反馈端和补偿端,所述电压转换器的供电端与所述变压器的第一端相连,还通过第六电阻与所述第二受光器的第二端相连,所述电压转换器的第二开关节点与所述变压器的第二端相连,所述电压转换器的接地端和反馈端都与所述第一接地端相连,所述电压转换器的补偿端与所述第二受光器的第一端相连,且通过第五电容与所述第一接地端相连。
本实用新型实施例提供的电源电路,使主电路上的电源芯片在开关节点处输出的第一开关频率信号可以通过开关驱动电路的第一光电耦合器转换得到第二开关频率信号,再通过开关驱动电路的MOS驱动器转换得到第三开关频率信号,从而,主电路的MOS开关可以根据第三开关频率信号输出大电流,使得电源电路可以使用现有电源芯片驱动大功率负载需求的治具及电路。
为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1为现有降压电源芯片的内部部分连接图。
图2是一实施例的电源电路的电路连接示意图。
图3是一实施例的电源电路的电路连接示意图。
图4是一实施例的电源芯片的电路连接示意图。
图5是一实施例的第一光电耦合器的电路连接示意图。
图6是一实施例的MOS驱动器的电路连接示意图。
图7是一实施例的MOS开关的电路连接示意图。
图8是一实施例的第三电压转换模块的电路连接示意图。
图9是一实施例的电源电路的第一开关频率信号、第二开关频率信号、第三开关频率信号和第二接地端的电压变化图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为实现预期目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的电源电路的具体实施方式、方法、步骤、结构、特征及功效,详细说明如后。
有关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效,在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。通过具体实施方式的说明,当可对本实用新型为达成预期目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解,然而所附图式仅是提供参考与说明之用,并非用来对本实用新型加以限制。
本实用新型实施例提供一种电源电路。图2是一实施例的电源电路的电路连接示意图。如图2所示,本实施例的电源电路包括主电路100和开关驱动电路200;主电路100包括电源芯片110和MOS开关101,电源芯片110包括第一开关节点111,且MOS开关101包括第一通路端、第二通路端和栅极,MOS开关101的第一通路端接收工作电压Vp,MOS开关101的第二通路端通过电感102连接电源输出端Vout;开关驱动电路200包括第一光电耦合器210和MOS驱动器220,第一光电耦合器210的第一端211与电源芯片110的第一开关节点111相连以接收第一开关频率信号SW1,第一光电耦合器210的第二端212输出第二开关频率信号SW2至MOS驱动器220的输入端221,MOS驱动器220的输出端222输出第三开关频率信号SW3至MOS开关101的栅极。
具体地,首先,主电路100的电源芯片110生成第一开关频率信号SW1并通过第一开关节点111发送至开关驱动电路200,其中,电源芯片110可以包括buck型电路即降压型的dc-dc直流转直流电路,或者可以包括boost型电路即升压式的dc-dc直流转直流电路等等,以用于产生第一开关频率信号SW1。然后,开关驱动电路200中的第一光电耦合器210的第一端211接收第一开关频率信号SW1,而第一光电耦合器210是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件,则第一光电耦合器210先将第一开关频率信号SW1转变为第一光信号,再将第一光信号转变为电信号即第二开关频率信号SW2并输出至MOS驱动器220的输入端221,其中,由于第一光电耦合器210输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而使得主电路100和开关驱动电路200之间具有良好的电绝缘能力和电性互不干扰能力。最后,MOS驱动器220根据输入端221接收的第二开关频率信号SW2生成第三开关频率信号SW3,MOS驱动器220的输出端222输出第三开关频率信号SW3至主电路100中的MOS开关101的栅极,从而,MOS开关101在栅极接收到第三开关频率信号SW3的开启电压(例如高电平)时,MOS驱动器220可以提供短时瞬间大电流,并在MOS开关101的沟道开通后维持合适的栅源电压(例如10~15V),使得MOS开关101的第二通路端可以输出大电流(例如20A),并通过相连的电感102发送至电源输出端Vout,以驱动大功率负载需求的治具及电路。
本实用新型实施例提供的电源系统,可以通过开关驱动电路200的第一光电耦合器210和MOS驱动器220,使主电路100的MOS开关101能根据第三开关频率信号SW3输出大电流,则电源系统可以使用现有电源芯片110驱动大功率负载需求的治具及电路。
图3是一实施例的电源系统的电路连接示意图。如图3所示,在一实施方式中,电源电路还可以包括第一接地端GND1、第二接地端GND2、第一电压Vcc1转换模块和第二电压Vcc2转换模块,第一接地端GND1分别与第一电压Vcc1转换模块、电源芯片110、第一光电耦合器210相连,还通过第一电容C1与电源输出端Vout相连,第二接地端GND2分别与第二电压Vcc2转换模块、第一光电耦合器210、MOS驱动器220、MOS开关101的第二通路端相连,第一电压Vcc1转换模块根据第一电压Vcc1降压生成第二电压Vcc2;第二电压Vcc2转换模块根据第三电压Vdd1降压生成第四电压Vdd2。
在一实施方式中,第一接地端GND1和第一电压Vcc1转换模块可以设置在主电路100上,第二接地端GND2和第二电压Vcc2转换模块设置在开关驱动电路200上。
具体地,在一实施方式,第一电压Vcc1转换模块可以与第一接地端GND1相连,并用于将第一电压Vcc1(例如12V)降压生成第二电压Vcc2(例如5V),则电源电路的电子器件在需要相应电压供电时,电子器件可以与第一接地端GND1相连,并接收第一电压Vcc1转换模块上的相应第一电压Vcc1或第二电压Vcc2。本实施例中,电源芯片110需要驱动电压(例如5V)时,电源芯片110可以与第一接地端GND1相连,并接收电压转换模块上的为的第二电压Vcc2(例如5V)。同时,本实施例的第二电压Vcc2转换模块与第二接地端GND2相连,并用于将第三电压Vdd1(例如12V)降压生成第四电压Vdd2(例如5V),则电源电路的电子器件在需要相应电压供电时,电子器件可以与第二接地端GND2相连,并接收第二电压Vcc2转换模块上的相应第三电压Vdd1或第四电压Vdd2。本实施例中,第一光电耦合器210需要驱动电压(例如12V)时,第一光电耦合器210可以与第二接地端GND2相连,并接收电压转换模块上的第三电压Vdd1(例如12V)。
在一实施方式中,第一光电耦合器210分别与第一接地端GND1和第二接地端GND2相连,在进行电-光-电的转化过程中,第一接地端GND1的电压将影响第一开关频率信号SW1的波形,而第二接地端GND2的电压将影响第二开关频率信号SW2的波形。MOS开关101的第二通路端与第二接地端GND2相连,而MOS开关101的第二通路端通过电感102连接电源输出端Vout,而第一通路端通过第一电容C1与电源输出端Vout相连,从而,第二接地端GND2的电压会通过第一电容C1跟随第三开关频率信号SW3的电位高低发生相应变化,即在电源输出端Vout连接负载时,随着MOS开关101导通,工作电压Vp将通过导通的MOS开关101给电感102充电,并通过第一电容C1抬高第二接地端GND2的电压,而第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3将保持与第二接地端GND2之间的电压差,从而,第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3将随第二接地端GND2同步增加电压,从而,MOS开关101的栅极可以接收到抬高的第三开关频率信号SW3后,使得MOS开关101的第二通路端可以输出大电流(例如20A),并通过相连的电感102发送至电源输出端Vout,以驱动大功率负载需求的治具及电路。
图4是一实施例的电源芯片的电路连接示意图。如图4所示,在一实施方式中,电源芯片110可以包括输入端112、反馈端113和接地端115,电源芯片110的输入端112可以通过第一电阻R1接收第二电压Vcc2,且通过第二电容C2与第一接地端GND1相连,电源芯片110的反馈端113接收来自电源输出端Vout的反馈电压FB,电源芯片110的接地端115与第一接地端GND1相连。电源芯片110可以根据反馈端113接收到的反馈电压FB,将输入端112接收的第二电压Vcc2进行电压转换,并可以在第一开关节点111输出反馈后稳定的第一开关频率信号SW1。在一实施例,电源芯片110的第一开关节点111可以通过一电阻输出第一开关频率信号SW1。在一实施例,第二电容C2可以并不局限于一个电容,也可以为多个电容的并联,起到滤波和消除输入噪声的作用。在一实施例,电源芯片110的接地端115可以设置有多个,例如图4中的电源芯片110可以设置有4个接地端115。
在一实施方式中,电源芯片110包括使能端114,电源芯片110的使能端114接收使能信号EN,电源芯片110的电压输入端112通过第二电阻R2接收使能信号EN。
图5是一实施例的第一光电耦合器的电路连接示意图。如图5所示,在一实施方式中,第一光电耦合器210还可以包括第一发光源213、第一受光器214、供电端215和接地端216,第一发光源213的阳极通过第一光电耦合器210的第一端211接收第一开关频率信号SW1,第一发光源213的阴极与第一接地端GND1相连,第一受光器214的第一端接收第四电压Vdd2,第一受光器214的第二端为第一光电耦合器210的第二端212;第一光电耦合器210的供电端215接收第四电压Vdd2,第一光电耦合器210的接地端216与第二接地端GND2相连。具体地,第一光电耦合器210的第一发光源213接收来自电源芯片110的第一开关节点111的第一开关频率信号SW1,并用于通过第一发光源213将第一开关频率信号SW1转换为第一光信号,再通过第一受光器214将第一光信号转换为电信号即第二开关频率信号SW2。具体地,当第一开关频率信号SW1从低电平跳变为高电平时,第一发光源213将接收到高电平的第一开关频率信号SW1并开始发光,而第一受光器214在接收到光信号后将导通第一受光器214的第二端(即第一光电耦合器210的第二端212)与接地端216的连接,而接地端216与第二接地端GND2相连,从而,第一光电耦合器210的第二端212输出的第二开关频率信号SW2为低电平例如为第二接地端GND2的电压;当第一开关频率信号SW1从高电平跳变为低电平时,第一发光源213将接收到低电平的第一开关频率信号SW1并开始不发光,而第一受光器214在接收不到光信号后将断开第一受光器214的第二端(即第一光电耦合器210的第二端212)与接地端216的连接,而第一受光器214的第二端与第二接地端GND2相连,从而,第一光电耦合器210的第二端212输出的第二开关频率信号SW2为高电平例如为第二接地端GND2的电压加上其供电端215的电压。在一实施例中,第一受光器214的第二端可以通过一电阻与第一光电耦合器210的供电端215相连。在一实施例中,第一光电耦合器210的接地端216可以通过一电容与第一光电耦合器210的供电端215相连。
图6是一实施例的MOS驱动器的电路连接示意图。如图6所示,在一实施方式中,MOS驱动器220还可以包括供电端223和接地端224,MOS驱动器220的供电端223接收第三电压Vdd1,MOS驱动器220的接地端224与第二接地端GND2相连。具体地,MOS驱动器220的供电端223接收第三电压Vdd1,输入端221接收第二开关频率信号SW2,并根据第二开关频率信号SW2在输出端222输出第三开关频率信号SW3。具体地,当第二开关频率信号SW2从高电平跳变为低电平时,MOS驱动器220的输入端221将接收到低电平的第二开关频率信号SW2,则MOS驱动器220的输出端222输出的第三开关频率信号SW3为高电平例如第二接地端GND2的电压加上其供电端223的电压;当第二开关频率信号SW2从低电平跳变为高电平时,MOS驱动器220的输入端221将接收到高电平的第二开关频率信号SW2,MOS驱动器220的输出端222输出的第三开关频率信号SW3为低电平例如第二接地端GND2的电压。其中,MOS驱动器220具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而适用于通过开关频率信号控制开关(例如MOS开关101)以作为开关电源。在一实施例中,MOS驱动器220的供电端223可以不局限于通过一电容连接第二接地端GND2,也可以通过多个电容的并联连接第二接地端GND2。在一实施例中,MOS驱动器220的输出端222可以通过一电阻输出第三开关频率信号SW3至MOS开关101的栅极。在一实施例中,MOS开关101的栅极可以通过一电阻与第二接地端GND2相连。
图7是一实施例的MOS开关101的电路连接示意图。如图7所示,在一实施方式中,主电路100包括保护二极管103,保护二极管103的正极与MOS开关101的第二端相连,保护二极管103的负极与第一接地端GND1相连。其中,保护二极管103并不局限于一个二极管,也可以为多个二极管的并联,起到防止电压过大以保护电路的作用。
在一实施方式中,第一电容C1可以不局限于一个电容,也可以为多个电容的并联。
图8是一实施例的第三电压Vdd1转换模块的电路连接示意图。如图8所示,在一实施方式中,第三电压Vdd1转换模块包括变压器241、第一二极管242、第二二极管243、第二光电耦合器244和电压转换器245。具体地,变压器241包括第一端、第二端、第三端和第四端,变压器241的第一端通过第三电阻R3接收第一电压Vcc1,且通过第三电容C3与第一接地端GND1相连,变压器241的第三端与第二接地端GND2相连;第一二极管242的正极与变压器241的第四端相连,第一二极管242的负极通过第四电阻R4输出第三电压Vdd1,且通过第四电容C4与第二接地端GND2相连;第二二极管243的正极与第五电阻R5的第一端相连,第二二极管243的负极与第一二极管242的负极相连;第二光电耦合器244包括第二发光源2441、第二受光器2442,第二发光源2441的阳极与第四电阻R4的第二端相连,第二发光源2441的阴极与第二接地端GND2相连,第二受光器2442的第一端与第一接地端GND1相连;电压转换器245包括供电端2451、第二开关节点2452、接地端2453、反馈端2454和补偿端2455,电压转换器245的供电端2451与变压器241的第一端相连,还通过第五电阻R5与第二受光器2442的第二端相连,电压转换器245的第二开关节点与变压器241的第二端相连,电压转换器245的接地端2453和反馈端2454都与第一接地端GND1相连,电压转换器245的补偿端2455与第二受光器2442的第二端相连,且通过第五电容C5与第一接地端GND1相连。其中,第五电阻R5并不局限于一个电阻,也可以如图8所示为多个电阻的并联。在一实施例中,变压器241的第一端和第二端之间可以连接两个反相串联的二极管,起到稳压限幅作用。
图9是一实施例的电源电路的第一开关频率信号SW1、第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3和第二接地端GND2的电压变化图。如图9所示,在T1至T2时间,第一开关频率信号SW1从低电平跳变为高电平,第二开关频率信号SW2相应从高电平变为低电平例如为第二接地端GND2的电压,第三开关频率信号SW3相应从低电平变为高电平例如为第二接地端GND2的电压加MOS驱动器220的供电端223的电压;在T2至T3时间,第一开关频率信号SW1仍为高电平,MOS开关101因栅极接收到第三开关频率信号SW3的高电平而导通以使得工作电压Vp通过MOS开关101给电感102充电,也使得第二接地端GND2的电压通过第一电容C1相应抬高,而第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3将保持与第二接地端GND2之间的电压差,从而,第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3将随第二接地端GND2同步增加电压,且第二开关频率信号SW2为低电平例如为第二接地端GND2的电压,第三开关频率信号SW3为高电平例如为第二接地端GND2的电压加上其供电端223的电压;在T3时间开始时,第一开关频率信号SW1从高电平跳变为低电平,第二开关频率信号SW2相应从低电平变为高电平例如为第二接地端GND2的电压加上第一光电耦合器210的供电端215的电压,第三开关频率信号SW3相应从高电平变为低电平例如第二接地端GND2的电压,接着,MOS开关101因栅极接收到第三开关频率信号SW3的低电平而截止以使得工作电压Vp不能通过MOS开关101给电感102充电,则电感102将通过负载放电,从而,第二接地端GND2的电压将下落到与第一接地端GND1相同的电压,而第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3将保持与第二接地端GND2之间的电压差,从而,第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3将随第二接地端GND2同步减小电压,且第二开关频率信号SW2为高电平例如第二接地端GND2的电压加上第一光电耦合器210的供电端215的电压,第三开关频率信号SW3为低电平例如第二接地端GND2的电压。从图9可看出,本实施例将第二开关频率信号SW2、第三开关频率信号SW3的电压相应抬高,从而,MOS开关101的栅极可以接收到较高的电压,使得MOS开关101输出大电流,从而,电源电路可以使用现有电源芯片110驱动大功率负载需求的治具及电路。
本实施例的电源电路,可以通过设置第一接地端GND1和第二接地端GND2,不仅使得主电路100和开关驱动电路200之间相对电性隔绝,具有良好的电性互不干扰能力;而且可以通过抬高第二接地端GND2的电压,抬高第二开关频率信号SW2和第三开关频率信号SW3的电压,使得MOS开关101输出大电流,从而,电源电路可以使用现有电源芯片110驱动大功率负载需求的治具及电路。
以上,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离实用新型技术方案内容,依据实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种电源电路,其特征在于,所述电源电路包括:
主电路(100),所述主电路(100)包括电源芯片(110)和MOS开关(101),所述电源芯片(110)包括第一开关节点(111),所述MOS开关(101)包括第一通路端、第二通路端和栅极,所述MOS开关(101)的第一通路端接收工作电压(Vp),所述MOS开关(101)的第二通路端通过电感(102)连接电源输出端(Vout);
开关驱动电路(200),所述开关驱动电路(200)包括第一光电耦合器(210)和MOS驱动器(220),所述第一光电耦合器(210)的第一端(211)与所述电源芯片(110)的第一开关节点(111)相连以接收第一开关频率信号(SW1),所述第一光电耦合器(210)的第二端(212)输出第二开关频率信号(SW2)至所述MOS驱动器(220)的输入端(221),所述MOS驱动器(220)的输出端(222)输出第三开关频率信号(SW3)至所述MOS开关(101)的栅极。
2.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括第一接地端(GND1)、第二接地端(GND2)、第一电压(Vcc1)转换模块和第二电压(Vcc2)转换模块,所述第一接地端(GND1)分别与所述第一电压(Vcc1)转换模块、所述电源芯片(110)、所述第一光电耦合器(210)相连,还通过第一电容(C1)与所述电源输出端(Vout)相连,所述第二接地端(GND2)分别与所述第二电压(Vcc2)转换模块、所述第一光电耦合器(210)、所述MOS驱动器(220)、所述MOS开关(101)的第二通路端相连,所述第一电压(Vcc1)转换模块根据第一电压(Vcc1)降压生成第二电压(Vcc2);所述第二电压(Vcc2)转换模块根据第三电压(Vdd1)降压生成第四电压(Vdd2)。
3.根据权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述第一接地端(GND1)和所述第一电压(Vcc1)转换模块设置在所述主电路(100)上,所述第二接地端(GND2)和所述第二电压(Vcc2)转换模块设置在所述开关驱动电路(200)上。
4.根据权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述电源芯片(110)包括输入端(112)、反馈端(113)和接地端(115),所述电源芯片(110)的输入端(112)通过第一电阻(R1)接收所述第二电压(Vcc2),且通过第二电容(C2)与所述第一接地端(GND1)相连,所述电源芯片(110)的反馈端(113)接收来自所述电源输出端(Vout)的反馈电压(FB),所述电源芯片(110)的接地端(115)与所述第一接地端(GND1)相连。
5.根据权利要求4所述的电源电路,其特征在于,所述电源芯片(110)包括使能端(114),所述电源芯片(110)的使能端(114)接收使能信号(EN),所述电源芯片(110)的电压输入端(112)通过第二电阻(R2)接收所述使能信号(EN)。
6.根据权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述第一光电耦合器(210)包括第一发光源(213)、第一受光器(214)、供电端(215)和接地端(216),所述第一发光源(213)的阳极通过所述第一光电耦合器(210)的第一端(211)接收所述第一开关频率信号(SW1),所述第一发光源(213)的阴极与所述第一接地端(GND1)相连,所述第一受光器(214)的第一端接收所述第四电压(Vdd2),所述第一受光器(214)的第二端为所述第一光电耦合器(210)的第二端(212);所述第一光电耦合器(210)的供电端(215)接收所述第四电压(Vdd2),所述第一光电耦合器(210)的接地端(216)与所述第二接地端(GND2)相连。
7.根据权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述MOS驱动器(220)包括供电端(223)和接地端(224),所述MOS驱动器(220)的供电端(223)接收所述第三电压(Vdd1),所述MOS驱动器(220)的接地端(224)与所述第二接地端(GND2)相连。
8.根据权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路包括保护二极管(103),所述保护二极管(103)的正极与所述MOS开关(101)的第二端相连,所述保护二极管(103)的负极与所述第一接地端(GND1)相连。
9.根据权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路包括第三电压(Vdd1)转换模块,所述第三电压(Vdd1)转换模块分别与所述第一接地端(GND1)和所述第二接地端(GND2)相连,所述第三电压(Vdd1)转换模块包括第二光电耦合器(244)并根据所述第一电压(Vcc1)生成所述第三电压(Vdd1)。
10.根据权利要求9所述的电源电路,其特征在于,所述第三电压(Vdd1)转换模块包括变压器(241)、第一二极管(242)、第二二极管(243)、所述第二光电耦合器(244)和电压转换器(245);
所述变压器(241)包括第一端、第二端、第三端和第四端,所述变压器(241)的第一端通过第三电阻(R3)接收所述第一电压(Vcc1),且通过第三电容(C3)与所述第一接地端(GND1)相连,所述变压器(241)的第三端与所述第二接地端(GND2)相连;
所述第一二极管(242)的正极与所述变压器(241)的第四端相连,所述第一二极管(242)的负极通过第四电阻(R4)输出所述第三电压(Vdd1),且通过第四电容(C4)与所述第二接地端(GND2)相连;
所述第二二极管(243)的正极与第五电阻(R5)的第一端相连,所述第二二极管(243)的负极与所述第一二极管(242)的负极相连;
所述第二光电耦合器(244)包括第二发光源(2441)、第二受光器(2442),所述第二发光源(2441)的阳极与所述第五电阻(R5)的第二端相连,所述第二发光源(2441)的阴极与所述第二接地端(GND2)相连,所述第二受光器(2442)的第二端与所述第一接地端(GND1)相连;
所述电压转换器(245)包括供电端(2451)、第二开关节点(2452)、接地端(2453)、反馈端(2454)和补偿端(2455),所述电压转换器(245)的供电端(2451)与所述变压器(241)的第一端相连,还通过第六电阻(R6)与所述第二受光器(2442)的第二端相连,所述电压转换器(245)的第二开关节点与所述变压器(241)的第二端相连,所述电压转换器(245)的接地端(2453)和反馈端(2454)都与所述第一接地端(GND1)相连,所述电压转换器(245)的补偿端(2455)与所述第二受光器(2442)的第一端相连,且通过第五电容(C5)与所述第一接地端(GND1)相连。
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