CN209418474U - 一种一体式硅舟 - Google Patents
一种一体式硅舟 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209418474U CN209418474U CN201822193700.3U CN201822193700U CN209418474U CN 209418474 U CN209418474 U CN 209418474U CN 201822193700 U CN201822193700 U CN 201822193700U CN 209418474 U CN209418474 U CN 209418474U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- retaining piece
- tooth socket
- ditch tooth
- ditch
- connector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种一体式硅舟，包括依次连接且呈U型分布的左上隔挡件、左连接件、左下隔挡件、下连接件、右下隔挡件、右连接件和右上隔挡件，左上隔挡件上设有若干个第一沟齿槽，左下隔挡件上设有若干个第二沟齿槽，右下隔挡件上设有若干个第三沟齿槽，右上隔挡件上设有若干个第四沟齿槽，第一沟齿槽与第二沟齿槽一一对应，第二沟齿槽与第三沟齿槽一一对应，第三沟齿槽与第四沟齿槽一一对应，第一沟齿槽、第二沟齿槽、第三沟齿槽和第四沟齿槽形成若干个支撑槽。本实用新型提供了一种一体式硅舟，具有结构简单，支撑稳定，不易变形等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种一体式硅舟。
背景技术
硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、背封、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。硅片热处理是硅器件衬底加工过程中一个重要的工序，热处理可以使硅片中的氧形成沉积，从而稳定硅片的电阻率，对集成电路制备性能有着极为重要的影响。而这时候就需要一种装载半导体硅片的载体，将半导体硅片放在载体上， 再放入热处理炉进行处理而硅片则是置于硅片舟上送入炉内进行热处理，现在市面上普遍用于承载硅片的舟是采用高纯度的石英、碳化硅制作。石英舟作为硅片的载体，硅片热处理过程中温度常常会超过1000℃，甚至达到1250℃，石英在如此高的温度下，长时间使用可能就会变形软化，而且石英舟与硅片的材质不同，热胀冷缩系数明显不一致，在升温和降温时会出现冷点，导致晶格的塌失，形成晶粒错位，以上因素都会影响硅片质量。而对于碳化硅舟来说，随着硅片尺寸的增大，集成电路的精细度越来越高，生产工艺的要求也越来越苛刻，在高温处理过程中，可能会发生氧化反应，可能会影响到硅片的质量。也有很多硅舟由多个部件组立熔接为一体，现在所使用的熔接方法为使用胶水将各个部件在高温下熔接在一起。因为胶水本身的材质和硅舟的材质不同，使用过程中在高温下容易溢出污染到硅片，同时硅舟各部件在使用时也存在脱胶安全隐患。因此，随着半导体科技的发展石英舟或碳化硅舟已经逐渐无法适应高标准硅片的生产需要，需要开发更好的硅舟来解决这些问题。
中国专利申请公开号CN203150529U，公开日为2013年08月21日，名称为“一种硅舟”，公开了一种硅舟，所述硅舟包括舟体，所述舟体的上沿设有容纳热偶的凹槽。但是该装置仍存在硅舟热胀冷缩系数明显不一致，胶水容易污染硅片的问题。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术中的不足，提供一种一体式硅舟，具有结构简单，支撑稳定，不易变形等优点。
为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种一体式硅舟，包括依次连接且呈U型分布的左上隔挡件、左连接件、左下隔挡件、下连接件、右下隔挡件、右连接件和右上隔挡件，左上隔挡件上设有若干个第一沟齿槽，左下隔挡件上设有若干个第二沟齿槽，右下隔挡件上设有若干个第三沟齿槽，右上隔挡件上设有若干个第四沟齿槽，第一沟齿槽与第二沟齿槽一一对应，第二沟齿槽与第三沟齿槽一一对应，第三沟齿槽与第四沟齿槽一一对应，第一沟齿槽、第二沟齿槽、第三沟齿槽和第四沟齿槽形成若干个支撑槽。所述硅舟截面呈瓦片式的U型，这种结构设计比单纯设计成半圆型更加稳定。底部右下隔挡件和左下隔挡件之间较大的间距有利于增大U型底部底座的面积，使硅舟在炉管内的放置更加平稳。同时较大的底部隔档件间距配合上隔档件的固定作用，使硅片能够更稳定地支撑在硅舟上面，从而生产质量更高的半导体硅片。四个相对的沟齿槽围成的支撑槽内可以插入一片硅片，若干个支撑座内可以插若干个硅片，可以充分利用空间。所述右上隔挡件和左上隔挡件起到固定保护硅片作用，右下隔挡件和左下隔挡件起到稳定支撑硅片的作用。
作为优选，所述左上隔挡件与右上隔挡件对称布置，左下隔挡件与右下隔挡件对称布置，左上隔挡件和右上隔挡件的对称面与左下隔挡件和右下隔挡件的对称面重合。所述对称结构可以使硅舟质量分布更均匀，有利于增加硅舟的稳定性。
作为优选，所述第一沟齿槽为V型槽，第二沟齿槽为V型槽，第三沟齿槽为V型槽，第四沟齿槽为V型槽。所述V型槽可以使硅片插拔更方便快捷，容置安全性好，避免了方形槽接触过大容易卡死的问题。
作为优选，所述V型槽开口角度为25°~30°，V型槽槽深（2~4）mm。所述沟齿槽之间形成短齿，这样的短齿设计可以有效减小硅片与硅舟接触总面积并且不会降低硅舟的有效硅片承载量。
作为优选，所述左连接件包括第一左连件和第二左连件，下连接件包括第一下连件和第二下连件，右连接件包括第一右连件和第二右连件；左上隔挡件、第一左连件、左下隔挡件和第二左连件依次首尾连接围成第一镂空窗口，左下隔挡件、第一下连件、右下隔挡件和第二下连件依次首尾连接围成第二镂空窗口，右下隔挡件、第一右连件、右上隔挡件和第二右连件件依次首尾连接围成第三镂空窗口。所述的3个镂空窗口可以硅片在气相沉积工艺或者高温退火工艺中，拥有更加均匀的气体和温度分布，提高硅片质量。
作为优选，所述左上隔挡件、左连接件、左下隔挡件、下连接件、右下隔挡件、右连接件和右上隔挡件为一体成型结构。所述硅舟采用单独一块多晶铸锭材料进行数控雕刻加工。一体成型结构避免连接处胶水在高位下散发，对硅舟造成的污染。
作为优选，所述硅舟材料为高纯度的多晶硅。所述高纯度的多晶硅具有高熔点、高纯度特性和与硅片一致的热膨胀系数，能有效避免硅片翘曲、改善硅片表面错层，从而提高了硅片的合格率。
本实用新型的有益效果是：（1）支撑结构稳定；（2）硅片与硅舟之间为接触面积小；（3）硅片插拔更方便快捷；（4）镂空窗口计可以硅片在气相沉积工艺或者高温退火工艺中，拥有更加均匀的气体和温度分布，提高硅片质量；（5）硅舟与硅片一致的热膨胀系数，能有效避免硅片翘曲、改善硅片表面错层，从而提高硅片的合格率；（6）一体成型结构避免了连接处胶水的污染。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型主视图示。
图中：左上隔挡件1、第一沟齿槽1.1、左连接件2、第一左连件2.1、第二左连件2.2、左下隔挡件3、第二沟齿槽3.1、下连接件4、第一下连件4.1、第二下连件4.2、右下隔挡件5、第三沟齿槽5.1、右连接件6、第一右连件6.1、第二右连件6.2、右上隔挡件7、第四沟齿槽7.1、第一镂空窗口8、第二镂空窗口9、第三镂空窗口10。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的描述。
实施例：
如图所示，一种一体式硅舟，包括依次连接且呈U型分布的左上隔挡件1、左连接件2、左下隔挡件3、下连接件4、右下隔挡件5、右连接件6和右上隔挡件7，所述左上隔挡件1与右上隔挡件7对称布置，左下隔挡件3与右下隔挡件5对称布置，左上隔挡件1和右上隔挡件7的对称面与左下隔挡件3和右下隔挡件5的对称面重合；左上隔挡件1上设有若干个第一沟齿槽1.1，左下隔挡件3上设有若干个第二沟齿槽3.1，右下隔挡件5上设有若干个第三沟齿槽5.1，右上隔挡件7上设有若干个第四沟齿槽7.1，第一沟齿槽1.1与第二沟齿槽3.1一一对应，第二沟齿槽3.1与第三沟齿槽5.1一一对应，第三沟齿槽5.1与第四沟齿槽7.1一一对应，第一沟齿槽1.1、第二沟齿槽3.1、第三沟齿槽5.1和第四沟齿槽7.1形成若干个支撑槽。所述第一沟齿槽1.1为V型槽，第二沟齿槽3.1为V型槽，第三沟齿槽5.1为V型槽，第四沟齿槽7.1为V型槽。所述V型槽开口角度为25°~30°，V型槽槽深（2~4）mm。
所述硅舟截面呈瓦片式的U型对称结构可以使硅舟质量分布更均匀，这种结构设计比单纯设计成半圆型更加稳定。底部右下隔挡件5和左下隔挡件3之间较大的间距有利于增大U型底部底座的面积，使硅舟在炉管内的放置更加平稳。同时较大的底部隔档件间距配合上隔档件的固定作用，使硅片能够更稳定地支撑在硅舟上面，从而生产质量更高的半导体硅片。所述右上隔挡件7和左上隔挡件1起到固定保护硅片作用，右下隔挡件5和左下隔挡件3起到稳定支撑硅片的作用。所述V型槽可以使硅片插拔更方便快捷，容置安全性好，避免了方形槽接触过大容易卡死的问题。所述沟齿槽之间形成短齿，这样的短齿设计可以有效减小硅片与硅舟接触总面积并且不会降低硅舟的有效硅片承载量。硅片与硅舟之间为接触面积最小的点接触方式。
所述左连接件2包括第一左连件2.1和第二左连件2.2，下连接件4包括第一下连件4.1和第二下连件4.2，右连接件6包括第一右连件6.1和第二右连件6.2；左上隔挡件1、第一左连件2.1、左下隔挡件3和第二左连件2.2依次首尾连接围成第一镂空窗口8，左下隔挡件3、第一下连件4.1、右下隔挡件5和第二下连件4.2依次首尾连接围成第二镂空窗口9，右下隔挡件5、第一右连件6.1、右上隔挡件7和第二右连件6.2件依次首尾连接围成第三镂空窗口10。所述的3个镂空窗口可以硅片在气相沉积工艺或者高温退火工艺中，拥有更加均匀的气体和温度分布，提高硅片质量。
所述左上隔挡件1、左连接件2、左下隔挡件3、下连接件4、右下隔挡件5、右连接件6和右上隔挡件7为一体成型结构。所述硅舟采用单独一块多晶铸锭材料进行数控雕刻加工。一体成型结构避免连接处胶水在高位下散发，对硅舟造成的污染。
所述硅舟材料为高纯度的多晶硅。所述高纯度的多晶硅具有高熔点、高纯度特性和与硅片一致的热膨胀系数，能有效避免硅片翘曲、改善硅片表面错层，从而提高了硅片的合格率。
本实用新型的有益效果是：支撑结构稳定；硅片与硅舟之间为接触面积小；硅片插拔更方便快捷；镂空窗口计可以硅片在气相沉积工艺或者高温退火工艺中，拥有更加均匀的气体和温度分布，提高硅片质量；硅舟与硅片一致的热膨胀系数，能有效避免硅片翘曲、改善硅片表面错层，从而提高硅片的合格率；一体成型结构避免了连接处胶水的污染。
Claims (7)
1.一种一体式硅舟，其特征是，包括依次连接且呈U型分布的左上隔挡件、左连接件、左下隔挡件、下连接件、右下隔挡件、右连接件和右上隔挡件，左上隔挡件上设有若干个第一沟齿槽，左下隔挡件上设有若干个第二沟齿槽，右下隔挡件上设有若干个第三沟齿槽，右上隔挡件上设有若干个第四沟齿槽，第一沟齿槽与第二沟齿槽一一对应，第二沟齿槽与第三沟齿槽一一对应，第三沟齿槽与第四沟齿槽一一对应，第一沟齿槽、第二沟齿槽、第三沟齿槽和第四沟齿槽形成若干个支撑槽。
2.根据权利要求1所述的一种一体式硅舟，其特征是，所述左上隔挡件与右上隔挡件对称布置，左下隔挡件与右下隔挡件对称布置，左上隔挡件和右上隔挡件的对称面与左下隔挡件和右下隔挡件的对称面重合。
3.根据权利要求1所述的一种一体式硅舟，其特征是，所述第一沟齿槽为V型槽，第二沟齿槽为V型槽，第三沟齿槽为V型槽，第四沟齿槽为V型槽。
4.根据权利要求3所述的一种一体式硅舟，其特征是，所述V型槽开口角度为25°~30°，V型槽槽深2~4mm。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种一体式硅舟，其特征是，所述左连接件包括第一左连件和第二左连件，下连接件包括第一下连件和第二下连件，右连接件包括第一右连件和第二右连件；左上隔挡件、第一左连件、左下隔挡件和第二左连件依次首尾连接围成第一镂空窗口，左下隔挡件、第一下连件、右下隔挡件和第二下连件依次首尾连接围成第二镂空窗口，右下隔挡件、第一右连件、右上隔挡件和第二右连件件依次首尾连接围成第三镂空窗口。
6.根据权利要求1或2或3或4所述的一种一体式硅舟，其特征是，所述左上隔挡件、左连接件、左下隔挡件、下连接件、右下隔挡件、右连接件和右上隔挡件为一体成型结构。
7.根据权利要求1或2或3或4所述的一种一体式硅舟，其特征是，所述硅舟材料为高纯度的多晶硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822193700.3U CN209418474U (zh) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 一种一体式硅舟 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822193700.3U CN209418474U (zh) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 一种一体式硅舟 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209418474U true CN209418474U (zh) | 2019-09-20 |
Family
ID=67940488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201822193700.3U Active CN209418474U (zh) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 一种一体式硅舟 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209418474U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111892419A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 福赛特(唐山)新材料有限公司 | 一种高抗震性碳化硅舟及其制备方法 |
-
2018
- 2018-12-25 CN CN201822193700.3U patent/CN209418474U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111892419A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 福赛特(唐山)新材料有限公司 | 一种高抗震性碳化硅舟及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7972703B2 (en) | Baffle wafers and randomly oriented polycrystalline silicon used therefor | |
| JP2002118066A (ja) | 半導体熱処理炉用ガス導入管 | |
| CN103144024A (zh) | 使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺 | |
| CN104404626B (zh) | 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| CN208142144U (zh) | 一种硅舟 | |
| CN209418474U (zh) | 一种一体式硅舟 | |
| CN100390937C (zh) | 5英寸功率mos管用硅外延片的制造方法 | |
| CN209418473U (zh) | 一种沟齿带凸台的硅舟 | |
| CN103227245A (zh) | 一种p型准单晶硅太能阳电池pn结的制造方法 | |
| US4681652A (en) | Manufacture of polycrystalline silicon | |
| CN212725241U (zh) | 一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置 | |
| CN102787349B (zh) | 一种铸锭坩埚及铸锭装置 | |
| CN212840144U (zh) | 导流筒内部保温结构 | |
| JP2002033284A (ja) | 縦型ｃｖｄ用ウェハホルダー | |
| CN204361062U (zh) | 一种硅片用的硅质舟 | |
| CN208846967U (zh) | 带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨 | |
| CN107227488A (zh) | 单晶炉用热场及单晶炉 | |
| CN213184238U (zh) | 一种沟齿边缘倒角的硅舟 | |
| KR101133151B1 (ko) | 증착 공정용 전극 제조 방법 | |
| CN108447772A (zh) | 一种coolmos用硅外延片的制造方法 | |
| CN102142387B (zh) | 用于半导体热处理设备的立式晶舟 | |
| CN206806305U (zh) | 一种扩散石英舟 | |
| WO2016002232A1 (ja) | 多結晶シリコン棒製造用のシリコン芯線および多結晶シリコン棒の製造装置 | |
| JP5238871B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの製造装置およびその製造方法 | |
| CN211045392U (zh) | 一种拼接式横型硅舟 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201216 Address after: Building C, no.668 BINKANG Road, Binjiang District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee after: Hangzhou dunyuan poly core semiconductor technology Co., Ltd Address before: 310053 668, 777, BINKANG Road, Binjiang District, Hangzhou, Zhejiang. Patentee before: HANGZHOU DAHE THERMO-MAGNETICS Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |