CN210155255U - 一种温度补偿晶体振荡器的测试单元和测试装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种温度补偿晶体振荡器的测试单元和测试装置,包括测试电路板和测试夹具;测试电路板上设置有测试夹具,测试夹具通过测试电路板与外置的晶体振荡器温度特性测试系统连接,待测试的温度补偿晶体振荡器与测试夹具连接;测试电路板包括测试电路,测试电路包括第一电容、第二电容、第一探针、示波器和频率计;第一电容连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端通过第一探针依次连接示波器和频率计,待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端和第一探针之间连接有第二电容。该测试单元实现了对温度补偿晶体振荡器的检测,加强了对晶体振荡器固有可靠性和使用可靠性的控制。
Description
技术领域
本实用新型涉及元器件测试技术领域,特别是指一种温度补偿晶体振荡器的测试单元和测试装置。
背景技术
温度补偿晶体振荡器(TCXO),是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器,由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点,在雷达、导弹、卫星、运载火箭等装备上得到广泛应用,是整机的“心脏”元器件,对整机能否实现总体性能指标有着至关重要的作用。
目前,在元器件可靠性筛选试验时,由于缺少相关的测试技术及硬件资源,部分封装形式的温度补偿晶体振荡器还处在不能检测状态,导致质量无法保障,将严重影响型号应用的可靠性。目前,亟需根据器件工作原理和测试原理,结合器件封装形式,研究相关元器件的外围测试电路设计及测试装置设计,实现充分测试验证,保障其应用可靠性。
实用新型内容
针对现有技术的不足之处,本实用新型的目的是提出一种温度补偿晶体振荡器的测试单元和测试装置,实现了对温度补偿晶体振荡器的检测,加强了对晶体振荡器固有可靠性和使用可靠性的控制。
基于上述目的,本实用新型提供的一种温度补偿晶体振荡器的测试单元,包括测试电路板和测试夹具;所述测试电路板上设置有所述测试夹具,所述测试夹具通过测试电路板与外置的晶体振荡器温度特性测试系统连接,待测试的温度补偿晶体振荡器通过器件管脚与测试夹具连接;
其中,所述测试电路板包括测试电路,测试电路包括第一电容、第二电容、第一探针、示波器和频率计;所述第一电容连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端通过第一探针依次连接所述示波器和频率计,待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端和所述第一探针之间连接有第二电容。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一电容的一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,所述第一电容的另一端接地;
所述第一探针的输入端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端,所述第一探针的第一输出端连接至所述示波器的输入端,所述第一探针的第二输出端接地,所述示波器的输出端连接至所述频率计的输入端;
所述第二电容的一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端和所述第一探针之间,所述第二电容的另一端接地。
在本实用新型的一些实施例中,上述测试单元还包括电压表和电流表,所述电压表的一端接地,所述电压表的另一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,用于测定待测试的温度补偿晶体振荡器两端的电压;所述电流表连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,用于测定流入待测试的温度补偿晶体振荡器中的电流。
在本实用新型的一些实施例中,所述测试夹具包括底座,所述底座上设置有用于放置待测试的温度补偿晶体振荡器的测试槽。
在本实用新型的一些实施例中,所述测试槽内设置有4个第二探针,分别连接待测试的温度补偿晶体振荡器的OUT管脚、GND管脚、Vcc管脚和Vco管脚。
在本实用新型的一些实施例中,上述测试单元还包括下压盖、第一磁片和第二磁片,所述下压盖上设置所述第一磁片,所述底座上设置所述第二磁片,所述第一磁片和所述第二磁片配合使用,用于使所述下压盖和所述底座闭合。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一磁片和第二磁片的个数为多个。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一电容为0.1μF的钽电容,所述第二电容为15pF的陶瓷去耦电容。
本实用新型还提供了一种温度补偿晶体振荡器的测试装置,包括所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元。
在本实用新型的一些实施例中,所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元的个数为多个。
从上面所述可以看出,与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型的温度补偿晶体振荡器的测试单元,实现了对温度补偿晶体振荡器的检测,加强了对晶体振荡器固有可靠性和使用可靠性的控制。该温度补偿晶体振荡器的测试装置可包括多个测试单元,满足自动化检测需求,操作比较便捷,大幅度提升了检测效率。
附图说明
图1为本实用新型实施例所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元的结构示意图;
图2为本实用新型实施例所述的测试电路图;
图3为温度补偿晶体振荡器的管脚排列示意图;
图4为本实用新型实施例所述的测试夹具的结构示意图;
图5为本实用新型实施例所述的温度补偿晶体振荡器的测试装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本实用新型进一步详细说明。
需要说明的是,本实用新型实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量,可见“第一”“第二”仅为了表述的方便,不应理解为对本实用新型实施例的限定,后续实施例对此不再一一说明。
如图1和图2所示,本实施例提供了一种温度补偿晶体振荡器的测试单元1,包括测试电路板3和测试夹具2;测试电路板3上设置有测试夹具2,测试夹具2通过测试电路板3与外置的晶体振荡器温度特性测试系统4连接,待测试的温度补偿晶体振荡器5通过器件管脚与测试夹具2连接;
其中,所述测试电路板3包括测试电路,测试电路包括第一电容(C1)6、第二电容(C2)7、第一探针8、示波器9和频率计10;第一电容(C1)6连接至待测试的温度补偿晶体振荡器5的电源输入端,待测试的温度补偿晶体振荡器5的第一输出端(RFout)通过第一探针8依次连接示波器9和频率计10,待测试的温度补偿晶体振荡器5的第一输出端(RFout)和第一探针8之间连接有第二电容(C2)7。
在本实施例中,测试夹具2用于将待测试的温度补偿晶体振荡器5与测试电路板3连接,测试电路板3的一端与待测试的温度补偿晶体振荡器5连接,测试电路板3的另一端与外置的晶体振荡器温度特性测试系统4连接。
在本实施例中,所述第一电容(C1)6的一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器5的电源输入端,所述第一电容(C1)6的另一端接地(GND);
所述第一探针8的输入端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器5的第一输出端(RFout),第一探针8的第一输出端连接至示波器9的输入端,第一探针8的第二输出端接地(GND),示波器9的输出端连接至频率计10的输入端;
所述第二电容(C2)7的一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器5的第一输出端和第一探针8之间,第二电容7的另一端接地(GND);
待测试的温度补偿晶体振荡器5的第二输出端接地(GND)。
在本实施例中,第一电容(C1)6为0.1μF的钽电容,第二电容(C2)7为15pF的陶瓷去耦电容。
本实施例根据温度补偿晶体振荡器的输出模式,设置测试电路,采用电容耦合方式进行传输,在待测试的温度补偿晶体振荡器5的电源输入端跨接一个0.1μF的钽电容,在待测试的温度补偿晶体振荡器5的第一输出端(RFout)跨接一个15pF的陶瓷去耦电容,同时考虑传输线端接阻抗与传输线的特性阻抗匹配,设计出的测试电路能够减少外部电磁干扰。
在本实施例中,上述测试单元1还包括电压表11和电流表12,电压表11的一端接地(GND),电压表11的另一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器5的电源输入端,用于测定待测试的温度补偿晶体振荡器5两端的电压(Vdc);所述电流表12连接至待测试的温度补偿晶体振荡器5的电源输入端,用于测定流入待测试的温度补偿晶体振荡器5中的电流。
如图4所示,所述测试夹具2包括底座201,所述底座201上设置有用于放置待测试的温度补偿晶体振荡器5的测试槽202,测试夹具2负责待测试的温度补偿晶体振荡器5的连接与导通。
如图3所示,所述测试槽202内设置有4个第二探针203,分别连接待测试的温度补偿晶体振荡器5的OUT(输出)管脚、GND(接地)管脚、Vcc(供电电压)管脚和Vco(器件电压)管脚。待测试的温度补偿晶体振荡器5通过OUT管脚、GND管脚、Vcc管脚和Vco管脚与测试夹具2上的4个第二探针203接触,从而实现待测试的温度补偿晶体振荡器5与测试夹具2的连接。
由于温度补偿晶体振荡器5是一个高稳定和低噪声的优质信号源,在测试温度补偿晶体振荡器5的稳定性指标如温度稳定度、电源特性、负载特性时,设计和温度补偿晶体振荡器5尺寸匹配的测试夹具2,并选择第二探针203作为测试接触点,提升检测的准确性。通过设计测试电路,实现了温度补偿晶体振荡器5不能检测的难题,其中设计匹配的测试夹具2可方便操作者快速进行摆放、压接及测试。
可选的,所述第一探针8和第二探针203均为高阻探针。
在本实施例中,上述测试单元1还包括下压盖204、第一磁片205和第二磁片206,下压盖204上设置第一磁片205,底座201上设置所述第二磁片206,第一磁片205和第二磁片206配合使用,用于使下压盖204和底座201闭合。
在本实施例中,所述第一磁片205和第二磁片206的个数为多个,优选的,第一磁片205和第二磁片206的个数为4个,第一磁片205在下压盖204上的位置与第二磁片206在底座201上的位置相对应,能够保证下压盖204按下时,第一磁片205与第二磁片206接触,保证测试单元1的稳定性。
在本实施例中,待测试的温度补偿晶体振荡器5可为TXO-500系列温度补偿晶体振荡器。
如图5所示,本实施例还提供了一种温度补偿晶体振荡器的测试装置,包括上述温度补偿晶体振荡器的测试单元1。
基于现有技术中温度补偿晶体振荡器测试技术与检测能力的不足,本实施例旨在提高温度补偿晶体振荡器可测试种类的覆盖率,提高其应用可靠性。在设计测试装置时,可根据被测温度补偿晶体振荡器设计独立的测试夹具2,由于温度补偿晶体振荡器送检任务量大,测试周期长等因素,每个测试装置上仅测试1只温度补偿晶体振荡器的效率太低,可行性不高。因此,优选的,所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元1的个数为多个。
结合试验检测的可靠性及效率等因素,可设计由多个测试单元1独立组成的温度补偿晶体振荡器的测试装置,例如可设置由50只测试单元独立组成的温度补偿晶体振荡器的测试装置,在实现温度补偿晶体振荡器可测试的基础上,同时实现50只温度补偿晶体振荡器在晶振温度特性测试系统上进行自动化检测,大幅度提升了检测可靠性及检测效率,该测试装置操作比较便捷,大幅度提升了试验检测效率。
在测试装置中设计多个测试单元1,可根据试验检测任务进行同时在线检测,并结合测试系统实现自动化检测,很大程度上简化了工作流程,提升了工作效率及器件覆盖率。
本实施例的温度补偿晶体振荡器的测试装置的使用方法:实际测试时,主要分摆放、压接、测试三步,操作比较便捷。具体为,第一步:根据待测试的温度补偿晶体振荡器5的器件管脚排列,把待测试的温度补偿晶体振荡器5摆放在测试单元1的测试槽202中,多只待测试的温度补偿晶体振荡器5器件同一时间检测时,依据测试单元1进行逐一摆放;第二步:当待测试的温度补偿晶体振荡器5按要求统一摆放完整后,按下压盖204,把待测试的温度补偿晶体振荡器5固定在测试装置上;第三步:此时,已具备测试条件,把测试装置安装在晶体振荡器温度特性测试系统4上,通过在晶体振荡器温度特性测试系统4上设置测试条件进行测试。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本实用新型的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,并存在如上所述的本实用新型的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。因此,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,包括测试电路板和测试夹具;所述测试电路板上设置有所述测试夹具,所述测试夹具通过测试电路板与外置的晶体振荡器温度特性测试系统连接,待测试的温度补偿晶体振荡器通过器件管脚与测试夹具连接;
其中,所述测试电路板包括测试电路,测试电路包括第一电容、第二电容、第一探针、示波器和频率计;所述第一电容连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端通过第一探针依次连接所述示波器和频率计,待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端和所述第一探针之间连接有第二电容。
2.根据权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,所述第一电容的一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,所述第一电容的另一端接地;
所述第一探针的输入端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端,所述第一探针的第一输出端连接至所述示波器的输入端,所述第一探针的第二输出端接地,所述示波器的输出端连接至所述频率计的输入端;
所述第二电容的一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的第一输出端和所述第一探针之间,所述第二电容的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,还包括电压表和电流表,所述电压表的一端接地,所述电压表的另一端连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,用于测定待测试的温度补偿晶体振荡器两端的电压;所述电流表连接至待测试的温度补偿晶体振荡器的电源输入端,用于测定流入待测试的温度补偿晶体振荡器中的电流。
4.根据权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,所述测试夹具包括底座,所述底座上设置有用于放置待测试的温度补偿晶体振荡器的测试槽。
5.根据权利要求4所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,所述测试槽内设置有4个第二探针,分别连接待测试的温度补偿晶体振荡器的OUT管脚、GND管脚、Vcc管脚和Vco管脚。
6.根据权利要求4所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,还包括下压盖、第一磁片和第二磁片,所述下压盖上设置所述第一磁片,所述底座上设置所述第二磁片,所述第一磁片和所述第二磁片配合使用,用于使所述下压盖和所述底座闭合。
7.根据权利要求6所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,所述第一磁片和第二磁片的个数为多个。
8.根据权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元,其特征在于,所述第一电容为0.1μF的钽电容,所述第二电容为15pF的陶瓷去耦电容。
9.一种温度补偿晶体振荡器的测试装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元。
10.根据权利要求9所述的温度补偿晶体振荡器的测试装置,其特征在于,所述的温度补偿晶体振荡器的测试单元的个数为多个。
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CN201920340431.0U CN210155255U (zh) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 一种温度补偿晶体振荡器的测试单元和测试装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111624419A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-09-04 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 一种晶体振荡器的测试适配器及测试系统 |
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2019
- 2019-03-18 CN CN201920340431.0U patent/CN210155255U/zh active Active
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