CN210774373U - 高发射率中温黑体炉 - Google Patents

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杨萌
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Abstract

本实用新型涉及测温技术领域,特别涉及高发射率中温黑体炉,包括炉体外壳,所述炉体外壳侧部水平开设有加热辐射腔体,所述加热辐射腔体的上方和下方沿平行加热辐射腔体方向分别设置有加热装置,所述加热辐射腔体的开口处设置可变光阑,加热辐射腔体内部一端设置有波浪形辐射面,所述炉体外壳上设置有温度指示及控制柜,加热装置与温度指示及控制柜电连接。与现有技术相比,本实用新型的高发射率中温黑体炉的加热辐射腔体内部一端设置有波浪形辐射面,增加加热辐射腔体内部漫反射,利于提高发射率。

Description

高发射率中温黑体炉
【技术领域】
本实用新型涉及测温技术领域,特别涉及高发射率中温黑体炉。
【背景技术】
黑体炉用于实验室及生产现场非接触式温度传感器校准,如:红外线测温计,耳温计,热成像仪,红外测温传感器等校准用模拟器。现有技术的黑体炉存在发射率较小,质量大,分体式设计体积大,不便于现场使用等缺点。
【实用新型内容】
为了克服上述问题,本实用新型提出一种可有效解决上述问题的高发射率中温黑体炉。
本实用新型解决上述技术问题提供的一种技术方案是:提供一种高发射率中温黑体炉,包括炉体外壳,所述炉体外壳侧部水平开设有加热辐射腔体,所述加热辐射腔体的上方和下方沿平行加热辐射腔体方向分别设置有加热装置,所述加热辐射腔体的开口处设置可变光阑,加热辐射腔体内部一端设置有波浪形辐射面,所述炉体外壳上设置有温度指示及控制柜,加热装置与温度指示及控制柜电连接。
优选地,所述加热装置包括氧化镁核心筒和镍铬耐热合金加热导体,镍铬耐热合金加热导体均匀缠绕于氧化镁核心筒的外围。
优选地,所述氧化镁核心筒平行于加热辐射腔体。
优选地,所述波浪形辐射面为连续弧形波浪面或者连续等边三角形面。
优选地,所述加热辐射腔体为圆柱体状,单个弧形底边长度为加热辐射腔体端面直径的十分之一。
优选地,所述加热辐射腔体为圆柱体状,单个等边三角形底边长度为加热辐射腔体端面直径的十分之一。
优选地,所述炉体外壳呈长方体状,长度为300mm,宽度为300mm,高度为280mm。
与现有技术相比,本实用新型的高发射率中温黑体炉的加热辐射腔体内部一端设置有波浪形辐射面,增加加热辐射腔体内部漫反射,利于提高发射率;炉体外壳呈长方体状,长度为300mm,宽度为300mm,高度为280mm,一体化设置,减小体积。
【附图说明】
图1为本实用新型高发射率中温黑体炉的结构图;
图2为图1中A处放大图。
【具体实施方式】
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施实例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅限于指定视图上的相对位置,而非绝对位置。
另外,在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
请参阅图1和图2,本实用新型的高发射率中温黑体炉,包括炉体外壳10,所述炉体外壳10侧部水平开设有加热辐射腔体20,所述加热辐射腔体20的上方和下方沿平行加热辐射腔体20方向分别设置有加热装置30,用于提升加热辐射腔体20内的温度。所述加热辐射腔体20的开口处设置可变光阑21,可根据测温仪60的口径调节辐射出口的直径大小,利于辐射量被测温仪60全部采集。加热辐射腔体20内部一端设置有波浪形辐射面22,增加加热辐射腔体20内部漫反射,利于提高发射率。
所述炉体外壳10上设置有温度指示及控制柜50,加热装置30与温度指示及控制柜50电连接,温度指示及控制柜50用于设置加热装置30的加热温度以及加热装置30的启闭。
所述加热装置30包括氧化镁核心筒和镍铬耐热合金加热导体,镍铬耐热合金加热导体均匀缠绕于氧化镁核心筒的外围。所述氧化镁核心筒平行于加热辐射腔体20,利于加热辐射腔体20内的温度更加均匀。
所述波浪形辐射面22为连续弧形波浪面或者连续等边三角形面。所述加热辐射腔体20为圆柱体状,单个弧形底边长度为加热辐射腔体20端面直径的十分之一,单个等边三角形底边长度为加热辐射腔体20端面直径的十分之一
所述炉体外壳10呈长方体状,长度为300mm,宽度为300mm,高度为280mm,一体化设置,减小体积。高发射率中温黑体炉整体质量约为8KG,与市场同款黑体炉的12-15KG相比,质量减轻,便于携带,现场使用方便。
工作时,加热装置30根据温度指示及控制柜50预设参数,配合PID调节将加热辐射腔体20加热至待测温度,加热辐射腔体20在恒温条件下发射800-1400nm的红外光23,其红外辐射温度对应发射率为0.995的黑体温度;测温仪60的红外传感器采集对应波长的辐射量,显示为实际辐射温度值。
与现有技术相比,本实用新型的高发射率中温黑体炉的加热辐射腔体20内部一端设置有波浪形辐射面22,增加加热辐射腔体20内部漫反射,利于提高发射率;炉体外壳10呈长方体状,长度为300mm,宽度为300mm,高度为280mm,一体化设置,减小体积。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的构思之内所作的任何修改,等同替换和改进等均应包含在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (7)

1.高发射率中温黑体炉,其特征在于,包括炉体外壳,所述炉体外壳侧部水平开设有加热辐射腔体,所述加热辐射腔体的上方和下方沿平行加热辐射腔体方向分别设置有加热装置,所述加热辐射腔体的开口处设置可变光阑,加热辐射腔体内部一端设置有波浪形辐射面;
所述炉体外壳上设置有温度指示及控制柜,加热装置与温度指示及控制柜电连接。
2.如权利要求1所述的高发射率中温黑体炉,其特征在于,所述加热装置包括氧化镁核心筒和镍铬耐热合金加热导体,镍铬耐热合金加热导体均匀缠绕于氧化镁核心筒的外围。
3.如权利要求2所述的高发射率中温黑体炉,其特征在于,所述氧化镁核心筒平行于加热辐射腔体。
4.如权利要求1所述的高发射率中温黑体炉,其特征在于,所述波浪形辐射面为连续弧形波浪面或者连续等边三角形面。
5.如权利要求4所述的高发射率中温黑体炉,其特征在于,所述加热辐射腔体为圆柱体状,单个弧形底边长度为加热辐射腔体端面直径的十分之一。
6.如权利要求4所述的高发射率中温黑体炉,其特征在于,所述加热辐射腔体为圆柱体状,单个等边三角形底边长度为加热辐射腔体端面直径的十分之一。
7.如权利要求1所述的高发射率中温黑体炉,其特征在于,所述炉体外壳呈长方体状,长度为300mm,宽度为300mm,高度为280mm。
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