CN214675108U - 一种基于ldo的功放上电保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种基于LDO的功放上电保护电路，其特征在于，包括：正LDO电源芯片U1，其输入Vin引脚接供电+VCC，接地GND引脚连接公共端GND，输入Vin引脚和接地GND引脚之间连接有电容C1；正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚连接功放供电的正电压端V+；光耦合器U2，其4引脚连接供电+VCC，3引脚连接正LDO电源芯片U1的使能EN引脚，2引脚通过电阻R1连接功放供电的负电压端V‑，1引脚连接公共端GND和电容C3一端，电容C3另一端连接功放供电的负电压端V‑。相较与传统的功放上电保护电路，实现方式简单，元器件数量少，成本低，形式简单，可提高电路工作稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉射频微波技术领域，尤其与一种基于LDO的功放上电保护电路有关。
背景技术
功放是无线通信系统中最关键的部件之一，随着微波固态器件和无线通信系统的快速发展，其对功放的效率指标等要求越来越高，其性能在整个发射机中占据着重要的地位，其输出功率决定无线信号传输的距离，而其效率又关系着整个无线通信机的耗能大小。
基于GaAs/GaN技术的功放拥有高功率、高效率、低噪声的优良性能，并且可以使前端系统既满足小型化、高集成度、低成本的需求。而大功率的GaAs/GaN功放是由栅极负电压控制漏极的大电流，要求负电压在正电压之前加载到功放上，使得功放的电流在额定范围内，否则，加载到功放上面的电流不受控制，过大的电流会烧毁功放芯片。然而现有的功放上电保护电路，结构复杂，元器件数量多，且可靠性低，所以需要实现更简单更通用的功放上电保护电路。
实用新型内容
为解决上述相关现有技术不足，本实用新型提供一种基于LDO的功放上电保护电路，电路实现简单，集成度高，可以直接用在功放的供电链路中。
为了实现本实用新型的目的，拟采用以下方案：
一种基于LDO的功放上电保护电路，其特征在于，包括：
正LDO电源芯片U1，其输入Vin引脚接供电+VCC，接地GND引脚连接公共端GND，输入Vin引脚和接地GND引脚之间连接有电容C1；正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚连接功放供电的正电压端V+；
光耦合器U2，其四引脚连接供电+VCC，三引脚连接正LDO电源芯片U1的使能EN引脚，二引脚通过电阻R1连接功放供电的负电压端V-，一引脚连接公共端GND和电容C3一端，电容C3另一端连接功放供电的负电压端V-；
正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚还通过电容C2连接公共端GND；
光耦合器U2的三引脚还通过电阻R2连接公共端GND。
本实用新型的有益效果在于：
与现有技术相比，本申请中有电源负电压输入后，光耦合器中的发光二极管导通，导致光耦合器正常工作，光耦合器的三引脚和四引脚通过光的作用导通，正LDO电源芯片使能EN引脚逻辑为高，即正LDO电源芯片输出正常；本申请电路结构简单，元器件数量少，成本低，电路工作稳定性高。
附图说明
图1为现有技术一种功放上电保护电路结构示意图。
图2为本申请实施例的功放上电保护电路结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型的实施方式进行详细说明，但本实用新型所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
功放对电源输出噪声和负载瞬态响应有严格的性能要求，因此会专门使用LDO电源芯片，LDO电源芯片拥有比开关电源芯片更高的电源抑制比和更低的噪声，LDO电源芯片通常用在开关电源芯片的后级，通过开关电源芯片将大电压转化为略高于LDO电源芯片输入的电压，再经过LDO电源芯片将电压稳定到功放的额定电压，既能降低功放芯片整个链路的噪声，又能提高功放的瞬态响应。
本申请实施例正是对LDO电源芯片输出控制进行改进，通过几个元器件实现功放上电保护电路。
如图2所示，本申请实施例提供的一种基于LDO的功放上电保护电路，包括：正LDO电源芯片U1、光耦合器U2、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3等。
正LDO电源芯片U1的输入Vin引脚接供电+VCC，接地GND引脚连接公共端GND，输入Vin引脚和接地GND引脚之间连接有电容C1；正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚连接功放供电的正电压端V+；光耦合器U2的四引脚连接供电+VCC，三引脚连接正LDO电源芯片U1的使能EN引脚，二引脚通过电阻R1连接功放供电的负电压端V-，一引脚连接公共端GND和电容C3一端，电容C3另一端连接功放供电的负电压端V-；正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚还通过电容C2连接公共端GND；光耦合器U2的三引脚还通过电阻R2连接公共端GND。
具体的，电容C1连接在正LDO电源芯片U1的输入Vin引脚和公共端GND之间，电容C2连接在正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚和公共端GND之间，电容3连接在功放供电的负电压端V-和公共端GND之间，电阻R1连接在光耦合器U1的二引脚和功放供电的负电压端V-之间，电阻R2连接在光耦合器U2的三引脚和公共端GND之间。
电阻R1为限流电阻，用于当功放供电的负电压端V-没有上电的时候，光耦合器U2没有工作，光耦合器U2的四引脚通过电阻R2下拉到GND，则正LDO电源芯片U1的使能EN引脚逻辑为低，即正LDO电源芯片U1没有工作，功放供电的正电压端V+没有电压；当功放供电的负电压端V-上电的时候，光耦合器U2中的发光二极管导通，导致光耦合器U2正常工作，所以光耦合器U2的三引脚和四引脚通过光的作用导通，光耦合器U2的三引脚只比四引脚电压低一点，那么正LDO电源芯片U1的使能EN引脚逻辑为高，即正LDO电源芯片U1正常工作。从而，使得只有功放供电的负电压端V-上电正常了，功放供电的正电压端V+才能上电，避免因功放供电电流过大而没有限制导致烧毁。
本申请实施例与如图1所示的现有技术方案相比，实现方式更加简单，元器件数量少，成本低，电路工作稳定性高。
作为进一步的替换实施方式，将本实例的光耦合器U1用三极管MOS管等替代，也可以实现同样的功能。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不表示是唯一的或是限制本实用新型。本领域技术人员应理解，在不脱离本实用新型的范围情况下，对本实用新型进行的各种改变或同等替换，均属于本实用新型保护的范围。
Claims (3)
1.一种基于LDO的功放上电保护电路，其特征在于，包括：
正LDO电源芯片U1，其输入Vin引脚接供电+VCC，接地GND引脚连接公共端GND，输入Vin引脚和接地GND引脚之间连接有电容C1；正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚连接功放供电的正电压端V+；
光耦合器U2，其4引脚连接供电+VCC，3引脚连接正LDO电源芯片U1的使能EN引脚，2引脚通过电阻R1连接功放供电的负电压端V-，1引脚连接公共端GND和一电容C3一端，电容C3另一端连接功放供电的负电压端V-。
2.根据权利要求1所述的基于LDO的功放上电保护电路，其特征在于，正LDO电源芯片U1的输出Vout引脚还通过电容C2连接公共端GND。
3.根据权利要求1所述的基于LDO的功放上电保护电路，其特征在于，光耦合器U2的3引脚还通过电阻R2连接公共端GND。
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| CN202121090116.0U CN214675108U (zh) | 2021-05-20 | 2021-05-20 | 一种基于ldo的功放上电保护电路 |
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2021
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