CN210103807U - 一种无硅离型膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出一种无硅离型膜，涉及离型膜技术领域，包括基材层，所述基材层的一侧面形成电晕层，所述电晕层的表面形成无硅离型层。本实用新型的无硅离型膜，结构简单、合理，基材层表面形成有电晕层，然后再涂覆无硅离型剂，无硅离型剂使用的是烷烃共聚物，不存在残余接着力的问题，可完美的保证被贴合物的粘性。
Description
技术领域
本实用新型涉及离型膜技术领域，尤其是一种无硅离型膜。
背景技术
目前模切行业所用的PET离型膜均为有机硅离型膜，有机硅离型膜都存在残余接着力，残余接着力都在90％左右，也就是有机硅离型膜都存在硅转移现象，从而导致被贴物的粘性与之前相比多少都会有所下降，胶类产品影响不会很大，但在保护膜领域影响相对比较大。针对这样的市场需求，亟需一款无硅离型膜。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种无硅离型膜。
本实用新型具体采用如下技术方案实现：
一种无硅离型膜，包括基材层，所述基材层的一侧面形成电晕层，所述电晕层的表面形成无硅离型层。
作为优选，所述基材层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质。
作为优选，所述基材层的厚度50～75μm，透光率为92～95％，雾度为1.5～2％。
作为优选，所述电晕层的厚度为2～4μm，所述电晕层进行电晕处理的功率为12～22KW。
作为优选，所述无硅离型层采用烷烃共聚物材质。
作为优选，所述无硅离型层的厚度为2～4μm，离型力为20-50G。
本实用新型提供的无硅离型膜，其有益效果在于：结构简单、合理，基材层表面形成有电晕层，然后再涂覆无硅离型剂，无硅离型剂使用的是烷烃共聚物，不存在残余接着力的问题，可完美的保证被贴合物的粘性。
附图说明
图1是本实用新型无硅离型膜的剖面示意图。
具体实施方式
为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
如图1所示，本实施例提供的一种无硅离型膜，包括基材层1，基材层1的一侧面形成电晕层2，电晕层2的表面形成有无硅离型层3。
本实施例中，基材层1采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质，形成PET基材层，厚度50～75μm，透光率为92～95％，雾度为1.5～2％；在基材层表面进行电晕处理，处理功率为12～22KW，形成的电晕层2，厚度在2～4μm；在电晕层2表面涂覆一层无硅离型剂，无硅离型剂使用的是烷烃共聚物，固化形成无硅离型层3，厚度为2～4μm，离型力为20-50G。
本实施例的无硅离型膜，结构简单、合理，基材层表面形成有电晕层，然后再涂覆无硅离型剂，无硅离型剂使用的是烷烃共聚物，不存在残余接着力的问题，可完美的保证被贴合物的粘性。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种无硅离型膜，其特征在于，包括基材层，所述基材层的一侧面形成电晕层，所述电晕层的表面形成无硅离型层，所述无硅离型层采用烷烃共聚物材质，所述无硅离型层的厚度为4μm，离型力为20-50G。
2.根据权利要求1所述的一种无硅离型膜，其特征在于：所述基材层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质。
3.根据权利要求2所述的一种无硅离型膜，其特征在于：所述基材层的厚度50～75μm，透光率为92～95％，雾度为1.5～2％。
4.根据权利要求1所述的一种无硅离型膜，其特征在于：所述电晕层的厚度为2～4μm，所述电晕层进行电晕处理的功率为12～22KW。
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