CN210272623U - 200w片式负载片 - Google Patents

Abstract

本申请属于贴片负载片的技术领域，提供了一种200W片式负载片，包括：陶瓷基板；陶瓷基板的背面设置有第一导体层，正面间隔设置有第二导体层和第三导体层，侧面设置有第四导体层，其中，第一导体层通过第四导体层与第二导体层电性连接，另外，第二导体层和第三导体层之间电性连接有电阻，第一导体层、第四导体层、第二导体层、电阻和第三导体层电性连接形成负载电路；并且，第二导体层、第三导体层与电阻的连接处均为弧形搭接。本申请通过导体与电阻弧形搭接，既避免了导体与电阻搭接长度过长时驻波难匹配的问题，也避免了搭接长度过短时电流密度过大的问题，在高频电路中保证了电阻可靠性的同时，达到了提高功率的效果。

Description

200W片式负载片

技术领域

本申请属于贴片负载片的技术领域，更具体地说，是涉及一种200W片式负载片。

背景技术

贴片负载片作为微电子元件器件中的一种重要的电子器件，被广泛应用于通讯、航空等多个军、民领域中。目前常用的贴片负载片中，采用的结构一般是将电阻设计为方形或者梯形结构与导体进行搭接，而在高频电路中，若采用方形结构的电阻，由于电阻与导体的搭接长度过长，信息反射加大，驻波难匹配；若采用梯形结构的电阻，电阻与导体的搭接长度又过短，虽然驻波匹配容易，但相对电流密度会加大，电子器件也容易因为电流过大而烧毁。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种200W片式负载片，旨在解决现有技术中的贴片负载片在电阻与导体的搭接长度过长时驻波难匹配，而在搭接长度过短时又易因电流密度过大易烧毁的技术问题。

为实现上述目的，本申请第一方面提供了一种200W片式负载片，包括：

陶瓷基板；

陶瓷基板的背面设置有第一导体层，陶瓷基板的正面间隔设置有第二导体层和第三导体层，陶瓷基板的一侧面上设置有第四导体层，第一导体层通过第四导体层与第二导体层电性连接，第二导体层和第三导体层之间电性连接有电阻，第一导体层、第四导体层、第二导体层、电阻和第三导体层电性连接形成负载电路；

上述第二导体层与上述电阻的连接处以及上述第三导体层与上述电阻的连接处均为弧形搭接。

优选的，上述第二导体层的一侧呈凹弧形，上述电阻的一侧呈凸弧形，第二导体层的凹弧形一侧与电阻的凸弧形一侧电性连接，上述电阻的另一侧呈凹弧形，上述第三导体层的一侧呈凸弧形，电阻的凹弧形一侧与第三导体层的凸弧形一侧电性连接。

优选的，上述第三导体层一端的外轮廓呈半圆形，上述第三导体层另一端的外轮廓呈矩形，第三导体层的呈半圆形外轮廓的一端的直径边与呈矩形外轮廓的一端的侧边连接。

优选的，上述负载电路的阻抗为50欧姆。

优选的，上述电阻的外轮廓呈扇面环形

优选的，上述电阻上表面设置有玻璃保护膜。

优选的，上述陶瓷基板呈长方体状，且上述陶瓷基板的宽为6.35mm、长为9.5mm、厚度为1.5mm。

优选的，上述陶瓷基板为氧化铍基板或氧化铝基板或氮化铝基板。

本申请提供的200W片式负载片的有益效果在于：与现有技术相比，本申请通过在陶瓷基板背面设置第一导体层，在陶瓷基板正面间隔设置第二导体层和第三导体层，并在陶瓷基板的一侧面上设置有第四导体层，第一导体层通过第四导体层与第二导体层电性连接，且在第二导体层和第三导体层之间电性连接电阻，使得第一导体层、第四导体层、第二导体层、电阻和第三导体层电性连接形成负载电路；同时，将第二导体层与电阻的连接处以及第三导体层与电阻的连接处均采用弧形搭接，如此，通过导体与电阻的弧形搭接，既避免了由于搭接长度过长导致的驻波难匹配的问题，也避免了由于搭接长度过短导致的电流密度过大的问题，在高频电路中保证电阻可靠性的同时达到了提高功率的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种200W片式负载片的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种200W片式负载片的侧视图。

图中：10-陶瓷基板；11-第二导体层；12-第三导体层；13-电阻；14-第四导体层；15-第一导体层；a-焊盘区域。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

如图1～2所示，本申请实施例提供了一种200W片式负载片，可应用于高频大功率电路中，包括6.35*9.5*1.5mm的长方体状陶瓷基板10，陶瓷基板10上的功率稳定输出为200W，该陶瓷基板可以为氧化铍基板或氧化铝基板或氮化铝基板，此处不做限定。

进一步的，陶瓷基板10背面整面设置有第一导体层15(图2)，陶瓷基板10正面间隔设置有第二导体层11、第三导体层12，即第二导体层11与第三导体层12互不重叠，在陶瓷基板10的任一侧面上设置第四导体层14(图2)，使得第一导体层15通过第四导体层14与第二导体层11电性连接，其中，第二导体层11和第三导体层12之间电性连接有电阻13，第一导体层15、第四导体层14、第二导体层11、电阻13和第三导体层12电性连接形成阻抗为50Ω的负载电路。

优选的，上述第一导体层15可以作为上述负载电路的接地端，用于与外部器件接地连接；上述第三导体层12包括负载电路的焊盘区域a，用于与外部电路的信号输入端电性连接；在实际应用中，当上述片式负载片在高频电路中使用时，可以通过电阻13吸收高频能量并将其转换为热量，基于陶瓷基板10的热导率高的特性，使得本申请实施例提供的200W片式负载片能够在高频大功率电路中维持良好的散热性。

进一步的，上述第二导体层11与上述电阻13的连接处以及上述第三导体层12与上述电阻13的连接处均为弧形搭接。

优选的，上述电阻13的外轮廓呈扇面环形，在一种应用场景中，基于电阻13的扇面环形结构，将上述电阻13与上述第二导体层11、第三导体层12的连接处均设计为弧形，具体的，上述第二导体层11的一侧呈凹弧形，上述电阻13的一侧呈凸弧形，第二导体层11的凹弧形一侧与电阻13的凸弧形一侧电性连接，上述电阻13的另一侧呈凹弧形，上述第三导体层12的一侧呈凸弧形，电阻13的凹弧形一侧与第三导体层12的凸弧形一侧电性连接。通过此种弧形的搭接结构使得导体与电阻的搭接长度可以处于一个相对合适的范围，既避免了方形电阻与导体搭接时由于长度过长导致驻波难匹配的问题，也避免了梯形电阻与导体搭接时由于搭接长度过短导致电流密度过大从而使器件容易烧毁的问题，并达到了提高功率的效果。

优选的，将上述电阻13中较长的弧形端与上述第二导体层11电性连接，即使得电阻13中较长的弧形端通过第一导体层15与外部器件接地连接，将上述电阻13中较短的弧形端与上述第三导体层12连接，即使得电阻13中较短的弧形端通过上述焊盘区域a与外部电路的信号输入端电性连接，一方面将电阻较长的弧形端通过导体接地连接，使其不易被击穿，在高频电路中使用时更加稳定，保证了电阻的可靠性，另一方面将电阻较短的弧形端通过导体与信号输入端连接，使驻波匹配更容易，保证了电阻的高频特性。

优选的，上述第三导体层12一端的外轮廓呈半圆形，另一端的外轮廓呈矩形，第三导体层的呈半圆形外轮廓的一端的直径边与呈矩形外轮廓的一端的侧边连接，其中，上述焊盘区域a可设置于第三导体层12的矩形部分，便于与外部电路的信号输入端连接。

优选的，上述各个导体层均可通过导体浆料印刷于上述陶瓷基板10，上述电阻13可通过电阻浆料印刷于上述陶瓷基板10，其中，上述导体浆料可以为金浆或银浆，印刷厚度为8-12μm，上述电阻浆料可以为氧化钌，印刷厚度为10-12μm。

优选的，上述电阻13上方设置有玻璃保护膜，用于在设置电阻R后填补电阻层缝隙，增加功率承受能力。

优选的，生产上述片式负载片的所有工艺基于先进的厚膜工艺。

在一种应用场景中，本申请实施例提供的200W片式负载片在通过厚膜工艺生产时，具体步骤如下：

1)将导体浆料印刷在陶瓷基板正面形成互不重叠的两个区域，即形成上述第二导体层和上述第三导体层，印刷后对其进行高温烘烤，烘烤温度控制在800℃；

2)将导体浆料印刷在经过步骤1)烘烤后的陶瓷基板背面的整面，即形成第一导体层，印刷后对其进行高温烘烤，烘烤温度控制在800℃；

3)将电阻浆料印刷在经过步骤2)烘烤后的陶瓷基板正面的两个印刷有导体的区域之间，即通过上述电阻浆料使上述第二导体层和上述第三导体层电性连接，印刷后对其进行高温烘烤，烘烤温度控制在800℃；

4)将导体浆料印刷在经过步骤3)烘烤后的陶瓷基板一侧面的整面，即形成上述第四导体层，印刷后对其进行高温烘烤，烘烤温度控制在800℃；

5)经过高温烘烤后，在陶瓷基板的电阻上表面印刷玻璃保护膜，并对其进行高温烘烤，烘烤温度控制在500-600℃；

6)在上述玻璃保护膜及印刷有导体浆料区域的上表面印刷一层黑色保护膜，并对其进行烘烤，烘烤温度控制在100℃，烘烤后在陶瓷基板的第三导体层的部分区域电镀焊盘，电镀材料可以为Ag(银)、Ni(镍)中的任一种或两种的组合。

通过步骤1)-4)的多次烘烤，可以使导体浆料、电阻浆料与陶瓷基板间形成良好的熔合和网络互连，并使厚膜电阻的阻值稳定。

由上可知，本申请实施例中通过在陶瓷基板的背面设置第一导体层，在正面间隔设置有第二导体层和第三导体层，在其任一侧面上设置有第四导体层，第一导体层通过第四导体层与第二导体层电性连接，且第二导体层和第三导体层之间电性连接有电阻，使得第一导体层、第四导体层、第二导体层、电阻和第三导体层电性连接形成负载电路；同时，第二导体层与电阻的连接处以及第三导体层与电阻的连接处均采用弧形搭接，如此，通过导体与电阻的弧形搭接，既避免了由于搭接长度过长导致的驻波难匹配的问题，也避免了由于搭接长度过短导致的电流密度过大的问题，在高频电路中保证电阻可靠性的同时达到了提高功率的效果。

以上对本申请实施例提供的一种200W片式负载片进行了详细说明，对于本领域的一般技术人员，依据本申请实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制，凡依本申请设计思想所做的任何改变都在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种200W片式负载片，其特征在于，包括

陶瓷基板；

所述陶瓷基板的背面设置有第一导体层，所述陶瓷基板的正面间隔设置有第二导体层和第三导体层，所述陶瓷基板的一侧面上设置有第四导体层，所述第一导体层通过所述第四导体层与所述第二导体层电性连接，所述第二导体层和所述第三导体层之间电性连接有电阻，所述第一导体层、所述第四导体层、所述第二导体层、所述电阻和所述第三导体层电性连接形成负载电路；

所述第二导体层与所述电阻的连接处以及所述第三导体层与所述电阻的连接处均为弧形搭接。

2.如权利要求1所述的200W片式负载片，其特征在于，所述第二导体层的一侧呈凹弧形，所述电阻的一侧呈凸弧形，所述第二导体层的凹弧形一侧与所述电阻的凸弧形一侧电性连接；所述电阻的另一侧呈凹弧形，所述第三导体层的一侧呈凸弧形，所述电阻的凹弧形一侧与所述第三导体层的凸弧形一侧电性连接。

3.如权利要求2所述的200W片式负载片，其特征在于，所述第三导体层一端的外轮廓呈半圆形，所述第三导体层另一端的外轮廓呈矩形，所述第三导体层的呈半圆形外轮廓的一端的直径边与呈矩形外轮廓的一端的侧边连接。

4.如权利要求2或3所述的200W片式负载片，其特征在于，所述负载电路的阻抗为50欧姆。

5.如权利要求2或3所述的200W片式负载片，其特征在于，所述电阻的外轮廓呈扇面环形。

6.如权利要求5所述的200W片式负载片，其特征在于，所述电阻上表面设置有玻璃保护膜。

7.如权利要求6所述的200W片式负载片，其特征在于，所述陶瓷基板呈长方体状，且所述陶瓷基板的宽为6.35mm、长为9.5mm、厚度为1.5mm。

8.如权利要求7所述的200W片式负载片，其特征在于，所述陶瓷基板为氧化铍基板或氧化铝基板或氮化铝基板。

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