CN209434189U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一个实施方式的显示装置具备：基板，具有配置有像素的显示区域及上述显示区域的周边的周边区域；多个焊盘，配置于上述周边区域；以及多个配线，配置于上述周边区域，与上述多个焊盘中的各个焊盘电连接。上述配线一直延伸到上述基板的端部为止。在上述端部，上述配线的位置处的上述基板的厚度是第1厚度，相邻的上述配线之间的上述基板的厚度是比上述第1厚度小的第2厚度。

Description

显示装置

关联申请

本申请基于并主张2018年3月8日在日本提交的在先专利申请2018－042220号的优先权，本申请通过参照而包含该在先专利申请的全部内容。

技术领域

本实用新型的实施方式涉及显示装置。

背景技术

在例如有机电致发光(EL)显示装置、液晶显示装置等的显示装置中，在设置有构成像素的电极、开关元件等的要素的基板中，配置有与外部电路的连接用的端子。

以往，显示装置的基板通常使用玻璃。近年来，提出了通过用树脂材料形成基板，来实现柔性的显示装置的技术。

例如，在显示装置的制造工序中，在通过激光将用树脂材料形成的基板切断时，有时在切断线的附近、基板的一部分会碳化。若在端子的附近发生这种碳化，则多个端子、多个配线可能经由碳化的部分而导通。

另外，端子例如经由具有导电性的粘接层而与外部电路连接。若该粘接层与端子的粘接力不充分，则可能发生外部电路与端子的导通不良。

担心显示装置的成品率由于上述的各种的端子的不良而低下。因此，期望能够抑制端子的不良的技术。

实用新型内容

本公开的目的之一在于，抑制端子的不良，改善显示装置的成品率。

一个实施方式的显示装置，具备：基板，具有配置有像素的显示区域、及上述显示区域的周边的周边区域；多个焊盘，配置于上述周边区域；以及多个配线，配置于上述周边区域，与上述多个焊盘中的各个焊盘电连接。上述配线一直延伸到上述基板的端部为止。在上述端部，上述配线的位置处的上述基板的厚度是第1厚度，相邻的上述配线之间的上述基板的厚度是比上述第1厚度小的第2厚度。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，上述焊盘的位置处的上述基板的厚度是上述第1厚度，相邻的上述焊盘之间的上述基板的厚度是上述第2厚度。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，上述第2厚度比上述第1厚度小5μm以上。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，还具备覆盖上述多个配线的绝缘层，在上述端部，上述配线从上述绝缘层露出。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，与上述焊盘对置的连接部件；以及导电层，配置于上述连接部件与上述焊盘之间，上述绝缘层具有使上述焊盘的至少一部分从该绝缘层露出的开口，上述导电层通过上述开口将上述焊盘与上述连接部件电连接。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，上述绝缘层在上述焊盘与上述显示区域之间包括具有第3厚度的部分，上述开口的周边处的上述绝缘层的厚度是比上述第3厚度小的第4厚度。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，在上述开口的周边，上述绝缘层位于上述导电层与上述焊盘之间。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，上述绝缘层在上述焊盘与上述显示区域之间具有台阶，上述台阶与上述显示区域之间的上述绝缘层的厚度是上述第3厚度，上述台阶与上述焊盘之间的上述绝缘层的厚度是上述第4厚度。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，上述基板包括：第1层；第2层，配置于上述第1层与上述多个配线之间；以及第3层，配置于上述第1层与上述第2层之间。

另外，一个实施方式的显示装置，可以是，在上述端部，上述基板包括与上述配线接触的碳化部分。

根据这种构成，能够抑制端子的不良，能够改善显示装置的成品率。

附图说明

图1是表示第1实施方式的显示装置的概略的构成的俯视图。

图2是表示副像素的电路构成的一个例子的图。

图3是沿着图1中的III－III线的显示装置的概略的剖视图。

图4是例示端子的附近的概略的构造的俯视图。

图5是沿着图4中的V－V线的显示装置的概略的剖视图。

图6是沿着图4中的VI－VI线的显示装置的概略的剖视图。

图7是沿着图4中的VII－VII线的显示装置的概略的剖视图。

图8是沿着图4中的VIII－VIII线的显示装置的概略的剖视图。

图9A是表示显示装置的制造工序的一个例子的、包括配线的剖视图。

图9B是表示显示装置的制造工序的一个例子的、相邻的配线之间的剖视图。

图10A是表示接着图9A的制造工序的剖视图。

图10B是表示接着图9B的制造工序的剖视图。

图11A是表示接着图10A的制造工序的剖视图。

图11B是表示接着图10B的制造工序的剖视图。

图12A是表示接着图11A的制造工序的剖视图。

图12B是表示接着图11B的制造工序的剖视图。

图13是比较例的显示装置的沿着配线以及焊盘的概略的剖视图。

图14是比较例的显示装置的相邻的配线之间的剖视图。

图15是比较例的显示装置的包括多个配线的剖视图。

图16是第2实施方式的显示装置的沿着配线以及焊盘的概略的剖视图。

图17是第2实施方式的显示装置的包括多个配线的剖视图。

图18是第2实施方式的显示装置的包括多个配线以及多个焊盘的剖视图。

具体实施方式

对于几个实施方式，参照附图进行说明。

另外，公开只不过是一个例子，对于本领域技术人员而言关于保护实用新型主旨的适当变更而能够容易地想到的方式，当然包含在本实用新型的范围中。另外，关于附图，为了使说明更明确，有时与实际的方式相比、示意地进行表示，但终究是一个例子，并不限定本实用新型的解释。在各图中，对于连续地配置的同一或者类似的要素，有时省略附图标记。另外，在本说明书和各图中，对于发挥与关于已出现的图的、前述过的构成要素同一或者类似的功能的构成要素，标注同一参照附图标记，有时省略重复的详细的说明。

在各实施方式中，例示具有有机电致发光(EL)显示元件的显示装置。但是，各实施方式并不妨碍各实施方式公开的各个技术思想的对于其他种类的显示装置的应用。例如，作为其他种类的显示装置，举出液晶显示装置、具有电泳元件等的电子纸型的显示装置、应用了微机电系统(MEMS)的显示装置、或者应用了电致变色的显示装置等。

[第1实施方式]

图1是表示第1实施方式的显示装置1的概略的构成的俯视图。显示装置1具备基板2、光学膜3及连接部件4。在本实施方式中，如图所示那样定义第1方向X、第2方向Y以及第3方向Z。第1方向X、第2方向Y以及第3方向Z例如互相垂直地相交，但也可以以垂直以外的角度相交。第1方向X以及第2方向Y相当于与基板2的主面平行的方向。第3方向Z相当于基板2的厚度方向。在本公开中，将与第3方向Z平行地观看显示装置1称为平面视。

基板2具备：显示图像的显示区域DA、及显示区域DA的周边的周边区域PA。显示区域DA具有在第1方向X以及第2方向Y上排列的多个像素PX。像素PX包括与不同的颜色对应的多个副像素SP。在图1的例子中，像素PX包括与红色对应的副像素SPR、与绿色对应的副像素SPG及与蓝色对应的副像素SPB。副像素SPR、SPG、SPB在例如第1方向X上排列。像素PX的形态不限于该例，也可以具备白色等的其他颜色的副像素。

基板2是具有第1端部E1、第2端部E2、第3端部E3及第4端部E4的矩形状。第1端部E1以及第2端部E2与第1方向X平行。第3端部E3以及第4端部E4与第2方向Y平行。另外，基板2可以是正圆形、椭圆形或者四边形以外的多边形状等、矩形以外的形状。在图1的例子中，显示区域DA也是矩形状，但也可以与基板2同样地为其他的形状。

基板2在周边区域PA具有端子TM。在图1的例子中，端子TM沿着第1端部E1配置。端子TM包括在第1方向X上排列的多个焊盘P。在各个焊盘P上连接有配线L。例如，这些配线L包括用于供给对副像素SP施加的影像信号的配线。连接部件4相对于端子TM电连接。连接部件4是例如柔性电路基板，但只要是将显示装置1与外部电路连接的部件即可，也可以是其他种类的部件。

光学膜3被粘贴于显示区域DA。光学膜3例如包括：使光的特定的偏光成分通过并吸收其他的偏光成分的偏光层、对光赋予相位差的相位差层及使光漫射的漫射层等、具有特定的光学功能的1个或者多个层。光学膜3可以是保护显示区域DA的保护膜。

图2是表示副像素SP的电路构成的一个例子的图。副像素SP具备有机EL元件OLED、第1开关元件SW1及第2开关元件SW2。

有机EL元件OLED的阳极电极AE，经由第1开关元件SW1而与电源线PL连接。有机EL元件OLED的阴极电极CE被接地。在第1开关元件SW1的栅极电极与源极电极(或者漏极电极)之间，形成有保存电容CS。第1开关元件SW1的栅极电极经由第2开关元件SW2，与被供给影像信号的影像线DL连接。第2开关元件SW2的栅极电极与扫描线G连接。例如，各开关元件SW1、SW2能够通过多晶硅薄膜晶体管构成。

图3是沿着图1中的III－III线的显示装置1的概略的剖视图。这里，示出了副像素SPR、SPG、SPB的截面。这些副像素SPR、SPG、SPB的构成相同，因此主要对副像素SPG的构成要素附以附图标记，关于副像素SPR、SPB的构成要素，省略附图标记。

显示装置1具备基板2、绝缘层5、平坦化层6、肋7、密封层SL、第1～第3钝化层PV1～PV3、光学膜3及粘接层AD。并且，显示装置1具备第1开关元件SW1、有机EL元件OLED及反射层RF，作为配置于各副像素SP的要素。另外，上述的第2开关元件SW2的图示省略。相邻的副像素SP的有机EL元件OLED通过肋7来划分。

基板2通过例如聚酰亚胺、聚酯或者聚碳酸酯等的树脂材料形成，具有可挠性。基板2具有第1面F1、及第1面F1的相反侧的第2面F2。

绝缘层5包括第1绝缘层51(下涂层)、第2绝缘层52(栅极绝缘膜)及第3绝缘层53(层间绝缘膜)。第1绝缘层51覆盖基板2的第1面F1。在第1绝缘层51之上形成有第1开关元件SW1的半导体层SC。第2绝缘层52覆盖第1绝缘层51以及半导体层SC。第1开关元件SW1的栅极电极GE形成于第2绝缘层52之上。第3绝缘层53覆盖第2绝缘层52以及栅极电极GE。第1开关元件SW1的源极电极SE以及漏极电极DE形成于第3绝缘层53之上，并通过形成于各绝缘层52、53的接触孔而与半导体层SC接触。

平坦化层6覆盖第3绝缘层53、源极电极SE以及漏极电极DE。平坦化层6使通过第1开关元件SW1、第2开关元件SW2而产生的凹凸平坦化。第1钝化层PV1形成于平坦化层6之上。反射层RF形成于第1钝化层PV1之上。例如，反射层RF能够通过铝、银等的光反射率较高的材料形成。

有机EL元件OLED的阳极电极AE(像素电极)，形成于反射层RF之上。阳极电极AE通过将第1钝化层PV1、平坦化层6贯通的接触孔，而与漏极电极DE接触。肋7形成于第1钝化层PV1以及阳极电极AE之上。有机发光层ORG，在相邻的肋7之间形成于阳极电极AE之上。阴极电极CE(共通电极)覆盖肋7以及有机发光层ORG。阴极电极CE遍及多个副像素SP地连续地形成。第2钝化层PV2覆盖阴极电极CE。

密封层SL形成于第2钝化层PV2之上。密封层SL与第2钝化层PV2以及阴极电极CE一同将有机发光层ORG覆盖。第3钝化层PV3形成于密封层SL之上。光学膜3隔着透明的粘接层AD，而与第3钝化层PV3粘接。

平坦化层6、肋7以及密封层SL，能够通过例如绝缘性的有机树脂材料形成。各钝化层PV1～PV3能够通过例如SiN等的绝缘性的无机树脂材料形成。阳极电极AE以及阴极电极CE能够通过例如ITO(铟·锡·氧化物)等的透明导电材料形成。另外，各要素的材料不限于以上举出的例子。

在经由第1开关元件SW1对阳极电极AE供给影像信号时，在阳极电极AE与阴极电极CE之间产生电位差。通过该电位差，有机发光层ORG发光。例如，副像素SPR的有机发光层ORG放出的颜色是红色，副像素SPG的有机发光层ORG放出的颜色是绿色，副像素SPB的有机发光层ORG放出的颜色是蓝色。也可以使各副像素SPR、SPG、SPB的有机发光层ORG放出的光均为同一颜色(例如白色)，并在密封层SL的上方配置滤色器。

接下来，对端子TM的附近处的构造进行说明。图4是例示端子TM的附近的概略的构造的俯视图。这里，示出基板2具备的焊盘P以及配线L，并且用点划线示出了连接部件4。并且，对于将连接部件4与焊盘P电连接的各向异性导电膜ACF，附以点图案进行表示。各向异性导电膜ACF还承担作为将连接部件4与焊盘P粘接的粘接层的作用。

焊盘P在第2方向Y上具有长条的形状。焊盘P在第1方向X上的宽度，比配线L在第1方向X上的宽度大。焊盘P以一定间隔在第1方向X上排列。在焊盘P与第1端部E1之间，设置有规定的间隔。配线L与焊盘P重叠。配线L一直延伸到第1端部E1为止。另外，焊盘P以及配线L的形状、配置形态，不限于这里所例示的。

连接部件4与各焊盘P重叠。各向异性导电膜ACF配置于焊盘P与连接部件4之间。在图4的例子中，各向异性导电膜ACF的显示区域DA侧(图中上侧)的边缘和第1端部E1侧(图中下侧)的边缘，都与焊盘P重叠，但也可以在更宽的范围中设置有各向异性导电膜ACF。

在图4的例子中，连接部件4的端部，与各向异性导电膜ACF以及焊盘P这两者重叠。连接部件4的端部，可以位于比焊盘P或者各向异性导电膜ACF更靠显示区域DA侧(图中上侧)的位置。

图5是沿着图4中的V－V线的显示装置1的概略的剖视图。图6是沿着图4中的VI－VI线的显示装置1的概略的剖视图。图5的剖视图包括配线L以及焊盘P，图6的剖视图不包括配线L以及焊盘P。

如图5所示那样，在基板2的上表面配置有配线L，在配线L之上配置有焊盘P。配线L以及焊盘P能够通过例如金属材料形成。配线L以及焊盘P既可以是单层构造，也可以是多层构造。另外，配线L以及焊盘P可以包括ITO等的透明导电材料。在图5的例子中，焊盘P的厚度比配线L的厚度大，但不限于该例。

如图5以及图6所示那样，配线L、焊盘P以及基板2的上表面，用绝缘层10来覆盖。绝缘层10具有在俯视时与焊盘P重叠的开口12。通过该开口12，焊盘P的一部分从绝缘层10露出。开口12也可以具有使得焊盘P的整体从绝缘层10露出的大小。

例如，绝缘层10能够用与图3所示的肋7相同的材料并通过相同的工序来形成。作为其他的例子，绝缘层10也可以用与图3所示的平坦化层6或者密封层SL相同的材料并通过相同的工序形成。另外，绝缘层10还可以通过与图3所示的任一层都不同的工序，用有机或者无机的树脂材料而形成于周边区域PA。

连接部件4具备基板40、配线41及保护层42。基板40能够用例如聚酰亚胺等的树脂材料形成。配线41能够用例如铜等的金属材料形成，但也可以包含ITO等的透明导电材料。保护层42通过例如无机或者有机的树脂材料形成。在与焊盘P对置的位置，配线41从保护层42露出。

各向异性导电膜ACF，配置于焊盘P与配线41之间，并通过开口12而与焊盘P接触，并且还与配线41接触。由此，焊盘P与配线41导通。作为各向异性导电膜ACF，能够使用例如使热固化型树脂包含导电粒子的膜。

在图5以及图6的例子中，开口12的周边的绝缘层10位于各向异性导电膜ACF与焊盘P之间。并且，各向异性导电膜ACF的一部分位于绝缘层10与保护层42之间。

如图4至图6所示那样，周边区域PA在第1端部E1与显示区域DA之间具有第1区域A1、第2区域A2、第3区域A3、第4区域A4及第5区域A5。这些区域A1～A5从第1端部E1朝向显示区域DA按顺序排列。

具体而言，第1区域A1是第1端部E1与各焊盘P之间的区域的一部分。第2区域A2是第1区域A1与开口12之间的区域。第3区域A3是与开口12对应的区域。第4区域A4是开口12与距焊盘P的显示区域DA侧的端部为一定距离的位置之间的区域。第5区域A5是第4区域A4与显示区域DA之间的区域。

在图5所示的截面，即焊盘P以及配线L存在的位置，基板2的厚度在各区域A1～A5中的任一区域中，都恒定为第1厚度T1。另一方面，在图6所示的截面，即相邻的配线L之间，基板2的厚度在各区域A2、A4、A5中为第1厚度T1，在第1区域A1以及第3区域A3中为比第1厚度T1小的第2厚度T2(T2＜T1)。基板2的第2面F2整体是平坦的。因此，基板2的厚度在第1厚度T1与第2厚度T2之间变化，由此在第1面F1产生凹凸。

在图5以及图6中都是，绝缘层10的厚度在第5区域A5中为第3厚度T3。另外，绝缘层10的厚度，在第2区域A2以及第4区域A4中的除了通过焊盘P形成的台阶附近以外，为比第3厚度T3小的第4厚度T4(T4＜T3)。在第1区域A1以及第3区域A3，不存在绝缘层10。在第1区域A1中，配线L从绝缘层10露出，但该露出的配线L与连接部件4等的外部电路不连接。

绝缘层10的厚度在第4区域A4与第5区域A5间不同，所以在这些区域A4、A5的边界，形成台阶11。该台阶11位于焊盘P与显示区域DA之间，作为将各向异性导电膜ACF挡住的壁发挥功能。即，即使图5以及图6所示的各向异性导电膜ACF在固化前向到显示区域DA侧(图中左侧)流动，也被台阶11挡住。

作为一个例子，从第1端部E1一直到焊盘P为止的第2方向Y上的距离是1.0mm，焊盘P在第2方向Y上的长度是2.0mm，开口12在第2方向Y上的长度是1.0mm，绝缘层10将焊盘P的端部覆盖的部分在第2方向Y上的长度分别是0.5mm，从焊盘P一直到台阶11为止的第2方向Y上的距离是0.2mm。但是，不限于这里举出的数值，各部的尺寸能够适当确定。

如图5所示那样，基板2在第1端部E1包括化部分C。碳化部分C与配线L接触。碳化部分C如后所述那样在通过激光将基板2切断时形成。

图7是沿着图4中的VII－VII线的显示装置1的概略的剖视图。图8是沿着图4中的VIII－VIII线的显示装置1的概略的剖视图。在这些图中，将连接部件4以及各向异性导电膜ACF的图示省略。

如图7所示那样，在第1端部E1的附近，在配线L的下方存在碳化部分C。另一方面，在相邻的配线L之间，不存在碳化部分C。包括碳化部分C的基板2的厚度是上述的第1厚度T1，相邻的配线L之间中的基板2的厚度是上述的第2厚度T2。基板2具有第1厚度T1的部分与第2厚度T2的部分在第2方向Y上交替地反复的形状。从其他的观点来说，基板2在相邻的配线L之间具有槽。

在配线L的位置、基板2突出的高度(T1－T2)，为碳化部分C的厚度Tc以上(Tc≤(T1－T2))。作为一个例子，第1厚度T1为10μm以上，厚度Tc为5μm。在该情况下，第2厚度T2比第1厚度T1小5μm以上是优选的(T2≤T1－5μm)。另外，根据保证基板2的强度的观点，第2厚度T2为5μm以上是优选的(5μm≤T2)。

另外，各个配线L的下方的碳化部分C，不具有一样的厚度情况也是存在的。在该情况下，在配线L的位置、基板2突出的高度(T1－T2)，可以为各个碳化部分C的平均厚度Tave以上(Tave≤(T1－T2))。

如图8所示那样，在焊盘P的位置，不存在碳化部分C。这里也是，基板2具有第1厚度T1的部分与第2厚度T2的部分在第2方向Y上交替地反复的形状。另外，在图4以及图8的例子中，焊盘P在第1方向X上的宽度比配线L在相同方向上的宽度大，但不限于该例子。例如，也可以是焊盘P与配线L在第1方向X上的宽度相同。

接下来，以下对显示装置1的制造方法进行说明。

图9A以及图9B是表示制造工序的一个例子的剖视图。图9A与图5同样地、是包括配线L的截面，图9B与图6同样地、是相邻的配线L之间的截面。在这些图的阶段，在玻璃基板GL之上，形成有基板2、配线L、焊盘P以及绝缘层10。另外，在显示区域DA形成有图3所示的绝缘层5、平坦化层6、肋7、密封层SL、第1～第3钝化层PV1～PV3、第1开关元件SW1、有机EL元件OLED以及反射层RF。

玻璃基板GL是从例如更大的尺寸的样品玻璃中切出的基板，具有与上述的第1端部E1相比更向第2方向Y突出的端部E0。基板2、配线L以及绝缘层10一直形成到该端部E0为止。在端部E0的附近，在配线L处可以设置有检查用的焊盘。另外，沿着端部E0以及玻璃基板GL的其他的端部，也可以设置有保护显示区域DA的各元件及在其周围配置的电路的各元件以免受在制造工序中产生的静电的环状的护圈。

端部E0的附近的基板2、配线L以及绝缘层10，沿着切断线CL被切断。例如，能够通过从基板2的第1面F1侧照射UV激光来实施该切断，但也可以使用其他的方法。

在沿着切断线CL的切断之前或者之后，在绝缘层10的第1区域A1存在的部分10a及在第3区域A3存在的部分10b被去除。该去除能够通过例如干式蚀刻进行，但只要应用与绝缘层10的材质对应的适当的方法即可。另外，也可以将部分10a、10b不完全去除，而是使这些部分10a、10b薄膜化。

图10A以及图10B分别是表示接着图9A以及图9B的制造工序的剖视图。通过将上述的部分10a、10b去除，在第1区域A1中，配线L以及基板2从绝缘层10露出。并且，在第3区域A3，形成开口12，焊盘P以及基板2从绝缘层10露出。

通过沿着切断线CL的切断，形成第1端部E1。由于例如切断时的激光的作用，基板2的一部分碳化，形成上述的碳化部分C。在该时间点，碳化部分C不仅如图10A所示那样存在于配线L的下方，也如图10B所示那样存在于相邻的配线L之间的区域。

图11A以及图11B分别是表示接着图10A以及图10B的制造工序的剖视图。这里，通过例如蚀刻使各区域A1～A4中的绝缘层10以及基板2薄膜化。

具体而言，如图11A以及图11B所示那样，通过将绝缘层10的第2区域A2中存在的部分10c与第4区域A4中存在的部分10d去除，将这些区域A2、A4的绝缘层10薄膜化。同时，如图11B所示那样，通过将基板2的第1区域A1中存在的部分2a与第3区域A3中存在的部分2b去除，将这些区域A1、A3的基板2薄膜化。

在图11A的截面中，存在焊盘P以及配线L，因此基板2不被薄膜化。因此，配线L的下方的碳化部分C原样残留。另一方面，在图11B的截面中，在第1区域A1将基板2薄膜化，由此将碳化部分C去除。

图12A以及图12B分别是表示接着图11A以及图11B的制造工序的剖视图。这里，以将开口12封堵的方式涂布未固化的各向异性导电膜ACF。并且，通过使从连接部件4的上方将加热过的热工具HT接触，从而焊盘P与连接部件4的配线41经由各向异性导电膜ACF而导通，并且各向异性导电膜ACF固化。另外，各向异性导电膜ACF可以使用形成为带状的膜。

如图12A所示那样，在开口12的周边，绝缘层10被薄膜化为上述的第4厚度T4。因此，焊盘P的上表面与开口12的周边处的绝缘层10的上表面的高低差变小，各向异性导电膜ACF的密接性提高。各向异性导电膜ACF的将焊盘P覆盖的部分，主要有助于与连接部件4的压接。

另一方面，如图12B所示那样，在不存在焊盘P的位置，开口12的下方的基板2被薄膜化，因此基板2的上表面与开口12的周边处的绝缘层10的上表面的高低差变大。由此，对与连接部件4的压接没有帮助的各向异性导电膜ACF的流动性提高。

通过从绝缘层10去除上述的部分10d，形成台阶11。因此，即使在使热工具HT接触时等各向异性导电膜ACF向显示区域DA侧(图中左侧)流动，也被台阶11挡住。

在从玻璃基板GL的下方照射激光LZ时，玻璃基板GL与基板2剥离。这样，通过用激光剥离(LLO)去除玻璃基板GL，从而获得图5以及图6所示的构造的显示装置1。

另外，显示装置1的制造方法不限于以上例示的方法。例如也可以在进行沿着切断线CL的切断前，将玻璃基板GL剥离。在该情况下可以从基板2的第2面F2侧照射用于切断的激光。但是，连接部件4的压接等的工序在剥离玻璃基板GL之前，能够更容易地实施。

图13至图15是表示与本实施方式比较的比较例的显示装置100的概略的剖视图。该显示装置100与本实施方式的显示装置1同样地，具备基板2、绝缘层10、配线L、焊盘P、连接部件4及各向异性导电膜ACF。图13的剖视图与图5同样地表示沿着配线L以及焊盘P的截面。图14的剖视图与图6同样地表示相邻的配线L之间的截面。图15的剖视图与图7同样地表示第1端部E1的附近处的包括多个配线L的截面。

如图13以及图14所示那样，在显示装置100中，基板2恒定为第1厚度T1，绝缘层10恒定为第3厚度T3。绝缘层10一直形成到第1端部E1为止。在配线L之下以及相邻的配线L之间的任一处，都形成有碳化部分C。

如图15所示那样，碳化部分C在第1方向X上连续地分布，并与多个配线L接触。因此，在该图的例子中，多个配线L经由碳化部分C而导通。碳化部分C有时也局部地形成。即使在该情况下，只要碳化部分C与相邻的配线L的双方接触，这些配线L就导通。例如，配线L导通，由此应当对某配线L供给的来自连接部件4的影像信号还被供给至其他的配线L，发生显示不良。

与此相对，在本实施方式中，如图7所示那样、相邻的配线L之间，基板2被薄膜化。由此，碳化部分C也被去除，所以能够抑制配线L的通过碳化部分C的导通。

碳化部分C有时一直形成到距在基板2的切断时激光照射的面、最大为5μm的深度。因此，将在相邻的配线L之间将基板2去除的深度，换言之在配线L的位置、基板2突出的高度(T1－T2)如上所述那样设为5μm以上是优选的。

另外，在图13的比较例中，焊盘P的上表面与开口12的周边处的绝缘层10的上表面的高低差较大，因此开口12的附近处的各向异性导电膜ACF的密接性可能降低。与此相对，在本实施方式中，在开口12的周边，绝缘层10被薄膜化。因此，如上所述、各向异性导电膜ACF的密接性提高，能够抑制连接部件4与焊盘P的剥离、导通不良。

这样，根据本实施方式，能够抑制端子TM的附近处的各种的不良。由此，能够改善显示装置1的成品率。除此以外，根据本实施方式还能够获得各种优选的效果。

[第2实施方式]

对第2实施方式进行说明。关于未特别提及的构成，与第1实施方式是同样的。

图16至图18是本实施方式的显示装置1的概略的剖视图。图16的剖视图与图5同样地、表示沿着配线L以及焊盘P的截面。图17的剖视图与图7同样地、表示第1端部E1的附近处的包括多个配线L的截面(第1区域A1的截面)。图18的剖视图与图8同样地、表示包括多个配线L以及多个焊盘P的截面(第3区域A3的截面)。

如图16所示那样，本实施方式中的基板2具备第1层21、第2层22及第3层23。基板2以外的构造与图5的例子是同样的。第1层21具有上述的第2面F2。第2层22配置于第1层21与配线L之间，具有上述的第1面F1。第3层23配置于第1层21与第2层22之间。碳化部分C形成于第2层22。第1层21以及第2层22能够通过例如聚酰亚胺、聚酯或者聚碳酸酯等的树脂材料形成。第3层23能够用例如无机材料形成。

如图17所示那样，在第1区域A1中，在相邻的配线L之间不存在第2层22。在配线L的下方，配置有第2层22(在图示的位置中为碳化部分C)。在相邻的配线L之间不存在第2层22，所以各配线L的下方的碳化部分C分别在电气上独立。如图18所示那样，在第3区域A3中，在相邻的焊盘P之间不存在第2层22。在焊盘P的下方，配置有第2层22。

这样，在本实施方式中，在与第1实施方式中将基板2的厚度减为第2厚度T2的区域相同的区域，第2层22被去除。作为其他的例子，也可以是，在与第1实施方式中将基板2的厚度减为第2厚度T2的区域相同的区域，将第2层22薄膜化。在该情况下，在第1端部E1的附近，在相邻的配线L之间的第2层22的厚度，变得比配线L的位置处的第2层22的厚度小。

即使本实施方式的构成，也能够获得与第1实施方式同样的效果。

通过第1以及第2实施方式公开的基板2、树脂层10、配线L、焊盘P、各向异性导电膜ACF以及连接部件4有关的构成，如上所述那样还能够应用于其他种类的显示装置中。例如，对于具备阵列基板、对置基板及在这些基板之间配置的液晶层的液晶显示装置，既可以对阵列基板应用各实施方式的构成，也可以对于对置基板应用各实施方式的构成。

以上，基于作为本实用新型的实施方式而说明的显示装置，本领域技术人员适当进行设计变更并能够实施的全部的显示装置，只要包含本实用新型的宗旨，就属于本实用新型的范围。

在本实用新型的思想范畴中，只要是本领域技术人员，能够想到各种的变形例，这些变形例也被解释为属于本实用新型的范围。例如，对于上述的各实施方式，本领域技术人员适当进行了构成要素的追加、删除或者设计变更后的方式、或者进行了工序的追加、省略或者条件变更后的方式，只要具备本实用新型的宗旨，就能够包含于本实用新型的范围中。

另外，关于通过各实施方式中叙述的形态所带来的其他的作用效果，根据本说明书的记载而显而易见的效果、或者本领域技术人员能够适当想到的效果，当然被解释为通过本实用新型能够带来的效果。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，具备：

基板，具有配置有像素的显示区域、及上述显示区域的周边的周边区域；

多个焊盘，配置于上述周边区域；以及

多个配线，配置于上述周边区域，与上述多个焊盘中的各个焊盘电连接，

上述配线一直延伸到上述基板的端部为止，

在上述端部，上述配线的位置处的上述基板的厚度是第1厚度，相邻的上述配线之间的上述基板的厚度是比上述第1厚度小的第2厚度。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

上述焊盘的位置处的上述基板的厚度是上述第1厚度，相邻的上述焊盘之间的上述基板的厚度是上述第2厚度。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

上述第2厚度比上述第1厚度小5μm以上。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

还具备覆盖上述多个配线的绝缘层，

在上述端部，上述配线从上述绝缘层露出。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，还具备：

与上述焊盘对置的连接部件；以及

导电层，配置于上述连接部件与上述焊盘之间，

上述绝缘层具有使上述焊盘的至少一部分从该绝缘层露出的开口，

上述导电层通过上述开口将上述焊盘与上述连接部件电连接。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

上述绝缘层在上述焊盘与上述显示区域之间包括具有第3厚度的部分，

上述开口的周边处的上述绝缘层的厚度是比上述第3厚度小的第4厚度。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

在上述开口的周边，上述绝缘层位于上述导电层与上述焊盘之间。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

上述绝缘层在上述焊盘与上述显示区域之间具有台阶，

上述台阶与上述显示区域之间的上述绝缘层的厚度是上述第3厚度，上述台阶与上述焊盘之间的上述绝缘层的厚度是上述第4厚度。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

上述基板包括：

第1层；

第2层，配置于上述第1层与上述多个配线之间；以及

第3层，配置于上述第1层与上述第2层之间。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置，其中，

在上述端部，上述基板包括与上述配线接触的碳化部分。