CN209045492U - 晶圆缓存装置及后处理单元 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种晶圆缓存装置及后处理单元，晶圆缓存装置包括：壳体和支撑结构，所述壳体内设置有缓存空间且所述壳体上设置有与所述缓存空间连通的开口，所述支撑结构设置在所述缓存空间内且适于支撑晶圆。根据本实用新型的晶圆缓存装置可以稳定地存放晶圆，提高晶圆生产线的加工效率，有效地保护晶圆。

Description

晶圆缓存装置及后处理单元

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工领域，尤其是涉及一种晶圆缓存装置及后处理单元。

背景技术

在半导体行业，晶圆传输一般采用机械手来执行，在晶圆制程过程中，难免会出现等待时间，这个时候一般使用机械手夹持晶圆进行缓存，一定程度上影响晶圆加工的效率,且在湿法工艺中,晶圆无法长时间湿润会造成报废。相关技术中的晶圆缓存装置，一般为水平放置，在晶圆进入到水平放置的晶圆缓存装置时需要经过翻转以使晶圆可以将加工面朝向指定的一侧，此步骤需要机械手或翻转机构完成，工序复杂。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出晶圆缓存装置，该晶圆缓存装置可以稳定地存放晶圆，提高晶圆生产线的加工效率，有效地保护晶圆。

本实用新型还提出一种具有上述晶圆缓存装置的后处理单元。

根据本实用新型的一种晶圆缓存装置包括：壳体和支撑结构，所述壳体内设置有缓存空间且所述壳体上设置有与所述缓存空间连通的开口，所述支撑结构设置在所述缓存空间内且适于支撑晶圆。

根据本实用新型的晶圆缓存装置，晶圆在经过一道工序后可以先放置在晶圆缓存装置中，缓存装置中设置有的缓存空间，缓存空间适于容纳晶圆，以防止晶圆的表面受到污染，容纳空间内还设置有用于支撑晶圆的支撑结构，保证晶圆可以稳定地设置在容纳空间内，使晶圆在不进行加工时不占用机械手，提高晶圆生产线的加工效率。

根据本实用新型的一个实施例，所述开口为多个，且多个所述开口均与所述晶圆的周壁正对。

根据本实用新型的一个实施例，所述开口包括：第一开口和第二开口，所述第一开口设置在所述壳体的顶壁，所述第二开口设置在所述壳体的侧壁。

根据本实用新型的一个实施例，所述壳体的顶壁上设置有保湿组件，所述保湿组件适于对所述缓存空间内的晶圆保湿。

根据本实用新型的一个实施例，所述保湿组件设置在所述第一开口的内侧壁上且包括：保湿喷杆，所述保湿喷杆沿所述第一开口的长度方向延伸；喷嘴，所述喷嘴设置在所述保湿喷杆上且所述喷嘴的开口方向与所述晶圆的表面正对。

根据本实用新型的一个实施例，所述保湿组件为两组，且两组所述喷嘴的开口方向分别与所述晶圆的两个表面正对。

根据本实用新型的一个实施例，晶圆缓存装置还包括：开合门，所述开合门可移动地设置在所述壳体上以打开或关闭所述第二开口。

根据本实用新型的一个实施例，所述壳体的底壁上设置有排水孔。

根据本实用新型的一个实施例，所述壳体的底壁倾斜设置，所述排水孔设置在所述底壁的低处。

根据本发明的一个实施例，所述壳体构造为板状结构且竖直放置，所述晶圆竖直地收纳在所述缓存空间中。

根据本发明的一个实施例，所述开口设置在所述壳体的周壁上。

根据本实用新型的一个实施例，所述支撑结构包括：多个支撑轮，所述支撑轮上设置有夹设所述晶圆外周沿的沟槽。

根据本发明的一个实施例，多个所述支撑轮包括：第一支撑轮、第二支撑轮和第三支撑轮，所述第二支撑轮和所述第三支撑轮均设置在所述第一支撑轮的上方且彼此间隔设置，在所述晶圆放置在所述支撑结构上时，所述第二支撑轮和所述第三支撑轮关于所述晶圆的中心和所述第一支撑轮的中心之间的连线对称。

根据本发明的一个实施例，所述沟槽的宽度与所述晶圆的厚度相匹配。

下面简单描述根据本实用新型的后处理单元。

根据本实用新型的后处理单元包括上述实施例的晶圆缓存装置和多个晶圆处理模块，根据本实用新型的后处理单元由于设置有上述实施例的晶圆缓存装置，因此该后处理单元对晶圆的加工效率提高，在一定程度上减少了后处理单元的能耗。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型实施例的晶圆缓冲装置的结构示意图；

图2是根据本实用新型实施例的晶圆缓存装置的内部示意图；

图3是根据本实用新型实施例的晶圆放置在晶圆缓存装置的示意图；

图4是根据本实用新型的后处理单元的结构示意图。

附图标记：

后处理单元1000，晶圆300，晶圆处理模块200，

晶圆缓存装置100，

壳体110，

支撑结构120，支撑轮121，沟槽121a，

保湿组件130，保湿喷杆131，喷嘴132，

开合门140，气缸141，连接板142，

第一开口101，第二开口102，排水孔103。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下面参考图1-图4描述根据本实用新型实施例的晶圆缓存装置100。

如图1和图2所示，晶圆缓存装置100包括壳体110和支撑结构120，壳体110内设置有缓存空间且壳体110上设置有与缓存空间连通的开口，支撑结构120设置在缓存空间内且适于支撑晶圆300。

相关技术中，晶圆300在一道工序完成后进入到下一道工序之前一般通过机械手夹持，而机械手持续夹持晶圆300导致了生产线的加工效率降低，根据本实用新型的晶圆缓存装置100可以在晶圆300完成一道工序后将晶圆300放置在晶圆缓存装置100中，以不会占用机械手过长时间，同时，在后一道工序无法进行时，将晶圆300放置在缓存装置中可以有效地保护晶圆300，晶圆300收容在缓存空间内，以防止异物落在晶圆300的表面，保证晶圆300的表面清洁，提高晶圆300的清洁度。

在壳体110内设置有与缓存空间连通的开口以适于将晶圆300放入到缓存空间中，在晶圆300进入到缓存空间后，支撑结构120可以用于对晶圆300的支撑，保证晶圆300的稳定性。

根据本实用新型的晶圆缓存装置100，晶圆300在经过一道工序后可以先放置在晶圆缓存装置100中，缓存装置中设置有的缓存空间，缓存空间适于容纳晶圆300，以防止晶圆300的表面受到污染，容纳空间内还设置有用于支撑晶圆300的支撑结构120，保证晶圆300可以稳定地设置在容纳空间内，使晶圆300在不进行加工时不占用机械手，提高晶圆300生产线的加工效率。

根据本实用新型的一个实施例，开口为多个，每个开口可以适于对应一个晶圆300的传输方向，来自不同工序的晶圆300可以通过对应的开口放入到晶圆缓存装置100轴，或从晶圆缓存装置100中离开。

进一步地，多个开口均与晶圆300的周壁(即，晶圆的外周沿)正对，晶圆300一般为圆盘形，开口的形状与晶圆300周壁的形状相同，以适于晶圆300从开口进入或离开缓存空间，保证晶圆300进入或离开缓存装置的过程稳定。

根据本实用新型的一个实施例，壳体110的顶壁上设置有保湿组件130，保湿组件130适于对缓存空间内的晶圆300保湿，保湿组件130可以对在晶圆缓存装置100内的晶圆300进行喷液，使晶圆300的表面保持湿润，防止晶圆300的表面氧化，提高晶圆300的加工效果。

进一步地，晶圆300在晶圆缓存装置100中存放的时间不一定，当晶圆300在缓存装置中长时间存放时，保湿组件130可以持续向晶圆300的表面喷水，保证晶圆300的表面保持湿润，同时防止晶圆300的表面氧化，提高了长时间存放在晶圆缓存装置100中晶圆300的加工效果。

根据本实用新型的一个实施例，保湿组件130设置在第一开口101的内侧壁上，第一开口101可以设置在壳体110的上侧壁设置，将保湿组件130设置在第一开口101的内侧壁上，可以时保湿组件130所喷出的液体在重力的作用下向下流动，使保湿组件130可以更加均匀地对晶圆300进行保湿。

进一步地，保湿组件130包括：保湿喷杆131，保湿喷杆131沿第一开口101的长度方向延伸；以使保湿喷杆131的喷液范围覆盖整个晶圆300，提高保湿喷杆131对晶圆300的保湿效果。在保湿喷杆131上设置有喷嘴132，且喷嘴132为多个且均匀地设置在保湿喷杆131上，喷嘴132的开口方向与晶圆300的侧面正对，使喷嘴132所喷出的液体喷淋在晶圆300上，使晶圆300的侧面可以被均匀地喷淋，可以更好地对晶圆300进行保湿，提高了晶圆缓存装置100对晶圆300的保湿效果。

根据本实用新型的一个实施例，保湿组件130为两组，且两组保湿组件130中的喷嘴132开口方向分别与晶圆300的两个侧面正对，令保湿组件130可以对晶圆300的两个侧面同时进行保湿，以使晶圆缓存装置100中晶圆300的加工面必然会被保湿组件130的喷嘴132喷淋，保证保湿组件130可以稳定地对晶圆300进行保湿，提高了晶圆300保湿组件130的可靠性。

根据本实用新型的一个实施例，第二开口102可以设置在壳体110的侧面，晶圆缓存装置100还包括开合门140，开合门140可移动地设置在壳体110上以打开或关闭第二开口102，在晶圆300在缓存空间内进行缓存，且保湿组件130对晶圆300进行保湿时，开合门140将第二开口102关闭，以防止喷淋的液体从第二开口102流出缓存装置，使保湿组件130可以更好地对晶圆300进行保湿。

进一步地，晶圆缓存装置100还设置有用于驱动开合门140的驱动装置，驱动装置可以设置在壳体110的外表面，驱动装置可以为气缸141，气缸141上设置有驱动端，驱动端与开合门140上的连接板142连接，以使驱动端可以带动开合门140移动，以使开合门140打开或关闭第二开口102。

根据本实用新型的一个实施例，壳体110的底壁上设置有排水孔103，排水孔103适于将容纳空间内的液体倒出容纳空间，进一步地，壳体110的底壁可以为倾斜设置，排水孔103设置在底壁的最低处，以使积聚在底壁的液体在重力的作用下不断向排水孔103移动，以将容纳空间内的液体导出。

根据本发明的一个实施例，壳体110构造为板状结构且竖直放置，晶圆300竖直地收纳在缓存空间中，当晶圆300进入到晶圆缓存装置100中时，晶圆300不需要进行翻转，使晶圆的缓存更加方便，而相关技术中的晶圆缓存装置，一般为水平放置，在晶圆300进入到水平放置的晶圆缓存装置时，需要经过翻转以使晶圆300可以将加工面朝向指定的一侧，再将晶圆300放置到缓存空间中，而本发明的晶圆缓存装置100中，壳体110为竖直放置，且晶圆竖直地收纳在缓存空间中，无需经过翻转。

根据本发明的一个实施例，开口设置在壳体110的周壁上，以便于晶圆300从壳体110的外侧进入到容纳空间内。

根据本实用新型的一个实施例，支撑接结构包括多个支撑轮121，每个支撑轮121上设置有夹设晶圆300外周沿的沟槽121a，支撑轮121包括至少三个，且分别为第一支撑轮、第二支撑轮和第三支撑轮，其中，第二支撑轮和第三支撑轮均设置在第一支撑轮的上方且彼此间隔设置，晶圆300放置在支撑结构上时，第二支撑轮和第三支撑轮源于晶圆300的中心和第一支撑轮之间的连线对称，三个支撑轮121之间的位置均在晶圆300的外周上，晶圆300放置在容纳空间时，晶圆300可以分别卡设在三个支撑轮121外周的沟槽121a内，以使晶圆300在容纳空间内的位置保持稳定，提高了晶圆缓存装置100的可靠性。

根据本发明的一个实施例，支撑轮121上沟槽121a的宽度与晶圆300的厚度相匹配，沟槽121a的宽度略大于晶圆300的厚度，以便更好的固定晶圆，提高了晶圆300在晶圆缓存装置100内的稳定性及可靠性。

下面简单描述根据本实用新型的后处理单元1000。

如图4所示，根据本实用新型的后处理单元1000包括多个晶圆处理模块200和上述实施例的晶圆缓存装置100，晶圆缓存装置100设置在任意一个晶圆处理模块200的上游或下游，其中晶圆处理模块200可以为对晶圆300进行加工的模块。

例如，晶圆处理模块200可以为晶圆清洗模块和晶圆烘干模块，晶圆缓存装置100可以设置在晶圆300清洗模块的上游，在晶圆清洗模块无法及时将到达此处的晶圆300进行清洗时，晶圆300可以存放在晶圆缓存装置100中，以避免晶圆300过长时间的占用机械手；晶圆缓存装置100也可以设置在晶圆清洗模块的下游，经过晶圆清洗模块后的晶圆300需要进入到晶圆烘干模块中进行烘干，在晶圆烘干模块的无法及时对晶圆300烘干模块进行烘干时，晶圆300可以缓冲在晶圆缓存装置100中，或者在晶圆缓存装置100中储存有一定数量的晶圆300后，再将晶圆300输送至晶圆烘干模块中，以减少晶圆烘干模块的工作次数，降低晶圆300烘干模块的能耗，提高晶圆300的加工效率。

根据本实用新型的后处理单元1000由于设置有上述实施例的晶圆缓存装置100，因此该后处理单元1000对晶圆300的加工效率提高。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (15)

1.一种晶圆缓存装置，其特征在于，包括：壳体和支撑结构，所述壳体内设置有缓存空间且所述壳体上设置有与所述缓存空间连通的开口，所述支撑结构设置在所述缓存空间内且适于支撑晶圆。

2.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述开口为多个，且多个所述开口均与所述晶圆的周壁正对。

3.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述开口包括：第一开口和第二开口，所述第一开口设置在所述壳体的顶壁，所述第二开口设置在所述壳体的侧壁。

4.根据权利要求3所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述壳体的顶壁上设置有保湿组件，所述保湿组件适于对所述缓存空间内的晶圆保湿。

5.根据权利要求4所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述保湿组件设置在所述第一开口的内侧壁上且包括：

保湿喷杆，所述保湿喷杆沿所述第一开口的长度方向延伸；

喷嘴，所述喷嘴设置在所述保湿喷杆上且所述喷嘴的开口方向与所述晶圆的表面正对。

6.根据权利要求5所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述保湿组件为两组，且两组所述喷嘴的开口方向分别与所述晶圆的两个侧面表面正对。

7.根据权利要求5所述的晶圆缓存装置，其特征在于，还包括：开合门，所述开合门可移动地设置在所述壳体上以打开或关闭所述第二开口。

8.根据权利要求5所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述壳体的底壁上设置有排水孔。

9.根据权利要求8所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述壳体的底壁倾斜设置，所述排水孔设置在所述底壁的低处。

10.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述壳体构造为板状结构且竖直放置，所述晶圆竖直地收纳在所述缓存空间中。

11.根据权利要求10所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述开口设置在所述壳体的周壁上。

12.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述支撑结构包括：多个支撑轮，所述支撑轮上设置有夹设所述晶圆外周沿的沟槽。

13.根据权利要求12所述的晶圆缓存装置，其特征在于，多个所述支撑轮包括：第一支撑轮、第二支撑轮和第三支撑轮，所述第二支撑轮和所述第三支撑轮均设置在所述第一支撑轮的上方且彼此间隔设置，在所述晶圆放置在所述支撑结构上时，所述第二支撑轮和所述第三支撑轮关于所述晶圆的中心和所述第一支撑轮的中心之间的连线对称。

14.根据权利要求12所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述沟槽的宽度与所述晶圆的厚度相匹配。

15.一种后处理单元，其特征在于，包括：

多个晶圆处理模块；

权利要求1-14中任一项所述的晶圆缓存装置，所述晶圆缓存装置设置在任意一个所述晶圆处理模块的上游或下游。