CN210253370U - 清洁装置以及晶圆处理设备 - Google Patents

Abstract

该实用新型涉及一种清洁装置以及晶圆处理设备，其中所述清洁装置，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。所述清洁装置以及晶圆处理设备具有所述气体腔和所述气孔，以及具有开关，只有在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开，因此保证了所述清洁装置在喷出清洁气体时有一定的清洁力度，从而保证了清洁效果。

Description

清洁装置以及晶圆处理设备

技术领域

本实用新型涉及半导体生产领域，具体涉及一种清洁装置以及晶圆处理设备。

背景技术

在晶圆生产加工的过程中，晶圆载物台(Wafer stage)上经常会附着颗粒物杂质，影响晶圆生产加工的良率，且使用错误数据监测控制(FDC，Fault detection control)或统计过程控制(SPC，statistical process control)对晶圆的处理过程进行监控时，获取到监控数据也会增加晶圆损失或晶圆电性测试失败的风险，导致产品报废。

现有技术中，晶圆载物台通常指静电吸盘(E-chuck)。当静电吸盘表面有沾污颗粒时，会造成晶圆(wafer)良率下降。通常会使用试验片(dummy wafer)来去除所述静电吸盘表面的颗粒物杂质，然而当静电吸盘背面抽真空时，试验片被吸附在静电吸盘上，如果静电吸盘表面有颗粒物，颗粒会被静电吸盘压碎，损伤静电吸盘，同时也会损伤所述试验片，在所述试验片表面造成划痕。并且，使用试验片来去除所述静电吸盘表面的颗粒物杂质时，由于试验片与静电吸盘表面的颗粒物杂质有直接的接触，因此还需要对使用过的试验片进行清洁，以防止二次污染。

市面上也有一种用于吸附颗粒物杂质的晶圆，这种用于吸附颗粒物杂质的晶圆背面生长有绝缘介质层，表面带有电荷。当该用于吸附颗粒物杂质的晶圆被放在静电吸盘表面时，通过表面的电荷，就可吸附所述静电吸盘表面的颗粒，从而将所述静电吸盘表面的颗粒物杂质移除。但使用这种方式去除静电吸盘表面的颗粒物杂质时，由于所述静电吸盘表面设置有不同形状的凹槽，难以将凹槽内的颗粒物杂质也吸附干净，无法保证清洁力度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种清洁装置以及晶圆处理设备，能够清除晶圆载物台表面的颗粒物杂质。

为了解决上述技术问题，以下提供了一种清洁装置，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。

可选的，所述气孔的数目至少为四个，均匀分布于所述清洁装置表面。

可选的，所述开关为延时开关，且每一气孔都设置有一延时开关。

可选的，还包括：标记点，设置于所述清洁装置的外表面，用于与晶圆表面设置的对准点对齐；所述气体腔设置有充气口，所述充气口为硅胶材质，外露于所述清洁装置的外表面，设置在非标记点处。

可选的，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。

可选的，所述清洁装置由高耐性合金材料制成，所述清洁装置表面设置有凹槽，用于在放置到晶圆载物台时供所述晶圆载物台的升降销插入，且所述凹槽的数量和位置与所述晶圆载物台的升降销的数量和位置一致。

为了解决上述技术问题，以下还提供了一种晶圆处理设备，包括：反应腔室，内部设置有晶圆载物台，用于放置晶圆；所述清洁装置，用于放置到所述反应腔室内，以清洁所述反应腔室内设置的晶圆载物台。

可选的，所述反应腔室内为真空环境，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。

可选的，还包括：晶圆盒，尺寸与所述清洁装置的尺寸相适应，用于放置晶圆和所述清洁装置；机械手臂，设置于所述反应腔室与所述晶圆盒之间，用于在所述反应腔室和所述晶圆盒之间传输所述晶圆和清洁装置。

所述清洁装置以及晶圆处理设备具有所述气体腔和所述气孔，以及具有开关，只有在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开，因此保证了所述清洁装置在喷出清洁气体时有一定的清洁力度，从而保证了清洁效果。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置的结构示意图。

图2为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置放置在晶圆载物台时的示意图。

图3为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置放置在晶圆载物台时的示意图。

图4为本实用新型的一种具体实施方式中清洁晶圆载物台的步骤示意图。

图5为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置的传送示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本实用新型提出的一种清洁装置以及晶圆处理设备作进一步详细说明。

请参阅图1至图3，其中图1为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置的结构示意图，图2为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置清洁晶圆载物台时的示意图，图3为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置清洁晶圆载物台时的示意图。

在该具体实施方式中，提供了一种清洁装置100，内置有气体腔105，用于存储清洁气体，且所述清洁装置100表面设置有气孔101，与所述气体腔105连通，用于供所述气体腔105内存储的清洁气体喷出，且所述气孔101设置有开关，用以在所述气体腔105和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。

所述清洁装置100具有气体腔105和气孔101，能使用所述气体腔105存放清洁气体，并通过气孔101将所述清洁气体释放出来。并且，由于所述气孔101设置有开关，在所述气体腔105和外界的压差大于一第一预设阈值时所述开关打开，因此，只有在所述气体腔105和外界的压差大于一定程度时，清洁气体才会自所述气体腔105内喷出，且由于清洁气体是喷出的，因此具有一定的清扫力度，保证了一定的清扫效果。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100由高耐性合金材料制成。在一种具体实施方式中，所述高耐性合金材料包括航空航天耐高压材料等。在一种具体实施方式中，所述航空航天耐高压材料包括钛合金、钛铝合金、钛铝金属基复合材料等。

在实际的使用过程中，可根据需要选择所述清洁装置100的制备材料。使用航空航天耐高压材料来制备所述清洁装置100，可以防止将所述清洁装置100放入至真空环境下使用时，清洁装置100内外压强差过大而导致所述清洁装置100发生破裂。

在一种具体实施方式中，除了清洁装置100制备材料有要求，对清洁装置100的外壳的厚度也有要求。在一种具体实施方式中，所述清洁装置100的整体厚度不超过5cm，这是因为考虑到反应腔室(Processing Chamber)的入口高度的尺寸，若清洁装置100的厚度过大，则很有可能难以放入到反应腔室203内，对反应腔室203内进行清洁。

在该具体实施方式中，所述清洁装置的外壳厚度小于5mm，以免过厚的外壳占用气体腔105的空间，使气体腔105的容积过小，无法容纳足够多的清洁气体。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。这样，在对放置12寸晶圆的晶圆载物台201进行清洁时，所述清洁装置100的盘面直径与12寸晶圆的直径相同，约为300mm左右，具体可为304mm或305mm。

将所述清洁装置100设置成圆盘状，盘面直径与所述晶圆的尺寸相同，因此所述清洁装置100可以被放置到特制的晶圆盒内。在使用所述清洁装置100时，可以使用传送晶圆用的机械手臂将清洁装置100传送到晶圆载物台201所在的反应腔室203内。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100的厚度大于晶圆的厚度，以装下足够多的清洁气体。所述晶圆盒为特制的晶圆盒，两个用于放置清洁装置100的相邻卡槽之间的距离大于所述清洁装置100的厚度。一个特制的晶圆盒内可以放置多个清洁装置100。在一种具体实施方式中，由于清洁装置100的盘面直径与晶圆的盘面直径相同，厚度又大于晶圆的厚度，因此放置清洁装置100的晶圆盒也可以用来放置晶圆。

在一种具体实施方式中，所述气孔101的数目至少为四个，均匀分布于所述清洁装置100表面。所述气孔101的分布决定了清洁气体的吹扫区域。在一些具体实施方式中，所述气孔101的数目大于6个，这样，可以实现更均匀的吹扫效果，获取到更好的清洁效果。所述气孔的分布决定了清洁装置100的吹扫区域，根据不同的晶圆载物台201的尺寸调整气孔101的数目，保证将晶圆载物台201表面的颗粒吹扫干净。

需要注意的是，在该具体实施方式中，将晶圆载物台201表面的颗粒物杂质吹扫干净指的是所述晶圆载物台201表面的颗粒物杂质数目低于第二预设阈值。

在一种具体实施方式中，所述气孔101均匀的设置在所述清洁装置100的顶面或底面上。在一种具体实施方式中，所述清洁装置100的顶面和底面中只有一面设置有所述气孔101。这是为了保证在通过所述气孔101往外喷出清洁气体时，所有喷出的清洁气体都是面对着所述晶圆载物台201的，不会有清洁气体朝向其他方向，而不作用于所述晶圆载物台201，造成清洁气体的浪费。

实际上，也可根据需要将气孔101设置在所述清洁装置100的任何地方，也可设置成不均匀分布的状态，而是根据颗粒物杂质的分布状况来设置气孔101的分布区域和分布密度。

在一种具体实施方式中，所述气孔101为圆形气孔101，尺寸为3至5mm。在图1所示的具体实施方式中，所述气孔101的尺寸为4mm。选择合适的气孔101尺寸，使得清洁气体自所述气体腔105内喷出时流速适中，既不会造成清洁气体的浪费，也不会由于流速太慢而失去清洁效果。

实际上，所述气孔101的形状可以根据实际需要进行设置。在一些具体实施方式中，还可以设置方形的气孔101、矩形的气孔101等。

在一种具体实施方式中，所述开关为延时开关，且每一气孔101都设置有一延时开关。控制所述延时开关在所述气体腔105与外界的压差大于第一预设阈值时打开，可以通过预估所述清洁装置100被放置到负压环境中的时间来确定。具体的，预估所述清洁装置100还有一百秒就会被放置到负压环境中，因此设置所述延时开关的延时时间为100s。

这样使得所述清洁装置100适用于对反应腔室203的清洁。这是因为，一般情况下，反应腔室203内的气压是可控，且通常情况下为真空环境的。控制清洁装置100具有开关只在气体腔与外界的压差大于一第一预设阈值时打开，可以避免清洁装置100的开关在非清洁区域就打开，造成气体的浪费。并且，也可以保证所述清洁装置100对清洁区域清洁时，喷出的清洁气体具有一定的力度，从而保证一定的清洁效果。

在一种具体实施方式中，所述延时开关的数目与所述气孔101的数目一致，每一气孔101都设置有一延时开关。在一种具体实施方式中，所有延时开关的延时时长都相等，因此，所述气孔101都在同一时间一起打开，这样，可以获取到更佳的清洁效果。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100用于清洁晶圆载物台201时，所述清洁装置100需要被机械手臂拿入反应腔室203内，直至放置到所述晶圆载物台201表面，或直至放置到与所述晶圆载物台201上表面具有第一预设距离，这一时间段内都所述清洁装置100都处于延时开关关闭、气孔101关闭的状态，这保证了所述清洁装置100只有在达到最佳的吹扫距离时才吹扫出清洁气体，从而保证了所述清洁装置100对晶圆载物台201的清洁效果。

需要注意的是，所述清洁装置在被机械手臂传送时，无通气孔的一面朝上，这样，保证了清洁装置100通过机械手臂传送到反应腔室203里的晶圆载物台上201时，有气孔的一面对着所述晶圆载物台，并在开关开启后直接对所述晶圆载物台201表面的颗粒物杂质进行吹扫。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100还包括控制单元，所述控制单元连接至所述延时开关，由所述控制单元控制所述延时开关的开闭。在一种具体实施方式中，用户通过无线通讯的方式连接到所述控制单元，向所述控制单元发送控制信息，来控制所述延时开关的开闭。

在一种具体实施方式中，各个延时开关的延时时长固定。因此用户在通过无线通讯的方式向所述控制单元发送控制信息控制所述延时开关的开闭时，控制的只是延时开关的计时开始时间。这样，简单的操作也可以获得较好的效果。

在一种具体实施方式中，用户也能通过无线通讯的方式调整延时开关的延时时长，而不一定使用所述延时开关预设的延时时长。需要注意的是，在这种具体实施方式中，所有延时开关的延时时长都是一样的，即使改变延时开关的延时时长，也是所有延时开关的延时时长一起改变的。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100还包括标记点，设置于所述清洁装置100的外表面，仿照晶圆的对准点(Notch)，从而便于控制所述清洁装置100的放置位置。所述气体腔105设置有充气口102，所述充气口102为硅胶材质，外露于所述清洁装置100的外表面，并设置在非标记点处。

在一种具体实施方式中，还包括一塞子，用于堵住所述充气口102，防止清洁气体自所述充气口102喷出。在一种具体实施方式中，所述塞子也由硅胶制成。实际上，可根据需要设置所述充气口102和所述塞子的制备材料。

在一种具体实施方式中，所述充气口102包括一充气孔，充气孔内有一气门芯结构，充气的过程是先将所述塞子拔开，用充气针将充气孔中的气门芯结构顶开，充气完成后拔掉充气针，所述充气孔中的气门芯结构会关闭，之后将所述塞子塞紧即可。

在一种具体实施方式中，所述充气口102与所述标记点103的位置相对。若所述标记点103的位置在6点钟方向，则所述充气口102的位置在12点钟方向。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100表面还设置有凹槽104，用于在放置到晶圆载物台时供所述晶圆载物台的升降销插入，且所述凹槽的数量和位置与所述晶圆载物台的升降销的数量和位置一致。

在一种具体实施方式中，所述凹槽104的数目为3个，位置关系与晶圆载物台201的三根升降销202的位置关系一致。在这里，凹槽104是用于供三根升降销202插入，保证所述清洁装置100在放置到所述晶圆载物台201时不发生摇晃。所述清洁装置100与晶圆载物台201的表面的距离可有所述升降销202来控制。

请看图2、3，在该具体实施方式中，所述升降销202在升降过程中，有两档或三档高度可调。在一种具体实施方式中，在所述升降销202调好高度后，将所述清洁装置100放置到所述升降销202的顶端，并开始喷出清洁气体以清扫所述晶圆载物台201。

例如在图2中，所述升降销202处于第一档高度，所述清洁装置100朝外喷出清洁气体时，清洁气体作用的范围更广，但清洁气体对颗粒物杂质的清扫力度较弱。而在图3中，所述升降销202处于第二档高度，低于所述第一档高度，此时，放置在所述升降销202顶端的清洁装置100的高度下移，所述清洁装置100朝外喷出清洁气体时，清洁气体作用的范围更小，但清洁气体对颗粒物杂质的清扫力度大，因此可以将更难以清洁的颗粒物杂质清除掉。

在该具体实施方式中，可以根据需要设置清洁晶圆载物台201时所述升降销202的高度。

从不同的高度对所述晶圆载物台201进行清洁，使得所述清洁装置100具有更好的清洁效果。

实际上也可根据需要设置更多的凹槽104，且所述凹槽104的深度也应当在0.5至1.5mm以内，以防止内凸的腔壁阻碍气体腔105内气体的流动，并且减少清洁装置里气体的容量，从而影响对晶圆载物台201表面的吹扫效果

在一种具体实施方式中，所述清洁气体为纯氮气(Pure N₂)。所述晶圆载物台201为静电吸盘。

请参阅图5，为本实用新型的一种具体实施方式中清洁装置的传送示意图。

在该具体实施方式中，使用机械手臂506传送所述清洁装置。所述清洁装置首先是放置在Load Port(晶圆装载装置)504中，由机械手臂506将所述清洁装置100放置到ATM(Atmosphere transfer module，大气传输模块)507中，再有所述机械手臂506将所述清洁装置100放置到Orient(晶圆对准模块)503中，进行晶圆对准，再由所述机械手臂506将所述清洁装置100放置到LLM(load lock module，大气真空转换室)中，之后在由所述机械手臂506将所述清洁装置100放置到VTM(Vacuum transfer module，真空传输模块)502中，最后在放置到PM(Process module，工艺反应腔)501中。

而将所述清洁装置100从所述PM501中拿出时，步骤与上述放入时的步骤相反。可以看出，所述清洁装置100与晶圆被传送入PM501、再传送出来时的步骤是一样的。由于所述清洁装置100的盘面直径与晶圆的直径相同，只是厚度不同，但同样都是使用晶圆盒收纳的，因此，使用所述清洁装置100清洁所述晶圆载物台201，就如同放入晶圆一般方便，非常简单、易操作，只需要将放置清洁装置100的晶圆盒放置Load Port504中即可，无需增加任何其他的操作，大大节省了清洁晶圆载物台201所需的时间和步骤。

在该具体实施方式中，还提供了一种晶圆处理设备，包括：反应腔室203，内部设置有晶圆载物台，用于放置晶圆；所述清洁装置，用于放置到所述反应腔室203内，以清洁所述反应腔室203内设置的晶圆载物台。

在一种具体实施方式中，所述反应腔室203内为真空环境，所述清洁装置100呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。

在一种具体实施方式中，还包括：晶圆盒，尺寸与所述清洁装置的尺寸相适应，用于放置晶圆和所述清洁装置100；机械手臂506，设置于所述反应腔室203与所述晶圆盒之间，用于在所述反应腔室203和所述晶圆盒之间传输所述晶圆和清洁装置100。

请同时参阅图1至图4，其中图4为本实用新型的一种具体实施方式中清洁晶圆载物台的步骤示意图。

在该具体实施方式中，还提供了一种晶圆处理设备的晶圆载物台的清洁方法，包括以下步骤：S41将所述清洁装置放置到所述晶圆载物台；S42打开所述清洁装置表面的气孔，使气体腔内的清洁气体自所述气孔喷出，以清除所述晶圆载物台表面的颗粒物杂质。

所述清洁装置100具有气体腔105和气孔101，能使用所述气体腔105存放清洁气体，并通过气孔101将所述清洁气体释放出来，简单方便。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100由钛合金或钛铝合金中的至少一种制成。所述航空航天耐高压材料包括钛合金、钛铝合金、钛铝金属基复合材料等中的至少一种。在实际的使用过程中，可根据需要选择所述清洁装置100的制备材。使用航空航天耐压材料制备所述清洁装置100，可以防止将所述清洁装置100放入至真空环境下使用时，清洁装置100内外压强差过大而导致所述清洁装置100发生破裂。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度，所述晶圆处理设备还包括晶圆盒，尺寸与所述清洁装置100的尺寸相适应，用于放置晶圆和所述清洁装置100，在将所述清洁装置100放置到所述晶圆载物台201之前，还包括以下步骤：将所述清洁装置100放置到所述晶圆盒内。

将所述清洁装置100设置成圆盘状，盘面直径与所述晶圆相同，因此所述清洁装置100可以被放置到特制的晶圆盒内，且一个晶圆盒内可以放置多个清洁装置100。在使用所述清洁装置100时，只要将所述清洁装置100所放置到的晶圆盒放置到放置晶圆的晶圆盒放置到的地方、等待机械手臂506的抓取即可，而无需进行其他的操作。

在一种具体实施方式中，由于清洁装置100的盘面直径与晶圆的盘面直径相同，厚度又大于晶圆的厚度，因此放置清洁装置100的晶圆盒也可以用来放置晶圆。

在一种具体实施方式中，所述气孔101的数目至少为四个，均匀分布于所述清洁装置100表面。所述气孔101的分布决定了清洁气体的吹扫区域。在一些具体实施方式中，所述气孔101的数目大于6个，这样，可以实现更均匀的吹扫效果，获取到更好的清洁效果。所述气孔的分布决定了清洁装置100的吹扫区域，根据不同的晶圆载物台201的尺寸调整气孔101的数目，保证将晶圆载物台201表面的颗粒吹扫干净。

需要注意的是，在该具体实施方式中，将晶圆载物台201表面的颗粒物杂质吹扫干净指的是所述晶圆载物台201表面的颗粒物杂质数目低于第二预设阈值。

在一种具体实施方式中，所述气孔101均匀的设置在所述清洁装置100的顶面或底面上。在一种具体实施方式中，所述清洁装置100的顶面和底面中只有一面设置有所述气孔101。这是为了保证在通过所述气孔101往外喷出清洁气体时，所有喷出的清洁气体都是面对着所述晶圆载物台201的，不会有清洁气体朝向其他方向，而不作用于所述晶圆载物台201，造成清洁气体的浪费。

实际上，也可根据需要将气孔101设置在所述清洁装置100的任何地方，也可设置成不均匀分布的状态，而是根据颗粒物杂质的分布状况来设置气孔101的分布区域和分布密度。

在一种具体实施方式中，所述开关为延时开关，且每一气孔101都设置有一延时开关。控制所述延时开关在所述气体腔105与外界的压差大于第一预设阈值时打开，可以通过预估所述清洁装置100被放置到负压环境中的时间来确定。具体的，预估所述清洁装置100还有一百秒就会被放置到负压环境中，因此设置所述延时开关的延时时间为100s。

这样使得所述清洁装置100适用于对反应腔室203的清洁。这是因为，一般情况下，反应腔室203内的气压是可控，且通常情况下为真空环境的。控制清洁装置100具有开关只在气体腔与外界的压差大于一第一预设阈值时打开，可以避免清洁装置100的开关在非清洁区域就打开，造成气体的浪费。并且，也可以保证所述清洁装置100对清洁区域清洁时，喷出的清洁气体具有一定的力度，从而保证一定的清洁效果。

在一种具体实施方式中，所述延时开关的数目与所述气孔101的数目一致，每一气孔101都设置有一延时开关。在一种具体实施方式中，所有延时开关的延时时长都相等，因此，所述气孔101都在同一时间一起打开，这样，可以获取到更佳的清洁效果。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100用于清洁晶圆载物台201时，所述清洁装置100需要被机械手臂506拿入反应腔室203内，直至放置到所述晶圆载物台201表面，或直至放置到与所述晶圆载物台201上表面具有第一预设距离，这一时间段内都所述清洁装置100都处于延时开关关闭、气孔101关闭的状态，这保证了所述清洁装置100只有在达到最佳的吹扫距离时才吹扫出清洁气体，从而保证了所述清洁装置100对晶圆载物台201的清洁效果。

需要注意的是，所述清洁装置在被机械手臂506传送时，无通气孔的一面朝上，这样，保证了清洁装置100通过机械手臂506传送到反应腔室203里的晶圆载物台上201时，有气孔的一面对着所述晶圆载物台，并在开关开启后直接对所述晶圆载物台201表面的颗粒物杂质进行吹扫。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100还包括控制单元，所述控制单元连接至所述延时开关，由所述控制单元控制所述延时开关的开闭。在一种具体实施方式中，用户通过无线通讯的方式连接到所述控制单元，向所述控制单元发送控制信息，来控制所述延时开关的开闭。

在一种具体实施方式中，各个延时开关的延时时长固定。因此用户在通过无线通讯的方式向所述控制单元发送控制信息控制所述延时开关的开闭时，控制的只是延时开关的计时开始时间。这样，简单的操作也可以获得较好的效果。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100还包括标记点，设置于所述清洁装置的外表面，用于与晶圆表面设置的对准点对齐。所述气体腔105设置有充气口102，所述充气口102为硅胶材质，外露于所述清洁装置100的外表面，并设置在非标记点处。

在一种具体实施方式中，还包括一塞子，用于堵住所述充气口102，防止清洁气体自所述充气口102喷出。在一种具体实施方式中，所述塞子也由硅胶制成。实际上，可根据需要设置所述充气口102和所述塞子的制备材料。

在一种具体实施方式中，所述充气口102包括一充气孔，充气孔内有一气门芯结构，充气的过程是先将所述塞子拔开，用充气针将充气孔中的气门芯结构顶开，充气完成后拔掉充气针，所述充气孔中的气门芯结构会关闭，之后将所述塞子塞紧即可。

在一种具体实施方式中，在所述清洁装置100表面设置有标记点103可以用于控制所述清洁装置100的放置位置。在一种具体实施方式中，所述充气口102与所述标记点103的位置相对。若所述标记点103的位置在6点钟方向，则所述充气口102的位置在12点钟方向。

在一种具体实施方式中，所述清洁装置100表面还设置有凹槽104，用于在放置到晶圆载物台时供所述晶圆载物台的升降销插入，且所述凹槽的数量和位置与所述晶圆载物台的升降销的数量和位置一致。

在一种具体实施方式中，所述凹槽104的数目为3个，位置关系与晶圆载物台201的三根升降销202的位置关系一致。在这里，凹槽104是用于供三根升降销202插入，保证所述清洁装置100在放置到所述晶圆载物台201时不发生摇晃。所述清洁装置100与晶圆载物台201的表面的距离可有所述升降销202来控制。

在一种具体实施方式中，所述清洁气体为纯氮气(Pure N2)。所述晶圆载物台201为静电吸盘。

在一种具体实施方式中，所述晶圆处理设备还包括机械手臂506，设置于所述反应腔室203与所述晶圆盒之间，用于在所述反应腔室203和所述晶圆盒之间传输所述晶圆和清洁装置，通过机械手臂506将所述清洁装置从所述晶圆盒内抓取放置到所述晶圆载物台。

在一种具体实施方式中，还包括以下步骤：将所述反应腔室203被抽真空，使得所述清洁装置100的气体腔105和外界的压差大于所述第一预设阈值，所述气孔处设置的开关打开，所述清洁气体自所述气体腔105内喷涌而出。

在一种具体实施方式中，在将所述清洁装置放置到所述晶圆载物台之前，还包括以下步骤：给所述清洁装置100的气体腔充入清洁气体。

所述清洁装置100以及清洁装置100清洁晶圆载物台201的方法具有气体腔105和气孔101，能够对晶圆载物台201进行清洁，简单方便。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种清洁装置，其特征在于，内置有气体腔，用于存储清洁气体，且所述清洁装置表面设置有气孔，与所述气体腔连通，用于供所述气体腔内存储的清洁气体喷出，且所述气孔设置有开关，用以在所述气体腔和外界的压差大于一第一预设阈值时打开。

2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述气孔的数目至少为四个，均匀分布于所述清洁装置表面。

3.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述开关为延时开关，且每一气孔都设置有一延时开关。

4.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，还包括：

标记点，设置于所述清洁装置的外表面，用于与晶圆表面设置的对准点对齐；

所述气体腔设置有充气口，所述充气口为硅胶材质，外露于所述清洁装置的外表面，设置在非标记点处。

5.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。

6.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置由高耐性合金材料制成，所述清洁装置表面设置有凹槽，用于在放置到晶圆载物台时供所述晶圆载物台的升降销插入，且所述凹槽的数量和位置与所述晶圆载物台的升降销的数量和位置一致。

7.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：

反应腔室，内部设置有晶圆载物台，用于放置晶圆；

如权利要求1至6中任一项所述清洁装置，用于放置到所述反应腔室内，以清洁所述反应腔室内设置的晶圆载物台。

8.根据权利要求7所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述反应腔室内为真空环境，所述清洁装置呈圆盘状，盘面直径与晶圆相同，厚度大于晶圆的厚度。

9.根据权利要求8所述的晶圆处理设备，其特征在于，还包括：

晶圆盒，尺寸与所述清洁装置的尺寸相适应，用于放置晶圆和所述清洁装置；

机械手臂，设置于所述反应腔室与所述晶圆盒之间，用于在所述反应腔室和所述晶圆盒之间传输所述晶圆和清洁装置。

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