CN209070895U - 显示面板和显示终端 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种显示面板和显示终端。本申请实施例中提供了一种显示面板，所述显示面板具有第一显示区、显示过渡区和第二显示区，所述第一显示区与所述第二显示区的类型相异，且所述第一显示区和所述第二显示区位于所述显示过渡区相反的两侧，在作为同一屏幕显示时，所述显示过渡区的亮度介于所述第一显示区的亮度与所述第二显示区的亮度之间；即通过在第一显示区与第二显示区之间设置亮度介于两者之间的显示过渡区，进而降低因第一显示区与第二显示区之间存在较大亮度差，而对显示面板显示效果所造成的不利影响。

Description

显示面板和显示终端

技术领域

本实用新型涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种显示面板和显示终端。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

对于传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒和红外感应元件等的器件，所以需要在显示面板上开槽(notch)或在显示面板上开孔，以在开槽区域或开孔区域设置这些器件。但是，开槽区域或开孔区域均不用于显示画面。

因此，这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面；同时，不同显示区之间存在较大的亮度差。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述技术问题提供了一种显示面板和显示终端，来有效改善显示面板上相邻显示区域交界处的亮度差异，提升显示面板及显示终端的显示性能。

在一个可选的实施例中，一种显示面板，所述显示面板具有第一显示区、显示过渡区和第二显示区，所述第一显示区与所述第二显示区的类型相异，且所述第一显示区和所述第二显示区位于所述显示过渡区相反的两侧，

在作为同一屏幕显示时，所述显示过渡区的亮度介于所述第一显示区的亮度与所述第二显示区的亮度之间；即通过在第一显示区与第二显示区之间设置亮度介于两者之间的显示过渡区，进而降低因第一显示区与第二显示区之间存在较大亮度差，而对显示面板显示效果所造成的不利影响。

在一个可选的实施例中，所述第一显示区与所述显示过渡区的类型相同；例如，可将通过将上述的第一显示区和显示过渡区设置在同一个面板本体上，而将第二显示区形成在另一个显示面板体上，即在临近该另一个显示面板体的边界设置上述的显示过渡区，使得第一显示区和显示过渡区的类型相同(如同为AMOLED显示区)，进而能够有效降低工艺成本，且简单易行。

在一个可选的实施例中，在作为同一屏幕显示时，所述第一显示区的亮度值大于所述第二显示区的亮度值，所述显示过渡区的单位显示面积小于所述第一显示区的单位显示面积，

所述单位显示面积为同一额定尺寸的显示区域中发光面积的大小，以通过改变显示面积来改变显示过渡区的亮度，工艺简单。

在一个可选的实施例中，所述显示过渡区的开口率小于所述第一显示区的开口率，以在基于传统的制备工艺基础上，通过降低开口率，以使得显示过渡区的亮度小于第一显示区的亮度。

在一个可选的实施例中，所述显示过渡区的像素密度小于所述第一显示区的像素密度，即通过降低像素密度的方式实现降低显示面积来减小显示过渡区的亮度。

在一个可选的实施例中，所述第一显示面板体中设置有第一驱动TFT和第二驱动TFT，且所述第一驱动TFT的沟道宽长比大于所述第二驱动TFT的沟道宽长比，

所述第一驱动TFT为驱动所述第一显示区域显示的像素驱动电路中的驱动TFT，所述第二驱动TFT为驱动所述显示过渡区域显示的像素驱动电路中的驱动TFT，即通过改变像素驱动电路中驱动TFT沟道的宽长比来减小显示过渡区的亮度。

在一个可选的实施例中，所述第一显示区为AMOLED显示区，所述第二显示区为PMOLED显示区或类AMOLED显示区；

所述显示过渡区为AMOLED显示区时，该显示过渡区中设置有至少一行或至少一列子像素区。

在一个可选的实施例中，所述显示区包括主显示区和副显示区，

所述副显示区为被所述主显示区部分地或全部地围绕的区域，或者所述副显示区为不被所述主显示区围绕的区域。

在一个可选的实施例中，所述第一显示区为PMOLED显示区，所述第二显示区为AMOLED显示区；

所述显示过渡区为PMOLED显示区时，该显示过渡区中设置有至少一行或至少一列像素单元区，且所述像素单元区为同一个阳极结构所驱动的像素区。

在一个可选的实施例中，本申请还提供了一种显示终端，可包括：

设备本体，具有器件区；

如上述任意一项所述的显示面板，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述第二显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述第二显示区进行光线采集的所述感光器件。

在一个可选的实施例中，所述器件区为开槽区；以及

所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。

附图说明

图1是一个可选的实施例中显示面板的结构示意图；

图2是一个可选的实施例中在主显示区中设置有过渡显示区的示意图；

图3是一个可选的实施例中在副显示区中设置有过渡显示区的示意图；

图4是一个可选的实施例中TFT器件的沟道示意图；

图5是一个实施例中显示终端的结构示意图；

图6是图5中所示设备本体的结构示意图；

图7是图5中所示显示面板体的结构示意图；

图8是一个可选的实施例中的类AMOLED屏体的剖视图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

在传统的电子设备如手机、平板电脑等中，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，故而可通过在显示屏上开槽(Notch)，以在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等。但开槽区域并不用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。

针对上述问题，技术人员研发了一种显示屏，其通过在在开槽区域设置透明显示面板的方式来实现电子设备的全面屏显示。根据驱动方式的不同，OLED可以分为PMOLED(passive matrix OLED，被动式驱动有机发光二极管)和AMOLED(active matrix OLED，主动式驱动有机发光二极管)两种。以PMOLED为例，PMOLED显示阵列的同一行显示单元的同一性质电极是共用的，并且同一列显示单元同一性质电极也是共用的。具体而言，PMOLED显示屏体是以阴极、阳极构成矩阵，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光。研究发现，由于PMOLED显示屏体无TFT背板和金属走线，使得光线透过率高，而可以被应用于前述的透明显示面板。

针对显示面板的采用诸如PMOLED显示屏体和AMOLED显示屏体进行全面屏显示时，由于其驱动方式、器件结构等均具有较大的差异性，故而会使得两个显示屏体所对应的显示区亮度存在明显差异，进而会导致在全面屏显示时，在两个显示区之间会存在明显的界线，甚至会出现黑线，从而会大幅度的降低全面屏的显示效果。

为了解决上述的问题，本申请的实施例中创造性的提出，通过在相邻的存在亮度差异的显示区之间的区域中，设置一个亮度介于两者之间的显示过渡区，从而来减轻，甚至消除两个显示区之间的显示界线，避免全面屏显示时出现黑线的缺陷，提升全面屏的显示效果。

图1是一个可选的实施例中显示面板的结构示意图。如图1所示，在一个可选的实施例中，显示面板10可具有多个显示区，例如图1中所示的第一显示区11、第二显示区12和显示过渡区13等，且上述的第一显示区11和第二显示区12作为全面屏显示时，会存在一定的亮度差。显示过渡区13则设置在位于上述第一显示区11与第二显示区12之间的区域中，且当该显示过渡区13与第一显示区11和第二显示区12共同作为全面屏显示(即作为同一屏幕显示)时，显示过渡区13的亮度介于第一显示区11的亮度与第二显示区12的亮度之间，即通过该显示过渡区13可以减轻，甚至消除第一显示区11和第二显示区12作为全面屏显示时，因存在亮度差而出现的界线等缺陷，进而提升全面屏显示的效果。

在一个可选的实施例中，如图1所示，上述的显示过渡区13的类型可与第一显示区11或第二显示区12类型相同，还可通过诸如调整像素开口率、像素密度等来改变显示过渡区13中的单位显示面积，和/或，调整显示过渡区13驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等技术方案，使得上述的显示过渡区13的亮度介于第一显示区11的亮度与第二显示区12的亮度之间。

图2是一个可选的实施例中在主显示区中设置有过渡显示区的示意图。如图2所示，显示面板20具有主显示区21和副显示区22，且该副显示区22可为被主显示区21部分地(如图2所示)或全部地围绕的区域，同时该副显示区也可为不被主显示区围绕的区域。主显示区21可包括显示过渡单元区211和主显示单元区212，即显示过渡单元区211与主显示单元区212为形成在同一基板上的相同类型的显示区，同时由于副显示区22和主显示单元区212是不同类型的显示区，且其驱动方式、器件结构等均具有较大的差异，进而会使得其作为同一屏幕进行全面屏显示时，两者之间会存在一定的亮度差。例如，如图2所示，当主显示单元区212的亮度高于副显示区22时，显示过渡单元区211则可基于主显示单元212的基础上，通过诸如减小像素开口率、降低像素密度、减小像素驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等，来降低显示过渡单元区211的亮度，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区21的亮度介于副显示区22的亮度与主显示单元区212的亮度之间。而当主显示单元区212的亮度低于副显示区22时，显示过渡区211则可基于主显示单元212的基础上，通过诸如增大像素开口率、增大像素密度、增大像素驱动电路中TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)器件的沟道宽长比等，来提升显示过渡区211的亮度，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区21的亮度介于副显示区22的亮度与主显示单元区212的亮度之间。

图3是一个可选的实施例中在副显示区中设置有过渡显示区的示意图。如图3所示，显示面板30具有主显示区31和副显示区32，且该副显示区32可为被主显示区31部分地(如图3所示)或全部地围绕的区域，同时该副显示区也可为不被主显示区围绕的区域。副显示区32可包括副显示单元区321和显示过渡单元区322，即显示过渡单元区322与副显示单元区321为形成在同一基板上的相同类型的显示区，同时由于主显示区31和副显示单元区321是不同类型的显示区，且其驱动方式、器件结构等均具有较大的差异，进而会使得其作为同一屏幕进行全面屏显示时，两者之间会存在一定的亮度差。例如，如图3所示，当副显示单元区321的亮度高于主显示区31时，显示过渡单元区322则可基于副显示单元区321的基础上，通过诸如减小像素开口率、降低像素密度、减小像素驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等，来降低显示过渡单元区322的亮度，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区322的亮度介于主显示区31的亮度与副显示单元区321的亮度之间。而当副显示单元区321的亮度高于主显示区31时，显示过渡单元区322则可基于副显示单元区321的基础上，可通过诸如增大像素开口率、增大像素密度、增大像素驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等，来提升显示过渡单元区322的亮度，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区322的亮度介于主显示区31的亮度与副显示单元区321的亮度之间。

在一个可选的实施例中，上述的主显示区中均可设置诸如有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称OLED)或液晶发光(liquid crystal display，简称LCD)等透明显示屏体，而副显示区中的屏体可为被动矩阵式有机发光二极管(passivematrix organic light-emitting diode，简称PM OLED)显示单元区或类主动矩阵式有机发光二极管(active-matrix organic light emitting diode，简称类AM OLED)显示单元区，而主显示区中的屏体可为AMOLED显示单元区。

在一个可选的实施例中，上述的显示面板可为透明显示屏，该显示面板可包括多个膜层，为了确保该显示面板具有“透明”的性能，各膜层的透光率均可大于90％，而所述显示面板的透光率可大于70％。例如，各膜层的透光率为91％、93％、95％、97％、98％和/或99％等，而显示面板的透光率为70％、75％、80％、85％、90％或95％等；上述的透光率具体可根据实际需求及工艺能力而定，同时显示面板中的像素定义层及平坦化层也可采用高透光率的材质，只要上述的各个膜层能确保显示面板透明即可。

在另一个可选的实施例中，上述透明显示面板实施例中的像素定义层的材质可为阻光材料，以用于对形成在像素定义层上像素开口中的显示模组所形成的衍射进行改善，以进一步的降低透明显示面板所产生的衍射；同时，为了确保透明显示面板的透明度，上述透明显示面板中各个膜层的透光率均可大于90％(如大于90％、92％、94％、95％和/或98％等)，而整个显示屏的透光率要大于70％(如大于70％、76％、80％、88％或98％等)。另外，透明显示面板中的导电膜层的材质可为ITO、IZO、掺杂有Ag的ITO或掺杂有Ag的IZO等材质，透明显示面板中的绝缘膜层的材质可为SiO₂薄膜、SiN_x薄膜和Al₂O₃薄膜等透明绝缘材料，以进一步确保透明显示面板的透光率。

图4是一个可选的实施例中TFT器件的沟道示意图。如图4所示，在一个可选的实施例中，如图2和4所示，主显示区21可为AMOLED显示区，副显示区22则可为PMOLED显示区，由于OLED器件的亮度与通过驱动TFT器件的输出电流成正向关系，而TFT器件的电流I_oled公式为：

其中，μ_n为驱动TFT的电子迁移率，C_ox为单位面积栅氧化层电容，V_GS为栅极源极电压，V_th为阈值电压，W为驱动TFT器件沟道40的宽度，L为驱动TFT器件沟道40的长度。

如图2和4所示，基于上述的电流公式可知，可通过增大驱动TFT器件沟道40的宽度W，和/或减小驱动TFT器件沟道40的长度，来提升驱动TFT器件的沟道宽长比，继而来提升驱动TFT器件的输出电流，以达到提升显示区亮度的目的。相应地，也可通过减小驱动TFT器件沟道40的宽度W，和/或增大驱动TFT器件沟道40的长度，来降低驱动TFT器件的沟道宽长比，继而来降低驱动TFT器件的输出电流，以达到降低显示区亮度的目的。即通过改变驱动TFT器件的沟道宽长比(W/L)，来改变驱动TFT器件的输出电流，从而在相同数据(data)信号的前提下，使得显示过渡单元区21的亮度介于副显示区22的亮度与主显示单元区212的亮度之间。

图5是一个实施例中显示终端的结构示意图，图6是图5中所示设备本体的结构示意图，图7是图5中所示显示面板体的结构示意图。如图5～7所示，在一个可选的实施例中，本申请还提供了一种显示终端50，该显示终端50可包括设备本体52和显示屏体54，且显示屏体54设置在设备本体52上，且该设备本体52与显示屏体54相互连接。其中，显示屏体54可为上述任一实施例中所阐述的显示面板，用以显示设备本体52所发送的数据或信号，和/或操控该设备本体52进行各项工作。

在一个可选的实施例中，参见图6所示，上述的设备本体52上可开设有非器件区522和器件区524，且在器件区524中可设置有诸如摄像头526及光线传感器等感光器件。继续参见图7所示，上述的显示屏体54可包括第二显示单元区544(即副显示区)和第一显示单元区542(即主显示区)。参见图5～7所示，当显示屏体54贴合固定在设备本体52上时，第一显示单元区(如开槽区)544对应上述的器件区524贴合在一起，以使得上述的诸如摄像头526及光线传感器等感光器件能够透过该第二显示单元区544，对外部光线60进行光线采集及感测等操作。其中，上述的显示屏体54为本申请任一实施例中的显示面板时，通过在第一显示单元区542中临近第一显示单元区541的位置处设置显示过渡区(图中未示出)，以使得第一显示单元区542、显示过渡区和第一显示单元区541在作为同一屏幕显示时，显示亮度能够呈现渐次变化，以避免因相邻显示单元区之间的亮度差过大而造成诸如黑线的缺陷等，进而提升显示终端中显示屏的显示效果。在本申请中，所述第二显示区为被所述第一显示区部分地围绕的区域(如，开槽区)或全部地围绕的区域(如，第一显示区中的开孔区)，或者所述第二显示区为不被所述第一显示区围绕的区域(如，只在一侧与第一显示区邻接的区域)。

另外，如图7所示，为了提升感光器件透过上述的第二显示单元区544所采集光线的数量，可设置上述的第二显示单元区544中的屏体结构为透明屏体，并可在感光器件工作时使得第二显示单元区544处于非显示状态，以提升第二显示单元区544的透光率，进而提升感光器件采集外部光线的性能。

在另一个可选的实施例中，如图7所示，第二显示单元区544中的屏体为PMOLED屏体或类AMOLED屏体，第一显示单元区542中的屏体为AMOLED屏体。其中，类AMOLED屏体是指其像素电路仅包含一个开关元件(即驱动TFT)，而无电容结构。类AMOLED屏体的其他结构与AMOLED显示面板相同。下面以第一显示区544中的屏体为类AMOLED屏体为例进行说明：

图8为一实施例中的类AMOLED屏体的剖视图。参见图8所示，该类AMOLED屏体包括基板610以及设置于基板610上的像素电路620(也即TFT阵列)。像素电路620上设置有第一电极层。第一电极层包括多个第一电极630。第一电极630与像素电路620一一对应。此处的第一电极630为阳极。类AMOLED屏体还包括像素限定层640，设置于第一电极630上。像素限定层640上具有多个开口，开口内设置有发光结构层650，以形成多个子像素，子像素与第一电极630一一对应。发光结构层650的上方设置有第二电极660，第二电极660为阴极，该阴极为面电极，也就是由整面的电极材料形成的整面电极。像素电路640中设置有扫描线、数据线和TFT开关元件。扫描线和数据线均与TFT开关元件连接。扫描线控制TFT开关元件的开启和关闭，数据线在像素开启时，为第一电极630提供驱动电流，以控制子像素发光。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有第一显示区、显示过渡区和第二显示区，所述第一显示区与所述第二显示区的类型相异，且所述第一显示区和所述第二显示区位于所述显示过渡区相反的两侧，

在作为同一屏幕显示时，所述显示过渡区的亮度介于所述第一显示区的亮度与所述第二显示区的亮度之间。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示区与所述显示过渡区的类型相同。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在作为同一屏幕显示时，所述第一显示区的亮度值大于所述第二显示区的亮度值，所述显示过渡区的单位显示面积小于所述第一显示区的单位显示面积。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示过渡区的开口率小于所述第一显示区的开口率。

5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示过渡区的像素密度小于所述第一显示区的像素密度。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板体中设置有第一驱动TFT和第二驱动TFT，且所述第一驱动TFT的沟道宽长比大于所述第二驱动TFT的沟道宽长比，

所述第一驱动TFT为驱动所述第一显示区域显示的像素驱动电路中的驱动TFT，所述第二驱动TFT为驱动所述显示过渡区域显示的像素驱动电路中的驱动TFT。

7.如权利要求1～6中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示区为AMOLED显示区，所述第二显示区为PMOLED显示区或类AMOLED显示区，

在所述显示过渡区为AMOLED显示区时，该显示过渡区中设置有至少一行或至少一列子像素区。

8.如权利要求1～6中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示区为PMOLED显示区或类AMOLED显示区，所述第二显示区为AMOLED显示区，

在所述显示过渡区为PMOLED显示区或类AMOLED显示区时，该显示过渡区中设置有至少一行或至少一列像素单元区，且所述像素单元区为同一个阳极结构所驱动的像素区。

9.一种显示终端，其特征在于，所述显示终端包括：

设备本体，具有器件区；

如权利要求1～8中任意一项所述的显示面板，覆盖在所述设备本体上，

其中，所述器件区位于所述第二显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述第二显示区进行光线采集的感光器件。

10.如权利要求9所述的显示终端，其特征在于，所述第二显示区为被所述第一显示区部分地或全部地围绕的区域，或者所述第二显示区为不被所述第一显示区围绕的区域，

所述感光器件包括摄像头和/或感应器。