CN209741262U - 一种镀膜装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种镀膜装置，镀膜装置包括转动主轴，多个靶材环绕连接于转动主轴且可绕转动主轴转动；其中，构成不同靶材的靶材材料不同；不同的靶材在不同的转动位置与待成膜基板相对设置，靶材到转动主轴的垂直距离小于待成膜基板到转动主轴的垂直距离。通过上述技术方案，在实现了在待成膜基板上制作包括至少两层不同材料薄膜的复合薄膜的同时，相对于采用多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体大大减小了镀膜装置的占地面积，有利于镀膜装置的小型化，降低镀膜装置的成本。

Description

一种镀膜装置

技术领域

本实用新型实施例涉及镀膜工艺技术领域，尤其涉及一种镀膜装置。

背景技术

随着市场对大尺寸显示面板需求日益增强，逐渐出现了采用分体拼接条形平面靶或转靶以实现大型靶材的制造，但由于存在靶材接缝易引起异常放电、表面存在颗粒以及膜质污染等问题，靶材生产商转向制造一体化条形靶或转靶。另外，随着新型高性能金属氧化物TFT的研发和量产应用，反应溅射工艺被广泛应用，但是反应溅射工艺在反应溅射的过程中靶材表面阻抗增大，累积于靶材局部表面的电荷不能及时扩散，引发剧烈的电弧放电，严重影响所沉积薄膜的品质，且长时间的反应溅射会使溅射腔室内作为阳极的导电组件逐渐覆盖上高阻抗的反应溅射薄膜，等离子体放电特性逐渐改变，导致薄膜品质逐渐漂移。

为了解决上述问题，采用成对配置的条形或柱状靶材的双磁控溅射在大型溅射设备中得到越来越广泛的应用。目前已有的溅射设备，如需连续沉积复合薄膜，需要在一台溅射设备上配置多个溅射工艺腔体或在一个更大的溅射腔体的不同侧壁面分别布置多个溅射阴极，而多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体都带来了溅射设备占地面积大和设备投资成本高的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种镀膜装置，在实现了在待成膜基板上制作包括至少两层不同材料薄膜的复合薄膜的同时，相对于采用多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体大大减小了镀膜装置的占地面积，有利于镀膜装置的小型化，降低镀膜装置的成本。

本实用新型实施例提供了一种镀膜装置，包括：

转动主轴，多个靶材环绕连接于所述转动主轴且可绕所述转动主轴转动；其中，构成不同所述靶材的靶材材料不同；

不同的所述靶材在不同的转动位置与待成膜基板相对设置，所述靶材到所述转动主轴的垂直距离小于所述待成膜基板到所述转动主轴的垂直距离。

进一步地，所述靶材设置于对应的靶材支撑板上，所述靶材支撑板分别通过第一悬臂连接于所述转动主轴，所述第一悬臂可绕所述转动主轴转动。

进一步地，所述靶材以及所述待成膜基板为平行于所述转动主轴设置的平面结构。

进一步地，所述镀膜装置还包括：

多个磁体，所述磁体分别通过第二悬臂连接于所述转动主轴，所述磁体到所述转动主轴的垂直距离小于所述靶材到所述转动主轴的垂直距离；

沿垂直于所述转动主轴的平面，不同的所述磁体与所述转动主轴的相对位置不同，所述磁体用于对对应的所述靶材进行磁性扫描。

进一步地，沿所述转动主轴的延伸方向，所述第一悬臂与所述第二悬臂位于所述转动主轴的不同位置，所述转动主轴对应所述第一悬臂设置的部分与所述转动主轴对应所述第二悬臂设置的部分独立旋转或者同步旋转。

进一步地，所述磁体可沿平行于对应的所述靶材的平面移动且所述磁体的移动方向垂直于所述转动主轴。

进一步地，所述镀膜装置还包括：

与所述磁体对应设置的磁体导轨，所述磁体导轨通过所述第二悬臂固定于所述转动主轴上，所述磁体可沿对应的所述磁体导轨移动。

进一步地，所述磁体导轨可折叠，所述磁体导轨的折叠部分可面向所述磁体导轨远离对应的所述磁体的一侧折叠。

进一步地，所述第二悬臂为可伸缩悬臂，所述镀膜装置还包括与所述第二悬臂对应设置的转动副轴，所述磁体通过对应的所述转动副轴连接于所述第二悬臂。

进一步地，一个所述靶材包括多个子靶材，一个所述靶材中的所有子靶材位于平行于所述转动主轴的同一平面内，一个所述靶材中的所有子靶材沿该所述靶材转动方向的切线方向排列；其中，构成一个所述靶材中的所有子靶材的靶材材料相同。

本实用新型实施例提供了一种镀膜装置，设置镀膜装置包括转动主轴，多个靶材环绕连接于转动主轴且可绕转动主轴转动，构成不同靶材的靶材材料不同。不同的靶材在不同的转动位置与待成膜基板相对设置，靶材到转动主轴的垂直距离小于待成膜基板到转动主轴的垂直距离，这样利用转动主轴以及多个靶材在实现了在待成膜基板上制作包括至少两层不同材料薄膜的复合薄膜的同时，相对于采用多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体大大减小了镀膜装置的占地面积，有利于镀膜装置的小型化，降低镀膜装置的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种镀膜装置的立体结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种镀膜装置的俯视结构示意图

图3至图6为本实用新型实施例提供的另一种镀膜装置的俯视结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的另一种镀膜装置的俯视结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的一种镀膜装置的侧视结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的另一种镀膜装置的侧视结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的终端设备的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

本实用新型实施例提供了一种镀膜装置，镀膜装置包括转动主轴，多个靶材环绕连接于转动主轴且可绕转动主轴转动，其中，构成不同靶材的靶材材料不同。不同的靶材在不同的转动位置与待成膜基板相对设置，靶材到转动主轴的垂直距离小于待成膜基板到转动主轴的垂直距离。

随着市场对大尺寸显示面板需求日益增强，平板显示面板的生产设备逐渐大型化，但在这一过程中，逐渐遇到成本和技术瓶颈，如大型靶材的制造，受内部应力，尤其是陶瓷靶，和昂贵的靶材生产设备的限制，平板显示面板用靶材逐渐转为分体拼接条形平面靶或转靶，但是靶材接缝易引起异常放电，particle，即表面颗粒以及膜质污染等问题，靶材生产商转向制造一体化条形靶或转靶。

另外，随着新型高性能金属氧化物TFT的研发和量产应用，反应溅射工艺被广泛应用，但是反应溅射工艺因反应溅射使靶材表面阻抗增大，导致累积于靶材局部表面的电荷不能及时传导扩散开去，最终引发剧烈的电弧放电，严重影响所沉积的薄膜品质。而且，长时间的反应溅射会使溅射腔室内作为阳极的导电组件逐渐覆盖上高阻抗的反应溅射薄膜，这一过程中，plasma(等离子体)放电特性逐渐改变，导致薄膜品质逐渐漂移，又称为阳极消失效应。

为解决以上问题，提出了采用中频交流(或脉冲)电源的双磁控(阴极)反应溅射(dual magnetron reactive sputtering)。中频交流(或脉冲)电源的两个输出端分别接于一对近邻配置的磁控阴极，随着中频交流电源的正负周期的变化，两阴极的电极性在正负之间不停切换，对于一个阴极，当其处于负半周期时，其上靶材被溅射，而另一阴极此时处于正电极性，靶材上的正电场吸引腔室内的电子到其表面，中和其表面累积的正电荷，从而大大降低了电弧放电的发生概率。

基于以上原因，成对配置的条形(或柱状)靶材的双磁控溅射在大型溅射设备中得到越来越广泛的应用，具体到平板显示面板领域，近年来成功量产应用的以IGZO为代表的金属氧化物半导体材料，双磁控反应溅射成膜技术被证明为最稳定的生产技术，逐渐被业界普遍采纳。

大面积镀膜装置为沉积多层复合膜，通常的解决办法是在溅射设备中配置多个溅射工艺腔体，依复合膜膜层结构和基板在各溅射腔体间的传送路径在多个溅射腔体内依次配置不同材质的靶材，或在一个更大的溅射腔体的不同侧壁面分别布置多个溅射阴极和不同材质的靶材，而多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体都带来了溅射设备占地面积大和设备投资成本高的问题。

本实用新型实施例提供的镀膜装置包括转动主轴，多个靶材环绕连接于转动主轴且可绕转动主轴转动，构成不同靶材的靶材材料不同。不同的靶材在不同的转动位置与待成膜基板相对设置，靶材到转动主轴的垂直距离小于待成膜基板到转动主轴的垂直距离，这样利用转动主轴以及多个靶材在实现了在待成膜基板上制作包括至少两层不同材料薄膜的复合薄膜的同时，相对于采用多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体大大减小了镀膜装置的占地面积，有利于镀膜装置的小型化，降低镀膜装置的成本。

以上是本实用新型的核心思想，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1为本实用新型实施例提供的一种镀膜装置的立体结构示意图，图2为本实用新型实施例提供的一种镀膜装置的俯视结构示意图。结合图1和图2，镀膜装置10包括转动主轴1，多个靶材2环绕连接于转动主轴1且多个靶材2可绕转动主轴1转动，构成不同靶材2的靶材材料不同。不同的靶材2在不同的转动位置与待成膜基板4相对设置，靶材2到转动主轴1的垂直距离小于待成膜基板4到转动主轴1的垂直距离。

图1和图2示意性地示出了个靶材2，且构成两个靶材2的靶材材料不同，两个靶材2环绕连接于转动主轴1且两个靶材2可绕转动主轴1转动，可以设置待成膜基板4上需先溅射形成对应靶材21的靶材材料的薄膜，然后在对应靶材21的靶材材料的薄膜上溅射形成对应靶材22的靶材材料的薄膜，则转动主轴1转动，使得靶材21先旋转至正对待成膜基板4，在待成膜基板4上溅射形成对应靶材21的靶材材料的薄膜，然后在转动主轴1带动下，使得靶材22旋转至正对待成膜基板4，在待成膜基板4上溅射形成对应靶材22的靶材材料的薄膜。这样，利用转动主轴1以及多个靶材2在较小的空间内实现了在待成膜基板4上制作包括至少两层不同材料薄膜的复合薄膜，相对于采用多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体大大减小了镀膜装置10的占地面积，有利于镀膜装置10的小型化，降低镀膜装置10的成本。

可选地，结合图1和图2，可以将靶材2设置于对应的靶材支撑板20上，靶材支撑板20分别通过第一悬臂31连接于转动主轴，第一悬臂31可绕转动主轴1转动。示例性地，可以设置靶材以及待成膜基板为平行于转动主轴设置的平面结构。

具体地，镀膜装置10用于在待成膜基板4上形成复合薄膜，示例性地，对应待成膜基板4设置有掩膜板40，以在待成膜基板4的特定区域成膜。沿垂直于转动主轴1的平面，不同的靶材2与转动主轴1的相对位置不同，不同的靶材2在不同的转动位置与待成膜基板4相对设置，例如正对。图1和图2示意性地示出了个靶材2，且构成两个靶材2的靶材材料不同，两个靶材2形成在相应的靶材支撑板20上，靶材支撑板20通过不同的第一悬臂31连接于转动主轴1，转动主轴1转动，在第一悬臂31的带动下，靶材支撑板20上的靶材21依次旋转至与待成膜基板4相对设置的位置，利用转动主轴1以及多个靶材2在较小的空间内实现了在待成膜基板4上制作包括至少两层不同材料薄膜的复合薄膜，相对于采用多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体大大减小了镀膜装置10的占地面积，有利于镀膜装置10的小型化，降低镀膜装置10的成本。

可选地，结合图1和图2，镀膜装置10还可以包括多个磁体5，磁体5分别通过第二悬臂32连接于转动主轴1，磁体5到转动主轴1的垂直距离小于靶材2到转动主轴1的垂直距离。沿垂直于转动主轴1的平面，不同的磁体5与转动主轴1的相对位置不同，磁体5用于对对应的靶材2进行磁性扫描。具体地，溅射法是使等离子体111气氛中的离子朝着根据待成膜基板4上膜层堆叠顺序而制作成的规定形状的靶加速冲击，使靶原子飞散，从而在待成膜基板4上形成复合薄膜。可以通过直流电源或交流电源等溅射电源给作为阴极电极的靶施加电压，使得在阴极电极和阳极电极或接地电极之间产生辉光放电，从而形成等离了体111气氛，尤其是采用交流电源时，通过施加反相的电压抵消掉在阴极表面上累积的电荷，得到稳定的放电。

结合图1和图2，一个靶材2可以包括面向待成膜基板4设置的一对靶，一对靶沿靶材2的延伸方向排列，即将图1中的沿竖直方向延伸的靶材2分成两段构成一对靶，一对靶的靶材材料与待成膜的膜层的材料相同，可以设置靶材2通过锢或锡等粘结材料与溅射中冷却靶材2的靶材支撑板20接合。当相应的靶材2在转动主轴1和第一悬臂31的带动下转动至于待成膜基板4正对时，通过气体导入装置导入规定的溅射气体，在一个靶材2中的一对靶上施加交流电压，一个靶材2中的一对靶相互交替切换为阳极电极和阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电从而形成等离子体111气氛，使等离子体111气氛中的离子朝着一个靶材2中的一对靶中成为阴极电极的那个靶加速冲击，靶原子飞散，从而在待成膜基板4上形成对应靶材材料的薄膜。

当相应的靶材2在转动主轴1和第一悬臂31的带动下转动至与待成膜基板4正对时，需要相应的磁体5在转动主轴1和第二悬臂32的带动下同样转动至与待成膜基板4正对的位置，通过控制磁体5扫描和电源电力输出沉积相应膜质的薄膜。如图2所示，可以设置磁体5沿水平方向包括极性交替的中央磁体51和边缘磁体52，磁体5在一个靶材2中一对靶的前方分别形成平衡的闭环隧道状磁力线，在一个靶材2中一对靶的前方捕捉电离的电子和溅射产生的二次电子，从而提高靶材2前方的电子密度，提高等离子体密度。这样，磁体5在电动机等驱动装置(图1和图2中未示出)的驱动下，相对于对应的靶材2沿垂直于转动主轴1的方向来回移动，对靶材2进行磁性扫描，在待成膜基板4上形成对应相应靶材材料的薄膜。

可选地，结合图1和图2，沿转动主轴1的延伸方向，第一悬臂31与第二悬臂32位于转动主轴1的不同位置，可以设置转动主轴1对应第一悬臂31设置的部分与转动主轴1对应第二悬臂32设置的部分独立旋转或者同步旋转。

具体地，若转动主轴1对应第一悬臂31设置的部分与转动主轴1对应第二悬臂32设置的部分独立旋转，则可以保持图1中磁体5的左右位置不变，或者理解为保持图2中磁体5的上下位置不变，根据待形成薄膜的材料转动相应的靶材2至与待成膜基板4正对的位置，图1中右侧的磁体5或者图2中上方的磁体5沿垂直于转动主轴1的方向移动对该靶材21进行磁性扫描，磁体5的移动方向如图2中箭头所示方向，形成对应该靶材21的薄膜。在形成对应另一种靶材22的薄膜时，可以只转动靶材2，由于转动主轴1对应第一悬臂31设置的部分与转动主轴1对应第二悬臂32设置的部分独立旋转，磁体5无需转动，当另一种靶材22转动至正对待成膜基板4时，同样是图1中右侧的磁体5或者图2中上方的磁体5沿垂直于转动主轴1的方向移动对该靶材22进行磁性扫描，形成对应另一种靶材22的薄膜。

具体地，若转动主轴1对应第一悬臂31设置的部分与转动主轴1对应第二悬臂32设置的部分同步旋转，则根据待形成薄膜的材料同步转动相应的磁体5与靶材2，二者均针对待成膜基板4时，磁体5沿垂直于转动主轴1的方向移动对该靶材2进行磁性扫描，形成对应该靶材2的薄膜，在形成对应另一种靶材2的薄膜时，同步转动相应的磁体5与靶材2。

可选地，可以设置磁体5可沿平行于对应的靶材2的平面移动且磁体5的移动方向垂直于转动主轴1。具体地，设置磁体5可沿平行于对应的靶材2的平面移动且磁体5的移动方向垂直于转动主轴1，即磁体5的移动方向如图2中箭头所示方向，使得磁体5在移动的过程中，磁体5到对应的靶材2的垂直距离始终相等，使得靶材2周围磁场分布均匀，有利于提高待成膜基板4上成膜的均一性。

示例性地，还可以设置磁体5可沿平行于对应的靶材2的平面移动且磁体5沿垂直于转动主轴1的方向匀速往复运动，运动方向如图2中箭头所示，这样，平行靶材表面的最大磁通量位置等时地扫过靶材2表面，根据洛仑兹力定理，最大平行靶材表面磁通量位置对应着最高电子密度、最高电浆密度以及最大靶材溅射速率，磁体5相对于靶材2的匀速往复扫描运动使整个靶材2表面得到均匀的溅射侵蚀，进一步提高了靶材利用率和薄膜分布均匀性。另外，对于材质差异较大的两种靶材2，所对应的最佳磁铁磁场分布往往差异较大，例如靶材21和靶材22材质差异较大，这时就需要两种不同磁场分布的磁体5对应相应的靶材2，例如可以根据镀膜装置10中多个不同靶材2的材质，设置不同磁场分布的磁体5，一种靶材2转动至正对待成膜基板4时，控制相应的磁体5也转动至正对待成膜基板4。

可选地，结合图1和图2，可以设置镀膜装置10还包括与磁体5对应设置的磁体导轨6，例如图2设置两个磁体5分别对应设置有磁体导轨6，磁体导轨6通过第二悬臂32固定于转动主轴1上，磁体5可沿对应的磁体导轨6移动，这样，当对应的磁体5在第二悬臂32的带动下以及靶材2在第一悬臂31的带动下均转动至正对待成膜基板4时，磁体5沿对应的磁体导轨6移动以实现磁体5可平行于对应的靶材2的平面移动，即磁体5在移动的过程中到对应的靶材2的垂直距离始终相等，避免了磁体5距离靶材2表面时远时近，磁体5指向出现来回摇摆，导致靶材2表面磁场时强时弱，不能均匀成膜的问题。需要说明的是，本实用新型实施例对磁体导轨6的形状不作限定，确保磁体5能沿磁体导轨6实现上述方向的移动即可。

图3至图6为本实用新型实施例提供的另一种镀膜装置的俯视结构示意图。结合图1以及图3至图6，可以设置磁体导轨6可折叠，磁体导轨6的折叠部分62可面向磁体导轨6远离对应的磁体5的一侧折叠。示例性地，沿磁体5在磁体导轨6上的移动方向，可以设置磁体导轨6包括非折叠部分61和位于非折叠部分61两侧对称设置的折叠部分62，折叠部分62可面向磁体导轨6远离对应的磁体5的一侧折叠。图3至图6示例性地示出了两组旋转结构，即示出了两组转动主轴1结构，对于双磁控溅射，两相邻靶材2距离较近时，应用本实用新型的旋转设计可能会遇到磁体导轨6相互干涉问题，如图3至图6中两虚线圆形交叠的区域即为干涉区域，磁体导轨6在该区域可能相撞，影响溅射成膜过程。

为了解决前述问题，本实用新型实施例设置磁体导轨6可折叠，沿磁体5在磁体导轨6上的移动方向，磁体导轨6包括非折叠部分61和位于非折叠部分61两侧对称设置的折叠部分62，折叠部分62可面向磁体导轨6远离对应的磁体5的一侧折叠，这样，在需要旋转切换两种靶材2时，首先将磁体导轨6折叠，如图4所示，依次旋转切换另一种材质靶材22到待成膜基板正对面，如图5所示，重新展开磁铁导轨，溅射另一种膜质，如图6所示，有效避免了磁体导轨6可能在干涉区域相撞的问题。

图7为本实用新型实施例提供的另一种镀膜装置的俯视结构示意图。结合图1和图7，可以设置第二悬臂32为可伸缩悬臂，此时镀膜装置10无需设置磁体导轨。具体地，若不设置磁体导轨且第二悬臂32不可伸缩而将磁体5直接连接于第二悬臂32上，通过第二悬臂32带动磁体5来回摆动，则在第二悬臂32来回摆动过程中，磁体5距离靶材2表面将时远时近，磁体5指向亦会出现来回摇摆，导致靶材2表面磁场时强时弱，不能均匀成膜，因此，设置第二悬臂32为可伸缩悬臂有利于实现第二悬臂32在摆动的过程中，磁体5到对应靶材2的表面的垂直距离相等，有利于提高成膜的均匀性。示例性地，第二悬臂32可以设计为由液压或气缸或电机驱动自动伸缩的结构。

可选地，结合图1和图7，可以设置镀膜装置10还包括与第二悬臂32对应设置的转动副轴7，磁体5通过对应的转动副轴7连接于第二悬臂32。具体地，在第二悬臂32为可伸缩悬臂的基础上，设置控溅射装置还包括与第二悬臂32对应设置的转动副轴7，磁体5通过对应的转动副轴7连接于第二悬臂32。可以通过微控制器控制转动主轴1、转动副轴7以及第二悬臂32，即可伸缩悬臂三者的联合运动实现磁体5在靶材2背面做平行于靶材2的匀速扫描运动，转动主轴1的摆动使磁体5获得方位，第二悬臂32，即可伸缩悬臂使磁体5保持与靶材2距离，转动副轴7旋转使磁体5表面与靶材2表面保持平行，这样，无需来回折叠磁体导轨，在实现了相邻阴极间结构不易在旋转时相互干涉的同时，使得磁体5扫描结构更加紧凑。

图8为本实用新型实施例提供的一种镀膜装置的侧视结构示意图，图9为本实用新型实施例提供的另一种镀膜装置的侧视结构示意图。结合图1以及图8和图9，可以设置一个靶材2包括多个子靶材21，一个靶材2中的所有子靶材21位于平行于转动主轴1的同一平面内，一个靶材2中的所有子靶材21沿该靶材2转动方向的切线方向排列，构成一个靶材2中的所有子靶材21的靶材2材料相同，每两个相邻靶材接入交流电AC，这样，设置构成一个靶材2中的所有子靶材21的靶材2材料相同，可利用对多个子靶材21同时制作同一薄膜，提高成膜速率。

需要说明的是，本实用新型实施例示附图只是示例性的表示镀膜装置中各结构的大小，并不代表镀膜装置中各结构的实际尺寸。

本实用新型实施例提供的镀膜装置包括转动主轴，多个靶材环绕连接于转动主轴且可绕转动主轴转动，构成不同靶材的靶材材料不同。不同的靶材在不同的转动位置与待成膜基板相对设置，靶材到转动主轴的垂直距离小于待成膜基板到转动主轴的垂直距离，这样利用转动主轴以及多个靶材在实现了在待成膜基板上制作包括至少两层不同材料薄膜的复合薄膜的同时，相对于采用多个溅射工艺腔体或单个更大的溅射腔体大大减小了镀膜装置的占地面积，有利于镀膜装置的小型化，降低镀膜装置的成本。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种镀膜装置，其特征在于，包括：

转动主轴，多个靶材环绕连接于所述转动主轴且可绕所述转动主轴转动；其中，构成不同所述靶材的靶材材料不同；

不同的所述靶材在不同的转动位置与待成膜基板相对设置，所述靶材到所述转动主轴的垂直距离小于所述待成膜基板到所述转动主轴的垂直距离。

2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶材设置于对应的靶材支撑板上，所述靶材支撑板分别通过第一悬臂连接于所述转动主轴，所述第一悬臂可绕所述转动主轴转动。

3.根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，所述靶材以及所述待成膜基板为平行于所述转动主轴设置的平面结构。

4.根据权利要求3所述的镀膜装置，其特征在于，还包括：

多个磁体，所述磁体分别通过第二悬臂连接于所述转动主轴，所述磁体到所述转动主轴的垂直距离小于所述靶材到所述转动主轴的垂直距离；

沿垂直于所述转动主轴的平面，不同的所述磁体与所述转动主轴的相对位置不同，所述磁体用于对对应的所述靶材进行磁性扫描。

5.根据权利要求4所述的镀膜装置，其特征在于，沿所述转动主轴的延伸方向，所述第一悬臂与所述第二悬臂位于所述转动主轴的不同位置，所述转动主轴对应所述第一悬臂设置的部分与所述转动主轴对应所述第二悬臂设置的部分独立旋转或者同步旋转。

6.根据权利要求4或5所述的镀膜装置，其特征在于，所述磁体可沿平行于对应的所述靶材的平面移动且所述磁体的移动方向垂直于所述转动主轴。

7.根据权利要求6所述的镀膜装置，其特征在于，还包括：

与所述磁体对应设置的磁体导轨，所述磁体导轨通过所述第二悬臂固定于所述转动主轴上，所述磁体可沿对应的所述磁体导轨移动。

8.根据权利要求7所述的镀膜装置，其特征在于，所述磁体导轨可折叠，所述磁体导轨的折叠部分可面向所述磁体导轨远离对应的所述磁体的一侧折叠。

9.根据权利要求6所述的镀膜装置，其特征在于，所述第二悬臂为可伸缩悬臂，所述镀膜装置还包括与所述第二悬臂对应设置的转动副轴，所述磁体通过对应的所述转动副轴连接于所述第二悬臂。

10.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，一个所述靶材包括多个子靶材，一个所述靶材中的所有子靶材位于平行于所述转动主轴的同一平面内，一个所述靶材中的所有子靶材沿该所述靶材转动方向的切线方向排列；其中，构成一个所述靶材中的所有子靶材的靶材材料相同。