CN210378978U - 晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置，装置包括温度传感器、气体提供机构、加热器及加热控制器。温度传感器用于感应陶瓷盘的温度。气体提供机构包括输送管道，气体提供机构用于将气体通过输送管道通入到制程腔室的上部腔室内。加热器用于对输送管道内的气体进行加热处理。加热控制器分别与温度传感器、气体提供机构、加热器电性连接，加热控制器用于根据陶瓷盘的温度相应控制气体提供机构调整通入到上部腔室内的气体流量大小，以及控制加热器调整工作功率大小。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及加热器功率，能较好地控制陶瓷盘的温度，控温快速，同时能节省成本。

Description

晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置

技术领域

本实用新型涉及晶圆刻蚀技术领域，特别是涉及一种晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置。

背景技术

传统地，用于对晶圆上例如多晶硅或钨进行蚀刻处理的晶圆蚀刻系统的制程腔室包括上部腔室及下部腔室。上部腔室与下部腔室之间由陶瓷盘进行隔离开。晶圆在下部腔室中进行刻蚀加工处理。为了避免刻蚀过程中在陶瓷盘上产生附属物，以及避免附属物掉落到晶圆上造成晶圆缺陷，一般需要控制陶瓷盘的温度在预设温度范围内。对于陶瓷盘的控温方法一般为：采用分别设置于上部腔室两侧的两个通气管道将气体同步通入到上部腔室内，同时采用两个加热器分别对两个通气管道通入的气体同步进行加热处理。两个通气管道将气体通入到上部腔室的过程中，会在加热器位置形成负压，使一定量的外部大气一起进入到上部腔室，通气管道送入到上部腔室内的气体及外部大气接触陶瓷盘时能相应控制陶瓷盘的温度。然而，传统的陶瓷盘的控温方法，无法实现将陶瓷盘的温度控制在预设温度，控温速度慢，控温成本较高。

实用新型内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置，它能够较好地控制陶瓷盘的温度，控温快速，同时能节省成本。

其技术方案如下：一种刻蚀腔室的加热装置，包括：温度传感器，所述温度传感器用于感应陶瓷盘的温度；气体提供机构，所述气体提供机构包括输送管道，所述气体提供机构用于将气体通过所述输送管道通入到制程腔室的上部腔室内；加热器，所述加热器用于对所述输送管道内的气体进行加热处理；及加热控制器，所述加热控制器分别与所述温度传感器、所述气体提供机构、所述加热器电性连接，所述加热控制器用于根据所述陶瓷盘的温度相应控制所述气体提供机构调整通入到所述上部腔室内的气体流量大小，以及控制所述加热器调整工作功率大小。

上述的刻蚀腔室的加热装置，通过温度传感器感应陶瓷盘的温度，当加热控制器判断到陶瓷盘的温度有偏差时，则一方面可以控制调整气体提供机构通入到上部腔室内的气体流量大小，另一方面可以控制调整加热器的工作功率，以实现陶瓷盘的温度维持于预设温度，从而避免陶瓷盘的表面上附着附属物，以及避免形成的微粒掉落污染晶圆，另外，维持陶瓷盘温度可以确保等离子中化学性反应稳定性,保持关键尺寸的均匀性。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及实时调节加热器功率，因此能较好地控制陶瓷盘的温度，控温快速，同时能节省成本。

在其中一个实施例中，所述气体提供机构还包括压缩气源及设置于所述输送管道上的开关阀，所述输送管道为两个以上，且两个以上所述输送管道的管径大小不同，所述输送管道的进气端均与所述压缩气源相连通，所述开关阀与所述加热控制器电性连接。

在其中一个实施例中，所述输送管道为三个，分别为第一输送管道、第二输送管道及第三输送管道，所述第一输送管道、所述第二输送管道及所述第三输送管道的管径依次增大。

在其中一个实施例中，所述的刻蚀腔室的加热装置还包括信号采集器，所述信号采集器用于获取所述制程腔室的工作状态，所述信号采集器与所述加热控制器电性连接，所述加热控制器用于根据所述制程腔室的工作状态控制相应的所述开关阀开启。

在其中一个实施例中，所述加热控制器用于与晶圆刻蚀系统的制程控制器电性连接，所述加热控制器用于根据所述制程腔室的工作状态控制相应的所述开关阀开启。

在其中一个实施例中，所述气体提供机构还包括加热管道，所述输送管道的出气端均与所述加热管道连接，所述加热管道的出气端用于设置于所述制程腔室的上部腔室内；所述加热器与所述加热管道的外侧壁接触并用于对所述加热管道内的气体进行加热处理。

在其中一个实施例中，所述气体提供机构还包括导热块，所述输送管道均装设于所述导热块上，所述加热器与所述导热块相接触用于对所述导热块进行加热处理。

在其中一个实施例中，所述气体提供机构还包括压缩气源及设置于所述输送管道上的流量调节阀，所述加热控制器与所述流量调节阀电性连接，所述输送管道的进气端与所述压缩气源相连。

在其中一个实施例中，所述的刻蚀腔室的加热装置还包括显示装置，所述显示装置与所述加热控制器电性连接，所述显示装置用于显示所述陶瓷盘的温度、所述气体提供机构通入到所述上部腔室内的气体流量大小以及所述加热器的工作功率大小；所述气体提供机构与所述加热器均为两个以上，所述气体提供机构与所述加热器一一对应设置，两个以上所述气体提供机构沿着所述上部腔室的外周间隔设置。

一种晶圆刻蚀系统，包括所述的刻蚀腔室的加热装置，还包括制程腔室、陶瓷盘及静电卡盘，所述陶瓷盘设置于所述制程腔室内用于将所述制程腔室分隔为上部腔室与下部腔室，所述静电卡盘设置于所述下部腔室内，所述的温度传感器设置于所述陶瓷盘上，所述输送管道通入到所述上部腔室内。

上述的晶圆刻蚀系统，通过温度传感器感应陶瓷盘的温度，当加热控制器判断到陶瓷盘的温度有偏差时，则一方面可以控制调整气体提供机构通入到上部腔室内的气体流量大小，另一方面可以控制调整加热器的工作功率，以实现陶瓷盘的温度维持于预设温度，从而避免陶瓷盘的表面上附着附属物，以及避免形成的微粒掉落污染晶圆，另外，维持陶瓷盘温度可以确保等离子中化学性反应稳定性,保持关键尺寸的均匀性。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及实时调节加热器功率，因此能较好地控制陶瓷盘的温度，控温快速，同时能节省成本。

附图说明

图1为本实用新型一实施例所述的晶圆刻蚀系统的结构图；

图2为本实用新型另一实施例所述的晶圆刻蚀系统的结构图；

图3为本实用新型又一实施例所述的晶圆刻蚀系统的结构图；

图4为本实用新型再一实施例所述的晶圆刻蚀系统的结构图；

图5为本实用新型再又一实施例所述的晶圆刻蚀系统的结构图；

图6为本实用新型一实施例所述的刻蚀腔室的加热方法流程图；

图7为本实用新型另一实施例所述的刻蚀腔室的加热方法流程图。

附图标记：

10、气体提供机构；11、第一输送管道；12、第二输送管道；13、第三输送管道；14、压缩气源；15、开关阀；16、加热管道；17、流量调节阀；18、导热块；19、输送管道；20、加热器；30、加热控制器；40、陶瓷盘；50、制程腔室；51、上部腔室；52、下部腔室；60、显示装置；70、静电卡盘；80、晶圆。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在中间元件。相反，当元件为称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。

一般地，晶圆刻蚀系统的制程腔室内有三种工作状态，分别为无制程状态、有制程并处于刻蚀状态以及有制程并处于无刻蚀状态。该三种状态下，陶瓷盘的温度会有较大区别，具体而言，无制程状态时陶瓷盘的温度相对较小，有制程并处于刻蚀状态时由于等离子体与晶圆表面上的膜层进行刻蚀反应时产生热量，导致陶瓷盘的温度相对较大。若采用传统的方式将恒定流量的气体进行加热并通入到上部腔室接触陶瓷盘来调整陶瓷盘的温度，难以实现将陶瓷盘的温度精确地调整到预设温度；此外，对于有制程并处于蚀刻状态时，传统方式不能快速地将陶瓷盘温度调整到预设温度，工作效率较低，并容易导致陶瓷盘的表面上附着附属物，甚至形成微粒掉落并污染晶圆；另外，对于无制程状态时，将恒定量的气体通入到上部腔室时，加热器需要同步控制处于较大的加热功率，导致浪费控温成本。

在一个实施例中，请参阅图1，一种刻蚀腔室的加热装置，包括温度传感器、气体提供机构10、加热器20及加热控制器30。所述温度传感器用于感应陶瓷盘40的温度。所述气体提供机构10包括输送管道，所述气体提供机构10用于将气体通过所述输送管道通入到制程腔室50的上部腔室51内。所述加热器20用于对所述输送管道内的气体进行加热处理。所述加热控制器30分别与所述温度传感器、所述气体提供机构10、所述加热器20电性连接，所述加热控制器30用于根据所述陶瓷盘40的温度相应控制所述气体提供机构10调整通入到所述上部腔室51内的气体流量大小，以及控制所述加热器20调整工作功率大小。

上述的刻蚀腔室的加热装置，通过温度传感器感应陶瓷盘40的温度，当加热控制器30判断到陶瓷盘40的温度有偏差时，则一方面可以控制调整气体提供机构10通入到上部腔室51内的气体流量大小，另一方面可以控制调整加热器20的工作功率，以实现陶瓷盘40的温度维持于预设温度，从而避免陶瓷盘40的表面上附着附属物，以及避免形成的微粒掉落污染晶圆80，另外，维持陶瓷盘40温度可以确保等离子中化学性反应稳定性,保持关键尺寸的均匀性。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及实时调节加热器20功率，因此能较好地控制陶瓷盘40的温度，控温快速，同时能节省成本。

进一步地，请再参阅图1，所述气体提供机构10还包括压缩气源14及设置于所述输送管道上的开关阀15。所述输送管道为两个以上，且两个以上所述输送管道的管径大小不同，所述输送管道的进气端均与所述压缩气源14相连通，所述开关阀15与所述加热控制器30电性连接。如此，加热控制器30根据例如制程腔室50的实际工作状态，以及陶瓷盘40的温度，有选择性地控制其中一个输送管道上的开关阀15开启，这样一方面能有利于有效地控制输送管道通入到上部腔室51内的气体流量，另一方面能节省成本，以及能实现快速控温。

进一步地，所述输送管道为三个，分别为第一输送管道11、第二输送管道12及第三输送管道13。所述第一输送管道11、所述第二输送管道12及所述第三输送管道13的管径依次增大。具体而言，第一输送管道11、第二输送管道12及第三输送管道13输送到上部腔室51内的气体对陶瓷盘40的表面所产生的压力范围分别为8psi～11psi、17psi～20psi、以及27psi～30psi。

在一个实施例中，所述的刻蚀腔室的加热装置还包括信号采集器。所述信号采集器用于获取所述制程腔室50的工作状态，所述信号采集器与所述加热控制器30电性连接。所述加热控制器30用于根据所述制程腔室50的工作状态控制相应的所述开关阀15开启。如此，通过信号采集器获取制程腔室50的工作状态，并根据制程腔室50的工作状态开启相应管径的输送管道上的开关阀15，从而针对于不同的工作状态来调整通入到上部腔室51内的气体流量大小，配合于加热器20的加热工作时，能较好地控制陶瓷盘40的温度，控温快速，同时能节省成本。

具体而言，当制程腔室50处于无制程的工作状态时，加热控制器30控制第一输送管道11上的开关阀15开启，其余两个输送管道上的开关阀15保持关闭状态，以及控制加热器20以第一加热功率进行工作；

当制程腔室50处于有制程并处于无刻蚀的工作状态时，加热控制器30控制第二输送管道12上的开关阀15开启，其余两个输送管道上的开关阀15保持关闭状态，以及控制加热器20以第二加热功率进行工作；

当制程腔室50处于有制程并处于刻蚀的工作状态时，加热控制器30控制第三输送管道13上的开关阀15开启，其余两个输送管道上的开关阀15保持关闭状态，以及控制加热器20以第三加热功率进行工作。

在另一个实施例中，所述加热控制器30用于与晶圆刻蚀系统的制程控制器电性连接，所述加热控制器30用于根据所述制程腔室50的工作状态控制相应的所述开关阀15开启。可以理解的是，晶圆刻蚀系统在制程控制器的程序控制下依次对制程腔室50内静电卡盘70上的晶圆80进行各种加工步骤，加热控制器30与制程控制器电性连接后，直接获取制程腔室50的工作状态，并可以根据制程腔室50的工作状态相应控制开关阀15开启。其中，制程控制器又称刻蚀终点系统。

在一个实施例中，请参阅图3，所述气体提供机构10还包括加热管道16。所述输送管道的出气端均与所述加热管道16连接，所述加热管道16的出气端用于设置于所述制程腔室50的上部腔室51内。所述加热器20与所述加热管道16的外侧壁接触并用于对所述加热管道16内的气体进行加热处理。如此，加热器20能快速地将热量传递给加热管道16的外侧壁，从而能较好地实现对加热管道16内的气体进行加热处理，气体加热效果好且迅速。

在另一个实施例中，请参阅图4，所述气体提供机构10还包括导热块18。所述输送管道均装设于所述导热块18上，所述加热器20与所述导热块18相接触用于对所述导热块18进行加热处理。如此，加热器20通过将热量导向到导热块18，由导热块18将热量传递给输送管道，也能较好地实现将输送管道内的气体进行加热。

请参阅图5，不同于上述实施例中采用的不同管径大小的多个输送管道，输送管道19也可以为一个，在一个实施例中，所述气体提供机构10还包括压缩气源14及设置于所述输送管道19上的流量调节阀17。所述加热控制器30与所述流量调节阀17电性连接，所述输送管道19的进气端与所述压缩气源14相连。具体而言，压缩气源14为CDA气体或氮气。如此，根据陶瓷盘40的温度，一方面可以控制调整流量调节阀17调整通入到上部腔室51内的气体流量大小，另一方面可以控制调整加热器20的工作功率，以实现陶瓷盘40的温度维持于预设温度，从而避免陶瓷盘40的表面上附着附属物，以及避免形成的微粒掉落污染晶圆80，另外，维持陶瓷盘40温度可以确保等离子中化学性反应稳定性,保持关键尺寸的均匀性。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及实时调节加热器20功率，因此能较好地控制陶瓷盘40的温度，控温快速，同时能节省成本。

进一步地，请参阅图2至图5任意一幅，所述的刻蚀腔室的加热装置还包括显示装置60。所述显示装置60与所述加热控制器30电性连接，所述显示装置60用于显示所述陶瓷盘40的温度、所述气体提供机构10通入到所述上部腔室51内的气体流量大小以及所述加热器20的工作功率大小。所述气体提供机构10与所述加热器20均为两个以上，所述气体提供机构10与所述加热器20一一对应设置，两个以上所述气体提供机构10沿着所述上部腔室51的外周间隔设置。如此，气体提供机构10越多时，能够更好地更快速地控制陶瓷盘40的温度。

作为一个可选的方案，气体提供机构10与加热器20也可以均为一个。当然，也可以是其它数量，例如两个、三个等等。

进一步地，加热控制器30也为两个以上，加热控制器30分别与气体提供机构10、加热器20一一对应设置。

在一个实施例中，为了实现更好地更快速地控温效果，上述实施例中的开关阀15、流量调节阀17、加热控制器30、温度传感器及加热器20的反应时间应在1S以内完成。

在一个实施例中，请参阅图1至图5，一种晶圆刻蚀系统，包括上述任一实施例所述的刻蚀腔室的加热装置，还包括制程腔室50、陶瓷盘40及用于装设晶圆80的静电卡盘70。所述陶瓷盘40设置于所述制程腔室50内用于将所述制程腔室50分隔为上部腔室51与下部腔室52，所述静电卡盘70设置于所述下部腔室52内，所述的温度传感器设置于所述陶瓷盘40上，所述输送管道通入到所述上部腔室51内。

可以理解的是，下部腔室52为封闭的腔室，并采用抽真空装置对该封闭的腔室持续进行抽真空处理。晶圆80放置于下部腔室52内的静电卡盘70上，通过例如等离子体对晶圆80的表面进行蚀刻反应。

上述的晶圆刻蚀系统，通过温度传感器感应陶瓷盘40的温度，当加热控制器30判断到陶瓷盘40的温度有偏差时，则一方面可以控制调整气体提供机构10通入到上部腔室51内的气体流量大小，另一方面可以控制调整加热器20的工作功率，以实现陶瓷盘40的温度维持于预设温度，从而避免陶瓷盘40的表面上附着附属物，以及避免形成的微粒掉落污染晶圆80，另外，维持陶瓷盘40温度可以确保等离子中化学性反应稳定性,保持关键尺寸的均匀性。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及实时调节加热器20功率，因此能较好地控制陶瓷盘40的温度，控温快速，同时能节省成本。

在一个实施例中，请参阅图1及图6，一种刻蚀腔室的加热方法，包括如下步骤：

S100、获取陶瓷盘40的温度以及制程腔室50的工作状态；

S200、根据所述制程腔室50的工作状态调节气源提供机构通入到上部腔室51内的气体流量，根据所述陶瓷盘40的温度控制加热器20的工作功率，所述加热器20用于给所述气源提供机构通入到所述上部腔室51内的气体进行加热处理。

上述的刻蚀腔室的加热方法，通过获取陶瓷盘40的温度以及制程腔室50的工作状态，一方面根据制程腔室50的工作状态调节气源提供机构通入到上部腔室51内的气体流量，另一方面根据陶瓷盘40的温度控制加热器20的工作功率，以实现陶瓷盘40的温度维持于预设温度，从而避免陶瓷盘40的表面上附着附属物，以及避免形成的微粒掉落污染晶圆80；另外，维持陶瓷盘40温度可以确保等离子中化学性反应稳定性,保持关键尺寸的均匀性。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及实时调节加热器20功率，因此能较好地控制陶瓷盘40的温度，控温快速，同时能节省成本。

进一步地，在步骤S200中，所述根据所述制程腔室50的工作状态调节气源提供机构通入到上部腔室51内的气体流量包括如下步骤：

其中，所述气体提供机构10包括压缩气源14、与所述压缩气源14相连的输送管道及设置于所述输送管道上的开关阀15，所述输送管道为三个，分别为第一输送管道11、第二输送管道12及第三输送管道13，所述第一输送管道11、所述第二输送管道12及所述第三输送管道13的管径依次增大；

S210、当制程腔室50处于无制程的工作状态时，控制第一输送管道11上的开关阀15开启，其余两个输送管道上的开关阀15保持关闭状态；

如此，制程腔室50处于无制程的工作状态时，在以较小管径的第一输送管道11将气体通入到上部腔室51内时，向上部腔室51内通入的气体的量较小，这样加热器20可以以较小的功率(例如加热器20的额定输出功率的40％～50％)便可以实现将气体快速地加热到较高的预设温度，预设温度可以为120℃，加热后的气体接触到陶瓷盘40表面时也能便于将陶瓷盘40的温度控制在120℃，从而能够节省气体的同时，能节省电能，降低控温成本。

S220、当制程腔室50处于有制程并处于无刻蚀的工作状态时，控制第二输送管道12上的开关阀15开启，其余两个输送管道上的开关阀15保持关闭状态；

如此，制程腔室50处于有制程并处于无刻蚀的工作状态时，以第二输送管道12将气体通入到上部腔室51内，并可以根据感应到的陶瓷盘40的温度，相应控制调整加热器20的工作功率，从而实现陶瓷盘40的温度处于120℃。

S230、当制程腔室50处于有制程并处于刻蚀的工作状态时，控制第三输送管道13上的开关阀15开启，其余两个输送管道上的开关阀15保持关闭状态。

如此，制程腔室50处于有制程并处于刻蚀的工作状态时，晶圆80在刻蚀过程中本身会产生热量，对陶瓷盘40会间接加热，为了使陶瓷盘40的温度保持稳定，通过管径较大的第三输送管道13向上部腔室51内通入大量气体，有利于实现陶瓷盘40快速地降温，同时也可降低加热器20的工作功率。

进一步地，在步骤S200中，所述根据所述陶瓷盘40的温度控制加热器20的工作功率包括如下步骤：

当制程腔室50处于无制程的工作状态时，控制加热器20以第一工作功率进行工作，所述第一工作功率为所述加热器20的额定输出功率的40％～50％。

如此，能实现将陶瓷盘40的温度控制在120℃，在节省气体的同时能节省电能，大大降低了控温成本。

在另一个实施例中，请参阅图1及图7，一种刻蚀腔室的加热方法，包括如下步骤：

S100、获取陶瓷盘40的温度；

S200、根据陶瓷盘40的温度相应调节气源提供机构通入到上部腔室51内的气体流量，以及相应控制加热器20的工作功率，所述加热器20用于给所述气源提供机构通入到所述上部腔室51内的气体进行加热处理。

上述的刻蚀腔室的加热方法，通过感应陶瓷盘40的温度，当加热控制器30判断到陶瓷盘40的温度有偏差时，则一方面可以控制调整气体提供机构10通入到上部腔室51内的气体流量大小，另一方面可以控制调整加热器20的工作功率，以实现陶瓷盘40的温度维持于预设温度，从而避免陶瓷盘40的表面上附着附属物，以及避免形成的微粒掉落污染晶圆80，另外，维持陶瓷盘40温度可以确保等离子中化学性反应稳定性,保持关键尺寸的均匀性。相对于传统的控温方式，由于能实时调节气体流量大小，以及实时调节加热器20功率，因此能较好地控制陶瓷盘40的温度，控温快速，同时能节省成本。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，包括：

温度传感器，所述温度传感器用于感应陶瓷盘的温度；

气体提供机构，所述气体提供机构包括输送管道，所述气体提供机构用于将气体通过所述输送管道通入到制程腔室的上部腔室内；

加热器，所述加热器用于对所述输送管道内的气体进行加热处理；及

加热控制器，所述加热控制器分别与所述温度传感器、所述气体提供机构、所述加热器电性连接，所述加热控制器用于根据所述陶瓷盘的温度相应控制所述气体提供机构调整通入到所述上部腔室内的气体流量大小，以及控制所述加热器调整工作功率大小。

2.根据权利要求1所述的刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，所述气体提供机构还包括压缩气源及设置于所述输送管道上的开关阀，所述输送管道为两个以上，且两个以上所述输送管道的管径大小不同，所述输送管道的进气端均与所述压缩气源相连通，所述开关阀与所述加热控制器电性连接。

3.根据权利要求2所述的刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，所述输送管道为三个，分别为第一输送管道、第二输送管道及第三输送管道，所述第一输送管道、所述第二输送管道及所述第三输送管道的管径依次增大。

4.根据权利要求3所述的刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，还包括信号采集器，所述信号采集器用于获取所述制程腔室的工作状态，所述信号采集器与所述加热控制器电性连接，所述加热控制器用于根据所述制程腔室的工作状态控制相应的所述开关阀开启。

5.根据权利要求3所述的刻蚀腔室的加热装置，所述加热控制器用于与晶圆刻蚀系统的制程控制器电性连接，所述加热控制器用于根据所述制程腔室的工作状态控制相应的所述开关阀开启。

6.根据权利要求2所述的刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，所述气体提供机构还包括加热管道，所述输送管道的出气端均与所述加热管道连接，所述加热管道的出气端用于设置于所述制程腔室的上部腔室内；所述加热器与所述加热管道的外侧壁接触并用于对所述加热管道内的气体进行加热处理。

7.根据权利要求2所述的刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，所述气体提供机构还包括导热块，所述输送管道均装设于所述导热块上，所述加热器与所述导热块相接触用于对所述导热块进行加热处理。

8.根据权利要求1所述的刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，所述气体提供机构还包括压缩气源及设置于所述输送管道上的流量调节阀，所述加热控制器与所述流量调节阀电性连接，所述输送管道的进气端与所述压缩气源相连。

9.根据权利要求1至8任意一项所述的刻蚀腔室的加热装置，其特征在于，还包括显示装置，所述显示装置与所述加热控制器电性连接，所述显示装置用于显示所述陶瓷盘的温度、所述气体提供机构通入到所述上部腔室内的气体流量大小以及所述加热器的工作功率大小；所述气体提供机构与所述加热器均为两个以上，所述气体提供机构与所述加热器一一对应设置，两个以上所述气体提供机构沿着所述上部腔室的外周间隔设置。

10.一种晶圆刻蚀系统，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的刻蚀腔室的加热装置，还包括制程腔室、陶瓷盘及静电卡盘，所述陶瓷盘设置于所述制程腔室内用于将所述制程腔室分隔为上部腔室与下部腔室，所述静电卡盘设置于所述下部腔室内，所述的温度传感器设置于所述陶瓷盘上，所述输送管道通入到所述上部腔室内。

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