CN209318389U

CN209318389U - 一种晶片清洗装置

Info

Publication number: CN209318389U
Application number: CN201821922368.3U
Authority: CN
Inventors: 成奎栋
Original assignee: EO LASER TECHNOLOGY (SUZHOU) Co Ltd
Current assignee: EO LASER TECHNOLOGY (SUZHOU) Co Ltd
Priority date: 2018-11-21
Filing date: 2018-11-21
Publication date: 2019-08-30
Anticipated expiration: 2028-11-21

Abstract

本实用新型公开了一种晶片清洗装置，包括装载外壳，装载外壳包括具有一上开口的主体部分和上下贯通的盖子部分，主体部分内设有与上开口连通的回收槽，盖子部分通过上开口与主体部分连通并与主体部分固定或一体成型，回收槽内设有晶片固定装置，晶片固定装置连接晶片驱动装置，主体部分上设有第一排出装置且内部设有清洗液喷射装置；盖子部分上设有阻断装置和第二排出装置，阻断装置包括环形支撑部、设于环形支撑部上连接有供气装置的若干阻断喷嘴、对应于各阻断喷嘴分别设置的喷射方向调节部；装置还包括控制部分，晶片驱动装置、清洗液喷射装置、阻断装置均与控制部分相连。本实用新型能够防止清洗液泄露并将其及时排出，保证晶片的清洗效果。

Description

一种晶片清洗装置

技术领域

本实用新型涉及一种晶片清洗装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了清除晶片表面的光致抗蚀剂膜或聚合物膜等有机物或微粒，需要对晶片进行清洗。通常的，在利用传统清洗装置清洗晶片时，晶片放置在可旋转的工作台上，位于晶片上方的喷嘴将清洗液喷射在晶片的表面进行清洗，但是，高速喷出的清洗液会因晶片的旋转向四周飞溅，有的清洗液可能会再次飞溅到晶片上，对晶片造成损伤，有的则会脱离清洗装置，接触和损伤周边配件，污染周边环境；此外，在清洗过程中，喷射在晶片上的清洗液无法很好地排出，未及时排出的清洗液会对晶片产生不良影响，导致清洗效果差，从而降低半导体的制造品质。

发明内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种晶片清洗装置。

本实用新型的技术方案是：一种晶片清洗装置，包括用于放置晶片的装载外壳，所述装载外壳包括具有一上开口的主体部分和上下贯通的盖子部分，所述主体部分内设有与上开口相连通的回收槽，所述盖子部分通过上开口与主体部分连通并与主体部分固定或一体成型，所述回收槽内设有用于固定晶片的晶片固定装置，所述晶片固定装置连接有用于控制晶片旋转和升降的晶片驱动装置，所述主体部分内位于晶片固定装置的上方设有用于清洗晶片的清洗液喷射装置，所述主体部分上还设有用于排出回收槽中所收集清洗液的第一排出装置；所述盖子部分上设有用于防止清洗液泄露的阻断装置，所述阻断装置包括设于所述盖子部分上开口内的环形支撑部、间隔分布于所述环形支撑部上的若干阻断喷嘴、以及对应于各阻断喷嘴分别设置的用于调节其喷射方向的喷射方向调节部，若干阻断喷嘴连接有提供高压气体的供气装置，所述盖子部分上还设有用于排出装载外壳内清洗液的第二排出装置；清洗装置还包括控制部分，所述晶片驱动装置、清洗液喷射装置、阻断装置均与所述控制部分相连。

进一步的，本实用新型中所述晶片固定装置为真空吸盘。

进一步的，本实用新型中所述回收槽的高度高于晶片固定装置的高度。

进一步的，本实用新型中所述晶片驱动装置包括安装在晶片固定装置底部的连接轴、以及连接驱动连接轴运动的连接轴驱动单元。

进一步的，本实用新型中所述清洗液喷射装置包括清洗液喷嘴、控制清洗液喷嘴运动及喷射清洗液的清洗液喷嘴驱动单元。

进一步的，本实用新型中所述第一排出装置包括与回收槽相连通的第一排出管、以及与第一排出管连接以为清洗液的排出提供动力的第一送风装置。

进一步的，本实用新型中相邻两个阻断喷嘴之间的距离相等。

进一步的，本实用新型中所述第二排出装置包括与盖子部分内部相连通的第二排出管、以及与第二排出管连接以为清洗液的排出提供动力的第二送风装置。

进一步的，本实用新型中以盖子部分的上端面为基准面，所述阻断喷嘴喷射角度的范围为0度至45度。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：

1）本实用新型中，考虑到清洗过程中清洗液会因晶片的旋转向四周飞溅，将装载外壳特定设计为主体部分和盖子部分，晶片的清洗主要在主体部分中进行，飞溅的清洗液的排出主要在盖子部分中进行，将晶片放置在晶片固定装置上由晶片驱动装置驱动旋转和升降，清洗液喷射装置将清洗液高速喷射在晶片的表面进行清洗时，因晶片旋转会产生向四周飞溅的清洗液，盖子部分上特定设计的阻断装置能够有效防止清洗液泄露，通过阻断喷嘴喷射的高压气体可以避免清洗液从盖子部分的上开口溅出，配合第二排出装置则可以改变清洗液的运动轨迹使其按照规定的路径排出，第二排出装置中的第二送风装置为了排出清洗液会产生排气压力，为清洗液的排出提供动力，使得飞溅的清洗液顺利地通过第二排出管排出，从而不仅能够防止清洗液脱离清洗装置而接触损伤周边配件，污染周边环境，也能防止飞溅的清洗液再次吸附到晶片上，对晶片造成损伤；这种清洗装置在清洗过程中可以及时地将清洗液排出，保证晶片的清洗效果，进而提高半导体的制造品质。

2）本实用新型中，晶片固定装置设置在回收槽中，完成清洗的清洗液能够被回收槽收集后通过第一排出装置向外排出，第一排出装置中的第一送风装置为了排出清洗液会产生排气压力，为清洗液的排出提供动力，使其顺利地通过第一排出管排出回收，从而很好的避免清洗液的浪费，节约成本。

3）本实用新型中，采用真空吸盘作为放置晶片的晶片固定装置，能够提高清洁过程中晶片的稳定性，防止出现晃动。

4）本实用新型中，晶片驱动装置、清洗液喷射装置以及阻断装置均由控制部分控制运作，自动化程度高，有利于提高晶片的清洗效果。

附图说明

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

图1为本实用新型的立体结构示意图；

图2为本实用新型的俯视图（其中虚线表示阻断喷嘴喷射的高压气体）；

图3为本实用新型的分解图；

图4为本实用新型中阻断装置的局部示意图（其中箭头表示阻断喷嘴的运动方向）；

图5为本实用新型的架构简示图；

图6为本实用新型中阻断喷嘴的喷射角度为0度时清洗装置的侧面剖视图（其中虚线表示阻断喷嘴喷射的高压气体、分布的点表示飞溅的清洗液、箭头表示飞溅的清洗液的运动轨迹）；

图7为本实用新型中阻断喷嘴的喷射角度为10度时清洗装置的侧面剖视图（其中虚线表示阻断喷嘴喷射的高压气体）；

图8为本实用新型中阻断喷嘴的喷射角度为10度时清洗装置的俯视图（其中螺旋形回转的虚线表示飞溅的清洗液的运动轨迹）。

其中：100、装载外壳；110、主体部分；111、回收槽；120、盖子部分；200、阻断装置；210、环形支撑部；220、阻断喷嘴；230、喷射方向调节部；300、晶片固定装置；400、晶片驱动装置；500、清洗液喷射装置；510、清洗液喷嘴；520、清洗液喷嘴驱动单元；600、第一排出装置；610、第一排出管；700、第二排出装置；710、第二排出管；800、控制部分。

具体实施方式

实施例：

结合附图所示为本实用新型一种晶片清洗装置的具体实施方式，包括用于放置晶片的装载外壳100，所述装载外壳100包括具有一上开口的主体部分110和上下贯通的盖子部分120，所述主体部分110内设有与上开口相连通的回收槽111，所述盖子部分120通过上开口与主体部分110连通并与主体部分110固定或一体成型。

所述回收槽111内设有用于固定晶片的晶片固定装置300，所述回收槽111的高度高于晶片固定装置300的高度，本实施例中，所述晶片固定装置300为真空吸盘。

所述晶片固定装置300连接有用于控制晶片旋转和升降的晶片驱动装置400，所述晶片驱动装置400包括安装在晶片固定装置300底部的连接轴、以及连接驱动连接轴运动的连接轴驱动单元，连接轴驱动单元设置在主体部分110的下方，与连接轴相连从而驱动晶片固定装置300运动。

所述主体部分110内位于晶片固定装置300的上方设有用于清洗晶片的清洗液喷射装置500，所述清洗液喷射装置500包括清洗液喷嘴510、控制清洗液喷嘴510运动及喷射清洗液的清洗液喷嘴驱动单元520，清洗液喷射装置500为常规装置，省略具体说明。

所述主体部分110上还设有用于排出回收槽111中所收集清洗液的第一排出装置600，所述第一排出装置600包括与回收槽111相连通的第一排出管610、以及与第一排出管610连接以为清洗液的排出提供动力的第一送风装置。

所述盖子部分120上设有用于防止清洗液泄露的阻断装置200，所述阻断装置200包括设于所述盖子部分120上开口内的环形支撑部210、等距分布于所述环形支撑部210上的若干阻断喷嘴220、以及对应于各阻断喷嘴220分别设置的用于调节其喷射方向的喷射方向调节部230，喷射方向调节部230安装在环形支撑部210上并能够控制对应阻断喷嘴220的喷射方向。

若干阻断喷嘴220连接有提供高压气体的供气装置，以盖子部分120的上端面为基准面，所述阻断喷嘴220喷射角度的范围为0度至45度。

所述盖子部分120上还设有用于排出装载外壳100内清洗液的第二排出装置700，所述第二排出装置700包括与盖子部分120内部相连通的第二排出管710、以及与第二排出管710连接以为清洗液的排出提供动力的第二送风装置。

此外，清洗装置还包括控制部分800，所述晶片驱动装置400、清洗液喷射装置500、阻断装置200均与所述控制部分800相连。

本实施例具体工作时，将晶片放置在晶片固定装置300上，晶片固定装置300采用真空吸盘，能够提高晶片放置的稳定性，防止晃动，控制部分800控制晶片驱动装置400运作，通过连接轴驱动单元驱动连接轴运动、进而控制晶片固定装置300及晶片的旋转和升降，将晶片调整至合适的位置；清洗时，控制部分800控制清洗液喷射装置500运作，通过清洗液喷嘴驱动单元520控制清洗液喷嘴510运动，清洗液喷嘴510将清洗液高速喷射在晶片的表面进行清洗，清洗液喷射装置500的清洗为常规技术，省略具体说明，在晶片上完成清洗的清洗液收集至回收槽111中，第一送风装置为了排出回收槽111中的清洗液会产生排气压力，为清洗液的排出提供动力，使其顺利地通过第一排出管610排出回收，从而很好的避免清洗液的浪费，达到节约成本的目的。

同时，因晶片旋转会产生向四周飞溅的清洗液，盖子部分120上特定设计的阻断装置200能够有效防止清洗液泄露，通过阻断喷嘴220喷射的高压气体可以避免清洗液从盖子部分120的上开口溅出，以盖子部分120的上端面为基准面，阻断喷嘴220喷射角度的范围为0度至45度，以喷射角度分别为0度、大于0度不超过45度具体为10度为例，解释飞溅的清洗液的排出过程：

结合图6所示，阻断喷嘴220的喷射角度为0度，图中虚线表示阻断喷嘴220喷射的高压气体、分布的点表示飞溅的清洗液、箭头表示飞溅的清洗液的运动轨迹，具体工作时，控制部分800控制阻断装置200运作，通过喷射方向调节部230将阻断喷嘴220的喷射角度调节为0度，阻断喷嘴220喷射高压气体并通过高压气体阻止飞溅的清洗液继续向上运动，同时，配合第二排出装置700改变清洗液的运动轨迹使其按照规定的路径排出，第二排出装置700中的第二送风装置为了排出清洗液会产生排气压力，为清洗液的排出提供动力，使得飞溅的清洗液顺利地通过第二排出管710排出；

结合图7、图8所示，阻断喷嘴220的喷射角度大于0度不超过45度具体为10度时，图7中的虚线表示阻断喷嘴220喷射的高压气体，图8中的螺旋形回转的虚线表示飞溅的清洗液的运动轨迹，具体工作时，控制部分800控制阻断装置200运作，通过喷射方向调节部230将阻断喷嘴220的喷射角度调节为10度，阻断喷嘴220喷射高压气体并通过高压气体阻止飞溅的清洗液继续向上运动，并且，盖子部分120的内部可以形成一个以一纵轴为中心按照螺旋形回转的空气流通层，飞溅的清洗液根据该空气流通层进行回转流动，同时，配合第二排出装置700改变清洗液的运动轨迹使其按照规定的路径排出，第二排出装置700中的第二送风装置为了排出清洗液会产生排气压力，为清洗液的排出提供动力，使得飞溅的清洗液顺利地通过第二排出管710排出。

因此，飞溅的清洗液能够在盖子部分120中及时排出，不仅能够防止清洗液脱离清洗装置而接触损伤周边配件，污染周边环境，还能防止飞溅的清洗液再次吸附到晶片上，对晶片造成损伤。

这种清洗装置在清洗过程中可以及时地将清洗液排出，保证晶片的清洗效果，进而提高半导体的制造品质，而且节约成本、自动化程度高，有利于提高晶片的清洗效果。

当然上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种晶片清洗装置，包括用于放置晶片的装载外壳（100），其特征在于：所述装载外壳（100）包括具有一上开口的主体部分（110）和上下贯通的盖子部分（120），所述主体部分（110）内设有与上开口相连通的回收槽（111），所述盖子部分（120）通过上开口与主体部分（110）连通并与主体部分（110）固定或一体成型，所述回收槽（111）内设有用于固定晶片的晶片固定装置（300），所述晶片固定装置（300）连接有用于控制晶片旋转和升降的晶片驱动装置（400），所述主体部分（110）内位于晶片固定装置（300）的上方设有用于清洗晶片的清洗液喷射装置（500），所述主体部分（110）上还设有用于排出回收槽（111）中所收集清洗液的第一排出装置（600）；所述盖子部分（120）上设有用于防止清洗液泄露的阻断装置（200），所述阻断装置（200）包括设于所述盖子部分（120）上开口内的环形支撑部（210）、间隔分布于所述环形支撑部（210）上的若干阻断喷嘴（220）、以及对应于各阻断喷嘴（220）分别设置的用于调节其喷射方向的喷射方向调节部（230），若干阻断喷嘴（220）连接有提供高压气体的供气装置，所述盖子部分（120）上还设有用于排出装载外壳（100）内清洗液的第二排出装置（700）；清洗装置还包括控制部分（800），所述晶片驱动装置（400）、清洗液喷射装置（500）、阻断装置（200）均与所述控制部分（800）相连。

2.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：所述晶片固定装置（300）为真空吸盘。

3.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：所述回收槽（111）的高度高于晶片固定装置（300）的高度。

4.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：所述晶片驱动装置（400）包括安装在晶片固定装置（300）底部的连接轴、以及连接驱动连接轴运动的连接轴驱动单元。

5.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：所述清洗液喷射装置（500）包括清洗液喷嘴（510）、控制清洗液喷嘴（510）运动及喷射清洗液的清洗液喷嘴驱动单元（520）。

6.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：所述第一排出装置（600）包括与回收槽（111）相连通的第一排出管（610）、以及与第一排出管（610）连接以为清洗液的排出提供动力的第一送风装置。

7.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：相邻两个阻断喷嘴（220）之间的距离相等。

8.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：所述第二排出装置（700）包括与盖子部分（120）内部相连通的第二排出管（710）、以及与第二排出管（710）连接以为清洗液的排出提供动力的第二送风装置。

9.根据权利要求1所述的一种晶片清洗装置，其特征在于：以盖子部分（120）的上端面为基准面，所述阻断喷嘴（220）喷射角度的范围为0度至45度。