CN210897270U - 一种用于三维扇出型封装的塑封结构 - Google Patents

一种用于三维扇出型封装的塑封结构 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种用于三维扇出型封装的塑封结构，包括：第一芯片；第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述第一芯片；第一塑封层导电通孔，所述第一塑封层导电通孔贯穿所述第一塑封层；第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一塑封层的上方，且与所述第一塑封层导电通孔电连接；第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一布局布线层的上方，且与第一布局布线层电连接；第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第二芯片和所述第一塑封层顶面和侧面，底面与所述第二塑封层的底面基本齐平；第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二塑封层的下面，与所述第一塑封层导电通孔电连接；以及外接焊球，所述外接焊球与所述第二布局布线层电连接。

Description

一种用于三维扇出型封装的塑封结构
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种用于三维扇出型封装的塑封结构。
背景技术
随着微电子技术的不断发展，用户对系统的小型化、多功能、低功耗、高可靠性的要求越来越高，尤其是近年来便携式手持终端市场需求的井喷，如手提电脑、智能手机和平板电脑等，要求更高的集成度和互连能力。而三维堆叠封装是满足上述要求的一种非常有效的技术途径。
在现有的三维堆叠封装结构，尤其是涉及三维扇出型封装结构中，经常需要采用两次或者更多次的塑封工艺，从而实现晶圆重构以及塑封保护。然后在两次塑封工艺中，不同层界面热失配引起的应力分层或由于切割的机械冲击导致的多层界面的分层等问题，如第一塑封层、介质层、金属互连层、第二塑封层等之间的界面分层。这些界面分层可能会导致封装结构的缺陷、可靠性乃至最终产品的良率。
针对现有的三维扇出型封装结构由于不同层界面热失配引起的应力分层或由于切割的机械冲击导致的多层界面的分层等问题，本实用新型提出一种用于三维扇出型封装的塑封结构，至少部分的克服了上述现有技术存在的问题。
实用新型内容
针对现有的三维扇出型封装结构由于不同层界面热失配引起的应力分层或由于切割的机械冲击导致的多层界面的分层等问题，根据本实用新型的一个实施例，提供一种用于三维扇出型封装的塑封结构，包括：
第一芯片；
第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述第一芯片；
第一塑封层导电通孔，所述第一塑封层导电通孔贯穿所述第一塑封层；
第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一塑封层的上方，且与所述第一塑封层导电通孔电连接；
第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一布局布线层的上方，且与第一布局布线层电连接；
第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第二芯片和所述第一塑封层顶面和侧面，底面与所述第二塑封层的底面基本齐平；
第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二塑封层的下面，与所述第一塑封层导电通孔电连接；以及
外接焊球，所述外接焊球与所述第二布局布线层电连接。
在本实用新型的一个实施例中，该用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，还包括：
设置在所述第一塑封层上表面与所述第二塑封层之间的介质层，所述介质层起到对所述第一布局布线层的同层布线间以及相邻层间的电绝缘和机械支撑作用；以及
设置在覆盖除外接焊球之外的所述第二塑封层和所述第一塑封层下表面的绝缘保护层。
在本实用新型的一个实施例中，所述第一芯片正面朝下，所述第一芯片的芯片焊盘与所述第二布局布线层电连接。
在本实用新型的一个实施例中，所述第一芯片正面朝上，所述第一芯片的芯片焊盘与所述第一布局布线层电连接。
在本实用新型的一个实施例中，所述第一布局布线层的布线层数为M层，其中M≥2。
在本实用新型的一个实施例中，所述第二布局布线层的布线层数为N层，其中N≥2。
根据本实用新型的另一个实施例，提供一种用于三维扇出型封装的塑封结构，包括：
第一芯片；
第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述第一芯片；
第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一塑封层的上方，且与所述第一芯片电连接；
第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一布局布线层的上方，且与第一布局布线层电连接；
第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第二芯片和所述第一塑封层顶面和侧面，底面与所述第二塑封层的底面基本齐平；
第二塑封层导电通孔，所述第二塑封层导电通孔贯穿所述第二塑封层；
第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二塑封层的上面，与所述第二塑封层导电通孔电连接；以及
外接焊球，所述外接焊球与所述第二布局布线层电连接。
在本实用新型的另一个实施例中，用于三维扇出型封装的塑封结构还包括：
设置在所述第一塑封层上表面与所述第二塑封层之间的介质层，所述介质层起到对所述第一布局布线层的同层布线间以及相邻层间的电绝缘和机械支撑作用；以及
设置在覆盖除外接焊球之外的所述第二塑封层上表面的绝缘保护层。
在本实用新型的另一个实施例中，所述第一布局布线层的布线层数为M层，其中M≥2。
在本实用新型的另一个实施例中，所述第二布局布线层的布线层数为N层，其中N≥2。
本实用新型提供一种用于三维扇出型封装的塑封结构，首先通过常规扇出工艺对第一芯片进行塑封和互连扇出形成第一芯片扇出封装结构，然后在第一芯片扇出封装结构上方贴装第二芯片形成三维扇出型封装结构，最后对三维扇出型封装结构进行第二次塑封，第二塑封层实现对三维扇出型封装结构顶面和侧面的五面包封。基于本实用新型的该种用于三维扇出型封装的塑封结构解决了由于多层界面热失配引起的应力分层，或由于切割时的机械冲击导致的多层界面的分层等问题，提升了三维扇出型封装结构的可靠性和良率。
附图说明
为了进一步阐明本实用新型的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本实用新型的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本实用新型的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。
图1示出根据本实用新型的第一实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构100的剖面示意图。
图2示出根据本实用新型的第二实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构200的剖面示意图。
图3示出根据本实用新型的第三实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构300的剖面示意图。
图4示出根据本实用新型的第四实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构400的剖面示意图。
图5示出根据本实用新型的第五实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构300的剖面示意图。
具体实施方式
在以下的描述中，参考各实施例对本实用新型进行描述。然而，本领域的技术人员将认识到可在没有一个或多个特定细节的情况下或者与其它替换和/或附加方法、材料或组件一起实施各实施例。在其它情形中，未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免使本实用新型的各实施例的诸方面晦涩。类似地，为了解释的目的，阐述了特定数量、材料和配置，以便提供对本实用新型的实施例的全面理解。然而，本实用新型可在没有特定细节的情况下实施。此外，应理解附图中示出的各实施例是说明性表示且不一定按比例绘制。
在本说明书中，对“一个实施例”或“该实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本实用新型的至少一个实施例中。在本说明书各处中出现的短语“在一个实施例中”并不一定全部指代同一实施例。
需要说明的是，本实用新型的实施例以特定顺序对工艺步骤进行描述，然而这只是为了方便区分各步骤，而并不是限定各步骤的先后顺序，在本实用新型的不同实施例中，可根据工艺的调节来调整各步骤的先后顺序。
本实用新型提供一种用于三维扇出型封装的塑封结构，首先通过常规扇出工艺对第一芯片进行塑封和互连扇出形成第一芯片扇出封装结构，然后在第一芯片扇出封装结构上方贴装第二芯片形成三维扇出型封装结构，最后对三维扇出型封装结构进行第二次塑封，第二塑封层实现对三维扇出型封装结构顶面和侧面的五面包封。基于本实用新型的该种用于三维扇出型封装的塑封结构解决了由于多层界面热失配引起的应力分层，或由于切割时的机械冲击导致的多层界面的分层等问题，提升了三维扇出型封装结构的可靠性和良率。
下面结合图1来详细介绍根据本实用新型的一个实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构。图1示出根据本实用新型的第一实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构100的剖面示意图。如图1所示，该用于三维扇出型封装的塑封结构100进一步包括第一芯片110、第一塑封层120、第一塑封层导电通孔130、第一布局布线层140、介质层150、第二芯片160、第二塑封层170、第二布局布线层180、绝缘保护层185以及外接焊球190。
第一芯片110可以为处理器、FPGA、MCU等逻辑处理芯片，也可以为Flash、EPROM等存储芯片，还可以为传感器或者射频类其他芯片等。在本实用新型的一个实施例中，第一芯片110可以为单个或者多个芯片，当为多个芯片时，可以为同类或者不同类芯片。
第一塑封层120包覆第一芯片110。在本实用新型的一个实施例中，第一塑封层120从背面和侧面实现对第一芯片110的五面包覆，第一芯片110的正面(芯片及焊盘面，与衬底相对)漏出第一塑封层120。
第一塑封层导电通孔130设置成贯穿第一塑封层120，且与第一芯片110分离开。在本实用新型的一个实施例中，第一塑封层导电通孔130通过对第一塑封层120通孔后进行填充导电材料形成。在本实用新型的一个具体实施例中，第一塑封层导电通孔130的通孔通过对第一塑封层120的特定区域进行激光通过或者机械通孔形成；导电材料填充通过铜或其他金属的电镀形成；也可以通过填充导电银浆或导电胶形成。
第一布局布线层140设置在第一塑封层120的上面，与第一塑封层导电通孔130形成电连接。第一布局布线层140可以通过加成法或者减成法形成。在本实用新型的一个实施例中，第一布局布线层140可以为单层或多层布线层。
介质层150设置在第一布局布线层140的同层布线间以及相邻层间。介质层可以为二氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料，也可以为PI、树脂等有机绝缘材料，起到绝缘和机械保护作用。
第二芯片160设置在第一布局布线层140的上面，第一布局布线层140的焊盘161与第一布局布线层140电连接，实现电和或信号的传输，第二芯片160与第一芯片110可以为同类芯片或者不同芯片。与第一芯片110类似，第二芯片160也可以为处理器、FPGA、MCU等逻辑处理芯片，也可以为Flash、EPROM等存储芯片，或者为传感器或者射频类其他芯片等。在本实用新型的一个实施例中，第二芯片160也可以为单个或者多个芯片，当为多个芯片时，可以为同类或者不同类芯片。
第二塑封层170包覆第二芯片160、第一布局布线层140、介质层150以及第一塑封层120的侧面，形成对封装结构的上面和侧面的五面包覆；第一塑封层导电通孔130和第一芯片110的正面从第二塑封层170的底面漏出。
第二布局布线层180设置在第二塑封170的下面，与第一塑封层导电通孔130和第一芯片110的正面焊盘电连接；其中在最外层的第二布局布线层180还设置有外接焊盘。在本实用新型的一个实施例中，第二布局布线层180可以为单层或多层。
绝缘保护层185设置在第二布局布线层180的同层布线间以及相邻层间。
外接焊球190设置在最外层的第二布局布线层180的外接焊盘上，起到封装结构与外面电路和或系统的电和或信号连接作用。
下面结合图2来介绍根据本实用新型的第二实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构。图2示出根据本实用新型的第二实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构200的剖面示意图。如图2所示，该用于三维扇出型封装的塑封结构200进一步包括第一芯片210、第一塑封层220、第一塑封层导电通孔230、第一布局布线层240、介质层250、第二芯片260、第二塑封层270、外接焊盘280、绝缘保护层285以及外接焊球290。
该用于三维扇出型封装的塑封结构200与前述用于三维扇出型封装的塑封结构100的区别仅在于在第一芯片210正面朝上设置在第一塑封层220内部，第一芯片210的第一芯片焊盘211与第一布局布线层240电连接；此外，外接焊球290仅通过外接焊盘280与第一塑封层导电通孔230电连接。
下面结合图3来介绍根据本实用新型的第三实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构。图3示出根据本实用新型的第三实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构300的剖面示意图。如图3所示，该用于三维扇出型封装的塑封结构300进一步包括第一芯片310、第一塑封层320、第一塑封层导电通孔330、第一布局布线层340、介质层350、第二芯片360、第二塑封层370、第二布局布线层380、绝缘保护层385以及外接焊球390。
该用于三维扇出型封装的塑封结构300与前述用于三维扇出型封装的塑封结构200的区别仅在于第二布局布线层380，第二布局布线层380可以为单层或多层，与第一塑封层导电通孔330电连接，并实现外接焊盘的均匀布局。
下面结合图4来介绍根据本实用新型的第四实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构。图4示出根据本实用新型的第四实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构400的剖面示意图。如图4所示，该用于三维扇出型封装的塑封结构400进一步包括第一芯片410、第一塑封层420、第一布局布线层430、介质层440、第二芯片450、第二塑封层460、第二塑封层导电通孔470、外接焊盘480、绝缘保护层485以及外接焊球490。
该用于三维扇出型封装的塑封结构400与前述用于三维扇出型封装的塑封结构200的区别在于第一芯片410和第二芯片450分别通过芯片焊盘411和451电连接到第一布局布线层430上，再与贯穿第二塑封层460的第二塑封层导电通孔470电连接，外接焊球490设置在第二塑封层460的上方。
最后，再结合图5来介绍根据本实用新型的第五实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构。图5示出根据本实用新型的第五实施例的一种用于三维扇出型封装的塑封结构500的剖面示意图。如图5所示，该用于三维扇出型封装的塑封结构500进一步包括第一芯片510、第一塑封层520、第一布局布线层530、介质层540、第二芯片550、第二塑封层560、第二塑封层导电通孔570、第二布局布线层580、绝缘保护层585以及外接焊球590。
该用于三维扇出型封装的塑封结构500与前述用于三维扇出型封装的塑封结构400的区别仅在于第二布局布线层580，第二布局布线层580可以为单层或多层，与第二塑封层导电通孔570电连接，并实现外接焊盘的均匀布局。
基于本实用新型提供的该种用于三维扇出型封装的塑封结构，首先通过常规扇出工艺对第一芯片进行塑封和互连扇出形成第一芯片扇出封装结构，然后在第一芯片扇出封装结构上方贴装第二芯片形成三维扇出型封装结构，最后对三维扇出型封装结构进行第二次塑封，第二塑封层实现对三维扇出型封装结构顶面和侧面的五面包封。基于本实用新型的该种用于三维扇出型封装的塑封结构解决了由于多层界面热失配引起的应力分层，或由于切割时的机械冲击导致的多层界面的分层等问题，提升了三维扇出型封装结构的可靠性和良率。
尽管上文描述了本实用新型的各实施例，但是，应该理解，它们只是作为示例来呈现的，而不作为限制。对于相关领域的技术人员显而易见的是，可以对其做出各种组合、变型和改变而不背离本实用新型的精神和范围。因此，此处所公开的本实用新型的宽度和范围不应被上述所公开的示例性实施例所限制，而应当仅根据所附权利要求书及其等同替换来定义。

Claims (10)

1.一种用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，包括：
第一芯片；
第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述第一芯片；
第一塑封层导电通孔，所述第一塑封层导电通孔贯穿所述第一塑封层；
第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一塑封层的上方，且与所述第一塑封层导电通孔电连接；
第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一布局布线层的上方，且与第一布局布线层电连接；
第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第二芯片和所述第一塑封层顶面和侧面，底面与所述第二塑封层的底面基本齐平；
第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二塑封层的下面，与所述第一塑封层导电通孔电连接；以及
外接焊球，所述外接焊球与所述第二布局布线层电连接。
2.如权利要求1所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，还包括：
设置在所述第一塑封层上表面与所述第二塑封层之间的介质层，所述介质层起到对所述第一布局布线层的同层布线间以及相邻层间的电绝缘和机械支撑作用；以及
设置在覆盖除外接焊球之外的所述第二塑封层和所述第一塑封层下表面的绝缘保护层。
3.如权利要求1所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，所述第一芯片正面朝下，所述第一芯片的芯片焊盘与所述第二布局布线层电连接。
4.如权利要求1所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，所述第一芯片正面朝上，所述第一芯片的芯片焊盘与所述第一布局布线层电连接。
5.如权利要求1所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，所述第一布局布线层的布线层数为M层，其中M≥2。
6.如权利要求1所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，所述第二布局布线层的布线层数为N层，其中N≥2。
7.一种用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，包括：
第一芯片；
第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述第一芯片；
第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一塑封层的上方，且与所述第一芯片电连接；
第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一布局布线层的上方，且与第一布局布线层电连接；
第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第二芯片和所述第一塑封层顶面和侧面，底面与所述第二塑封层的底面基本齐平；
第二塑封层导电通孔，所述第二塑封层导电通孔贯穿所述第二塑封层；
第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二塑封层的上面，与所述第二塑封层导电通孔电连接；以及
外接焊球，所述外接焊球与所述第二布局布线层电连接。
8.如权利要求7所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，还包括：
设置在所述第一塑封层上表面与所述第二塑封层之间的介质层，所述介质层起到对所述第一布局布线层的同层布线间以及相邻层间的电绝缘和机械支撑作用；以及
设置在覆盖除外接焊球之外的所述第二塑封层上表面的绝缘保护层。
9.如权利要求7所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，所述第一布局布线层的布线层数为M层，其中M≥2。
10.如权利要求7所述的用于三维扇出型封装的塑封结构，其特征在于，所述第二布局布线层的布线层数为N层，其中N≥2。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110828431A (zh) * 2019-12-06 2020-02-21 上海先方半导体有限公司 一种用于三维扇出型封装的塑封结构

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