CN210073914U - 一种高密度的led引线框架 - Google Patents
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Abstract
一种高密度的LED引线框架，可解决现有的LED引线框架布局不合理，导致整体产能较低的技术问题。包括LED引线框架单体设置在导电基材上，并设置成阵列式排布；LED引线框架单体包括金属导体底座和绝缘反光杯体，绝缘反光杯体设置在金属导体底座上，绝缘反光杯体为敞口无底的杯状；金属导体底座通过绝缘分隔设置成相互独立的两个导电端子；所述导电基材上设置相互垂直的横向对刀线和纵向对刀线，所述横向对刀线和纵向对刀线把每一个LED引线框架单体隔离成一个独立的模块。本实用新型合理的排布设置，可以增加材料的利用率，增加产品的产能，减低成本，打薄就可以提供较长的渗透路径，加强产品的气密性，对刀线的设置可以优化产品的生产工序，增加效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种高密度的LED引线框架。
背景技术
LED引线框架用于LED器件封装，做为LED晶片的载体，给LED光源提供正负极电线的导通及导热，同时透过发光杯的角度、光型的调节，达到光源所需要的光效；它起到了和外部导线连接的桥梁作用，是LED产业中重要的基础材料。
现有的部分LED引线框架存在布局不合理，存在注塑不能连续MD的情况，须手工放料和收料，导致产品的产能较低，整体效率不高。
实用新型内容
本实用新型提出的一种高密度的LED引线框架，可解决现有的LED引线框架布局不合理，导致整体产能较低的技术问题。
为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
一种高密度的LED引线框架，包括LED引线框架单体，所述LED引线框架单体设置在导电基材上，并设置成阵列式排布；所述LED引线框架单体包括金属导体底座和绝缘反光杯体，所述绝缘反光杯体设置在金属导体底座上，所述绝缘反光杯体为敞口无底的杯状；所述金属导体底座通过绝缘分隔设置成相互独立的两个导电端子；其中，所述导电基材上设置相互垂直的横向对刀线和纵向对刀线，所述横向对刀线和纵向对刀线把每一个LED引线框架单体隔离成一个独立的模块。
进一步的，所述导电基材的两侧边分别设置定位孔，同一侧的定位孔相邻间距相等，同一侧边相邻两定位孔间距之间预设有纵条塑胶槽位，同一侧边相邻纵条塑胶槽位的间距相等。
进一步的，所述LED引线框架单体的背面上的导电基材一的周围设置塑胶环绕。
进一步的，所述LED引线框架单体的背面上的导电基材一的散热面的侧边内侧设置有打薄结构一，打薄结构一的横向深度为MIN 0.60MM，打薄结构一的纵向深度为MIN0.60MM。
进一步的，所述LED引线框架单体的背面上的连杆处设置打薄结构二，打薄结构二的深度为MIN 0.06MM，且为双面打薄，注塑成型后导电基材均被塑胶覆盖。
进一步的，所述LED引线框架在宽为59.50~60.50MM的导电基材上，纵向排列至28颗，纵向定位孔间距为56.90~57.10MM，横向定位孔间距为5.50~5.70MM，横向排列相邻的两颗LED引线单体的中心距为2.18~2.38MM，纵向相邻两颗LED引线单体的PIN距为1.75~1.95MM，所述LED引线框架其中一边的定位孔一为圆形，定位孔一为直径1.40~1.60MM；所述LED引线框架另一边的定位孔二也为圆形，直径1.10~1.30MM。
由上述技术方案可知，本实用新型的高密度的LED引线框架合理的排布设置，可以增加材料的利用率，增加产品的产能，减低成本，打薄可以提供较长的渗透路径，加强产品的气密性，对刀线的设置可以优化产品的生产工序，增加效率。
附图说明
图1是本实用新型的局部结构示意图；
图2是本实用新型的定位孔间距示意图；
图3是本实用新型图2的侧视结构示意图；
图4是本实用新型的单体俯视结构示意图；
图5是本实用新型的单体主视结构示意图；
图6是本实用新型的单体侧视结构示意图；
图7是本实用新型的单体的导电基材散热面侧边内侧的打薄结构示意图；
图8是本实用新型的单体的连杆处的打薄结构示意图；
图9是本实用新型的单体背面结构示意图；
图10是本实用新型的框架布局结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
如图1-图9所示，本实施例所述的高密度的LED引线框架，包括LED引线框架单体，所述LED引线框架单体设置在导电基材上，并设置成阵列式排布；
所述LED引线框架单体包括金属导体底座和绝缘反光杯体，所述绝缘反光杯体设置在金属导体底座上，所述绝缘反光杯体为敞口无底的杯状；
所述金属导体底座通过绝缘分隔设置成相互独立的两个导电端子；
所述导电基材上设置相互垂直的横向对刀线102和纵向对刀线101，所述横向对刀线102和纵向对刀线101把每一个LED引线框架单体隔离成一个独立的模块。
以下具体说明本实施例的结构：
如图1所示103为LED引线框架单片局部示意图，在局部的放大图中，101与102为产品切割时的对刀线，对刀线位于两异形孔中间的中心位置；在切割产品时，利用激光识别技术，找到对刀线后，沿着对刀线位置，就可以将产品一颗颗的分离，形成单独的个体，形成单独个体后，可以自行组合搭配个体的使用，增加产品使用的广泛性；使用切割方式将产品进行单颗分离，可以使产品生产效率提升10%；
如图2和图3所示，横向两定位孔间距之间预留有一纵条塑胶槽位201，横向相邻的量定位孔之间的间距202、03为一致，相邻两塑胶槽位的间距204、205也为一致，此种设计可以取代传统的EMC生产工艺，使此款产品实现连续Molding；一模周期可以控制在10S以内，比起传统的手动Molding一模周期30S，效率至少提升3倍，且大大节省人力成本；
如图4-图6所示，其裁切后的单颗产品尺寸：产品长度301为1.98~2.18MM，产品宽度302为1.55~1.75MM，导电基材厚度303为0.25~0.35MM，产品杯深304为0.15~0.25MM；产品总高305为0.45~0.55MM，产品杯底长度306为1.49~1.69mm，产品杯口长度307为1.70~1.90MM，产品杯底宽度308为1.25~1.45MM，产品杯口宽度309为1.38~1.58MM；
如图7-如9所示，本实施例其裁切后的单颗产品背面，导电基材409四周环绕着塑胶410，此种设计可以保证产品美观性；且在导电基材409背面处设计有打薄结构一，打薄结构一四个，401和402深度设计为MIN 0.60MM，403和404深度设计为MIN 0.60MM，打薄结构一具体设置在单颗产品的背面导热面处；
连杆处411，412处设置打薄结构二，打薄结构二包括四个，405，406，407，408深度设计为MIN 0.06MM，且为双面打薄，注塑成型后导电基材均被塑胶覆盖，增加产品美观性的同时，还可大大加大有害物质进入产品内部的渗透路径，从而加强产品的使用性能。
其中，411,412连杆为焊盘与整体框架的连接点，通过连接杆将焊盘与整体框架连接，打薄结构二位置在单颗产品的最大外围处。
如图10所示，本实施例的一种高密度LED引线框架的排列为：框架在501为59.50~60.50MM宽的导电基材上，纵向排列至28颗，纵向定位孔间距502为56.90~57.10MM，横向定位孔间距503为5.50~5.70MM，横向排列相邻的两颗产品的中心距504为2.18~2.38MM，纵向相邻两颗产品的PIN距505为1.75~1.95MM，定位孔506大小设计为直径1.40~1.60MM；定位孔507大小设计为直径1.10~1.30MM。两侧定位孔的大小不一致，可以起到很好的防呆效果，避免出现LED引线框架反向的情况，造成浪费。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种高密度的LED引线框架，包括LED引线框架单体，所述LED引线框架单体设置在导电基材上，并设置成阵列式排布；
所述LED引线框架单体包括金属导体底座和绝缘反光杯体，所述绝缘反光杯体设置在金属导体底座上，所述绝缘反光杯体为敞口无底的杯状；
所述金属导体底座通过绝缘分隔设置成相互独立的两个导电端子；
其特征在于：
所述导电基材上设置相互垂直的横向对刀线（102）和纵向对刀线（101），所述横向对刀线（102）和纵向对刀线（101）把每一个LED引线框架单体隔离成一个独立的模块。
2.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述导电基材的两侧边分别设置定位孔，同一侧的定位孔相邻间距相等，同一侧边相邻两定位孔间距之间预设有纵条塑胶槽位（201），同一侧边相邻纵条塑胶槽位（201）的间距相等。
3.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述LED引线框架单体长度（L301）为1.98~2.18MM，宽度（W302）为1.55~1.75MM。
4.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述导电基材厚度（D303）为0.25~0.35MM。
5.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述绝缘反光杯体的杯深（D304）为0.15~0.25MM，杯底长度（L306）为1.49~1.69mm，杯口长度（L307）为1.70~1.90MM，杯底宽度（W308）为1.25~1.45MM，杯口宽度（W309）为1.38~1.58MM。
6.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述LED引线框架单体总高（H305）为0.45~0.55MM。
7.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述LED引线框架单体的背面上的导电基材一（409）的周围设置塑胶（410）环绕。
8.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述LED引线框架单体的背面上的导电基材一（409）的散热面的侧边内侧设置有打薄结构一，打薄结构一的横向深度为MIN 0.60MM，打薄结构一的纵向深度为MIN 0.60MM。
9.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述LED引线框架单体的背面上的连杆处设置打薄结构二，打薄结构二的深度为MIN 0.06MM，且为双面打薄，注塑成型后导电基材均被塑胶覆盖。
10.根据权利要求1所述的高密度的LED引线框架，其特征在于：所述LED引线框架在宽为59.50~60.50MM的导电基材上，纵向排列至28颗，纵向定位孔间距（D502）为56.90~57.10MM，横向定位孔间距（D503）为5.50~5.70MM，横向排列相邻的两颗LED引线单体的中心距（D504）为2.18~2.38MM，纵向相邻两颗LED引线单体的PIN距（D505）为1.75~1.95MM，所述LED引线框架其中一边的定位孔一（506）为圆形，定位孔一（506）为直径1.40~1.60MM；所述LED引线框架另一边的定位孔二（507）也为圆形，直径1.10~1.30MM。
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| CN201921203737.8U CN210073914U (zh) | 2019-07-29 | 2019-07-29 | 一种高密度的led引线框架 |
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- 2019-07-29 CN CN201921203737.8U patent/CN210073914U/zh active Active
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