CN210464211U - 一种新型防弹芯片和防弹衣 - Google Patents

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袁林军
苏云
郑志礼
金慧成
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Abstract

本实用新型提供一种新型防弹芯片和防弹衣,其包括多层面密度为450g/m2~550g/m2的第一超高分子量聚乙烯UD布2、多层面密度为50g/m2~100g/m2的第二超高分子量聚乙烯UD布3、EVA4和黑色防水布;并且所述第一超高分子聚乙烯UD布和所述第二超高分子聚乙烯UD布交错分层排列。这种构成方式可以减少当子弹到来时纱线断裂、脱层的现象。本实用新型防弹芯片提高芯片防弹的稳定性,提高了使用寿命,并且重量更轻,防弹能力更强,增加了使用人员的灵活性,更能保障使用人员的人身安全。

Description

一种新型防弹芯片和防弹衣
技术领域
本实用新型涉及个体防护领域,尤其涉及一种新型防弹芯片和防弹衣。
背景技术
目前用的防弹芯片的结构大多采用多层相同的防弹布叠加在一起,单层面密度为(130-160)g/m2,并采用胶带十字形固定,外层则采用黑色防水布热合。由于防弹布层与层之间缺少约束,且每一层防弹布面密度均一致,导致在一定总面密度要求下,承受高温环境下弹头或破片攻击的能力大大降低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种新型防弹芯片和防弹衣,以便更好的发挥超高分子量聚乙烯纤维的优势,进而提升防弹芯片的抗弹能力,从而解决现有技术中存在的前述问题。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种新型防弹芯片,包括多层面密度为450g/m2~550g/m2的第一超高分子量聚乙烯UD布、多层面密度为50g/m2~100g/m2的第二超高分子量聚乙烯UD布、 EVA和黑色防水布;所述第一超高分子量聚乙烯UD布和所述第二超高分子量聚乙烯UD布交错叠加固定;叠加在一起的所述超高分子量聚乙烯UD布采用缝纫固定结构固定,形成超高分子量聚乙烯UD布组合层;所述高分子量聚乙烯UD布组合层与EVA叠加固定,外部采用黑色防水布固定。
优选的,所述第一超高分子量聚乙烯UD布为10层,第二超高分子量聚乙烯UD 布为9层。
优选的,所述第一超高分子量聚乙烯UD布的面密度为490g/m2,所述第二超高分子量聚乙烯UD布的面密度为70g/m2
优选的,所述第一超高分子量聚乙烯UD布的面密度为450g/m2,所述第二超高分子量聚乙烯UD布的面密度为50g/m2
优选的,所述第一超高分子量聚乙烯UD布的面密度为550g/m2,所述第二超高分子量聚乙烯UD布的面密度为100g/m2
优选的,所述缝纫固定结构为缝纫针距为10mm,每个角度的缝纫长度为50~60mm;
优选的,所述缝纫固定结构为缝纫线的角度保持与防弹布成90°;缝纫固定结构应用于所述叠加在一起的超高分子量聚乙烯UD布的4个角部位置;
优选的,所述EVA采用软硬适中的面密度;
优选的,所述超高分子量聚乙烯UD布组合层和EVA采用胶带呈十字形固定。
优选的,采用高频热合黑色防水布四周。
本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单,加工方便,易于实现。通过多次高温破片弹击试验与现有的防弹芯片相比,重量更轻,抗弹能力更强,具有更小的背衬凹陷,为使用人员减轻了负重负担。本防弹芯片极大的提升了防弹芯片的抗弹能力,保证了人员生命财产安全。
文中所有的UD布都为单向布;所有的EVA都为乙烯-醋酸乙烯共聚物;V50为穿透概率50%时模拟破片或特定弹丸的平均速度。
附图说明
图1是特殊的缝纫固定结构;
图2是材料结构示意图。
图中:1—特殊的缝纫固定结构,2—面密度为450g/m2~550g/m2的超高分子量聚乙烯UD布,3—层面密度为50g/m2~100g/m2的超高分子量聚乙烯UD布, 4—EVA。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型是一种新型防弹芯片,包括多层面密度为450g/m2~550g/m2的第一超高分子量聚乙烯UD布、多层面密度为50g/m2~100g/m2的第二超高分子量聚乙烯UD布、EVA和黑色防水布;所述第一超高分子量聚乙烯UD布和所述第二超高分子量聚乙烯UD布交错叠加固定;叠加在一起的所述超高分子量聚乙烯UD 布采用缝纫固定结构固定,形成超高分子量聚乙烯UD布组合层;所述高分子量聚乙烯UD布组合层与EVA叠加固定,外部采用黑色防水布固定。这种组合方式可以增加弹头击中芯片时的阻力。所述缝纫固定结构为缝纫针距为10mm,每个角度的缝纫长度为50~60mm,所述缝纫固定结构为缝纫线的角度保持与防弹布成 90°,所述缝纫固定结构应用于所述叠加在一起的超高分子聚乙烯UD步的4个角部位置,这种缝纫固定结构可以增加防弹布材料各层之间相互作用的阻力,增加对弹头能量的消耗。所述超高分子聚乙烯UD布组合层和EVA采用胶带呈十字形固定,采用高频热合黑色防水布四周。可以增加防弹材料的牢固性和稳定性,还增加了防弹材料的使用环境和使用寿命。
运用具体数值,具体制作之后的实施例如以下表述:
第一种实施方案包括10层面密度为490g/m2的超高分子量聚乙烯UD布、9 层面密度为70g/m2的超高分子量聚乙烯UD布、EVA和黑色防水布。所述10层面密度为490g/m2的超高分子量聚乙烯UD布与9层70g/m2的超高分子量聚乙烯UD 布交错重叠分布通过挤压固定在一起,然后将四个角部位置采用缝纫针距为 10mm,每个角度的缝纫长度为50~60mm,用缝纫角度保持与防弹布呈90°的缝纫固定结构缝合在一起。EVA采用软硬适中的面密度,用胶带呈十字形将超高分子聚乙烯UD布组合层和EVA固定,最后采用高频热合黑色防水布四周。采用这种新型结构在208所进行高温55℃破片试验,试验后V50为659m/s。
第二种实施方案包括10层面密度为450g/m2的超高分子量聚乙烯UD布、9 层面密度为50g/m2的超高分子量聚乙烯UD布、EVA和黑色防水布。所述10层面密度为450g/m2的超高分子量聚乙烯UD布与9层50g/m2的超高分子量聚乙烯UD 布交错重叠分布通过挤压固定在一起,然后将四个角部位置采用缝纫针距为 10mm,每个角度的缝纫长度为50~60mm,用缝纫角度保持与防弹布呈90°的缝纫固定结构缝合在一起。EVA采用软硬适中的面密度,用胶带呈十字形将超高分子聚乙烯UD布组合层和EVA固定,最后采用高频热合黑色防水布四周。
第三种实施方案包括10层面密度为550g/m2的超高分子量聚乙烯UD布、9 层面密度为100g/m2的超高分子量聚乙烯UD布、EVA和黑色防水布。所述10层面密度为550g/m2的超高分子量聚乙烯UD布与9层100g/m2的超高分子量聚乙烯UD 布交错重叠分布通过挤压固定在一起,然后将四个角部位置采用缝纫针距为 10mm,每个角度的缝纫长度为50~60mm,用缝纫角度保持与防弹布呈90°的缝纫固定结构缝合在一起。EVA采用软硬适中的面密度,用胶带呈十字形将超高分子聚乙烯UD布组合层和EVA固定,最后采用高频热合黑色防水布四周。当弹头或破片射击防弹芯片时,本实用新型会降低拉伸变形的幅度,阻止其穿透所述防弹芯片,大大的提升防弹性能。
通过采用本实用新型公开的上述技术方案,得到了如下有益的效果:
该防弹芯片减少了纱线断裂、脱层的现象,使纤维的防弹性能得到提升,增加了防弹芯片的稳定性、延长了使用寿命。并且该防弹芯片可以在减轻产品重量的基础上增强产品的防弹能力,具有更小的背衬凹陷,能有效的保护使用人员的人身安全。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种新型防弹芯片,其特征在于,包括多层面密度为450g/m2~550g/m2的第一超高分子量聚乙烯UD布、多层面密度为50g/m2~100g/m2的第二超高分子量聚乙烯UD布、EVA和黑色防水布;所述第一超高分子量聚乙烯UD布和所述第二超高分子量聚乙烯UD布交错叠加固定;叠加在一起的所述超高分子量聚乙烯UD布采用缝纫固定结构固定,形成超高分子量聚乙烯UD布组合层;所述超高分子量聚乙烯UD布组合层与EVA叠加固定,外部采用黑色防水布固定。
2.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,所述第一超高分子量聚乙烯UD布为10层,所述第二超高分子量聚乙烯UD布为9层。
3.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,所述第一超高分子量聚乙烯UD布的面密度为490g/m2,所述第二超高分子量聚乙烯UD布的面密度为70g/m2
4.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,所述第一超高分子量聚乙烯UD布的面密度为450g/m2,所述第二超高分子量聚乙烯UD布的面密度为50g/m2
5.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,所述第一超高分子量聚乙烯UD布的面密度为550g/m2,所述第二超高分子量聚乙烯UD布的面密度为100g/m2
6.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,所述缝纫固定结构中的缝纫针距为10mm,每个角度的缝纫长度为50~60mm。
7.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,所述缝纫固定结构中的缝纫线的角度保持与防弹布成90°;所述缝纫固定结构应用于所述叠加在一起的超高分子量聚乙烯UD布的4个角部位置。
8.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,所述超高分子量聚乙烯UD布组合层和EVA采用胶带呈十字形固定。
9.根据权利要求1所述的新型防弹芯片,其特征在于,采用高频热合黑色防水布四周。
10.一种防弹衣,其特征在于,包括权利要求1-9任一所述的新型防弹芯片。
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