CN203445602U - 反激过压保护电路 - Google Patents

Abstract

一种反激过压保护电路，包括电源模块、变压模块、直流整流滤波模块、开关模块、控制模块和反馈模块，变压模块包括输入绕组、输出绕组和反馈绕组，且反馈绕组正比于输出绕组；反馈绕组的异名端与电源模块的输出端分别连接稳压管的阴极和阳极。当电路的输出电压升高时，反馈绕组异名端的电压就会升高，即稳压管的阴极电压升高，当击穿稳压管时，电流从稳压管的阴极流往稳压管的阳极，并经过滤波电阻和采样电阻接地；从而抬升了脉宽调制芯片电压采样端的电压，电压采样端电压信号经脉宽调制芯片内部比较之后，控制脉宽调制芯片输出端的电压输出，从而关断变压器的输入绕组的电压输入，抑制了输出电压的进一步上升从而达到了保护后级电路的目的。

Description

反激过压保护电路

技术领域

本实用新型涉及电路保护技术领域，特别是涉及一种反激过压保护电路。

背景技术

反激过压保护电路是指电路主开关管导通时，二次侧二极管关断，变压器储能；主开关管关断时，二次侧二极管导通，变压器储能向负载释放的电路。在过压保护电路中，通过芯片不同管脚实际电压与保护电压对比，判断是否执行过压保护。

目前，采用脉宽调制方式进行电源过压保护，脉宽调制芯片产生的PWM信号经输出端输出，驱动外接的MOS管工作。电路中后级电路的电压反馈到脉宽调制芯片的电压反馈端，再由脉宽调制芯片将反馈的电压信号与内部的基准电压进行比较，再将比较的PWM信号经输出端输出，即可控制MOS管的导通与断开。

传统的过压保护电路，是通过对反馈到芯片的电压的判断，确定芯片输出端是否驱动MOS管工作；如出现输入电压较大，输出给后级电路后再反馈给芯片，会造成后级电路的损伤。

发明内容

基于此，本实用新型在于克服现有技术的缺陷，提供一种主动式输出反激过压保护电路。

其技术方案如下：

一种反激过压保护电路，包括电源模块、变压模块、直流整流滤波模块、开关模块、控制模块和反馈模块，所述变压模块包括输入绕组和输出绕组，且所述输入绕组和输出绕组相互感应；所述输入绕组的同名端与所述电源模块的输出端连接、所述输入绕组的异名端与所述开关模块的输入端连接，所述控制模块的输入端与所述开关模块的输出端连接，所述控制模块的输出端与开关模块的控制端连接，且所述开关模块的输出端接地；所述输出绕组的异名端与所述直流整流滤波模块连接，所述输出绕组的同名端接地；所述反馈模块的输入端连接所述直流整流滤波模块，所述反馈模块的输出端与所述控制模块连接；所述控制模块包括脉宽调制芯片、采样电阻、定时电阻和定时电容，所述脉宽调制芯片的电压采样端和所述开关模块的输出端均连接所述采样电阻的一端，所述采样电阻的另一端接地；所述定时电阻和定时电容串联连接，所述脉宽调制芯片的定时端与所述定时电阻和定时电容的公共端连接，所述定时电阻的另一端与所述脉宽调制芯片的基准电压端连接，所述定时电容的另一端接地，所述脉宽调制芯片的接地端接地；所述脉宽调制芯片的输出端与所述开关模块的控制端连接，所述脉宽调制芯片的电源端与所述电源模块的输出端连接；所述变压模块还包括反馈绕组、第一电阻、第一二极管、第一电容和稳压管，所述反馈绕组感应所述输出绕组的电压，所述反馈绕组的异名端与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述第一电阻的一端连接，所述反馈绕组的同名端接地，所述第一电阻的另一端与所述稳压管的阴极和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述反馈绕组的同名端连接，所述电源模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端均与所述稳压管的阳极连接。

下面对进一步技术方案进行说明：

所述直流整流滤波模块包括第二二极管和第一滤波电容，所述第二二极管的正极与所述输出绕组的异名端连接，所述第二二极管的负极为所述直流整流滤波模块的输出端，所述第一滤波电容一端与所述第二二极管的负极连接，所述第一滤波电容另一端接地。

所述直流整流滤波模块还包括第二电阻、第二滤波电容、第一滤波电感、第三滤波电容和第三电阻；所述第二电阻的两端分别与所述第二二极管的正极和所述第二滤波电容的一端连接，所述第二滤波电容的另一端与所述第二二极管的负极连接；所述第一滤波电感的两端分别与所述第一滤波电容的正极和所述第三滤波电容的一端连接，所述第三滤波电容的另一端与所述第一滤波电容的负极连接；所述第三电阻与所述第三滤波电容并联。

所述开关模块包括N沟道MOSFET、偏置电阻和第一限流电阻，所述N沟道MOSFET的漏极为所述开关模块的输入端，所述N沟道MOSFET的源极为所述开关模块的输出端，所述N沟道MOSFET的栅极为所述开关模块的控制端，且所述N沟道MOSFET的栅极通过所述第一限流电阻与所述脉宽调制芯片的输出端连接，所述偏置电阻连接在所述N沟道MOSFET的栅极和源极之间。

所述开关模块还包括第四滤波电容，所述第四滤波电容的两端分别与所述N沟道MOSFET的漏极和源极连接。

所述控制模块包括滤波单元，所述滤波单元包括滤波电阻和第五滤波电容，所述滤波电阻的两端分别连接所述开关模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端；所述第五滤波电容的一端连接所述脉宽调制芯片的电压采样端，另一端接地。

所述反馈模块包括光耦、控制芯片、第二限流电阻、第一分压电阻和第二分压电阻；所述光耦包括发射器和接收器，所述发射器的输入端通过所述第二限流电阻与所述直流整流滤波模块的输出端连接，所述发射器的输出端与所述控制芯片的输入端连接，所述接收器的输入端与所述脉宽调制芯片的频率补偿端连接，所述接收器的输出端接地；所述第一分压电阻和第二分压电阻串联连接，所述控制芯片的控制端与所述第一分压电阻和第二分压电阻的公共端连接，所述第一分压电阻的另一端与所述直流整流滤波模块的输出端连接，所述第二分压电阻的另一端接地，所述控制芯片的输出端接地；所述控制芯片在直流输出电压高于其电压阈值时导通。

所述反馈模块还包括补偿电容和第六滤波电容；所述补偿电容的两端分别与所述控制芯片的输入端和控制端连接，所述第六滤波电容与所述第二分压电阻并联连接。

所述电源模块包括第七滤波电容、第八滤波电容、第二滤波电感、第三二极管、第四二极管、第四电阻、第五电阻和三极管；所述第七滤波电容一端与电压输入端连接，另一端接地；所述第二滤波电感输入端与电压输入端连接，输出端与所述第八滤波电容一端连接，所述第八滤波电容另一端接地；所述第三二极管、第四二极管和第四电阻串联连接，且与所述第八滤波电容并联连接，所述第三二极管的正极与所述第八滤波电容一端连接，所述第四电阻一端与所述第八滤波电容另一端连接；所述第五电阻一端与所述第三二极管的正极连接，另一端与所述三极管的发射极连接，所述三极管的基极与所述第四二极管的负极连接，所述三极管的集电极与所述稳压管的阴极及所述脉宽调制芯片的电源端连接。

下面对前述技术方案的原理、效果等进行说明：

在电路中添加稳压管，用于主动输出的过压保护；电路中反馈绕组正比于输出绕组，当电路的输出电压升高时，反馈绕组能感应到输出绕组输出电压的抬升，于是，反馈绕组一端的电压就会升高；即稳压管阴极与反馈绕组的高压端连接，所以，稳压管的阴极电压升高。通过选定合理的稳压管的稳压参数，能确保在一定的电压时击穿稳压管，电流从稳压管的阴极流往稳压管的阳极，并经过滤波电阻和采样电阻接地；当稳压管被击穿之后，会保持电压不变，从稳压管过来的电流抬升了滤波电阻和采样电阻的电压，即所述脉宽调制芯片的电压采样端的电位上升；电压信号由电压采样端送到脉宽调制芯片内部的误差放大器，与内部的基准电压进行比较，产生的误差信号送到脉宽调制芯片内部的脉宽调制电路，完成脉冲宽度的调制，最终促使脉宽调制芯片的输出端关闭电压输出，从而关断变压器的输入绕组的电压输入，变压器失去了原边的能量输入，自然就抑制了输出电压的进一步上升从而达到保护后级电路的目的。

附图说明

图1是本实用新型反激过压保护电路的电路原理图；

图2是脉宽调制芯片UC3843的内部原理框图。

附图标记说明：

100.反激过压保护电路，110.电源模块，120.变压模块，140.开关模块，130.直流整流滤波模块，150.反馈模块，160.控制模块，162.滤波单元，210.误差放大器，220.比较器，230.PWM锁存器。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细说明：

如图1所示，一种反激过压保护电路100，包括电源模块110；变压模块120，用于对电源模块110输出的整流滤波电压进行降压；直流整流滤波模块130，用于对降压后的整流滤波电压进行整流滤波、且从直流整流滤波模块130的输出端输出直流输出电压；开关模块140，用于对整流滤波模块进行开关控制，从而获取稳定的电压值；反馈模块150，用于采集直流输出电压；以及控制模块160。变压模块120包括输入绕组T1Aa-b和输出绕组T1Ae-f，且输入绕组T1Aa-b和输出绕组T1Ae-f相互感应；输入绕组T1Aa-b的同名端T1Aa与电源模块110的输出端连接、输入绕组T1Aa-b的异名端T1Ab与开关模块140的输入端连接，控制模块160的输入端与开关模块140的输出端连接，控制模块160的输出端与开关模块140的控制端连接，且开关模块140的输出端接地；输出绕组T1Ae-f的异名端T1Ae与直流整流滤波模块130连接，输出绕组T1Ae-f的同名端T1Af接地。反馈模块150的输入端连接直流整流滤波模块130，反馈模块150的输出端与控制模块160连接，反馈模块150在直流输出电压高于电压阈值时发送反馈信号，使频率补偿端COMP的电位被拉低。控制模块160包括脉宽调制芯片U1、采样电阻R5、定时电阻R11和定时电容C4，如图2所示，脉宽调制芯片U1的电压采样端Ics和开关模块140的输出端均连接采样电阻R5的一端，采样电阻R5的另一端接地；定时电阻R11和定时电容C4串联连接，脉宽调制芯片U1的定时端RT/CT与定时电阻R11和定时电容C4的公共端连接，定时电阻R11的另一端与脉宽调制芯片U1的基准电压端Verf连接，定时电容C4的另一端接地，脉宽调制芯片U1的接地端Gnd接地；脉宽调制芯片U1的输出端Output与开关模块140的控制端连接，脉宽调制芯片U1的电源端Vcc与电源模块110的输出端连接。本实施例中的脉宽调制芯片U1的型号为UC3843。

变压模块120还包括反馈绕组T1Bc-d、第一电阻R10、第一二极管D4、第一电容C9和稳压管ZE1，反馈绕组T1Bc-d感应输出绕组T1Ae-f的电压，反馈绕组T1Bc-d的异名端T1Bc与第一二极管D4的正极连接，第一二极管D4的负极与第一电阻R10的一端连接，反馈绕组T1Bc-d的同名端T1Bd接地，第一电阻R10的另一端与稳压管ZE1的阴极和第一电容C9的一端连接，第一电容C9的另一端与反馈绕组T1Bc-d的同名端T1Bd连接，电源模块110的输出端和脉宽调制芯片U1的电压采样端Ics均与稳压管ZE1的阳极连接。反馈绕组T1Bc-d中感应的电压经过第一电阻R10、第一二极管D4和第一电容C9的作用后接到脉宽调制芯片U1的电源端Vcc为脉宽调制芯片U1提供工作电压。

在电路中添加稳压管ZE1，用于主动输出的过压保护；电路中反馈绕组T1Bc-d正比于输出绕组T1Ae-f，当电路的输出电压升高时，反馈绕组T1Bc-d能感应到输出绕组T1Ae-f输出电压的抬升，于是，反馈绕组T1Bc-d异名端T1Bc的电压就会升高；即稳压管ZE1阴极与反馈绕组T1Bc-d的异名端T1Bc连接，所以，稳压管ZE1的阴极电压升高。通过选定合理的稳压管ZE1的稳压参数，能确保在一定的电压时击穿稳压管ZE1，电流从稳压管ZE1的阴极流往稳压管ZE1的阳极，并经过滤波电阻和采样电阻R5接地；当稳压管ZE1被击穿之后，会保持电压不变，从稳压管ZE1过来的电流抬升了滤波电阻和采样电阻R5的电压，即脉宽调制芯片U1的电压采样端Ics的电位上升；脉宽调制芯片U1将电压采样端Ics采样得到的信号和频率补偿端COMP的电压分别输入内部的比较器220进行比较，并将比较结果输入内部的PWM锁存器230，输出PWM信号并由脉宽调制芯片U1的输出端Output输出，最终促使脉宽调制芯片U1的输出端Output关闭电压输出，从而关断变压器的输入绕组T1Aa-b的电压输入，变压器失去了原边的能量输入，自然就抑制了输出电压的进一步上升从而达到保护后级电路的目的。其中，误差放大器210一端与脉宽调制芯片U1的电压反馈端FB连接，且脉宽调制芯片U1的电压反馈端FB接地。

如图1所示，在其中一个实施例中，直流整流滤波模块130包括第二二极管D1和第一滤波电容C11，第二二极管D1的正极与输出绕组T1Ae-f的异名端T1Ae连接，第二二极管D1的负极为直流整流滤波模块130的输出端，第一滤波电容C11一端与第二二极管D1的负极连接，第一滤波电容C11另一端接地。经直流整流滤波模块130整流、滤波后的电流，可将正负变化的交流电压变为单向脉动电压，并使电源的波动显著性减小，可满足电流比较稳恒的用电器的用电要求。

在其中一个实施例中，直流整流滤波模块130还包括第二电阻R15、第二滤波电容C8、第一滤波电感L1、第三滤波电容C12和第三电阻RD；第二电阻R15的两端分别与第二二极管D1的正极和第二滤波电容C8的一端连接，第二滤波电容C8的另一端与第二二极管D1的负极连接；第一滤波电感L1的两端分别与第一滤波电容C11的正极和第三滤波电容C12的一端连接，第三滤波电容C12的另一端与第一滤波电容C11的负极连接；第三电阻RD与第三滤波电容C12并联；进一步保证交流电压变为单向脉动电压和电源的波动减小。

如图1所示，在其中一个实施例中，开关模块140包括N沟道MOSFET TR1、偏置电阻R12和第一限流电阻R3，N沟道MOSFET TR1的漏极为开关模块140的输入端，N沟道MOSFET TR1的源极为开关模块140的输出端，N沟道MOSFET TR1的栅极为开关模块140的控制端，且N沟道MOSFET TR1的栅极通过第一限流电阻R3与脉宽调制芯片U1的输出端Output连接，偏置电阻R12连接在N沟道MOSFET的栅极和源极之间。脉宽调制芯片U1的输出端Output输出PWM信号控制N沟道MOSFET TR1的导通和关断，从而控制变压器的通断状态。

开关模块140还包括第四滤波电容C10，第四滤波电容C10的两端分别与N沟道MOSFET TR1的漏极和源极连接。

在其中一个实施例中，控制模块160包括滤波单元162，滤波单元162包括滤波电阻R13和第五滤波电容C5，滤波电阻R13的两端分别连接开关模块140的输出端和脉宽调制芯片U1的电压采样端Ics；第五滤波电容C5的一端连接脉宽调制芯片U1的电压采样端Ics，另一端接地。

如图1所示，在其中一个实施例中，反馈模块150包括光耦U3、控制芯片U2、第二限流电阻R8、第一分压电阻R7和第二分压电阻R4。本实施例中控制芯片U2采用TL431芯片，控制芯片U2的参考端为控制开关的控制端，控制芯片U2的阴极为控制开关的输入端，控制芯片U2的阳极为控制开关的输出端。光耦U3包括发射器U3A和接收器U3B，发射器U3A的输入端通过第二限流电阻R8与直流整流滤波模块的输出端连接，发射器U3A的输出端与控制芯片U2的输入端连接，接收器U3B的输入端与脉宽调制芯片U1的频率补偿端COMP连接，接收器U3B的输出端接地；第一分压电阻R7和第二分压电阻R4串联连接，控制芯片U2的控制端与第一分压电阻R7和第二分压电阻R4的公共端连接，第一分压电阻R7的另一端与直流整流滤波模块的输出端连接，第二分压电阻R4的另一端接地，控制芯片U2的输出端接地；控制芯片U2在直流输出电压高于其电压阈值时导通。

假设第一分压电阻R7的阻值为Ra，第二分压电阻R4的阻值为Rb，当直流整流滤波模块的输出端输出的直流输出电压大于2.5（Ra+Rb）/Rb时，控制芯片U2导通，光耦U3的发射器U3A发光使接收器导通，脉宽调制芯片U1的频率补偿端COMP电位被拉低，使得脉宽调制芯片U1输出的PWM信号脉宽变窄，开关电路的导通时间变短，直流输出电压随负载的工作变低，直到直流输出电压低于设定的电压阈值即2.5（Ra+Rb）/Rb。

本实施例中脉宽调制芯片U1的频率补偿端COMP可直接通过接收器接地，即接收器与补偿端COMP之间、接收器与地线之间不连接电阻等其它元器件，当接收器导通后使得频率补偿端COMP电位能够快速拉低，使过流保护反应更加灵敏。

在其中一个实施例中，反馈模块150还包括补偿电容C22和第六滤波电容CR4；补偿电容C22的两端分别与控制芯片U2的输入端和控制端连接，第六滤波电容CR4与第二分压电阻R4并联连接。

如图1所示，电源模块110包括第七滤波电容C0、第八滤波电容C1、第二滤波电感L0、第三二极管D3、第四二极管D5、第四电阻R2、第五电阻R1和三极管Q1。第七滤波电容C0一端与电压输入端连接，另一端接地；第二滤波电感L0输入端与电压输入端连接，输出端与第八滤波电容C1一端连接，第八滤波电容C1另一端接地；第三二极管D3、第四二极管D5和第四电阻R2串联连接，且与第八滤波电容C1并联连接，第三二极管D3的正极与第八滤波电容C1一端连接，第四电阻R2一端与第八滤波电容C1另一端连接；第五电阻R1一端与第三二极管D3的正极连接，另一端与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的基极与第四二极管D5的负极连接，三极管Q1的集电极与稳压管ZE1的阴极及脉宽调制芯片U1的电源端Vcc连接。一方面对输入电压可进行整流滤波，另一方面三极管Q1可根据输入电压的高低控制三极管Q1是否导通，从而控制脉宽调制芯片U1电源端Vcc是否与电源模块110接通。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种反激过压保护电路，包括电源模块、变压模块、直流整流滤波模块、开关模块、控制模块和反馈模块，所述变压模块包括输入绕组和输出绕组，且所述输入绕组和输出绕组相互感应；所述输入绕组的同名端与所述电源模块的输出端连接、所述输入绕组的异名端与所述开关模块的输入端连接，所述控制模块的输入端与所述开关模块的输出端连接，所述控制模块的输出端与开关模块的控制端连接，且所述开关模块的输出端接地；所述输出绕组的异名端与所述直流整流滤波模块连接，所述输出绕组的同名端接地；所述反馈模块的输入端连接所述直流整流滤波模块，所述反馈模块的输出端与所述控制模块连接；其特征在于，所述控制模块包括脉宽调制芯片、采样电阻、定时电阻和定时电容，所述脉宽调制芯片的电压采样端和所述开关模块的输出端均连接所述采样电阻的一端，所述采样电阻的另一端接地；所述定时电阻和定时电容串联连接，所述脉宽调制芯片的定时端与所述定时电阻和定时电容的公共端连接，所述定时电阻的另一端与所述脉宽调制芯片的基准电压端连接，所述定时电容的另一端接地，所述脉宽调制芯片的接地端接地；所述脉宽调制芯片的输出端与所述开关模块的控制端连接，所述脉宽调制芯片的电源端与所述电源模块的输出端连接；所述变压模块还包括反馈绕组、第一电阻、第一二极管、第一电容和稳压管，所述反馈绕组感应所述输出绕组的电压，所述反馈绕组的异名端与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述第一电阻的一端连接，所述反馈绕组的同名端接地，所述第一电阻的另一端与所述稳压管的阴极和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述反馈绕组的同名端连接，所述电源模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端均与所述稳压管的阳极连接。

2.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述直流整流滤波模块包括第二二极管和第一滤波电容，所述第二二极管的正极与所述输出绕组的异名端连接，所述第二二极管的负极为所述直流整流滤波模块的输出端，所述第一滤波电容一端与所述第二二极管的负极连接，所述第一滤波电容另一端接地。

3.根据权利要求2所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述直流整流滤波模块还包括第二电阻、第二滤波电容、第一滤波电感、第三滤波电容和第三电阻；所述第二电阻的两端分别与所述第二二极管的正极和所述第二滤波电容的一端连接，所述第二滤波电容的另一端与所述第二二极管的负极连接；所述第一滤波电感的两端分别与所述第一滤波电容的正极和所述第三滤波电容的一端连接，所述第三滤波电容的另一端与所述第一滤波电容的负极连接；所述第三电阻与所述第三滤波电容并联。

4.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述开关模块包括N沟道MOSFET、偏置电阻和第一限流电阻，所述N沟道MOSFET的漏极为所述开关模块的输入端，所述N沟道MOSFET的源极为所述开关模块的输出端，所述N沟道MOSFET的栅极为所述开关模块的控制端，且所述N沟道MOSFET的栅极通过所述第一限流电阻与所述脉宽调制芯片的输出端连接，所述偏置电阻连接在所述N沟道MOSFET的栅极和源极之间。

5.根据权利要求4所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述开关模块还包括第四滤波电容，所述第四滤波电容的两端分别与所述N沟道MOSFET的漏极和源极连接。

6.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述控制模块包括滤波单元，所述滤波单元包括滤波电阻和第五滤波电容，所述滤波电阻的两端分别连接所述开关模块的输出端和所述脉宽调制芯片的电压采样端；所述第五滤波电容的一端连接所述脉宽调制芯片的电压采样端，另一端接地。

7.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述反馈模块包括光耦、控制芯片、第二限流电阻、第一分压电阻和第二分压电阻；所述光耦包括发射器和接收器，所述发射器的输入端通过所述第二限流电阻与所述直流整流滤波模块的输出端连接，所述发射器的输出端与所述控制芯片的输入端连接，所述接收器的输入端与所述脉宽调制芯片的频率补偿端连接，所述接收器的输出端接地；所述第一分压电阻和第二分压电阻串联连接，所述控制芯片的控制端与所述第一分压电阻和第二分压电阻的公共端连接，所述第一分压电阻的另一端与所述直流整流滤波模块的输出端连接，所述第二分压电阻的另一端接地，所述控制芯片的输出端接地；所述控制芯片在直流输出电压高于其电压阈值时导通。

8.根据权利要求7所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述反馈模块还包括补偿电容和第六滤波电容；所述补偿电容的两端分别与所述控制芯片的输入端和控制端连接，所述第六滤波电容与所述第二分压电阻并联连接。

9.根据权利要求1所述的反激过压保护电路，其特征在于，所述电源模块包括第七滤波电容、第八滤波电容、第二滤波电感、第三二极管、第四二极管、第四电阻、第五电阻和三极管；所述第七滤波电容一端与电压输入端连接，另一端接地；所述第二滤波电感输入端与电压输入端连接，输出端与所述第八滤波电容一端连接，所述第八滤波电容另一端接地；所述第三二极管、第四二极管和第四电阻串联连接，且与所述第八滤波电容并联连接，所述第三二极管的正极与所述第八滤波电容一端连接，所述第四电阻一端与所述第八滤波电容另一端连接；所述第五电阻一端与所述第三二极管的正极连接，另一端与所述三极管的发射极连接，所述三极管的基极与所述第四二极管的负极连接，所述三极管的集电极与所述稳压管的阴极及所述脉宽调制芯片的电源端连接。

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