CN209992566U - 一种光耦隔离输入电压欠压检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，包括电阻R4、电阻R5、电压检测芯片X1和光耦U1，其特征在于，所述电阻R4的一端连接电阻R1和电压输入端POWER，电阻R4的另一端连接电阻R5、电容C1、二极管D1和电压检测芯片X1的脚1，电压检测芯片X1的脚3连接电容C2、二极管D2的阴极、电阻R1的另一端、电阻R2的另一端和光耦U1的脚1，本实用新型光耦隔离输入电压欠压检测电路采用电阻分压的方式，通过高集成电压检测芯片和光电耦合器进行隔离采样，当检测的电压超过设定值时，光电耦合器将信号反馈到后级电压检测端口。和现有技术相比，高集成电压检测芯片具有较高精度，较好的温度稳定性，输出为门电路。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种检测电路，具体是一种光耦隔离输入电压欠压检测电路。
背景技术
通常输入电压检测是通过输入电压电阻分压后再通过光耦隔离输出驱动后级电路来实现的，如图1所示，输入电压就绪，其中R1,R2为输入分压电路，U1为光耦，R3为Q1提供偏置以驱动后级电路。
但是此类设计存在受温度、器件偏差如光耦U1，三极管Q1放大倍数等影响，输入电压检测精度不理想。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，以解决所述背景技术中提出的问题。
为实现所述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，包括电阻R4、电阻R5、电压检测芯片X1和光耦U1，其特征在于，所述电阻R4的一端连接电阻R1和电压输入端POWER，电阻R4的另一端连接电阻R5、电容C1、二极管D1和电压检测芯片X1的脚1，电压检测芯片X1的脚3连接电容C2、二极管D2的阴极、电阻R1的另一端、电阻R2的另一端和光耦U1的脚1，光耦U1的脚2连接电容C1的另一端、电容C2的另一端、二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、电阻R5的另一端、电压检测芯片X1的脚2和地，光耦U1的脚3连接三极管Q1的基极和电阻R3，三极管Q1的集电极连接信号输出端VIN_DET，三极管Q1的发射极连接光耦U1的脚4和地。
作为本实用新型再进一步的方案：所述电压检测芯片X1采用所述电压检测芯片X1的型号为BD48XX系列电压检测芯片。
作为本实用新型再进一步的方案：所述光耦U1的型号为TLP291。
作为本实用新型再进一步的方案：所述电阻R4和电阻R5组成第一电压检测模块。
作为本实用新型再进一步的方案：所述电阻R1和电阻R2组成第二电压检测模块。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型光耦隔离输入电压欠压检测电路采用电阻分压的方式，通过高集成电压检测芯片和光电耦合器进行隔离采样，当检测的电压超过设定值时，光电耦合器将信号反馈到后级电压检测端口。和现有技术相比，高集成电压检测芯片具有较高精度，较好的温度稳定性，输出为门电路。
附图说明
图1为现有技术电路图。
图2为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1：请参阅图1-2，一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，包括电阻R4、电阻R5、电压检测芯片X1和光耦U1，所述电阻R4的一端连接电阻R1和电压输入端POWER，电阻R4的另一端连接电阻R5、电容C1、二极管D1和电压检测芯片X1的脚1，电压检测芯片X1的脚3连接电容C2、二极管D2的阴极、电阻R1的另一端、电阻R2的另一端和光耦U1的脚1，电容C1和电容C2均为滤波电容，二极管D2为稳压二极管，光耦U1的脚2连接电容C1的另一端、电容C2的另一端、二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、电阻R5的另一端、电压检测芯片X1的脚2和地，光耦U1的脚3连接三极管Q1的基极和电阻R3，三极管Q1的集电极连接信号输出端VIN_DET，三极管Q1的发射极连接光耦U1的脚4和地。电路采用电阻分压的方式，由电阻R4和电阻R5采集电压，通过高集成电压检测芯片X1进行电压检测后，再经过光电耦合器进行隔离采样，当检测的电压超过设定值时，光电耦合器将信号反馈到后级电压检测端口。
实施例2：在实施例1的基础上，本设计的电压检测芯片X1采用所述电压检测芯片X1的型号为BD48XX系列电压检测芯片。光耦U1的型号为TLP291，上述两种芯片不仅体积小，而且成本低，性能稳定，适用于本设计使用。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (5)
1.一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，包括电阻R4、电阻R5、电压检测芯片X1和光耦U1，其特征在于，所述电阻R4的一端连接电阻R1和电压输入端POWER，电阻R4的另一端连接电阻R5、电容C1、二极管D1和电压检测芯片X1的脚1，电压检测芯片X1的脚3连接电容C2、二极管D2的阴极、电阻R1的另一端、电阻R2的另一端和光耦U1的脚1，光耦U1的脚2连接电容C1的另一端、电容C2的另一端、二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、电阻R5的另一端、电压检测芯片X1的脚2和地，光耦U1的脚3连接三极管Q1的基极和电阻R3，三极管Q1的集电极连接信号输出端VIN_DET，三极管Q1的发射极连接光耦U1的脚4和地。
2.根据权利要求1所述的一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，其特征在于，所述电压检测芯片X1采用BD48XX系列电压检测芯片。
3.根据权利要求1所述的一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，其特征在于，所述光耦U1的型号为TLP291。
4.根据权利要求1所述的一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，其特征在于，所述电阻R4和电阻R5组成第一电压检测模块。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种光耦隔离输入电压欠压检测电路，其特征在于，所述电阻R1和电阻R2组成第二电压检测模块。
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|---|---|---|---|---|
| CN111736088A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-10-02 | 深圳市厚石网络科技有限公司 | 一种电源状态指示电路 |
| WO2023050157A1 (en) * | 2021-09-29 | 2023-04-06 | Tridonic Gmbh & Co Kg | Voltage information detecting circuit, power supply circuit, driving circuit and voltage information detecting method |
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2019
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