CN111028693B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板的第一显示区包括第一像素单元和第一驱动电路，第二显示区包括第二像素单元和第二驱动电路，第一像素单元的像素单元密度小于第二像素单元的像素单元密度；第一驱动电路中第一附加晶体管的数量小于第二驱动电路中第二附加晶体管的数量，第一驱动电路中第一驱动晶体管的沟道区的正投影面积小于第二驱动电路中第二驱动晶体管的沟道区的正投影面积。通过简化第一驱动电路的结构提高第一显示区的透光面积，通过设置第一驱动晶体管的沟道区面积小于第二驱动晶体管的沟道区面积，进一步提高第一显示区的透光面积，保证第一显示区具备较大的透光面积。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
电子设备实现显示功能的重要部件是显示面板。现有的显示面板中，为了适应电子设备集成光学电子元件的需求，考虑到屏幕不同区域对于透明度有不同要求。如何在保证显示面板全屏显示的基础上实现不同区域透明度不同成为亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，保证第一显示区透光率高。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括衬底基板，位于所述衬底基板一侧的像素单元和驱动电路，所述显示面板包括第一显示区和第二显示区；
所述第一显示区包括多个第一像素单元，所述第二显示区包括多个第二像素单元，所述第一像素单元的像素单元密度小于所述第二像素单元的像素单元密度；
第一显示区还包括多个第一驱动电路，所述第一驱动电路与所述第一像素单元电连接；所述第二显示区还包括多个第二驱动电路，所述第二驱动电路与所述第二像素单元电连接；
所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管和至少一个第一附加晶体管，所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管和第二附加晶体管，所述第一驱动电路中所述第一附加晶体管的数量小于所述第二驱动电路中所述第二附加晶体管的数量，且所述第一驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第二驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备第一方面所述的显示面板，所述显示面板包括第一显示区和第二显示区；
所述制备方法包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板一侧制作像素单元及驱动电路；具体的，
在所述第一显示区制备第一驱动电路，在所述第二显示区制备第二驱动电路，所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管和至少一个第一附加晶体管，所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管和至少一个第二附加晶体管，所述第一驱动电路中所述第一附加晶体管的数量小于所述第二驱动电路中所述第二附加晶体管的数量，且所述第一驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第二驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积；
在所述第一显示区制备多个第一像素单元，在所述第二显示区制备多个第二像素单元，所述第一像素单元与所述第一驱动电路电连接，所述第二像素单元与所述第二驱动电路电连接，且所述第一像素单元的像素单元密度小于所述第二像素单元的像素单元密度。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，通过设置第一显示区的像素单元密度小于第二显示区的像素单元密度、以及设置第一驱动电路中第一附加晶体管的数量小于第二驱动电路中第二附加晶体管的数量，保证第一显示区具备较大的透光面积，保证第一显示区的透光率高；进一步的，通过设置第一驱动晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影面积小于所述第二驱动晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影面积，进一步减小第一驱动电路的面积，提升第一显示区的透光面积，当传感器设置于第一显示区时，传感器可以接收到较大的光信号，保证传感器可以正常使用。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种第一驱动电路的原理示意图；
图3是本发明实施例提供的一种第一驱动电路的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种第二驱动电路的原理示意图；
图5是本发明实施例提供的一种第二驱动电路的结构示意图；
图6是图5所示的第二驱动电路中第二驱动晶体管的结构示意图；
图7是图1提供的显示面板沿剖面线C-C’的一种剖面结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种第一驱动电路的结构示意图；
图9是图1提供的显示面板沿剖面线C-C’的另一种剖面结构示意图；
图10是图1提供的显示面板沿剖面线D-D’的一种剖面结构示意图；
图11是图1提供的显示面板沿剖面线D-D’的另一种剖面结构示意图；
图12是图1提供的显示面板沿剖面线D-D’的另一种剖面结构示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图15-图19是本发明实施例提供的一种制备单晶硅有源层的结构示意图；
图20-图21是本发明实施例提供的一种制备多晶硅有源层的结构示意图；
图22是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2是本发明实施例提供的一种第一驱动电路的原理示意图，图3是本发明实施例提供的一种第一驱动电路的结构示意图，图4是本发明实施例提供的一种第二驱动电路的原理示意图，图5是本发明实施例提供的一种第二驱动电路的结构示意图，图6是图5提供的第二驱动电路中第二驱动晶体管的结构示意图，图2和图3以第一驱动电路为2T1C电路为例进行说明，图4和图5以第二驱动电路为7T1C电路为例进行说明。结合图1-图6所示，本发明实施例提供的显示面板10衬底基板11，位于衬底基板11一侧的像素单元12和驱动电路13，显示面板10包括第一显示区AA和第二显示区BB；第一显示区AA包括多个第一像素单元121，第二显示区BB包括多个第二像素单元122，第一像素单元121的像素单元密度小于第二像素单元122的像素单元密度；第一显示区AA还包括多个第一驱动电路131，第一驱动电路131与第一像素单元121电连接；第二显示区还BB包括多个第二驱动电路132，第二驱动电路132与第二像素单元122电连接；第一驱动电路131包括第一驱动晶体管1311和至少一个第一附加晶体管1312，第二驱动电路132包括第二驱动晶体管1321和第二附加晶体管1322，第一驱动电路131中第一附加晶体管1312的数量小于第二驱动电路132中第二附加晶体管1322的数量，且第一驱动晶体管1311的沟道区Q1在衬底基板11上的正投影面积小于第二驱动晶体管1321的沟道区Q2在衬底基板10上的正投影面积。
如图1所示，显示面板10包括第一显示区AA和第二显示区BB，第一显示区AA中设置有第一像素单元121和第一驱动电路131，第二显示区BB中设置有第二像素单元122和第二驱动电路132，进一步的，第一驱动电路131包括第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312，第二驱动电路132包括第二驱动晶体管1321和第二附加晶体管1322，设置第一像素单元121的像素单元密度小于第二像素单元122的像素单元密度，同时设置第一附加晶体管1312的数量小于第二附加晶体管1322的数量，保证第一显示区AA具备较大的透光区域，保证第一显示区的光线透过率良好；进一步的，设置第一驱动晶体管1311的沟道区Q1在衬底基板11上的正投影面积小于第二驱动晶体管1321的沟道区Q2在衬底基板11上的正投影面积，保证第一驱动晶体管1311的面积小于第二驱动晶体管1321的面积，进一步减小第一驱动电极131的面积，提升第一显示区AA的透光面积。当第一显示区AA复用为传感器设置区时，可以保证传感器(例如摄像头)可以接收到较多的光信号，保证传感器具备良好的使用精度。进一步，通过设置第一附加晶体管1312的数量小于第二附加晶体管1322的数量，可以减少第一显示区AA中的信号线数量，降低信号线对光线的散射现象；同时还可以适当增加相邻信号线之间的间距，降低信号线对光线的衍射，以摄像头为例，可以提高摄像头的成像清晰度，避免产生虚影。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，通过设置第一显示区的像素单元密度小于第二显示区的像素单元密度、以及设置第一驱动电路中第一附加晶体管的数量小于第二驱动电路中第二附加晶体管的数量，保证第一显示区具备较大的透光面积，保证第一显示区的透光率高；进一步的，通过设置第一驱动晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影面积小于所述第二驱动晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影面积，进一步减小第一驱动电路的面积，提升第一显示区的透光面积，当传感器设置于第一显示区时，传感器可以接收到较大的光信号，保证传感器可以正常使用。
需要说明的是，本发明实施例提供的第一驱动电路可以为图2和图3所示的2T1C电路，即包括第一驱动晶体管、一个第一附加晶体管和一个电容结构；也可以为3T1C电路，即包括第一驱动晶体管、两个第一附加晶体管和一个电容结构；还可以为4T1C电路，即包括第一驱动晶体管、三个第一附加晶体管和一个电容结构；本发明实施例对第一驱动电路的具体结构不进行限定，仅以第一驱动电路为2T1C电路为例进行说明。同时，第二驱动电路可以为图4和图5所示的7T1C电路，即包括第二驱动晶体管、六个第二附加晶体管和一个电容结构；也可以为6T2C电路，即包括第二驱动晶体管、五个第二附加晶体管和两个电容结构；还可以为5T1C电路，即包括第二驱动晶体管、四个第二附加晶体管和一个电容结构；本发明实施例对第二驱动电路的具体结构不进行限定，仅以第二驱动电路为7T1C电路为例进行说明。本发明实施例中只需保证第一驱动电路中第一附加晶体管的数量小于第二驱动电路中第二附加晶体管的数量，保证第一驱动电路结构简单，可以在第一显示区为透光区预留更多空间；同时保证第一驱动晶体管的沟道区的衬底基板上的正投影面积小于第二驱动晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影面积，进一步减小第一驱动电路131的面积，提升第一显示区AA的透光面积。
还需要说明的是，本发明实施例中各晶体管均可以为P型晶体管，也可以均为N型晶体管，本发明实施例对此不作限定。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参考图3和图6所示，第一驱动晶体管1311包括第一有源层1311A和第一栅极1311G，第一有源层1311A和第一栅极1311G交叠的区域为第一驱动晶体管1311的沟道区Q1，第二驱动晶体管1321包括第二有源层1321A和第二栅极1321G，第二有源层1321A和第二栅极1311G交叠的区域为第二驱动晶体管1321的沟道区Q2。在垂直于第一驱动晶体管1311有源层1311A延伸的方向上，第一驱动晶体管1311的沟道区Q1的宽度为W1；在垂直于第二驱动晶体管1321有源层1321A延伸的方向上，第二驱动晶体管1321的沟道区Q2宽度为W2；第一驱动晶体管1311的沟道区Q1长度为L1，第二驱动晶体管1321的沟道区Q2长度为L2；其中，
Figure BDA0002346616510000071
本发明实施例中设置第一驱动晶体管1311的沟道区Q1在衬底基板11上的正投影面积小于第二驱动晶体管1321的沟道区Q2在衬底基板11上的正投影面积，可以通过设置第一驱动晶体管1311的沟道区Q1的宽度与第二驱动晶体管1321的沟道区Q2的宽度相同，第一驱动晶体管1311的沟道区Q1的长度小于第二驱动晶体管1321的沟道区Q2的长度实现的。通过设置第一驱动晶体管1311的沟道区Q1的长度小于第二驱动晶体管1321的沟道区Q2的长度，保证可以提升第一显示区的透光区域，当第一显示区作为传感器设置区时，设置于第一显示区的传感器(例如摄像头)可以接收更多的光信号，保证传感器使用精度良好。
进一步的，合理设置第一驱动晶体管1311的沟道区Q1宽度W1和沟道区长度L1与第二驱动晶体管1321的沟道区Q2宽度W2和沟道区长度L2满足
Figure BDA0002346616510000081
保证可以增加第一显示区的透光面积，提升传感器使用精度；进一步的，设置第一驱动晶体管1311的沟道区Q1在衬底基板11上的正投影面积小于第二驱动晶体管1321的沟道区Q2在衬底基板11上的正投影面积，还可以增加第一显示区内信号线的设置自由度，可以增加第一显示区相邻信号线之间的间距，降低信号线对光线的衍射效应，以摄像头为例，可以提高摄像头的成像清晰度，避免产生虚影。
在上述实施例的基础上，设置第一驱动晶体管1311的沟道区Q1在衬底基板11上的正投影面积小于第二驱动晶体管1321的沟道区Q2在衬底基板11上的正投影面积存在多种不同的实施方式，下面将针对不同的情况进行详细说明。
首先以第一显示区AA至少包括单晶硅晶体管，第二显示区BB包括多晶硅晶体管为例进行说明。
通过至少第一显示区AA至少包括单晶硅晶体管，第二显示区BB包括多晶硅晶体管，例如第一驱动晶体管1311为单晶硅晶体管，第二驱动晶体管1321为多晶硅晶体管。由于单晶硅晶体管的均一性良好，不会产生阈值漂移问题，因此无需为补偿第一驱动晶体管1311的阈值而设置其他附加晶体管。因此当第一驱动晶体管1311为单晶硅晶体管时，可以仅设置一个第一附加晶体管1311作为开关晶体管，无需设置其他附加晶体管作为阈值补偿晶体管，保证第一驱动电路131结构简单，且第一显示区AA的显示均一性良好。由于多晶硅材料普遍，多晶硅晶体管制备工艺简单成熟，且成本低，设置第二显示区BB包括多晶硅晶体管，例如低温多晶硅晶体管，通过合理设置第二附加晶体管，对第二驱动晶体管1321进行阈值补偿，保证第二驱动电路132制备工艺简单，成本低，且第二显示区BB显示均一性良好。
进一步的，设置第一显示区AA至少包括单晶硅晶体管，第二显示区BB包括多晶硅晶体管同样可以包括多种不同的实施方式，下面进行详细说明。
首先以第一驱动晶体管和第一附加晶体管均为单晶硅晶体管，且第一驱动晶体管和第二附加晶体管通过转移的方式与显示面板中的其他膜层进行连接为例对显示面板的结构进行说明。
图7是图1提供的显示面板沿剖面线C-C’的一种剖面结构示意图，结合图2、图3和图7所示，第一驱动电路131包括第一驱动晶体管1311和一个第一附加晶体管1312；第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312包括单晶硅晶体管；第一驱动晶体管1311包括第一输入电极1311D、第一输出电极1311S和第一控制电极1311G，第一附加晶体管1312包括第二输入电极1312D、第二输出电极1312S和第二控制电极1312G，第二输出电极1312S与第一控制电极1311G电连接；第一驱动电路131还包括电压信号接收端子131A、扫描信号接收端子131B、数据信号接收端子131C和阳极连接端子131D，电压信号接收端子131A与第一输入电极1311D电连接，扫描信号接收端子131B与第二控制电极1312G电连接，数据信号接收端子131C与第二输入电极1312D电连接，阳极连接端子131D与第一输出电极1311S电连接(图中未示出)；显示面板10还包括位于衬底基板11一侧的电压信号线(图中未示出)、扫描信号线(图中未示出)、数据信号线(图中未示出)和阳极1211，位于衬底基板11一侧且位于第一显示区AA的电压信号输出端子14、扫描信号输出端子15和数据信号输出端子16；电压信号输出端子14分别与电压信号线和电压信号接收端子131A电连接，扫描信号输出端子15分别与扫描信号线和扫描信号接收端子131B电连接，数据信号输出端子16分别与数据信号线和数据信号接收端子131C电连接，阳极1211与阳极连接端子131D电连接。
示例性的，当第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312为单晶硅晶体管时，第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312可以在单晶硅上制备完成后转移至衬底基板11一侧。如图3所示，在第一驱动电路131内部，第二输出电极1312S与第一控制电极1311G电连接；如图2和图7所示，在第一驱动电路131表面设置有电压信号接收端子131A、扫描信号接收端子131B、数据信号接收端子131C和阳极连接端子131D，同时电压信号接收端子131A与第一输入电极1311D电连接，扫描信号接收端子131B与第二控制电极1312G电连接，数据信号接收端子131C与第二输入电极1312D电连接，阳极连接端子131D与第一输出电极1311S电连接。相对应的，为了保证第一驱动电路131正常工作，显示面板10在第一显示区AA且在衬底基板11一侧还包括对应设置的电压信号输出端子14、扫描信号输出端子15和数据信号输出端子16；电压信号输出端子14将电压信号线传输的电压信号传输至电压信号接收端子131A，扫描信号输出端子15将扫描信号线传输的扫描信号传输至扫描信号接收端子131B，数据信号输出端子16将数据信号线传输的数据信号传输至数据信号接收端子131C，阳极1211与阳极连接端子131D电连接，如此保证第一驱动电路131可以正常接收各种信号，正常驱动第一像素单元121发光显示。
进一步的，如图7所示，电压信号输出端子14、扫描信号输出端子15和数据信号输出端子16同层设置且位于第一驱动电路131远离朝向阳极1211的一侧；第一驱动电路131设置于阳极1211与电压信号输出端子14所在平面之间。
示例性的，如图7所述，电压信号接收端子131A、扫描信号接收端子131B和数据信号接收端子131C同层设置且设置于第一驱动电路131的一侧，阳极连接端子131D设置于第一驱动电路131的另一侧，电压信号输出端子14、扫描信号输出端子15和数据信号输出端子16同层设置且位于第一驱动电路131远离朝向阳极1211的一侧，第一驱动电路131设置于阳极1211与电压信号输出端子14之间，保证电压信号接收端子131A以朝向电压信号输出端子14的方式与电压信号输出端子14对位连接、扫描信号接收端子131B以朝向扫描信号输出端子15的方式与扫描信号输出端子15对位连接，数据信号接收端子131C以朝向数据信号输出端子16的方式与数据信号输出端子16对位连接，阳极连接端子131D以远离衬底基板11的方式与阳极1211连接，保证第一驱动电路131与显示面板10中对位连接关系简单，同时保证第一驱动电路131与显示面板10结构简单。
接下来以第一驱动晶体管为单晶硅晶体管，第一附加晶体管为多晶硅薄膜晶体管，且第一驱动晶体管通过转移的方式与显示面板中的其他膜层连接为例对显示面板的结构进行说明。
图8是本发明实施例提供的另一种第一驱动电路的结构示意图，图9是图1提供的显示面板沿剖面线C-C’的另一种剖面结构示意图，如图2、图8和图9所示，第一驱动电路131包括第一驱动晶体管1311和一个第一附加晶体管1312；第一驱动晶体管1311包括单晶硅晶体管，第一附加晶体管1312包括多晶硅晶体管；第一驱动晶体管1311包括第一输入电极1311D、第一输出电极1311S、第一控制电极1311G以及电压信号接收端子131A、控制信号接收端子131E和阳极连接端子131D；电压信号接收端子131A与第一输入电极1311D电连接，控制信号接收端子131E与第一控制电极1311G电连接(图中未示出)，阳极连接端子131D与第一输出电极1311S电连接；显示面板10还包括位于衬底基板11一侧的电压信号线(图中未示出)、扫描信号线(图中未示出)、数据信号线(图中未示出)和阳极1211，位于衬底基板11一侧且位于第一显示区AA的第一附加晶体管1312、电压信号输出端子14和控制信号输出端子17；第一附加晶体管1312包括第二输入电极1312D、第二输出电极1312S和第二控制电极1312G；电压信号输出端子14分别与电压信号线和电压信号接收端子电连接131A，控制信号输出端子17分别与第二输出电极1312S和控制信号接收端子131E电连接，扫描信号线与第二控制电极1312G电连接，数据信号线与第二输入电极1312D电连接，阳极1211与阳极连接端子131D电连接。
示例性的，当第一驱动晶体管1311为单晶硅晶体管、第一附加晶体管1312为多晶硅晶体管时，第一驱动晶体管1311可以在单晶硅上制备完成后转移至衬底基板11一侧，第一附加晶体管1312可以直接在衬底基板11一侧制备形成。进一步的，为了保证第一驱动晶体管1311正常接收信号，在第一驱动晶体管1311表面可以设置有电压信号接收端子131A、控制信号接收端子131E和阳极连接端子131D，同时电压信号接收端子131A与第一输入电极1311D电连接，控制信号接收端子131E与第一控制电极1311G电连接(图中未示出)，阳极连接端子131D与第一输出电极1311S电连接。相对应的，为了保证第一驱动电路131正常工作，显示面板10在第一显示区AA且在衬底基板11一侧还包括对应设置的电压信号线(图中未示出)、扫描信号线(图中未示出)、数据信号线(图中未示出)和阳极1211，位于第一显示区AA的压信号输出端子14和控制信号输出端子17，电压信号输出端子14分别与电压信号线和电压信号接收端子131A电连接，控制信号输出端子17分别与第二输出电极1312S和控制信号接收端子131E电连接，扫描信号线与第二控制电极1312G电连接，数据信号线与第二输入电极1312D电连接，阳极1211与阳极连接端子131D电连接，如此保证第一驱动电路131可以正常驱动第一像素单元121发光显示。
进一步的，如图9所示，电压信号输出端子14和控制信号输出端子17同层设置且位于第一驱动晶体管1311远离朝向阳极1211的一侧；第一驱动晶体管1311设置于阳极1211与电压信号输出端子14所在平面之间。
示例性的，如图9所述，电压信号接收端子131A和控制信号接收端子131E同层设置且设置于第一驱动晶体管1311的一侧，阳极连接端子131D设置于第一驱动晶体管1311的另一侧，电压信号输出端子14和控制信号输出端子17同层设置且位于第一驱动晶体管1311远离朝向阳极1211的一侧，第一驱动晶体管1311设置于阳极1211与电压信号输出端子14之间，保证电压信号接收端子131A以朝向电压信号输出端子14的方式与电压信号输出端子14对位连接、控制信号接收端子131E以朝向控制信号输出端子17的方式与控制信号输出端子17对位连接，阳极连接端子131D以远离衬底基板11的方式与阳极1211连接，保证第一驱动电路131与显示面板10对位连接关系简单，同时保证第一驱动电路131与显示面板10结构简单。
上述实施例以至少第一驱动晶体管为单晶硅晶体管，且通过转移的方式与显示面板中的其他膜层连接为例对显示面板的结构进行了详细说明。通过在第一驱动晶体管部分以及显示面板部分制备信号连接端子，保证第一驱动晶体管可以正常接收信号，保证位于第一显示区的显示面板可以正常工作。
接下来以第一驱动晶体管和第一附加晶体管均为单晶硅晶体管，第二驱动晶体管和第二附加晶体管均为多晶硅晶体管，且第一驱动晶体管和第一附加晶体管直接在衬底基板一侧制备得到为例对显示面板的结构进行说明。
可选的，第一驱动晶体管和第一附加晶体管包括单晶硅有源层，第二驱动晶体管和第二附加晶体管包括多晶硅有源层；单晶硅有源层和多晶硅有源层异层设置。
具体的，图10是图1提供的显示面板沿剖面线D-D’的一种剖面结构示意图，图11是图1提供的显示面板沿剖面线D-D’的另一种剖面结构示意图，图10和图11仅示例性画出了第一驱动晶体管1311的有源层和第二驱动晶体管1321的有源层，如图10和图11所示，第一驱动晶体管1311包括单晶硅有源层1311A1，第二驱动晶体管1321包括多晶硅有源层1321A1；单晶硅有源层1311A1和多晶硅有源层1321A1异层设置。设置单晶硅有源层1311A1和多晶硅有源层1321A1异层设置，保证单晶硅有源层1311A1和多晶硅有源层1321A1相互独立不影响，保证第一驱动电路131和第二驱动电路132相互独立不影响，保证显示面板正常显示。
进一步的，继续参考图10所示，单晶硅有源层1311A1设置于多晶硅有源层1321A1远离衬底基板11的一侧，如此可以在形成多晶硅有源层1321A1并对多晶硅有源层1321A1进行准分子激光退火后再制备得到单晶硅有源层1311A1，如此准分子激光退火工艺不会影响单晶硅有源层1311A1，保证第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312正常工作。
进一步的，单晶硅有源层1311A1设置于多晶硅有源层1312A1靠近衬底基板11的一侧；显示面板10还包括遮光层18，遮光层18设置于单晶硅有源层1311A与衬底基板11之间，且遮光层18在衬底基板11所在平面上的垂直投影与单晶硅有源层1311A1在衬底基板11所在平面上的垂直投影至少部分交叠，如此，在对多晶硅有源层1312A进行准分子激光退火时，通过遮光层18对单晶硅有源层1311A1进行遮挡保护，如此准分子激光退火工艺不会影响单晶硅有源层1311A1，保证第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312正常工作。
上述实施例以第一驱动晶体管和第一附加晶体管均为单晶硅晶体管，且第一驱动晶体管和第一附加晶体管直接在衬底基板一侧制备为例详细对显示面板的结构进行了详细说明。通过在衬底基板一侧直接制备得到单晶硅晶体管和多晶硅晶体管，保证单晶硅晶体管和多晶硅晶体管制备工艺简单。
综上所述，通过设置第一显示区至少包括单晶硅晶体管，可以保证第一驱动电路结构简单，增加第一显示区的透光面积，同时保证第一显示区显示均一性良好；在第二显示区设置多晶硅晶体管，保证第二显示区晶体管制备工艺简单程度，成本低；通过合理设置第二附加晶体管对第二驱动晶体管的阈值进行补偿，同样可以保证第二显示区显示均一性良好。
接下来以第一显示区AA和第二显示区BB均包括多晶硅晶体管为例进行说明。
第一显示区AA和第二显示区BB均包括多晶硅晶体管，第一显示区AA多晶硅晶体管和第二显示区BB的多晶硅晶体管可以采用相同的材料在同一工艺中制备得到，保证显示面板膜层结构简单的同时保证显示面板制备工艺简单。
可选的，第一驱动晶体管和第一附加晶体管可以包括多晶硅晶体管；第二驱动晶体管和第二附加晶体管可以包括多晶硅晶体管，第一驱动晶体管和第一附加晶体管包括第一多晶硅有源层，第二驱动晶体管和第二附加晶体管包括第二多晶硅有源层；所述第一多晶硅有源层的晶粒尺寸大于所述第二多晶硅有源层的晶粒尺寸；第一多晶硅有源层和第二多晶硅有源层同层设置。
具体的，图12是图1提供的显示面板沿剖面线D-D’的另一种剖面结构示意图，图12仅示例性画出了第一驱动晶体管1311和第二驱动晶体管1321的有源层，如图12所示，第一驱动晶体管1311包括第一多晶硅有源层1311A2，第二驱动晶体管包括第二多晶硅有源层1321A2；第一多晶硅有源层1311A2的晶粒尺寸大于第二多晶硅有源层1321A2的晶粒尺寸，如此保证第一多晶硅有源层1311A2相比第二多晶硅有源层1321A2来说，第一多晶硅有源层1311A2的晶界少，第一多晶硅有源层1311A2的均一性良好，不存在阈值漂移问题或者阈值漂移程度较小，无需为补偿第一驱动晶体管1311的阈值而设置其他附加晶体管便可保证第一显示区显示均一性良好。
进一步的，第一多晶硅有源层1311A2和第二多晶硅有源层1321A2同层设置且在同一工艺中制备得到，保证第一驱动电路131和第二驱动电路132制备工艺简单，显示面板膜层结构简单。
进一步的，第一多晶硅有源层1311A2的晶粒尺寸为D1，第二多晶硅有源层1321A2的晶粒尺寸为D2，其中，50μm≤D1≤5mm，10nm≤D2≤10μm。合理设置第一多晶硅有源层1311A2的晶粒尺寸D1满足50μm≤D1≤5mm，可以保证第一多晶硅有源层1311A2的晶界少，第一多晶硅有源层1311A2的均一性良好，不存在阈值漂移问题或者阈值漂移程度较小；合理设置第二多晶硅有源层1321A2的晶粒尺寸D2满足10nm≤D2≤10μm，第二多晶硅有源层1311A2与现有多晶硅材料及制备工艺匹配，第二多晶硅有源层1311A2成本低，制备工艺简单。
进一步的，本发明实施例提供的第一多晶硅有源层的1311A2电子迁移率V可以满足V≥500cm2/(V*s)，保证第一多晶硅有源层的1311A2具备较大的电子迁移率，第一驱动晶体管1311可以提供较大的驱动电流，保证第一像素单元121正常发光显示。
综上所述，通过设置第一显示区和第二显示区均包括多晶硅晶体管，通过合理设置第一多晶硅有源层的晶粒尺寸和第二多晶硅有源层的晶粒尺寸，可以保证第一多晶硅有源层的均一性良好，不存在阈值漂移问题或者阈值漂移程度较小，无需设置阈值补偿电路，可以保证第一驱动电路结构简单，第一显示区的透光面积较大。
在上述实施例的基础上，第一显示区还包括与第一驱动电路连接的第一信号线(图中未示出)，第二显示区还包括与第二驱动电路连接的第二信号线(图中未示出)，其中，第一信号线的线宽为d1，第二信号线的线宽为d2，其中，500nm≤d1<2μm，d2≥2μm。
具体的，与第一驱动电路连接第一信号线可以为数据信号线或者电压信号线，与第二驱动电路连接的第二信号线可以为数据信号线或者电压信号线。由于本发明实施例中的第一驱动晶体管可以为单晶硅晶体管或者晶粒尺寸较大的多晶硅晶体管，因此相比于第二驱动晶体管来说，第一驱动晶体管的载流子迁移率更高；并且，第一驱动晶体管的沟道区长度小于第二驱动晶体管的沟道区长度，第一驱动晶体管的沟道区宽度等于第二驱动晶体管的沟道区宽度，因此，第一驱动晶体管的沟道区具备更大的宽长比。由于载流子迁移率和沟道宽长比都是决定驱动电流的参量，因此第一驱动晶体管提供的驱动电流大于第二驱动晶体管提供的驱动电流。本发明实施例中，设置与第一驱动电路连接的第一信号线的线宽小于与第二驱动电路连接的第二信号线的线宽，第一信号线的导电电阻较大，电流在第一信号线上的损耗较大；又因为第一驱动晶体管提供的驱动电流大于第二驱动晶体管提供的驱动电流，因此较大的驱动电流可以弥补因信号线电阻导致的损耗，保证第一发光单元和第二发光单元可以接收到相同或者相近的驱动电流，保证第一显示区和第二显示区显示亮度相同或者相近。进一步的，设置第一信号线的线宽较小，还可以提升第一显示区的透光面积，增加传感器接收到的光通量，提升传感器的使用精度。
进一步，设置第一信号线的线宽d1满足500nm≤d1<2μm，第二信号线的线宽d2满足d2≥2μm，在满足现有制备工艺的情况下提升第一显示区的透光面积，保证第一发光单元和第二发光单元可以接收到相同或者相近的驱动电流。
可选的，图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图13所示，本发明实施例提供的显示面板还可以包括位于第一显示区AA和第二显示区BB之间的过渡显示区EE，过渡显示区EE包括第三像素单元123和第三驱动电路133，第三像素单元123的像素单元密度大于第一像素单元121的像素单元密度，小于第二像素单元122的像素单元密度；第三驱动电路133包括第三驱动晶体管1331和至少一个第三附加晶体管1332，第三驱动电路133中第三附加晶体管1332的数量大于第一驱动电路131中第一附加晶体管1312的数量，小于第二驱动电路132中第二附加晶体管1322的数量；且第三驱动晶体管1331的沟道区在衬底基板上正投影面积大于第一驱动晶体管1311的沟道区在衬底基板上正投影面积，小于第二驱动晶体管1321的沟道区在衬底基板上的正投影面积。
示例性的，在第一显示区AA和第二显示区BB之间设置过渡显示区EE，同时设置过渡显示区13的像素单元密度大于第一像素单元121的像素单元密度，小于第二像素单元122的像素单元密度，第三附加晶体管1332的数量大于第一附加晶体管1312的数量，小于第二附加晶体管1322的数量，第三驱动晶体管1331的沟道区面积大于第一驱动晶体管1311的沟道区面积，小于第二驱动晶体管1321的沟道区面积，保证显示面板在显示时，从第二显示区BB过渡到过渡显示区EE再过渡到第一显示区AA时，保证整个显示面板在不同的显示区之间过渡自然，避免第一显示区AA和第二显示区BB因像素单元密度、附加晶体管的数量以及驱动晶体管的沟道面积骤变，造成人眼可见的问题，保证显示面板显示效果良好。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备上述实施例所述的显示面板。具体的，图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图14所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：
S110、提供衬底基板。
S120、在第一显示区制备第一驱动电路，在第二显示区制备第二驱动电路，第一驱动电路包括第一驱动晶体管和至少一个第一附加晶体管，第二驱动电路包括第二驱动晶体管和至少一个第二附加晶体管，第一驱动电路中第一附加晶体管的数量小于第二驱动电路中第二附加晶体管的数量，且第一驱动晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影面积小于第二驱动晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影面积。
S130、在第一显示区制备多个第一像素单元，在第二显示区制备多个第二像素单元，第一像素单元与第一驱动电路电连接，第二像素单元与第二驱动电路电连接，且第一像素单元的像素单元密度小于第二像素单元的像素单元密度。
示例性的，结合图1所示，显示面板包括第一显示区AA和第二显示区BB，在第一显示区AA制备第一驱动电路131和第一像素单元121，在第二显示区BB制备第二驱动电路132和第二像素单元122，通过设置第一显示区AA的像素单元密度小于第二显示区BB的像素单元密度、以及设置第一驱动电路131中第一附加晶体管1312的数量小于第二驱动电路132中第二附加晶体管1322的数量，保证第一显示区AA具备较大的透光面积，保证第一显示区AA的透光率高；进一步的，通过设置第一驱动晶体管1311的沟道区在衬底基板11上的正投影面积小于第二驱动晶体管1321的沟道区在衬底基板11上的正投影面积，进一步减小第一驱动电路131的面积，提升第一显示区AA的透光面积，当传感器设置于第一显示区时，传感器可以接收到较大的光信号，保证传感器可以正常使用。
可选的，在第一显示区制备第一驱动电路包括多种不同的制备方法，下面以几种可行的实施方式进行说明。
可选的，第一驱动电路可以包括第一驱动晶体管和一个第一附加晶体管；第一驱动晶体管和第一附加晶体管包括单晶硅晶体管；在第一显示区制备第一驱动电路，可以包括：
在单晶硅晶片上制备多个第一驱动电路得到第一驱动电路封装结构，第一驱动电路包括第一驱动晶体管、一个第一附加晶体管以及电压信号接收端子、扫描信号接收端子、数据信号接收端子和阳极连接端子；第一驱动晶体管包括第一输入电极、第一输出电极和第一控制电极，第一附加晶体管包括第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极，第二输出电极与第一控制电极电连接；电压信号接收端子与第一输入电极电连接，扫描信号接收端子与第二控制电极电连接，数据信号接收端子与第二输入电极电连接，阳极连接端子与第一输出电极电连接；
在衬底基板上制备电压信号线、扫描信号线、数据信号线和阳极，并在衬底基板上对应第一显示区的区域制备电压信号输出端子、扫描信号输出端子和数据信号输出端子；电压信号输出端子与电压信号线电连接，扫描信号输出端子与扫描信号线电连接，数据信号输出端子与数据信号线电连接；
将第一驱动电路封装结构转移至衬底基板上的第一显示区，以使电压信号输出端子与电压信号接收端子电连接，扫描信号输出端子与扫描信号接收端子电连接，数据信号输出端子与数据信号接收端子电连接，阳极与阳极连接端子电连接。
示例性的，结合图2、图3和图7所示，当第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312为单晶硅晶体管时，第一驱动晶体管1311和第一附加晶体管1312可以在单晶硅上制备完成后转移至衬底基板11一侧。如图3所示，在第一驱动电路131内部，第二输出电极1312S与第一控制电极1311G电连接；如图2和图7所示，在第一驱动电路131表面设置有电压信号接收端子131A、扫描信号接收端子131B、数据信号接收端子131C和阳极连接端子131D，同时电压信号接收端子131A与第一输入电极1311D电连接，扫描信号接收端子131B与第二控制电极1312G电连接，数据信号接收端子131C与第二输入电极1312D电连接，阳极连接端子131D与第一输出电极1311S电连接。相对应的，为了保证第一驱动电路131正常工作，显示面板10在第一显示区AA且在衬底基板11一侧还包括对应设置的电压信号输出端子14、扫描信号输出端子15和数据信号输出端子16；电压信号输出端子14将电压信号线传输的电压信号传输至电压信号接收端子131A，扫描信号输出端子15将扫描信号线传输的扫描信号传输至扫描信号接收端子131B，数据信号输出端子16将数据信号线传输的数据信号传输至数据信号接收端子131C，阳极1211与阳极连接端子131D电连接，如此保证第一驱动电路131可以正常接收各种信号，正常驱动第一像素单元121发光显示。
进一步的，如图7所示，电压信号接收端子131A、扫描信号接收端子131B和数据信号接收端子131C同层设置且设置于第一驱动电路131的一侧，阳极连接端子131D设置于第一驱动电路131的另一侧，电压信号输出端子14、扫描信号输出端子15和数据信号输出端子16同层设置且位于第一驱动电路131远离朝向阳极1211的一侧，第一驱动电路131设置于阳极1211与电压信号输出端子14之间，保证电压信号接收端子131A以朝向电压信号输出端子14的方式与电压信号输出端子14对位连接、扫描信号接收端子131B以朝向扫描信号输出端子15的方式与扫描信号输出端子15对位连接，数据信号接收端子131C以朝向数据信号输出端子16的方式与数据信号输出端子16对位连接，阳极连接端子131D以远离衬底基板11的方式与阳极1211连接，保证第一驱动电路131与显示面板10中对位连接关系简单，同时保证第一驱动电路131与显示面板10结构简单。
可选的，第一驱动电路包括第一驱动晶体管和一个第一附加晶体管；第一驱动晶体管包括单晶硅晶体管，第一附加晶体管包括多晶硅晶体管；在第一显示区制备第一驱动电路，包括：
在单晶硅晶片上制备多个第一驱动晶体管得到第一子驱动电路封装结构；第一驱动晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极以及电压信号接收端子、控制信号接收端子和阳极连接端子；电压信号接收端子与第一输出电极电连接，控制信号接收端子与第一控制电极电连接，阳极连接端子与第一输出电极电连接；
在衬底基板上制备电压信号线、扫描信号线、数据信号线和阳极，并在衬底基板上对应第一显示区的区域制备第一附加晶体管、电压信号输出端子和控制信号输出端子；第一附加晶体管包括第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极；电压信号输出端子与电压信号线电连接，控制信号输出端子与第二输出电极电连接，扫描信号线与第二控制电极电连接，数据信号线与第二输入电极电连接；
将第一子驱动电路封装结构转移至衬底基板上的第一显示区，以使电压信号输出端子与电压信号接收端子电连接，控制信号输出端子与控制信号接收端子电连接，阳极与阳极连接端子电连接。
示例性的，结合图2、图8和图9所示，第一驱动晶体管1311为单晶硅晶体管、第一附加晶体管1312为多晶硅晶体管，第一驱动晶体管1311可以在单晶硅上制备完成后转移至衬底基板11一侧，第一附加晶体管1312可以直接在衬底基板11一侧制备形成。进一步的，为了保证第一驱动晶体管1311正常接收信号，在第一驱动晶体管1311表面可以设置有电压信号接收端子131A、控制信号接收端子131E和阳极连接端子131D，同时电压信号接收端子131A与第一输入电极1311D电连接，控制信号接收端子131E与第一控制电极1311G电连接(图中未示出)，阳极连接端子131D与第一输出电极1311S电连接。相对应的，为了保证第一驱动电路131正常工作，显示面板10在第一显示区AA且在衬底基板11一侧还包括对应设置的电压信号线(图中未示出)、扫描信号线(图中未示出)、数据信号线(图中未示出)和阳极1211，位于第一显示区AA的压信号输出端子14和控制信号输出端子17，电压信号输出端子14分别与电压信号线和电压信号接收端子131A电连接，控制信号输出端子17分别与第二输出电极1312S和控制信号接收端子131E电连接，扫描信号线与第二控制电极1312G电连接，数据信号线与第二输入电极1312D电连接，阳极1211与阳极连接端子131D电连接，如此保证第一驱动电路131可以正常驱动第一像素单元121发光显示。
进一步的，如图9所述，电压信号接收端子131A和控制信号接收端子131E同层设置且设置于第一驱动晶体管1311的一侧，阳极连接端子131D设置于第一驱动晶体管1311的另一侧，电压信号输出端子14和控制信号输出端子17同层设置且位于第一驱动晶体管1311远离朝向阳极1211的一侧，第一驱动晶体管1311设置于阳极1211与电压信号输出端子14之间，保证电压信号接收端子131A以朝向电压信号输出端子14的方式与电压信号输出端子14对位连接、控制信号接收端子131E以朝向控制信号输出端子17的方式与控制信号输出端子17对位连接，阳极连接端子131D以远离衬底基板11的方式与阳极1211连接，保证第一驱动电路131与显示面板10对位连接关系简单，同时保证第一驱动电路131与显示面板10结构简单。
可选的，第一驱动晶体管和第一附加晶体管包括单晶硅晶体管；在第一显示区制备第一驱动电路，包括：
在第一显示区制备单晶硅有源层；
在单晶硅有源层上制备第一驱动晶体管的第一输入电极、第一输出电极和第一控制电极，第一附加晶体管的第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极。
结合图10和图11所示，在第一显示区AA制备单晶硅有源层1311A1，之后在单晶硅有源层1311A1上制备第一驱动晶体管的第一输入电极、第一输出电极和第一控制电极，第一附加晶体管的第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极(图中未示出)，如此制备得到结构完成的第一驱动电路。
具体的，图15-图19是本发明实施例提供的制备单晶硅有源层的结构示意图，如图15-图19所示，在第一显示区制备单晶硅有源层，包括：
如图15所示提供单晶硅晶片20；
如图16所示，对单晶硅晶片20的第一晶片表面201进行氢离子注入；
如图17所示，以第一晶片表面201朝向衬底基板11的方式将单晶硅晶片20贴附在衬底基板11上；
如图18所示，对单晶硅晶片20的第二晶片表面202以及衬底基板11远离单晶硅晶片20的一侧表面进行热处理，在衬底基板11上得到单晶硅有源层1311A1；第二晶片表面202和第一晶片表面201相对设置；
如图19所示，去除衬底基板11上除单晶硅有源层1311A1的单晶硅晶片，得到位于衬底基板11上的单晶硅有源层1311A1。
可选的，图20-图21是本发明实施例提供的制备多晶硅有源层的结构示意图，如图20-图21所示，在第一显示区制备第一驱动电路，在第二显示区制备第二驱动电路，包括：
如图20所示，在衬底基板11一侧制备多晶硅层30；
如图21所示，对位于第一显示区AA的多晶硅层进行准分子激光退火，得到位于第一显示区AA的第一多晶硅有源层1311A2和位于第二显示区BB的第二多晶硅有源层1321A2；第一多晶硅有源层1311A2的晶粒尺寸大于第二多晶硅有源层1321A2的晶粒尺寸。
综上，针对第一驱动电路的具体结构，本发明实施例提供了多种不同的第一驱动电路的制备方法，在实际制备工艺中，需根据实际需求选择不同的制备工艺。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明任一实施例所述的显示面板。具体的，图22是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参照图22，该显示装置100包括上述实施方式提供的显示面板10。示例性的，显示装置100可为手机、电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)以及车载显示设备等电子设备，本发明实施例对此不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里的特定实施例，本发明的各个实施方式的特征可以部分地或者全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板一侧的像素单元和驱动电路，所述显示面板包括第一显示区和第二显示区；
所述第一显示区包括多个第一像素单元，所述第二显示区包括多个第二像素单元，所述第一像素单元的像素单元密度小于所述第二像素单元的像素单元密度；
第一显示区还包括多个第一驱动电路，所述第一驱动电路与所述第一像素单元电连接；所述第二显示区还包括多个第二驱动电路，所述第二驱动电路与所述第二像素单元电连接；
所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管和至少一个第一附加晶体管，所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管和第二附加晶体管，所述第一驱动电路中所述第一附加晶体管的数量小于所述第二驱动电路中所述第二附加晶体管的数量，且所述第一驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第二驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积；
所述第一显示区至少包括单晶硅晶体管，所述第二显示区包括多晶硅晶体管；
所述第一驱动晶体管包括单晶硅晶体管，所述第一附加晶体管包括多晶硅晶体管；
所述第一驱动晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极以及电压信号接收端子、控制信号接收端子和阳极连接端子；所述电压信号接收端子与所述第一输入电极电连接，所述控制信号接收端子与所述第一控制电极电连接，所述阳极连接端子与所述第一输出电极电连接；
所述显示面板还包括位于所述衬底基板一侧的电压信号线、扫描信号线、数据信号线和阳极，位于所述衬底基板一侧且位于所述第一显示区的第一附加晶体管、电压信号输出端子和控制信号输出端子；所述第一附加晶体管包括第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极；
所述电压信号输出端子分别与所述电压信号线和所述电压信号接收端子电连接，所述控制信号输出端子分别与所述第二输出电极和所述控制信号接收端子电连接，所述扫描信号线与所述第二控制电极电连接，所述数据信号线与所述第二输入电极电连接，所述阳极与所述阳极连接端子电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电压信号输出端子和所述控制信号输出端子同层设置且设置于所述第一驱动晶体管远离所述阳极的一侧；
所述第一驱动晶体管设置于所述阳极与所述电压信号输出端子所在平面之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括单晶硅有源层，所述第二驱动晶体管和所述第二附加晶体管包括多晶硅有源层；
所述单晶硅有源层和所述多晶硅有源层异层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述单晶硅有源层设置于所述多晶硅有源层远离所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述单晶硅有源层设置于所述多晶硅有源层靠近所述衬底基板的一侧；
所述显示面板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述单晶硅有源层与所述衬底基板之间，且所述遮光层在所述衬底基板所在平面上的垂直投影与所述单晶硅有源层在所述衬底基板所在平面上的垂直投影至少部分交叠。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括多晶硅晶体管；所述第二驱动晶体管和所述第二附加晶体管包括多晶硅晶体管；
所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括第一多晶硅有源层，所述第二驱动晶体管和所述第二附加晶体管包括第二多晶硅有源层；所述第一多晶硅有源层的晶粒尺寸大于所述第二多晶硅有源层的晶粒尺寸；
所述第一多晶硅有源层和所述第二多晶硅有源层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一多晶硅有源层的晶粒尺寸为D1，所述第二多晶硅有源层的晶粒尺寸为D2，其中，50μm≤D1≤5mm，10nm≤D2≤10μm。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一多晶硅有源层的电子迁移率为V，其中V≥500cm2/(V*s)。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示区还包括与所述第一驱动电路连接的第一信号线，所述第二显示区还包括与所述第二驱动电路连接的第二信号线，其中，所述第一信号线的线宽为d1，所述第二信号线的线宽为d2，其中，500nm≤d1<2μm，d2≥2μm。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡显示区；
所述过渡显示区包括多个第三像素单元和第三驱动电路，所述第三像素单元的像素单元密度大于所述第一像素单元的像素单元密度，小于所述第二像素单元的像素单元密度；
所述第三驱动电路包括第三驱动晶体管和至少一个第三附加晶体管，所述第三驱动电路中所述第三附加晶体管的数量大于所述第一驱动电路中所述第一附加晶体管的数量，小于所述第二驱动电路中所述第二附加晶体管的数量；且所述第三驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上正投影面积大于所述第一驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上正投影面积，小于所述第二驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一驱动晶体管有源层延伸的方向上，所述第一驱动晶体管的沟道区宽度为W1；在垂直于所述第二驱动晶体管有源层延伸的方向上，所述第二驱动晶体管的沟道区宽度为W2；
所述第一驱动晶体管的沟道区长度为L1，所述第二驱动晶体管的沟道区长度为L2；其中，
Figure FDA0003303647470000041
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管、一个第一附加晶体管和一个电容结构；或者，所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管、两个第一附加晶体管和一个电容结构；
所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管、六个所述第二附加晶体管和一个电容结构；或者，所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管、五个所述第二附加晶体管和两个电容结构。
13.一种显示面板的制备方法，用于制备权利要求1-12任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括第一显示区和第二显示区；
所述制备方法包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板一侧制作像素单元及驱动电路；具体的，
在所述第一显示区制备第一驱动电路，在所述第二显示区制备第二驱动电路，所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管和至少一个第一附加晶体管，所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管和至少一个第二附加晶体管，所述第一驱动电路中所述第一附加晶体管的数量小于所述第二驱动电路中所述第二附加晶体管的数量，且所述第一驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第二驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积；
在所述第一显示区制备多个第一像素单元，在所述第二显示区制备多个第二像素单元，所述第一像素单元与所述第一驱动电路电连接，所述第二像素单元与所述第二驱动电路电连接，且所述第一像素单元的像素单元密度小于所述第二像素单元的像素单元密度；
所述第一驱动晶体管包括单晶硅晶体管，所述第一附加晶体管包括多晶硅晶体管；
在所述第一显示区制备第一驱动电路，包括：
在单晶硅晶片上制备多个第一驱动晶体管得到第一子驱动电路封装结构；所述第一驱动晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极以及电压信号接收端子、控制信号接收端子和阳极连接端子；所述电压信号接收端子与所述第一输出电极电连接，所述控制信号接收端子与所述第一控制电极电连接，所述阳极连接端子与所述第一输出电极电连接；
在所述衬底基板上制备电压信号线、扫描信号线、数据信号线和阳极，并在所述衬底基板上对应所述第一显示区的区域制备第一附加晶体管、电压信号输出端子和控制信号输出端子；所述第一附加晶体管包括第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极；所述电压信号输出端子与所述电压信号线电连接，所述控制信号输出端子与所述第二输出电极电连接，所述扫描信号线与所述第二控制电极电连接，所述数据信号线与所述第二输入电极电连接；
将所述第一子驱动电路封装结构转移至所述衬底基板上的第一显示区，以使所述电压信号输出端子与所述电压信号接收端子电连接，所述控制信号输出端子与所述控制信号接收端子电连接，所述阳极与所述阳极连接端子电连接。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括单晶硅晶体管；
在所述第一显示区制备第一驱动电路，包括：
在所述第一显示区制备单晶硅有源层；
在所述单晶硅有源层上制备所述第一驱动晶体管的第一输入电极、第一输出电极和第一控制电极，所述第一附加晶体管的第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，在所述第一显示区制备单晶硅有源层，包括：
提供单晶硅晶片；
对所述单晶硅晶片的第一晶片表面进行氢离子注入；
以所述第一晶片表面朝向所述衬底基板的方式将所述单晶硅晶片贴附在所述衬底基板上；
对所述单晶硅晶片的第二晶片表面以及所述衬底基板远离所述单晶硅晶片的一侧表面进行热处理，在所述衬底基板上得到单晶硅有源层；所述第二晶片表面和所述第一晶片表面相对设置；
去除所述衬底基板上除所述单晶硅有源层的所述单晶硅晶片，得到位于所述衬底基板上的所述单晶硅有源层。
16.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括多晶硅晶体管；所述第二驱动晶体管和所述第二附加晶体管包括多晶硅晶体管；
在所述第一显示区制备第一驱动电路，在所述第二显示区制备第二驱动电路，包括：
在所述衬底基板一侧制备多晶硅层；
对位于所述第一显示区的所述多晶硅层进行准分子激光退火，得到位于所述第一显示区的第一多晶硅有源层和位于所述第二显示区的第二多晶硅有源层；所述第一多晶硅有源层的晶粒尺寸大于所述第二多晶硅有源层的晶粒尺寸。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的显示面板；所述显示装置还包括传感器，所述第一显示区复用为传感器预留区。
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