CN212627147U - 一种应用于变频器的过电流保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种应用于变频器的过电流保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、光电耦合器和二极管，所述第一三极管和第二三极管均为PNP型三极管，所述第三三极管为NPN型三极管。本实用新型采用的电路简洁且器件价格较低，整体电路的成本较低，并且反应也比较灵敏，可以很好地起到过电流保护的作用。

Description

一种应用于变频器的过电流保护电路

技术领域

本实用新型涉及变频器技术领域，尤其涉及一种应用于变频器的过电流保护电路。

背景技术

变频器主要由整流、滤波、逆变、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多的保护功能，如过电流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。但是目前市面上的应用于小功率机器中的变频器，变频器中的过电流保护电路成本偏高，并且反应不够灵敏。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种应用于变频器的过电流保护电路。

本实用新型的技术方案如下：本实用新型提供一种应用于变频器的过电流保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、光电耦合器和二极管，所述第一三极管和第二三极管均为PNP型三极管，所述第三三极管为NPN型三极管，所述第一电阻的一端和第二电阻的一端均与P2端电性连接，所述第一电阻的另一端和第二电阻的另一端均与P1端电性连接，所述P2端还与所述第一三极管的第二端电性连接，所述第一三极管的第三端分别与所述第七电阻一端、第一三极管的第一端、第二三极管的第一端、第四电容的一端电性连接，所述第七电阻的另一端、第四电容的另一端均接地，所述P1端还与所述光电耦合器原边的阳极、第一电容的一端、第四电阻的一端、第五电阻的一端电性连接，所述第五电阻的另一端与所述第二三极管的第二端电性连接，所述第二三极管的第三端分别与所述第八电阻的一端、第三电容的一端、第三三极管的第一端电性连接，所述第八电阻的另一端和所述第三电容的另一端均接地，所述第四电阻的另一端、第一电容的另一端、光电耦合器原边的阴极均与所述第六电阻的一端电性连接，所述第六电阻的另一端与所述第三三极管的第三端电性连接，所述第三三极管的第二端与所述二极管的负极电性连接，所述二极管的正极接地，所述光电耦合器的副边的一端分别与第二电容的一端、第三电阻的一端、SC端电性连接，所述第三电阻的另一端与VCC端电性连接，所述第二电容的另一端、光电隔离器的副边的另一端均接地。

进一步地，所述二极管为稳压二极管。

进一步地，所述第一电阻和第二电阻均为合金电阻。

进一步地，所述光电耦合器的型号为EL357N。

采用上述方案，本实用新型采用的电路简洁且器件价格较低，整体电路的成本较低，并且反应也比较灵敏，可以很好地起到过电流保护的作用。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的电路图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。

请参阅图1，在本实施例中，本实用新型提供一种应用于变频器的过电流保护电路，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、光电耦合器PS1和二极管DZ1。所述第一电阻R1和第二电阻R2均为合金电阻，用于检测电流。所述第一三极管Q1和第二三极管Q2均为PNP型三极管，所述第三三极管Q3为NPN型三极管。所述光电耦合器的型号为EL357N。所述二极管DZ1为稳压二极管，型号为BZX84-C5V1。所述第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端均与P2端电性连接，所述第一电阻R1的另一端和第二电阻R2的另一端均与P1端电性连接，所述P2端还与所述第一三极管的第二端电性连接，所述第一三极管的第三端分别与所述第七电阻一端、第一三极管的第一端、第二三极管的第一端、第四电容的一端电性连接，所述第七电阻的另一端、第四电容的另一端均接地，所述P1端还与所述光电耦合器原边的阳极、第一电容的一端、第四电阻的一端、第五电阻的一端电性连接，所述第五电阻的另一端与所述第二三极管的第二端电性连接，所述第二三极管的第三端分别与所述第八电阻的一端、第三电容的一端、第三三极管的第一端电性连接，所述第八电阻的另一端和所述第三电容的另一端均接地，所述第四电阻的另一端、第一电容的另一端、光电耦合器原边的阴极均与所述第六电阻的一端电性连接，所述第六电阻的另一端与所述第三三极管的第三端电性连接，所述第三三极管的第二端与所述二极管的负极电性连接，所述二极管的正极接地，所述光电耦合器的副边的一端分别与第二电容的一端、第三电阻的一端、SC端电性连接，所述第三电阻的另一端与VCC端电性连接，所述第二电容的另一端、光电隔离器的副边的另一端均接地。所述P1端和P2端连接母线电压，VCC端连接所述光电耦合器供电端，SC端连接MCU的故障信号端。

请继续参阅图1，本电路在工作时，如果变频器工作电流正常时，则所述光电耦合器PS1的第四端输出通过SC端输出高电平给MCU。当流过所述第一电阻R1和第二电阻R2的电流增大时，P1到P2的压降会增加，由于P1端的电压和第一三极管Q1的第一端和第二端的电压保持不变，当第一电阻R1和第二电阻R2两端电压增大时，所述第七电阻R7两端的电压将会减小，当所述第二三极管Q2的第2端的电压减去所述第七电阻R7两端电压时，这时所述第二三极管Q2的第二端与第一端的压差大于其本身的管压降，所述第二三极管Q2导通，使得所述第三三极管Q3的第一端的电压升高，使得所述第三三极管Q3导通，所述光电耦合器PS1的第一脚和第二脚、第三三极管Q3、二极管DZ1之间形成回路，所述光电耦合器开始工作，使得所述光电耦合器PS1的第四端产生低电平，发送给MCU。后续MCU收到低电平信号后，可以通过将锁存器封锁，从而达到关闭IGBT驱动信号的效果，实现过电流保护。

综上所述，本实用新型中采用的电路简洁且器件价格较低，整体电路的成本较低，并且反应也比较灵敏，可以很好地起到过电流保护的作用。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种应用于变频器的过电流保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、光电耦合器和二极管，所述第一三极管和第二三极管均为PNP型三极管，所述第三三极管为NPN型三极管，所述第一电阻的一端和第二电阻的一端均与P2端电性连接，所述第一电阻的另一端和第二电阻的另一端均与P1端电性连接，所述P2端还与所述第一三极管的第二端电性连接，所述第一三极管的第三端分别与所述第七电阻一端、第一三极管的第一端、第二三极管的第一端、第四电容的一端电性连接，所述第七电阻的另一端、第四电容的另一端均接地，所述P1端还与所述光电耦合器原边的阳极、第一电容的一端、第四电阻的一端、第五电阻的一端电性连接，所述第五电阻的另一端与所述第二三极管的第二端电性连接，所述第二三极管的第三端分别与所述第八电阻的一端、第三电容的一端、第三三极管的第一端电性连接，所述第八电阻的另一端和所述第三电容的另一端均接地，所述第四电阻的另一端、第一电容的另一端、光电耦合器原边的阴极均与所述第六电阻的一端电性连接，所述第六电阻的另一端与所述第三三极管的第三端电性连接，所述第三三极管的第二端与所述二极管的负极电性连接，所述二极管的正极接地，所述光电耦合器的副边的一端分别与第二电容的一端、第三电阻的一端、SC端电性连接，所述第三电阻的另一端与VCC端电性连接，所述第二电容的另一端、光电隔离器的副边的另一端均接地。

2.根据权利要求1所述的应用于变频器的过电流保护电路，其特征在于，所述二极管为稳压二极管。

3.根据权利要求1所述的应用于变频器的过电流保护电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻均为合金电阻。

4.根据权利要求1所述的应用于变频器的过电流保护电路，其特征在于，所述光电耦合器的型号为EL357N。

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