CN209948961U - 一种提高有源钳位反激效率的装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，包括：钳位电路和电源电路；所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管，其中，所述晶体管为第一氮化镓场效应晶体管，所述电容与所述电阻并联连接，所述第一氮化镓场效应晶体管与所述电容和所述电阻组成的并联连接电路串联连接。其能够更加有效利用初级的漏感能量，大幅降低开关损耗，使初次级的开关器件工作于软开关状态，进一步降低损耗，达到提高效率的目的。

Description

一种提高有源钳位反激效率的装置

技术领域

本实用新型具体而言涉及一种提高有源钳位反激效率的装置。

背景技术

近年来，变压器或者AC/DC转换器的体积越来越小，尤其是当它们用于手机或平板电脑充电器时。为了使得其体积尽量的小，简单的反激式转换器是首选的拓扑结构，因为它可以有效地实现电压变换或将交流电转换为直流电，而只需很少的元件。但是，反激式电路能达到多小是受限的，因为与变压器漏感相关的损耗限制了实际大小。到目前为止，每个设计都通过减小漏感来应对这一点。

随着能效要求的提高,普通的设计方案难以满足能效要求,怎样提高能效指标,成为未来需要考量的指标。目前在常规反激电路设计中,变压器损耗和初次级开关器件的硬开关损耗，导致效率无法得到有效提高，因此我们需要新的器件和电路结构来提高效率,解决能效问题。

因此，鉴于上述技术问题的存在，有必要提出提高有源钳位反激效率的装置。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本实用新型一方面提供了一种提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，包括：钳位电路和电源电路；所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管，其中，所述晶体管为第一氮化镓场效应晶体管，所述电容与所述电阻并联连接，所述第一氮化镓场效应晶体管与所述电容和所述电阻组成的并联连接电路串联连接。

进一步地，所述电源电路包括第二氮化镓场效应晶体管。

进一步地，还包括有源钳位反激控制器，所述控制器连接于所述第一氮化镓场效应晶体管和/或第二氮化镓场效应晶体管。

进一步地，所述电容和电阻具有第一公共端和第二公共端，其中，所述第一公共端连接于初级线圈的第一端，所述第二公共端连接于所述第一氮化镓场效应晶体管的漏级。

进一步地，所述第一氮化镓场效应晶体管的源极连接于所述初级线圈的第二端。

进一步地，所述第二氮化镓场效应晶体管的源极连接于电源，漏级连接于所述第一氮化镓场效应晶体管的源极。

进一步地，所述有源钳位反激控制器分别连接于所述第一氮化镓场效应晶体管和/或第二氮化镓场效应晶体管的栅极。

进一步地，所述有源钳位反激控制器对所述第一氮化镓场效应晶体管和/或第二氮化镓场效应晶体管进行软开关控制。

进一步地，还包括电流感测电阻。

进一步地，所述电流感测电阻一端连接于所述电源电路中的电源开关，另一端接地。

由于本实用新型将RCD吸收电路的电阻、电容和晶体管替换为R，C，GaN FET，由于GaN FET自身具有的优势，其能够更加有效利用初级的漏感能量，且用GaN FET替代原有SiCMOS管，其能够大幅降低开关损耗，并且运用了ACF控制器，使初次级的开关器件工作于软开关状态，进一步降低损耗，达到提高效率的目的。

附图说明

本实用新型的下列附图在此作为本实用新型的一部分用于理解本实用新型。附图中示出了本实用新型的实施例及其描述，用来解释本实用新型的原理。

附图中：

图1示出了常规反激电路模块的结构示意图；

图2示出了本实用新型一个实施例的反激电路模块的结构示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本实用新型可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本实用新型发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的结构，以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。

为了实现，本实用新型提供一种提高有源钳位反激效率的装置，其主要包括：钳位电路和电源电路；所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管，其中，所述晶体管为第一氮化镓场效应晶体管，所述电容与所述电阻并联连接，所述第一氮化镓场效应晶体管与所述电容和所述电阻组成的并联连接电路串联连接。

下面，参考图1、图2对本实用新型的一种提高有源钳位反激效率的装置做详细说明，其中，图1示出了常规反激电路模块的结构示意图；图2示出了本实用新型一个实施例的反激电路模块的结构示意图。

本实用新型所称的有源钳位反激ACF，指的是Active Clamp Flyback，有源钳位反激电路是能够实现软开关的拓扑电路，由于软开关可以实现零电压开通(Zero VoltageSwitching，ZVS)或零电流关断(Zero Current Switching，ZCS)，所以实现软开关能够减小ACF电路中开关管的开关损耗。

ACF电路实际工作时，ACF电路中开关管的运行状态可能是：过软开关状态、硬开关状态、或者软开关状态。本实用新型提出，当开关管为软开关状态时，ACF电路的开关损耗最低，效率最高。

如图1所示的常规反激电路模块的结构示意图，初级绕组部分有RCD吸收电路，用于吸收初级漏感能量，并转化为热量消耗。同时初级MOS为常规SiC MOS104，该SiC MOS104内阻和结电容相对较大，损耗较高。

具体地，RCD吸收电路它由电阻R、电容C和二极管D构成。电阻R也可以与二极管D并联连接。RCD吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路，与RC电路相比Vce升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收电阻，在一定程度上降低了损耗，其中，所述SiC MOS104由控制器101控制。

若开关断开，蓄积在初级漏感又称寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所钳位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。

示例性地，RCD吸收电路的主要影响因素有以下几个：1.RCD电容C偏大，此时，电容端电压上升很慢，因此导致MOS管电压上升较慢，导致MOS管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上；2.RCD电容C特别大(导致电压无法上升至次级反射电压)，此时，电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低；3.RCD电阻电容乘积R×C偏小，此时，电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至MOS管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样；4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小，此时，如果参数选择合理，MOS管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和MOS管应力都很大；5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适，此时，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使MOS管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。

即使能够达到上述第5种较为理想的情况，对于RCD吸收的反激电路来说，SiC MOS的内阻和结电容相对较大,损耗较高。且其电路装置并未处于软开关状态，对于图1所示的电路结构的效率的提升仍然有限。

实施例一

如图2所示的本实用新型一个实施例的反激电路模块的结构示意图，将图1所示的反激电路模块结构进行了三处改进，首先，将RCD吸收电路被R，C，GaN FET203所替代，有效利用初级的漏感能量；第二，并用GaN FET204替代原有SiC MOS管降低开关损耗；第三，运用了ACF控制器201，使初次级的开关器件工作于软开关状态，进一步降低损耗，达到提高效率的目的。

本实用新型中所称的GaN FET，是指氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)，其输出电容和导通电阻较低，其具体结构如图2中所示，对于GaN FET，其导通电阻相对于栅源电压的变化曲线类似于MOSFETs，第一代GaN晶体管的设计操作栅极电压大概在4-5V，其导通电阻的温度系数趋势在正值时也与MOSFET相类似，但是其量值要小得多，这个优势随着器件额定电压的增加而增加。

从栅阈值电压的角度看，GaN场效应晶体管的阈值低于MOSFET。这是由于阈值和温度之间几乎是平的关系，以及非常低的栅极和漏级之间的电容。由于器件在1.6V时开始导电，在整流器功能的高速开关过程中需要保持器件断开时，必须注意保证从栅极到源极的低阻抗路径。

从电容的角度看，除了低的导通电阻外，GaN FET的横向结构也使其成为一个非常低的电容器件。它具有在纳秒内转换数百伏电压的能力，使其具有数兆赫的能力。开关中较为重要的是Cgd。由于Cgd具有横向结构，它只来自栅极的一个小角落，而且远低于垂直MOSFET中的相同电容。栅极到源极电容Cgs由栅极到通道的连接点，以及栅极和场板之间介质的电容组成。Cgs与Cgd相比较大，给予GaN FET较好的dv/dt免疫，但与硅MOSFET相比仍然较小。这导致了非常短的延迟时间，并在低占空比应用中具有良好的可控性。漏源-源电容Cd也很小，仅限于从场板到漏极的介电层之间的电容。GaN FET的电容与电压曲线与硅的电容曲线相似，只是在电阻相似的情况下，它的电容要低得多。

从体二极管的角度看，GaN FET是一个纯粹的横向器件，没有常见的硅基MOSFET的寄生双极结。因此，反向偏压或“二极管”操作具有不同的机制，但功能相似。在零偏压栅到源极的情况下，栅区下没有电子。当漏极电压降低时，相对于漂移区在栅极上产生正偏压，在栅极下注入电子。一旦达到栅极阈值，栅极下就会有足够的电子形成导电通道。这种机制的好处是，在导电过程中不涉及少数载流子，因此没有反向回收损失。当Qrr为零时，输出电容(Coss)必须在每个开关周期进行充放电。对于类似导通电阻器件，GaN FET的输出电容Coss明显低于硅MOSFET。当栅极上的偏压大于阈值电压时，反向打开GaN FET，“二极管”的正向电压高于硅晶体管。

事实上，GaN FET的基本工作原理与硅MOSFET的基本工作原理相似，但是GaN FET在导通电阻、栅阈值电压、电容以及体二极管各个方面均有着巨大的进步，其具体优势如前所述。

将RCD吸收电路的电阻、电容和晶体管替换为R，C，GaN FET，由于GaN FET自身具有的优势，其能够更加有效利用初级的漏感能量，且用GaN FET替代原有SiC MOS管，其能够大幅降低开关损耗，并且运用了ACF控制器，使初次级的开关器件工作于软开关状态，进一步降低损耗，达到提高效率的目的。

具体地，电容C与电阻R并联，且第一GaN FET的源极连接于初级线圈的一侧，漏级连接于所述电容C与电阻R的公共端，所述电容C与电阻R的另一个公共端连接于所述初级线圈的另一侧，所述第一GaN FET的栅极连接于所述ACF控制器，该第一GaN FET又称为高端开关或钳位开关，还包括第二GaN FET，所述第二GaN FET的源极连接于电源，漏级连接于所述初级线圈与所述第一GaN FET的公共端，其栅极也连接于所述ACF控制器，该第二GaN FET又称为底端开关或电源开关。所述第一GaN FET与电容C与电阻R构成钳位电路，用于吸收漏感能量，提高整个装置的效率，所述第二GaN FET用于控制电源与装置的连接，其内阻和结电容均较低，将进一步降低整个装置的损耗，提升装置的效率，并且，在图2所示的实施例中，采用了ACF控制器，分别控制第一GaN FET和第二GaN FET，其实现了软开关的拓扑电路，将进一步提升该ACF装置的效率。

示例性地，本实施例中还可以包括电流感测电阻，其一端连接于所述第二GaNFET，另一端接地。

实施例二

将图1所示的反激电路模块结构进行了一处改进进而得到本实施例(未图示)，将RCD吸收电路被R，C，GaN FET所替代，有效利用初级的漏感能量。

本实用新型中所称的GaN FET，是指氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)，其输出电容和导通电阻较低，其具体结构如图2中所示，对于GaN FET，其导通电阻相对于栅源电压的变化曲线类似于MOSFETs，第一代GaN晶体管的设计操作栅极电压大概在4-5V，其导通电阻的温度系数趋势在正值时也与MOSFET相类似，但是其量值要小得多，这个优势随着器件额定电压的增加而增加。

从栅阈值电压的角度看，GaN场效应晶体管的阈值低于MOSFET。这是由于阈值和温度之间几乎是平的关系，以及非常低的栅极和漏级之间的电容。由于器件在1.6V时开始导电，在整流器功能的高速开关过程中需要保持器件断开时，必须注意保证从栅极到源极的低阻抗路径。

从电容的角度看，除了低的导通电阻外，GaN FET的横向结构也使其成为一个非常低的电容器件。它具有在纳秒内转换数百伏电压的能力，使其具有数兆赫的能力。开关中较为重要的是Cgd。由于Cgd具有横向结构，它只来自栅极的一个小角落，而且远低于垂直MOSFET中的相同电容。栅极到源极电容Cgs由栅极到通道的连接点，以及栅极和场板之间介质的电容组成。Cgs与Cgd相比较大，给予GaN FET较好的dv/dt免疫，但与硅MOSFET相比仍然较小。这导致了非常短的延迟时间，并在低占空比应用中具有良好的可控性。漏源-源电容Cd也很小，仅限于从场板到漏极的介电层之间的电容。GaN FET的电容与电压曲线与硅的电容曲线相似，只是在电阻相似的情况下，它的电容要低得多。

从体二极管的角度看，GaN FET是一个纯粹的横向器件，没有常见的硅基MOSFET的寄生双极结。因此，反向偏压或“二极管”操作具有不同的机制，但功能相似。在零偏压栅到源极的情况下，栅区下没有电子。当漏极电压降低时，相对于漂移区在栅极上产生正偏压，在栅极下注入电子。一旦达到栅极阈值，栅极下就会有足够的电子形成导电通道。这种机制的好处是，在导电过程中不涉及少数载流子，因此没有反向回收损失。当Qrr为零时，输出电容(Coss)必须在每个开关周期进行充放电。对于类似导通电阻器件，GaN FET的输出电容Coss明显低于硅MOSFET。当栅极上的偏压大于阈值电压时，反向打开GaN FET，“二极管”的正向电压高于硅晶体管。

事实上，GaN FET的基本工作原理与硅MOSFET的基本工作原理相似，但是GaN FET在导通电阻、栅阈值电压、电容以及体二极管各个方面均有着巨大的进步，其具体优势如前所述。

将RCD吸收电路的电阻、电容和晶体管替换为R，C，GaN FET，由于GaN FET自身具有的优势，其能够更加有效利用初级的漏感能量，降低损耗，达到提高效率的目的。

具体地，电容C与电阻R并联，且第一GaN FET的源极连接于初级线圈的一侧，漏级连接于所述电容C与电阻R的公共端，所述电容C与电阻R的另一个公共端连接于所述初级线圈的另一侧，该第一GaN FET又称为高端开关或钳位开关。

示例性地，本实施例中还可以包括电流感测电阻，其一端连接于电源开关，另一端接地。

实施例三

将图1所示的反激电路模块结构进行了一处改进进而得到本实施例(未图示)，用GaN FET替代原有SiC MOS管降低开关损耗。

本实用新型中所称的GaN FET，是指氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)，其输出电容和导通电阻较低，其具体结构如图2中所示，对于GaN FET，其导通电阻相对于栅源电压的变化曲线类似于MOSFETs，第一代GaN晶体管的设计操作栅极电压大概在4-5V，其导通电阻的温度系数趋势在正值时也与MOSFET相类似，但是其量值要小得多，这个优势随着器件额定电压的增加而增加。

从栅阈值电压的角度看，GaN场效应晶体管的阈值低于MOSFET。这是由于阈值和温度之间几乎是平的关系，以及非常低的栅极和漏级之间的电容。由于器件在1.6V时开始导电，在整流器功能的高速开关过程中需要保持器件断开时，必须注意保证从栅极到源极的低阻抗路径。

从电容的角度看，除了低的导通电阻外，GaN FET的横向结构也使其成为一个非常低的电容器件。它具有在纳秒内转换数百伏电压的能力，使其具有数兆赫的能力。开关中较为重要的是Cgd。由于Cgd具有横向结构，它只来自栅极的一个小角落，而且远低于垂直MOSFET中的相同电容。栅极到源极电容Cgs由栅极到通道的连接点，以及栅极和场板之间介质的电容组成。Cgs与Cgd相比较大，给予GaN FET较好的dv/dt免疫，但与硅MOSFET相比仍然较小。这导致了非常短的延迟时间，并在低占空比应用中具有良好的可控性。漏源-源电容Cd也很小，仅限于从场板到漏极的介电层之间的电容。GaN FET的电容与电压曲线与硅的电容曲线相似，只是在电阻相似的情况下，它的电容要低得多。

从体二极管的角度看，GaN FET是一个纯粹的横向器件，没有常见的硅基MOSFET的寄生双极结。因此，反向偏压或“二极管”操作具有不同的机制，但功能相似。在零偏压栅到源极的情况下，栅区下没有电子。当漏极电压降低时，相对于漂移区在栅极上产生正偏压，在栅极下注入电子。一旦达到栅极阈值，栅极下就会有足够的电子形成导电通道。这种机制的好处是，在导电过程中不涉及少数载流子，因此没有反向回收损失。当Qrr为零时，输出电容(Coss)必须在每个开关周期进行充放电。对于类似导通电阻器件，GaN FET的输出电容Coss明显低于硅MOSFET。当栅极上的偏压大于阈值电压时，反向打开GaN FET，“二极管”的正向电压高于硅晶体管。

事实上，GaN FET的基本工作原理与硅MOSFET的基本工作原理相似，但是GaN FET在导通电阻、栅阈值电压、电容以及体二极管各个方面均有着巨大的进步，其具体优势如前所述。

用GaN FET替代原有SiC MOS管，其能够大幅降低开关损耗，达到提高效率的目的。

具体地，包括第二GaN FET，所述第二GaN FET的源极连接于电源，漏级连接于所述初级线圈与钳位开关的公共端，该第二GaN FET又称为底端开关或电源开关。所述第二GaNFET用于控制电源与装置的连接，其内阻和结电容均较低，将降低整个装置的损耗，提升装置的效率。

示例性地，本实施例中还可以包括电流感测电阻，其一端连接于所述第二GaNFET，另一端接地。

实施例四

将图1所示的反激电路模块结构进行了一处改进进而得到本实施例(未图示)，运用了ACF控制器，使初次级的开关器件工作于软开关状态，降低损耗，达到提高效率的目的。

本实用新型中所称的GaN FET，是指氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)，其输出电容和导通电阻较低，其具体结构如图2中所示，对于GaN FET，其导通电阻相对于栅源电压的变化曲线类似于MOSFETs，第一代GaN晶体管的设计操作栅极电压大概在4-5V，其导通电阻的温度系数趋势在正值时也与MOSFET相类似，但是其量值要小得多，这个优势随着器件额定电压的增加而增加。

从栅阈值电压的角度看，GaN场效应晶体管的阈值低于MOSFET。这是由于阈值和温度之间几乎是平的关系，以及非常低的栅极和漏级之间的电容。由于器件在1.6V时开始导电，在整流器功能的高速开关过程中需要保持器件断开时，必须注意保证从栅极到源极的低阻抗路径。

从电容的角度看，除了低的导通电阻外，GaN FET的横向结构也使其成为一个非常低的电容器件。它具有在纳秒内转换数百伏电压的能力，使其具有数兆赫的能力。开关中较为重要的是Cgd。由于Cgd具有横向结构，它只来自栅极的一个小角落，而且远低于垂直MOSFET中的相同电容。栅极到源极电容Cgs由栅极到通道的连接点，以及栅极和场板之间介质的电容组成。Cgs与Cgd相比较大，给予GaN FET较好的dv/dt免疫，但与硅MOSFET相比仍然较小。这导致了非常短的延迟时间，并在低占空比应用中具有良好的可控性。漏源-源电容Cd也很小，仅限于从场板到漏极的介电层之间的电容。GaN FET的电容与电压曲线与硅的电容曲线相似，只是在电阻相似的情况下，它的电容要低得多。

从体二极管的角度看，GaN FET是一个纯粹的横向器件，没有常见的硅基MOSFET的寄生双极结。因此，反向偏压或“二极管”操作具有不同的机制，但功能相似。在零偏压栅到源极的情况下，栅区下没有电子。当漏极电压降低时，相对于漂移区在栅极上产生正偏压，在栅极下注入电子。一旦达到栅极阈值，栅极下就会有足够的电子形成导电通道。这种机制的好处是，在导电过程中不涉及少数载流子，因此没有反向回收损失。当Qrr为零时，输出电容(Coss)必须在每个开关周期进行充放电。对于类似导通电阻器件，GaN FET的输出电容Coss明显低于硅MOSFET。当栅极上的偏压大于阈值电压时，反向打开GaN FET，“二极管”的正向电压高于硅晶体管。

事实上，GaN FET的基本工作原理与硅MOSFET的基本工作原理相似，但是GaN FET在导通电阻、栅阈值电压、电容以及体二极管各个方面均有着巨大的进步，其具体优势如前所述。

具体地，采用了ACF控制器，分别控制钳位开关和电源开关，其实现了软开关的拓扑电路，将进一步提升该ACF装置的效率。

示例性地，本实施例中还可以包括电流感测电阻，其一端连接于所述第二GaNFET，另一端接地。

实施例五，结合实施例二与实施三的技术方案可以得到本实施例。具体的结构不再赘述，请详细参考前述实施例二和实施例三的技术内容。

实施例六，结合实施例二与实施四的技术方案可以得到本实施例。具体的结构不再赘述，请详细参考前述实施例二和实施例四的技术内容。

实施例七，结合实施例三与实施四的技术方案可以得到本实施例。具体的结构不再赘述，请详细参考前述实施例三和实施例四的技术内容。

至此，完成了对本实用新型的提高ACF效率的装置的主要部件的解释和说明，对于完整的提高ACF效率的装置还可能包括其他的部件在此不做一一赘述。

本实用新型已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本实用新型限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本实用新型并不局限于上述实施例，根据本实用新型的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本实用新型所要求保护的范围以内。本实用新型的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (10)

1.一种提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，包括：

钳位电路和电源电路；

所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管，

其中，所述晶体管为第一氮化镓场效应晶体管，

所述电容与所述电阻并联连接，

所述第一氮化镓场效应晶体管与所述电容和所述电阻组成的并联连接电路串联连接。

2.如权利要求1所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，所述电源电路包括第二氮化镓场效应晶体管。

3.如权利要求1或2所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，还包括有源钳位反激控制器，所述控制器连接于所述第一氮化镓场效应晶体管和/或第二氮化镓场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，所述电容和电阻具有第一公共端和第二公共端，其中，所述第一公共端连接于初级线圈的第一端，所述第二公共端连接于所述第一氮化镓场效应晶体管的漏级。

5.如权利要求4所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，所述第一氮化镓场效应晶体管的源极连接于所述初级线圈的第二端。

6.如权利要求2所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，所述第二氮化镓场效应晶体管的源极连接于电源，漏级连接于所述第一氮化镓场效应晶体管的源极。

7.如权利要求3所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，所述有源钳位反激控制器分别连接于所述第一氮化镓场效应晶体管和/或第二氮化镓场效应晶体管的栅极。

8.如权利要求7所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，所述有源钳位反激控制器对所述第一氮化镓场效应晶体管和/或第二氮化镓场效应晶体管进行软开关控制。

9.如权利要求1所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，还包括电流感测电阻。

10.如权利要求9所述的提高有源钳位反激效率的装置，其特征在于，所述电流感测电阻一端连接于所述电源电路中的电源开关，另一端接地。

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