CN210016412U - 一种gan（氮化镓）mosfet超薄型电源适配器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，包括适配器本体，所述适配器本体内设有依次连接的市电100V‑240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器、次极MOS整流线路、防倒电流灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE‑C输出接口；本实用新型的微处理器U1集成了多模式准谐振(QR)/CCM反激式控制器、GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动，在整个负载范围内效率高达94％。

Description

一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器

技术领域：

本实用新型涉及电源适配器技术领域，特指一种GAN(氮化镓) MOSFET超薄型电源适配器。

背景技术：

电源适配器是小型便捷式电子设备及电子电器的供电电源变换设备，电源适配器广泛配套于各领域的电子设备中，一般由外壳和变压器、电感、电容、微处理器等电子元件组成，通过电源适配器可将交流电转换为直流电；

随着使用者对电子设备的携带性要求变高，电子设备逐步朝向轻薄化发展，作为配套的电源适配器，也理应朝向轻薄化。

实用新型内容：

本实用新型的目的是克服现有产品的不足之处，提供一种GAN (氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器。

本实用新型采用的技术方案是：一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，包括适配器本体，所述适配器本体内设有依次连接的市电100V-240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器、次极MOS 整流线路、防倒电流灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE-C输出接口；

所述PD协议制定IC9所用芯片型号为WT6636F，所述市电 100V-240V输入线路及抗雷击线路包括保险管F1和压敏电阻RV1，保险管F1的输入端与L火线连接，保险管F1与压敏电阻RV1并联，保险管F1的输出端与压敏电阻RV1的输入端连接，压敏电阻RV1的输出端与N零线连接；

所述EMI滤波电磁抗干扰线路包括励磁线圈LF1、电阻R21、电阻R20、电容CX1和励磁线圈LF2，所述励磁线圈LF1和励磁线圈LF2 分别设有接口1Ⅰ、接口1Ⅱ、接口1Ⅲ、接口1Ⅳ、接口2Ⅰ、接口 2Ⅱ、接口2Ⅲ和接口2Ⅳ，

所述励磁线圈LF1的接口1Ⅰ和接口1Ⅱ分别与压敏电阻RV1的输入端和输出端连接，所述励磁线圈LF1的接口1Ⅲ与励磁线圈LF2 的接口2Ⅰ连接，励磁线圈LF1的接口1Ⅳ与励磁线圈LF2的接口2 Ⅱ连接，电阻R20在分别与电阻R21串联、电容CX1并联后，并联在励磁线圈LF1与励磁线圈LF2的连接电路之间；

所述桥式整流滤波线路包括桥式整流二极管BD1、有极性电容 EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4，所述桥式整流二极管BD1 设有接口3Ⅰ、接口3Ⅱ、接口3Ⅲ和接口3Ⅳ，

所述桥式整流二极管BD1的接口3Ⅱ和接口3Ⅲ分别与励磁线圈 LF2的接口2Ⅲ和接口2Ⅳ连接，所述桥式整流二极管BD1的接口3 Ⅰ分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输入端并联，桥式整流二极管BD1的接口3Ⅳ分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输出端并联，接口3Ⅳ还与微处理器U1连接；

所述RCD高压吸收线路包括电容C17、电阻R22、电阻R23、电阻R24和二极管D3，

所述电容C17和电阻R22并联，且电容C17和电阻R22的输入端分别与桥式整流二极管BD1的接口3Ⅰ并联，电容C17和电阻R22 的输出端分别与电阻R24串联，所述电阻R24与电阻R23并联，与二极管D3串联；

所述功率变压器包括变压器T1,所述变压器设有接口4Ⅰ、接口 4Ⅱ和接口4Ⅲ，所述接口4Ⅰ、接口4Ⅱ和接口4Ⅲ分别设有连接点 1Ⅰ、连接点2Ⅰ、连接点1Ⅱ、连接点2Ⅱ、连接点1Ⅲ、连接点2 Ⅲ；

所述变压器T1中接口4Ⅰ的连接点1Ⅰ与桥式整流二极管BD1 的接口3Ⅰ连接，连接点2Ⅰ与二极管D3的正极连接；

所述多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器包括二极管D4、电容C18、电阻R25、有极性电容EC1、电容C19、电阻R13、稳压二极管VR1、电阻R12、NPN型三极管Q2、电阻R15、微处理器U1和电容C15；

所述微处理器U1的具体型号为SC1933-H218,所述二极管D4的负极与变压器T1中接口4Ⅱ的连接点1Ⅱ连接，电容C18与电阻R25 串联，与二极管D4并联，二极管D4的正极与微处理器U1连接，有极性电容EC1的正极与变压器T1中接口4Ⅱ的连接点2Ⅱ连接，有极性电容EC1的负极与微处理器U1连接，电容C19的输入端与连接点2Ⅱ连接，电容C19的输出端与微处理器U1连接，电阻R13与稳压二极管VR1串联，电阻R13的输入端与连接点2Ⅱ连接，稳压二极管VR1的正极与微处理器U1连接，NPN型三极管Q2的基极并联在电阻R13与稳压二极管VR1的连接电路上，NPN型三极管Q2的集电极与连接点2Ⅱ连接，NPN型三极管Q2的发射极与电阻R12并联，与电阻R15串联，电阻R15与电容C15并联，电阻R15与电容C15的输出端均与微处理器U1连接；

所述次极MOS整流线路包括二极管D6、二极管D5、电容C1、电阻R1、场效应管Q5和场效应管Q4，

所述场效应管Q4的栅极与变压器T1中接口4Ⅲ的连接点2Ⅲ连接，场效应管Q4的栅极还分别与MOS场效应管Q5的栅极、二极管 D6的负极和电阻R19的输入端连接，电阻R19的输出端与微处理器 U1连接，场效应管Q4的源极分别与场效应管Q5的源极和二极管D6 的正极连接，场效应管Q4的源极还与接地端连接，场效应管Q4的漏极分别与场效应管Q5的漏极和微处理器U1连接，电容C1与电阻 R1串联后并联在场效应管Q4和二极管D6的连接电路之间，二极管 D5的正极并联在电阻R1与二极管D6的连接电路上，二极管D5的负极并联在电容C1与电阻R1的连接电路上；

所述防倒电流灌控制线路包括MOS场效应管Q1、二极管D2、电阻R8、电阻R7和电容C7，

所述MOS场效应管Q1的栅极与变压器T1中接口4Ⅲ的连接点1 Ⅲ连接，MOS场效应管Q1的源极与TYPE-C输出接口连接，MOS场效应管Q1的漏极与电阻R7的输入端连接，电阻R7的输出端与PD协议制定IC连接，二极管D2的正极并联在电阻R7与MOS场效应管Q1 的连接电路上，二极管D2的负极与电阻R8的输入端连接，电阻R8 的输出端并联在电阻R7与PD协议制定IC的连接电路上；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ的连接电路和场效应管Q4与接地端的连接电路之间，还分别并联有电容C4和电容C5，电容C5的负极还连接有电容C2，在电容C5与电容C2的连接电路上，还并联有电容C16，电容C16与电容C2的输出端分别与微处理器U1连接；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ的连接电路和微处理器U1与PD 协议制定IC的连接电路之间还并联有电阻R2和电容C3,所述电阻 R2和电容C3串联；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ的连接电路上，还分别并联有电阻R6、电阻R5、电阻R3和电阻R14，电阻R6的输出端分别连接有与其串联的电容C9和与其并联的电容C10，电容C10的输出端与PD 协议制定IC连接，电阻R5的输出端与PD协议制定IC连接，电阻 R3的输出端连接有场效应管Q3，场效应管Q3的源极接地，电阻R14 的输出端连接有电阻R17，电阻R17的输出端与PD协议制定IC连接，场效应管Q3的漏极并联在电阻R14与电阻R17的连接电路上；

该适配器还包括电阻R9、电阻R11、电阻R16、电阻R18、电容 C13、电容C8、电容C11、热敏电阻RT1、电阻R4、电容CY1、二极管D1和电容C6，电阻R9的输入端分别与微处理器U1和PD协议制定IC连接，电阻R9与电阻R16串联，电阻R16的输出端与PD协议制定IC连接，电阻R11并联在电阻R9与PD协议制定IC的连接电路和电阻R9与电阻R16的连接电路之间，电阻R11还与电容CY1并联，并且，电阻R11的输出端接地，电容CY1的输入端并联在接口3 Ⅳ与微处理器U1的连接电路上，电容CY1的输出端与TYPE-C输出接口连接，电阻R18、电容C13、电容C8、电容C11和热敏电阻RT1 分别并联在电阻R9与PD协议制定IC的连接电路上，电阻R18与电容C12串联，电容C12与电容C13并联，且电容C12与电容C13的输出端分别与PD协议制定IC连接，电容C8、电容C11和热敏电阻 RT1的输出端分别与PD协议制定IC连接；

电阻R4的输入端与PD协议制定IC连接，电阻R4的输出端与 TYPE-C输出接口连接，二极管D1的负极并联在电阻R4与TYPE-C 输出接口的连接电路上，二极管D1的正极并联在电容CY1与TYPE-C 输出接口的连接电路上，PD协议制定IC还与公共接地端连接，电容 C6的输入端和输出端分别并联在PD协议制定IC与公共接地端的连接线路和电阻R4和二极管D1的连接电路上。

优选地，所述电容C4为有极性电容。

优选地，所述电容C5为有极性电容。

优选地，所述微处理器U1集成了多模式准谐振(QR)/CCM反激式控制器、GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动。

本实用新型的微处理器U1集成了多模式准谐振(QR)/CCM反激式控制器、GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动，在整个负载范围内效率高达94％；GAN(氮化镓)作为目前最快的功率开关器件之一，在高速开关的情况下仍可以保持高效率水平，同时能够应用于更小的变压器，进而使电源适配器的体积减小。

附图说明：

图1是本实用新型一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器的结构示意图；

图2是本实用新型一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器的电路结构图；

图3是本实用新型一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器中励磁线圈LF1的结构图；

图4是本实用新型一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器中励磁线圈LF2的结构图；

图5是本实用新型一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器中变压器T1的结构图；

图6是本实用新型一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器中桥式整流二极管BD1的结构图；

图7是本实用新型一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器的原理框图。

图中：适配器本体01、接地端02、公共接地端03、市电100V-240V 输入线路及抗雷击线路1、EMI滤波电磁抗干扰线路2、桥式整流滤波线路3、功率变压器4、RCD高压吸收线路5、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器6、次极MOS整流线路7、防倒电流灌控制线路8、PD协议制定IC9、TYPE-C输出接口 10、接口1Ⅰ11、接口1Ⅱ12、接口1Ⅲ13、接口1Ⅳ14、接口2Ⅰ21、接口2Ⅱ22、接口2Ⅲ23、接口2Ⅳ24、接口3Ⅰ31、接口3Ⅱ32、接口3Ⅲ33、接口3Ⅳ34、接口4Ⅰ41、接口4Ⅱ42、接口4Ⅲ43、连接点1Ⅰ411、连接点2Ⅰ412、连接点1Ⅱ421、连接点2Ⅱ422、连接点1Ⅲ431、连接点2Ⅲ432。

具体实施方式：

下面结合具体实施例和附图对本实用新型进一步说明。

如图1～图7所示，一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，包括适配器本体01，所述适配器本体01内设有依次连接的市电 100V-240V输入线路及抗雷击线路1、EMI滤波电磁抗干扰线路2、桥式整流滤波线路3、功率变压器4、RCD高压吸收线路5、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器6、次极MOS整流线路7、防倒电流灌控制线路8、PD协议制定IC9和TYPE-C 输出接口10；

所述PD协议制定IC9所用芯片型号为WT6636F，所述市电 100V-240V输入线路及抗雷击线路1包括保险管F1和压敏电阻RV1，保险管F1的输入端与L火线连接，保险管F1与压敏电阻RV1并联，保险管F1的输出端与压敏电阻RV1的输入端连接，压敏电阻RV1的输出端与N零线连接；

所述EMI滤波电磁抗干扰线路2包括励磁线圈LF1、电阻R21、电阻R20、电容CX1和励磁线圈LF2，所述励磁线圈LF1和励磁线圈LF2分别设有接口1Ⅰ11、接口1Ⅱ12、接口1Ⅲ13、接口1Ⅳ14、接口2Ⅰ21、接口2Ⅱ22、接口2Ⅲ23和接口2Ⅳ24，

所述励磁线圈LF1的接口1Ⅰ11和接口1Ⅱ12分别与压敏电阻 RV1的输入端和输出端连接，所述励磁线圈LF1的接口1Ⅲ13与励磁线圈LF2的接口2Ⅰ21连接，励磁线圈LF1的接口1Ⅳ14与励磁线圈LF2的接口2Ⅱ22连接，电阻R20在分别与电阻R21串联、电容 CX1并联后，并联在励磁线圈LF1与励磁线圈LF2的连接电路之间；

所述桥式整流滤波线路3包括桥式整流二极管BD1、有极性电容 EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4，所述桥式整流二极管BD1 设有接口3Ⅰ31、接口3Ⅱ32、接口3Ⅲ33和接口3Ⅳ34，

所述桥式整流二极管BD1的接口3Ⅱ32和接口3Ⅲ33分别与励磁线圈LF2的接口2Ⅲ23和接口2Ⅳ24连接，所述桥式整流二极管 BD1的接口3Ⅰ31分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输入端并联，桥式整流二极管BD1的接口3Ⅳ34分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输出端并联，接口3Ⅳ34还与微处理器U1连接；

所述RCD高压吸收线路5包括电容C17、电阻R22、电阻R23、电阻R24和二极管D3，

所述电容C17和电阻R22并联，且电容C17和电阻R22的输入端分别与桥式整流二极管BD1的接口3Ⅰ31并联，电容C17和电阻 R22的输出端分别与电阻R24串联，所述电阻R24与电阻R23并联，与二极管D3串联；

所述功率变压器4包括变压器T1,所述变压器设有接口4Ⅰ41、接口4Ⅱ42和接口4Ⅲ43，所述接口4Ⅰ41、接口4Ⅱ42和接口4Ⅲ 43分别设有连接点1Ⅰ411、连接点2Ⅰ412、连接点1Ⅱ421、连接点2Ⅱ422、连接点1Ⅲ431、连接点2Ⅲ432；

所述变压器T1中接口4Ⅰ41的连接点1Ⅰ411与桥式整流二极管BD1的接口3Ⅰ31连接，连接点2Ⅰ412与二极管D3的正极连接；

所述多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器6包括二极管D4、电容C18、电阻R25、有极性电容EC1、电容C19、电阻R13、稳压二极管VR1、电阻R12、NPN型三极管Q2、电阻R15、微处理器U1和电容C15；

所述微处理器U1的具体型号为SC1933-H218,所述二极管D4的负极与变压器T1中接口4Ⅱ42的连接点1Ⅱ421连接，电容C18与电阻R25串联，与二极管D4并联，二极管D4的正极与微处理器U1 连接，有极性电容EC1的正极与变压器T1中接口4Ⅱ42的连接点2 Ⅱ422连接，有极性电容EC1的负极与微处理器U1连接，电容C19 的输入端与连接点2Ⅱ422连接，电容C19的输出端与微处理器U1 连接，电阻R13与稳压二极管VR1串联，电阻R13的输入端与连接点2Ⅱ422连接，稳压二极管VR1的正极与微处理器U1连接，NPN 型三极管Q2的基极并联在电阻R13与稳压二极管VR1的连接电路上， NPN型三极管Q2的集电极与连接点2Ⅱ422连接，NPN型三极管Q2 的发射极与电阻R12并联，与电阻R15串联，电阻R15与电容C15 并联，电阻R15与电容C15的输出端均与微处理器U1连接；

所述次极MOS整流线路7包括二极管D6、二极管D5、电容C1、电阻R1、场效应管Q5和场效应管Q4，

所述场效应管Q4的栅极与变压器T1中接口4Ⅲ43的连接点2 Ⅲ432连接，场效应管Q4的栅极还分别与MOS场效应管Q5的栅极、二极管D6的负极和电阻R19的输入端连接，电阻R19的输出端与微处理器U1连接，场效应管Q4的源极分别与场效应管Q5的源极和二极管D6的正极连接，场效应管Q4的源极还与接地端02连接，场效应管Q4的漏极分别与场效应管Q5的漏极和微处理器U1连接，电容 C1与电阻R1串联后并联在场效应管Q4和二极管D6的连接电路之间，二极管D5的正极并联在电阻R1与二极管D6的连接电路上，二极管 D5的负极并联在电容C1与电阻R1的连接电路上；

所述防倒电流灌控制线路8包括MOS场效应管Q1、二极管D2、电阻R8、电阻R7和电容C7，

所述MOS场效应管Q1的栅极与变压器T1中接口4Ⅲ43的连接点1Ⅲ431连接，MOS场效应管Q1的源极与TYPE-C输出接口10连接， MOS场效应管Q1的漏极与电阻R7的输入端连接，电阻R7的输出端与PD协议制定IC9连接，二极管D2的正极并联在电阻R7与MOS场效应管Q1的连接电路上，二极管D2的负极与电阻R8的输入端连接，电阻R8的输出端并联在电阻R7与PD协议制定IC9的连接电路上；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ431的连接电路和MOS场效应管 Q4与接地端的连接电路之间，还分别并联有电容C4和电容C5，电容C5的负极还连接有电容C2，在电容C5与电容C2的连接电路上，还并联有电容C16，电容C16与电容C2的输出端分别与微处理器U1 连接；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ431的连接电路和微处理器U1与PD协议制定IC9的连接电路之间还并联有电阻R2和电容C3,所述电阻R2和电容C3串联；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ431的连接电路上，还分别并联有电阻R6、电阻R5、电阻R3和电阻R14，电阻R6的输出端分别连接有与其串联的电容C9和与其并联的电容C10，电容C10的输出端与 PD协议制定IC9连接，电阻R5的输出端与PD协议制定IC9连接，电阻R3的输出端连接有场效应管Q3，场效应管Q3的源极接地，电阻R14的输出端连接有电阻R17，电阻R17的输出端与PD协议制定 IC9连接，场效应管Q3的漏极并联在电阻R14与电阻R17的连接电路上；

该适配器还包括电阻R9、电阻R11、电阻R16、电阻R18、电容 C13、电容C8、电容C11、热敏电阻RT1、电阻R4、电容CY1、二极管D1和电容C6，电阻R9的输入端分别与微处理器U1和PD协议制定IC9连接，电阻R9与电阻R16串联，电阻R16的输出端与PD协议制定IC9连接，电阻R11并联在电阻R9与PD协议制定IC9的连接电路和电阻R9与电阻R16的连接电路之间，电阻R11还与电容CY1 并联，并且，电阻R11的输出端接地，电容CY1的输入端并联在接口3Ⅳ34与微处理器U1的连接电路上，电容CY1的输出端与TYPE-C 输出接口10连接，电阻R18、电容C13、电容C8、电容C11和热敏电阻RT1分别并联在电阻R9与PD协议制定IC9的连接电路上，电阻R18与电容C12串联，电容C12与电容C13并联，且电容C12与电容C13的输出端分别与PD协议制定IC9连接，电容C8、电容C11 和热敏电阻RT1的输出端分别与PD协议制定IC9连接；

电阻R4的输入端与PD协议制定IC9连接，电阻R4的输出端与 TYPE-C输出接口10连接，二极管D1的负极并联在电阻R4与TYPE-C 输出接口10的连接电路上，二极管D1的正极并联在电容CY1与 TYPE-C输出接口10的连接电路上，PD协议制定IC9还与公共接地端03连接，电容C6的输入端和输出端分别并联在PD协议制定IC9 与公共接地端03的连接线路和电阻R4和二极管D1的连接电路上。

所述电容C4为有极性电容。

所述电容C5为有极性电容。

所述微处理器U1集成了多模式准谐振(QR)/CCM反激式控制器、 GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动。

综上所述，本实用新型的微处理器U1集成了多模式准谐振(QR) /CCM反激式控制器、GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动，在整个负载范围内效率高达94％；GAN(氮化镓)作为目前最快的功率开关器件之一，在高速开关的情况下仍可以保持高效率水平，同时能够应用于更小的变压器，进而使电源适配器的体积减小。

Claims (4)

1.一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，包括适配器本体，其特征在于，所述适配器本体内设有依次连接的市电100V-240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器、次极MOS整流线路、防倒电流灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE-C输出接口；

所述PD协议制定IC9所用芯片型号为WT6636F，所述市电100V-240V输入线路及抗雷击线路包括保险管F1和压敏电阻RV1，保险管F1的输入端与L火线连接，保险管F1与压敏电阻RV1并联，保险管F1的输出端与压敏电阻RV1的输入端连接，压敏电阻RV1的输出端与N零线连接；

所述EMI滤波电磁抗干扰线路包括励磁线圈LF1、电阻R21、电阻R20、电容CX1和励磁线圈LF2，所述励磁线圈LF1和励磁线圈LF2分别设有接口1Ⅰ、接口1Ⅱ、接口1Ⅲ、接口1Ⅳ、接口2Ⅰ、接口2Ⅱ、接口2Ⅲ和接口2Ⅳ，

所述励磁线圈LF1的接口1Ⅰ和接口1Ⅱ分别与压敏电阻RV1的输入端和输出端连接，所述励磁线圈LF1的接口1Ⅲ与励磁线圈LF2的接口2Ⅰ连接，励磁线圈LF1的接口1Ⅳ与励磁线圈LF2的接口2Ⅱ连接，电阻R20在分别与电阻R21串联、电容CX1并联后，并联在励磁线圈LF1与励磁线圈LF2的连接电路之间；

所述桥式整流滤波线路包括桥式整流二极管BD1、有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4，所述桥式整流二极管BD1设有接口3Ⅰ、接口3Ⅱ、接口3Ⅲ和接口3Ⅳ，

所述桥式整流二极管BD1的接口3Ⅱ和接口3Ⅲ分别与励磁线圈LF2的接口2Ⅲ和接口2Ⅳ连接，所述桥式整流二极管BD1的接口3Ⅰ分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输入端并联，桥式整流二极管BD1的接口3Ⅳ分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输出端并联，接口3Ⅳ还与微处理器U1连接；

所述RCD高压吸收线路包括电容C17、电阻R22、电阻R23、电阻R24和二极管D3，

所述电容C17和电阻R22并联，且电容C17和电阻R22的输入端分别与桥式整流二极管BD1的接口3Ⅰ并联，电容C17和电阻R22的输出端分别与电阻R24串联，所述电阻R24与电阻R23并联，与二极管D3串联；

所述功率变压器包括变压器T1,所述变压器设有接口4Ⅰ、接口4Ⅱ和接口4Ⅲ，所述接口4Ⅰ、接口4Ⅱ和接口4Ⅲ分别设有连接点1Ⅰ、连接点2Ⅰ、连接点1Ⅱ、连接点2Ⅱ、连接点1Ⅲ、连接点2Ⅲ；

所述变压器T1中接口4Ⅰ的连接点1Ⅰ与桥式整流二极管BD1的接口3Ⅰ连接，连接点2Ⅰ与二极管D3的正极连接；

所述多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器包括二极管D4、电容C18、电阻R25、有极性电容EC1、电容C19、电阻R13、稳压二极管VR1、电阻R12、NPN型三极管Q2、电阻R15、微处理器U1和电容C15；

所述微处理器U1的具体型号为SC1933-H218,所述二极管D4的负极与变压器T1中接口4Ⅱ的连接点1Ⅱ连接，电容C18与电阻R25串联，与二极管D4并联，二极管D4的正极与微处理器U1连接，有极性电容EC1的正极与变压器T1中接口4Ⅱ的连接点2Ⅱ连接，有极性电容EC1的负极与微处理器U1连接，电容C19的输入端与连接点2Ⅱ连接，电容C19的输出端与微处理器U1连接，电阻R13与稳压二极管VR1串联，电阻R13的输入端与连接点2Ⅱ连接，稳压二极管VR1的正极与微处理器U1连接，NPN型三极管Q2的基极并联在电阻R13与稳压二极管VR1的连接电路上，NPN型三极管Q2的集电极与连接点2Ⅱ连接，NPN型三极管Q2的发射极与电阻R12并联，与电阻R15串联，电阻R15与电容C15并联，电阻R15与电容C15的输出端均与微处理器U1连接；

所述次极MOS整流线路包括二极管D6、二极管D5、电容C1、电阻R1、场效应管Q5和场效应管Q4，

所述场效应管Q4的栅极与变压器T1中接口4Ⅲ的连接点2Ⅲ连接，场效应管Q4的栅极还分别与MOS场效应管Q5的栅极、二极管D6的负极和电阻R19的输入端连接，电阻R19的输出端与微处理器U1连接，场效应管Q4的源极分别与场效应管Q5的源极和二极管D6的正极连接，场效应管Q4的源极还与接地端连接，场效应管Q4的漏极分别与场效应管Q5的漏极和微处理器U1连接，电容C1与电阻R1 串联后并联在场效应管Q4和二极管D6的连接电路之间，二极管D5的正极并联在电阻R1与二极管D6的连接电路上，二极管D5的负极并联在电容C1与电阻R1的连接电路上；

所述防倒电流灌控制线路包括MOS场效应管Q1、二极管D2、电阻R8、电阻R7和电容C7，

所述MOS场效应管Q1的栅极与变压器T1中接口4Ⅲ的连接点1Ⅲ连接，MOS场效应管Q1的源极与TYPE-C输出接口连接，MOS场效应管Q1的漏极与电阻R7的输入端连接，电阻R7的输出端与PD协议制定IC连接，二极管D2的正极并联在电阻R7与MOS场效应管Q1的连接电路上，二极管D2的负极与电阻R8的输入端连接，电阻R8的输出端并联在电阻R7与PD协议制定IC的连接电路上；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ的连接电路和场效应管Q4与接地端的连接电路之间，还分别并联有电容C4和电容C5，电容C5的负极还连接有电容C2，在电容C5与电容C2的连接电路上，还并联有电容C16，电容C16与电容C2的输出端分别与微处理器U1连接；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ的连接电路和微处理器U1与PD协议制定IC的连接电路之间还并联有电阻R2和电容C3,所述电阻R2和电容C3串联；

MOS场效应管Q1与连接点1Ⅲ的连接电路上，还分别并联有电阻R6、电阻R5、电阻R3和电阻R14，电阻R6的输出端分别连接有与其串联的电容C9和与其并联的电容C10，电容C10的输出端与PD协议制定IC连接，电阻R5的输出端与PD协议制定IC连接，电阻R3的输出端连接有场效应管Q3，场效应管Q3的源极接地，电阻R14的输出端连接有电阻R17，电阻R17的输出端与PD协议制定IC连接，场效应管Q3的漏极并联在电阻R14与电阻R17的连接电路上；

该适配器还包括电阻R9、电阻R11、电阻R16、电阻R18、电容C13、电容C8、电容C11、热敏电阻RT1、电阻R4、电容CY1、二极管D1和电容C6，电阻R9的输入端分别与微处理器U1和PD协议制定IC连接，电阻R9与电阻R16串联，电阻R16的输出端与PD协议制定IC连接，电阻R11并联在电阻R9与PD协议制定IC的连接电路和电阻R9与电阻R16的连接电路之间，电阻R11还与电容CY1并联，并且，电阻R11的输出端接地，电容CY1的输入端并联在接口3Ⅳ与微处理器U1的连接电路上，电容CY1的输出端与TYPE-C输出接口连接，电阻R18、电容C13、电容C8、电容C11和热敏电阻RT1分别并联在电阻R9与PD协议制定IC的连接电路上，电阻R18与电容C12串联，电容C12与电容C13并联，且电容C12与电容C13的输出端分别与PD协议制定IC连接，电容C8、电容C11和热敏电阻RT1的输出端分别与PD协议制定IC连接；

电阻R4的输入端与PD协议制定IC连接，电阻R4的输出端与TYPE-C输出接口连接，二极管D1的负极并联在电阻R4与TYPE-C输出接口的连接电路上，二极管D1的正极并联在电容CY1与TYPE-C输出接口的连接电路上，PD协议制定IC还与公共接地端连接，电容C6的输入端和输出端分别并联在PD协议制定IC与公共接地端的连接线路和电阻R4和二极管D1的连接电路上。

2.根据权利要求1所述的一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，其特征在于，所述电容C4为有极性电容。

3.根据权利要求1所述的一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，其特征在于，所述电容C5为有极性电容。

4.根据权利要求1所述的一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，其特征在于，所述微处理器U1集成了多模式准谐振(QR)/CCM反激式控制器、GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动。

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