CN110993654A - 显示装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示装置及其制作方法，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的具有多个显示屏的显示装置在使用一段时间后，其不同显示屏的画面具有差异的问题。本发明的一种显示装置的制作方法，包括：形成位于第一显示屏的第一晶体管，形成位于第二显示屏的第二晶体管，其中，第一显示屏和第二显示屏为同一显示装置的显示屏，第一显示屏的工作时间大于第二显示屏的工作时间；对第一晶体管进行第一处理，对第二晶体管进行第二处理，以使在工作时间相同时处理后的第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢。

Description

显示装置及其制作方法

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示装置及其制作方法。

背景技术

随着科学技术的发展，现有的显示装置中设置有至少两个显示屏，其中包括主显示屏和副显示屏，在用户的使用过程中，主显示屏的显示时间比较长，而副显示屏的显示时间比较短，这就可能导致主显示屏的晶体管的老化程度远远大于副显示屏的晶体管的老化程度，从而导致主副显示屏画质具有差异，影响用户的体验。

发明内容

本发明至少部分解决现有的具有多个显示屏的显示装置在使用一段时间后，其不同显示屏的画面具有差异的问题，提供一种减少同一显示装置的不同显示屏的画面具有差异的显示装置的制作方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置的制作方法，包括：

形成位于第一显示屏的第一晶体管，形成位于第二显示屏的第二晶体管，其中，所述第一显示屏和所述第二显示屏为同一显示装置的显示屏，所述第一显示屏的工作时间大于所述第二显示屏的工作时间；

对所述第一晶体管进行第一处理，对所述第二晶体管进行第二处理，以使在工作时间相同时处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢。

进一步优选的是，所述对所述第一晶体管进行第一处理包括：向所述第一晶体管的栅极、源极、漏极分别施加不同的电压，以使所述第一晶体管的栅极和源极的电压差小于零。

进一步优选的是，所述第一处理为负偏压温度稳定性的处理工艺。

进一步优选的是，所述对所述第二晶体管进行第二处理包括：向所述第二晶体管的栅极、源极、漏极分别施加不同的电压，以使所述第二晶体管的栅极和源极的电压差大于零。

进一步优选的是，所述第二处理为正偏压温度稳定性的处理工艺。

进一步优选的是，所述在工作时间相同时处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢包括：所述显示装置在工作任意时间后，处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的程度与处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的程度相似或者相同。

进一步优选的是，所述在工作时间相同时处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢包括：处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的总量为0.1V至0.3V，处理后的所述第二晶体管的中阈值电压减小的总量为0.4V至0.6V。进一步优选的是，所述第一显示屏为显示装置的主显示屏，所述第二显示屏为所述显示装置的副显示屏。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，由上述的显示装置的制作方法形成。

进一步优选的是，所述显示装置为有机发光二极管显示装置。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本实施例提供的显示装置的制作方法的流程示意图；

图2为晶体管的阈值电压随工作时间的变化的示意图；

图3为现有技术的显示装置中的晶体管的特性曲线变化趋势图；

图4为经过正偏压温度稳定性的处理工艺的晶体管的阈值电压变化趋势图；

图5为现有技术的显示装置中第一显示屏和第二显示屏的亮度衰减示意图；

图6为本发明实施例的显示装置的第一晶体管的特性曲线变化趋势图；

图7为经过负偏压温度稳定性的处理工艺的晶体管的阈值电压变化趋势图；

图8为本发明实施例的显示装置的第一显示屏和第二显示屏的亮度衰减示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。

在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。

实施例1：

如图1至图8所示，本实施例提供一种显示装置的制作方法，包括：

S11、形成位于第一显示屏的第一晶体管，形成位于第二显示屏的第二晶体管，其中，第一显示屏和第二显示屏为同一显示装置的显示屏，第一显示屏的工作时间大于第二显示屏的工作时间。

S12、对第一晶体管进行第一处理，对第二晶体管进行第二处理，以使在工作时间相同时处理后的第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢。

需要说明的是，该显示装置主要针对同时具有两个显示屏的显示装置，即由于该显示装置具有两个显示屏，则用户在使用的过程中可能不会总是同时开启这两个显示屏，而是一个显示屏(第一显示屏)的使用时间多于另一个显示屏(第二显示屏)的使用时间。在现有技术中，这两个显示屏中的晶体管完全一样，这就造成该显示装置在使用了一段时间后，第一显示屏中的晶体管的损耗大于第二显示屏中的晶体管的损耗，从而使得第一显示屏的亮度低于第二显示的亮度，进而影响用户体验。

现有技术的显示屏中的晶体管在使用之前常用的老化处方式(TFT-Aging)为正偏压温度稳定性的处理工艺(Positive Bias Temperature Stability，PBTS)。晶体管在经过上述老化处方式后，其特性曲线会发生一定的偏移，即特性曲线向正方向偏移，如图3所示。而在后期的显示装置的正常使用过程中，晶体管的阈值电压变化如图4所示，即在使用初期时晶体管的阈值电压的下降程度较快，从而晶体管的老化衰减程度较快。由于第一显示屏和第二显示屏中的晶体管的老化处理方式相同，而第一显示屏和第二显示屏中的晶体管的使用时间不同，则造成两个显示屏中的晶体管的阈值电压的下降程度不一样，从而导致两显示屏的晶体管的程度不一样，即显示装置在使用一段时间后两个显示屏显示的亮度有所差异，如图5所示，其中a表示第一显示屏对应的曲线，b表示第二显示屏对应的曲线。

而本实施例的显示装置中，将显示装置的第一显示屏的第一晶体管和第二显示装置的第二晶体管分别进行不同的老化处理，即对第一晶体管进行第一处理，对第二晶体管进行第二处理，使得即使该显示装置在使用过程中，第一显示屏的显示时长大于第二显示屏的显示时长，第一晶体管的阈值电压减小程度与第二晶体管的阈值电压减小程度接近或者相同，从而保证第一显示屏和第二显示平的亮度始终保持相似或者相同，进而保证用户的体验。

实施例2：

如图1至图8所示，本实施例提供一种显示装置的制作方法，包括：

S11、形成位于第一显示屏的第一晶体管，形成位于第二显示屏的第二晶体管，其中，第一显示屏和第二显示屏为同一显示装置的显示屏，第一显示屏的工作时间大于第二显示屏的工作时间。

优选的，第一显示屏为显示装置的主显示屏，第二显示屏为显示装置的副显示屏。

其中，也就是说用户在使用该显示装置时，使用频率高的为第一显示屏，使用频率低的为第二显示屏，从而使得第一显示屏的使用时长大于第二显示屏的使用时长。

S12、对第一晶体管进行第一处理，对第二晶体管进行第二处理，以使在工作时间相同时处理后的第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢。

需要说明的是，该显示装置主要针对同时具有两个显示屏的显示装置，即由于该显示装置具有两个显示屏，则用户在使用的过程中可能不会总是同时开启这两个显示屏，而是一个显示屏(第一显示屏)的使用时间多于另一个显示屏(第二显示屏)的使用时间。在现有技术中，这两个显示屏中的晶体管完全一样，这就造成该显示装置在使用了一段时间后，第一显示屏中的晶体管的损耗大于第二显示屏中的晶体管的损耗，从而使得第一显示屏的亮度低于第二显示的亮度，进而影响用户体验。

此外，该显示显示装置可以是有机发光二极管显示装置或者其他类型的显示装置，以下以该显示装置为有机发光二极管显示装置为例进行说明。

需要说明的是，有机发光二极管显示装置中的发光结构的寿命表示其亮度衰减到初始亮度95％时的时间，即T95＝T|_L％＝95％；且由公式

可知，注入发光结构的电流变化是影响其亮度变化的重要因素，其中，T表示发光结构的寿命，L％表示发光结构的当前亮度，E(0)表示发光结构的初始发光效率，E(t)表示发光结构使用t时间后的发光效率，J(0)表示发光结构的初始注入电流的密度，J(t)表示发光结构的使用t时间后注入电流的密度。

此外，像素驱动电路中的电流公式为：

得到

其中，Id表示晶体管的电流，u表示电子的迁移率，C_ox表示介电常数，

表示晶体管的宽长比，Vdata表示显示装置的数据信号电压，ELVDD显示装置的输入定压，Vth‘表示晶体管实际的阈值电压，Vth表示晶体管理论的阈值电压，ΔVth表示晶体管阈值电压的变化值，Id_drop％表示电流减小值。

由以上公式可知，当晶体管的特性曲线偏移向负方向偏移，即Vth负偏时，随着ΔVth减小电流下降，随着ΔVth增加电流上升；当晶体管的特性曲线偏移向正方向偏移Vth正偏时，随着ΔVth减小电流下降，随着ΔVth增加电流上升。其中晶体管阈值电压的变化值如图2所示。

目前显示屏中的晶体管在使用之前常用的老化处方式(TFT-Aging)为正偏压温度稳定性的处理工艺(Positive Bias Temperature Stability，PBTS)。晶体管在经过上述老化处方式后，其特性曲线会发生一定的偏移，即特性曲线向正方向偏移，如图3所示。而在后期的显示装置的正常使用过程中，晶体管的阈值电压变化如图4所示，即在使用初期时晶体管的阈值电压的下降程度较快，从而晶体管的老化衰减程度较快。由于第一显示屏和第二显示屏中的晶体管的老化处理方式相同，而第一显示屏和第二显示屏中的晶体管的使用时间不同，则造成两个显示屏中的晶体管的阈值电压的下降程度不一样，从而导致两显示屏的晶体管的程度不一样，即显示装置在使用一段时间后两个显示屏显示的亮度有所差异，如图5所示，其中a表示第一显示屏对应的曲线，b表示第二显示屏对应的曲线。

而本实施例的显示装置中，将显示装置的第一显示屏的第一晶体管和第二显示装置的第二晶体管分别进行不同的老化处理，即对第一晶体管进行第一处理，对第二晶体管进行第二处理，使得即使该显示装置在使用过程中，第一显示屏的显示时长大于第二显示屏的显示时长，第一晶体管的阈值电压减小程度与第二晶体管的阈值电压减小程度接近或者相同，从而保证第一显示屏和第二显示平的亮度始终保持相似或者相同，进而保证用户的体验。

优选的，对第一晶体管进行第一处理包括：向第一晶体管的栅极、源极、漏极分别施加不同的电压，以使第一晶体管的栅极和源极的电压差小于零。

其中，如图6和图7所示，也就是说第一处理具体为向第一晶体管的栅极、源极、漏极施加不同的电压，并且根据实际对三者的电压进行调整，并且使得第一晶体管的栅极和源极的电压差小于零(VGS＜0)，使得在第一显示屏的正常显示的过程中，第一晶体管的特性曲线向负方向偏移，进而使得第一晶体管的阈值电压的变化比较小。

具体的，第一处理为负偏压温度稳定性的处理工艺(Negative Bias TemperatureStability，NBTS)。

需要说明的是，本实施例中的第一处理并不仅限于负偏压温度稳定性的处理工艺，也可以是为其他适合的处理方式，此处不具体阐述。

优选的，对第二晶体管进行第二处理包括：向第二晶体管的栅极、源极、漏极分别施加不同的电压，以使第二晶体管的栅极和源极的电压差大于零。

其中，如图4所示，也就是说第二处理具体为向第二晶体管的栅极、源极、漏极施加不同的电压，并且根据实际对三者的电压进行调整，并且使得第二晶体管的栅极和源极的电压差大于零(VGS＞0)，使得在第二显示屏的正常显示的过程中，第二晶体管的特性曲线向负方向偏移，进而使得第二晶体管的阈值电压的变化比较大。

优选的，第二处理为正偏压温度稳定性的处理工艺(Positive Bias TemperatureStability，PBTS)。

其中，也就是说第二处理类似于现有技术的对显示屏的晶体管的处理，如图3所示。

需要说明的是，本实施例中的第二处理并不仅限于正偏压温度稳定性的处理工艺，也可以是为其他适合的处理方式，此处不具体阐述。

具体的，在工作时间相同时处理后的第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢包括：

在工作时间相同时，处理后的第一晶体管的阈值电压减小的总量为0.1V至0.3V，优选为0.2V，如图4所示，处理后的第二晶体管的中阈值电压减小的总量为0.4V至0.6V，优选为0.5V，如图7所示。

优选的，在工作时间相同时处理后的第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢包括：

所述显示装置在工作任意时间后，处理后的第一晶体管的阈值电压减小的程度与处理后的第二晶体管的阈值电压减小的程度相似或者相同。

其中，也就是说对于一个显示装置，由于第一显示屏和第二显示屏的设置的不同，第一显示屏的工作时间大于第二显示屏的工作时间。当该显示装置的第一晶体管经过第一处理、第二晶体管经过第二处理后，由于处理后的第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢，因此该显示装置在用户使用的任意时刻，其第一晶体管的阈值电压减小的程度与第二晶体管的阈值电压减小的程度相似，甚至相同，如图8所示(其中a表示第一显示屏对应的曲线，b表示第二显示屏对应的曲线)，从而可保证第一显示屏和第二显示屏的亮度相近或者相同，从而保证用户体验。

实施例2：

本实施例提供一种显示装置，由实施例1中的显示装置的制作方法形成。

优选的，显示装置为有机发光二极管显示装置。

具体的，该显示装置也可为液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

依照本发明的实施例如上文所述这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

形成位于第一显示屏的第一晶体管，形成位于第二显示屏的第二晶体管，其中，所述第一显示屏和所述第二显示屏为同一显示装置的显示屏，所述第一显示屏的工作时间大于所述第二显示屏的工作时间；

对所述第一晶体管进行第一处理，对所述第二晶体管进行第二处理，以使在工作时间相同时处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述对所述第一晶体管进行第一处理包括：

向所述第一晶体管的栅极、源极、漏极分别施加不同的电压，以使所述第一晶体管的栅极和源极的电压差小于零。

3.根据权利要求2所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述第一处理为负偏压温度稳定性的处理工艺。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述对所述第二晶体管进行第二处理包括：

向所述第二晶体管的栅极、源极、漏极分别施加不同的电压，以使所述第二晶体管的栅极和源极的电压差大于零。

5.根据权利要求4所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述第二处理为正偏压温度稳定性的处理工艺。

6.根据权利要求1所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述在工作时间相同时处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢包括：

所述显示装置在工作任意时间后，处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的程度与处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的程度相似或者相同。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述在工作时间相同时处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的趋势比处理后的所述第二晶体管的阈值电压减小的趋势慢包括：

处理后的所述第一晶体管的阈值电压减小的总量为0.1V至0.3V，处理后的所述第二晶体管的中阈值电压减小的总量为0.4V至0.6V。

8.根据权利要求1所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述第一显示屏为显示装置的主显示屏，所述第二显示屏为所述显示装置的副显示屏。

9.一种显示装置，其特征在于，由权利要求1至8所述的任意一项所述的显示装置的制作方法形成。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为有机发光二极管显示装置。

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