CN218678419U - 一种基于uc3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路 - Google Patents
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Abstract
一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,为了解决现有方案其启机和关断的压差较大,欠压电点的精度较差,实现成本高,无法实现隔离控制,应用场景单一的问题,本实用新型通过电阻R1、电阻R3与Vin串联,电容C1与电阻R3并联后接在TL431的基准级端,电阻R2、二极管D1并联于TL43,电阻R4、U1、U3通过串联与接入电压Vin相连,U2的Vref通过电阻R5、光耦U1连接三极管Q2,电阻R7并联于三极管Q2,U2的Vref通过电阻R6、三极管Q2接入到U2的Is,达到了在满足高精度的同时,尽可能少的使用器件,极大减少电路成本,还可以用于远程隔离控制,应用场景多样的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种欠压保护电路,具体涉及一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路。
背景技术
UC3842广泛用于反激电路作为PMW发生器,其成本低廉,工作稳定,由于是很早之前开发的产品,自身功能不够完善,欠压保护功能局限,导致在一些精度要求比较高的情况下,无法满足设计要求,基于此,本实用新型提供一种欠压保护电路用于监测输入电压,防止开关电源在低压下工作异常。其原理为:当电源电压高于设定的工作电压时,欠压保护电路不工作,UC3842正常输出PWM波,开关电源正常工作;当供电电压低于设定的工作电压时电压时,欠压保护电路工作,UC3842停止输出PWM波,开关电源无输出,直到供电电压高于设定的工作电压时,开关电源恢复正常工作。
目前基于UC3842的欠压保护电路主要有:
1.通过拉低UC3842的VCC引脚进行关断,该方案UC3842的工作状态其具有如下缺点:VCC脚同时是IC的供电脚,其启机和关断的压差较大,欠压电点的精度较差;
2.通过运放拉低UC3842的COMP脚进行关断,该方案UC3842的工作状态其具有如下缺点:运放需要额外的基准源,器件需求多,占用的空间大,实现成本高;无法实现隔离控制,应用场景单一;
综上,现在亟需一种新的欠压保护电路,克服上述传统欠压保护电路的缺点。因此开发一种低成本,高可靠,可适用于多种应用场合的电路显得很有必要。
实用新型内容
为了克服上述电路的缺点,本实用新型提供一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,在满足高精度的同时,尽可能少的使用器件,极大减少电路成本,还可以用于远程隔离控制,应用场景多样。
本实用新型的技术方案是:一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,包括UC3842芯片U2、光耦U1、可控精密稳压源U3、二极管D1、三极管Q2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7;
输入电压Vin连接电阻R1与电阻R4,所述电阻R4连接光耦U1,所述光耦U1一端连接可控精密稳压源U3的阴极、二极管D1,所述电阻R1连接电阻R3,所述二极管D1连接电阻R2,所述电阻R2连接至电阻R1与电阻R3之间,所述可控精密稳压源U3的基准级端连接电容C1与电阻R3,所述可控精密稳压源U3、电容C1、电阻R3接地;
所述光耦U1另一端连接电阻R5、电阻R7、三极管Q2的基极,所述电阻R7一端接地,一端连接三极管Q2的基极,所述三极管Q2的射极连接电阻R6、所述三极管Q2的集电极连接芯片U2的电流反馈引脚,所述电阻R5、电阻R6连接芯片U2的基准电压输出脚,所述芯片U2接地。
所述三极管Q2为PNP三极管。
所述光耦U1为PC817。
所述芯片U2为UC3842。
所述可控精密稳压源U3为TL431。
本实用新型具有如下特点。
(1)本实用新型提出来一种可以隔离控制UC3842工作的技术方案,电路可靠性高的同时对PCB单元功能布局的要求大大降低。
(2)本实用新型提出了一种可以不需要运放就可以实现回差的欠压保护电路,R2,D1可以保证欠压点和开启点不是同一电压值。
(3)本实用新型提出来一种可以稳定控制UC3842工作状态的方案,PNP三极管可以保证基级有mA级电流流过时,三极管Q2的基级电压Vbe大于三极管Q2的集电极电压Vc,三极管Q2处于截止状态,UC3842的电流反馈引脚Ic完全不受影响。
(4)本实用新型提出来一种只需少量器件就可以实现欠压保护的功能,减小了功能单元所占PCB的尺寸面积,同时节省了元器件数量,降低了成本。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图
具体实施方式
如图1所示,一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,包括芯片U2、光耦U1、可控精密稳压源U3、二极管D1、三极管Q2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7;
接入电压Vin连接电阻R1与电阻R4,所述电阻R4连接光耦U1,所述光耦U1一端连接可控精密稳压源U3的阴极、二极管D1,所述电阻R1连接电阻R3,所述二极管D1连接电阻R2,所述电阻R2连接至电阻R1与电阻R3之间,所述可控精密稳压源U3的基准级端连接电容C1与电阻R3,所述可控精密稳压源U3、电容C1、电阻R3接地;
所述光耦U1另一端连接电阻R5、电阻R7、三极管Q2的基极,所述电阻R7一端接地,一端连接三极管Q2的基极,所述三极管Q2的射极连接电阻R6、所述三极管Q2的集电极连接芯片U2的电流反馈引脚,所述电阻R5、电阻R6连接芯片U2的基准电压输出脚,所述芯片U2接地。
所述三极管Q2为PNP三极管。
所述光耦U1为PC817。
所述芯片U2为UC3842。
所述可控精密稳压源U3为TL431。
连接时:电阻R1、电阻R3为高精度电阻通过串联方式与接入电压Vin相连,电容C1与电阻R3并联后接在TL431的基准级端,电阻R2、二极管D1并联于TL431的基准极和阴极两端,电阻R4、光耦U1、可控精密稳压源U3通过串联与接入电压Vin相连,UC3842的基准电压输出脚Vref通过电阻R5、光耦U1连接在三极管Q2的基极,电阻R7并联于三极管Q2的基极,UC3842的基准电压输出脚Vref通过电阻R6、三极管Q2接入到UC3842的电流反馈引脚Is。
Vin为输入检测电压,电阻R1,电阻R3为分压电阻,电容C1为去耦电容,电阻R2,二极管D1为回差设计,电阻R4为限流电阻,VREF为UC3842的基准电压输出引脚,电阻R5为光耦输出限流电阻,电阻R7为下拉电阻,电阻R6为三极管集电极限流电阻,三极管Q2为PNP三极管,Is为UC3842的的电流反馈引脚。
工作时:通过检测电阻R1,电阻R2分压关系,当TL431引脚电压高于2.5V时,TL431阴阳极导通,光耦U1原边有电流流过,光耦U1副边处于导通状态,三极管Q2的基级电压Vbe大于三极管Q2的集电极电压Vc,三极管Q2处于截止状态,UC3842的电流反馈引脚Ic不受影响;
当TL431引脚电压小于2.5V时,TL431阴阳极处于截止状态,光耦U1原边无电流流过,光耦U1副边处于关断状态,三极管Q2的基级电压Vbe小于于三极管Q2的集电极电压Vc,三极管Q2处于导通状态,UC3842的电流反馈引脚Ic电压被抬高,触发UC3842内部过流保护。
以上所述,仅仅是本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本实用新型披露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
Claims (5)
1.一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,其特征在于:包括芯片U2、光耦U1、可控精密稳压源U3、二极管D1、三极管Q2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7;
接入电压Vin连接电阻R1与电阻R4,所述电阻R4连接光耦U1,所述光耦U1一端连接可控精密稳压源U3的阴极、二极管D1,所述电阻R1连接电阻R3,所述二极管D1连接电阻R2,所述电阻R2连接至电阻R1与电阻R3之间,所述可控精密稳压源U3的基准级端连接电容C1与电阻R3,所述可控精密稳压源U3、电容C1、电阻R3接地;
所述光耦U1另一端连接电阻R5、电阻R7、三极管Q2的基极,所述电阻R7一端接地,一端连接三极管Q2的基极,所述三极管Q2的射极连接电阻R6、所述三极管Q2的集电极连接芯片U2的电流反馈引脚,所述电阻R5、电阻R6连接芯片U2的基准电压输出脚,所述芯片U2接地。
2.如权利要求1所述的一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,其特征在于:所述三极管Q2为PNP三极管。
3.如权利要求1所述的一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,其特征在于:所述光耦U1为PC817。
4.如权利要求1所述的一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,其特征在于:所述芯片U2为UC3842。
5.如权利要求1所述的一种基于UC3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路,其特征在于:所述可控精密稳压源U3为TL431。
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CN202222764327.9U CN218678419U (zh) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 一种基于uc3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路 |
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CN202222764327.9U Active CN218678419U (zh) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 一种基于uc3842及系列芯片的隔离式欠压保护电路 |
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