CN209024413U - 一种ito导电膜玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型具体涉及一种ITO导电膜玻璃，该ITO导电膜玻璃包括底板玻璃基片、沉积在玻璃基片上方的氮化硅沉积层、第一低电阻材料层、第一ITO导电膜层、第二低电阻材料层和第二ITO导电膜层，上述各层依次在玻璃基片上方依次沉积。本实用新型ITO导电膜玻璃通过在玻璃基板和ITO导电膜之间沉积有低电阻材料，低电阻材料层可以降低电阻，有利于电子运动，形成有效电流；同时，通过增置导电膜和低电阻层材料的层数，可以进一步增强ITO导电膜玻璃的导电能力，减少电阻。
Description
技术领域
本实用新型涉及导电膜玻璃领域，具体涉及一种ITO导电膜玻璃。
背景技术
普通玻璃是绝缘材料，通过在其表面镀上一层导电膜，即可使其具备导电性能。这就是导电玻璃。
导电玻璃，是一种电阻小、能导电的玻璃。导电玻璃分为体积导电玻璃和表面导电层玻璃两种。体积导电玻璃的成分中含有碱性氧化物、氧化硅、钛的氧化物。表面导电层玻璃是在透明的玻璃表面上蒸镀一层金属薄膜(如金、铂等，厚度小于10毫微米)，或在加热的玻璃表面上喷涂金属氧化物导电薄膜(如锡、铟等)等制成。
导电玻璃具有较高的机械强度和防腐性能。可用作飞机的风挡玻璃，在等离子显示、硅太阳电池、调谐指示管等器件中可作玻璃电极，在金属电解槽、电热设备等方面而有广泛的用途。
现在用于太阳能电池和挡风玻璃的导电膜玻璃除了具有较高的机械强度和防腐性能外，还具有较好的透光性能，它的导电膜层具有较高的透光率。其中，透明导电膜玻璃在上述领域中使用较多，透明导电膜玻璃具有较高的透光率，膜层对光的透过率可以达到90％。目前，制造透明导电膜玻璃应用最多的导电膜系是氧化铟锡膜层，通常称为ITO透明导电膜。
目前，ITO导电膜由于其优良的导电和透光性能，已被广泛用于制造太阳能电池等相关领域，但是，随着这些领域的发展，它们对于ITO导电膜玻璃的导电和透光性能等提出了更高的要求，而目前的ITO导电膜玻璃在性能上很难满足其需求。
实用新型内容
针对目前的ITO导电膜玻璃难以满足太阳能电池等相关领域在导电能力和透光性上的不断提高的要求，目前的ITO导电膜玻璃在相关性能上还存在一些局限，本实用新型目的在于提供一种ITO导电膜玻璃。
本实用新型的ITO导电膜玻璃，通过设置低电阻材料层和增设ITO导电膜层进一步减少传统ITO导电膜玻璃的电阻，增强其导电性能和透光率。
一种ITO导电膜玻璃，包括：玻璃基片(1)、氮化硅沉积层(2)、第一低电阻材料层(3)、第一ITO导电膜层(4)、第二低电阻材料层(5)和第二ITO导电膜层。
优选地，所述的玻璃基片为普通玻璃、白玻璃和钢化玻璃中的一种，所述的玻璃基片的沉积面用砂纸进行打磨使其表面分布有凹凸有致的小孔，小孔孔径为30～500nm，小孔数量不少于8个。
更优选地，所述的玻璃基片为普通玻璃，所述的玻璃基片的沉积面为用机器或砂纸进行打磨使其表面分布有凹凸有致的小孔，小孔孔径为100～350nm，小孔数量不少于8个。
优选地，所述的氮化硅沉积层可以为单层或多层沉积，氮化硅沉积层的厚度在20nm～60nm。
更优选地，所述的氮化硅沉积层可以为单层沉积，氮化硅沉积层的厚度在25nm～40nm。
优选地，所述的第一低电阻材料层材料为铜、铝、钨或银中的一种；所述的第一低电阻材料层形貌为方形网格状。
更优选地，所述的第一低电阻材料层材料为铜、铝或银中的一种；所述的第一低电阻材料层形貌为方形网格状。
优选地，所述的ITO导电膜的厚度为5～30nm。
更优选地，所述的ITO导电膜的厚度为5～10nm。
优选地，所述的第二低电阻材料层材料为铝、铜和银中的一种；所述的第二低电阻材料层形貌为圆形网格状。
优选地，所述的第一低电阻材料层和第二低电阻材料层的厚度为1～15nm。
本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：
本实用新型的ITO导电膜玻璃，通过增加低电阻材料层和增设ITO导电膜层进一步减少 ITO导电膜玻璃的电阻，增强ITO导电膜玻璃的导电性能和增加其透光率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中的标记分别为：1-玻璃基片、2-氮化硅沉积层、3-第一低电阻材料层、4-第一ITO导电膜层、5-第二低电阻材料层、6-第二ITO导电膜层。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步地详细阐述，所述实施例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。下述实施例中所使用的试验方法如无特殊说明，均为常规方法；所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，为可从商业途径得到的试剂和材料。
实施例1
一种ITO导电膜玻璃，包括玻璃基板、氮化硅沉积层、第一低电阻材料层、第一ITO导电膜层、第二低电阻材料层、第二IITO导电膜层。
其中，玻璃基板采用白玻璃，小孔孔径为250nm，小空个数为15个；氮化硅沉积层沉积在玻璃基板上面，厚度为25nm；第一低电阻材料层为5nm网格状的金属铜，通过电镀方法沉积在氮化硅沉积层上方；第一ITO导电膜层通过利用平面磁控技术，使用磁控溅射镀膜机将ITO靶材在氮化硅沉积层距离10cm，进行溅射；第二低电阻材料层为5nm的圆形网格状的金属铜；第二ITO导电膜层通过利用平面磁控技术，使用磁控溅射镀膜机将ITO靶材在氮化硅沉积层距离10cm，进行溅射。
再通过采用四摇针法对均为使用溅射法制作的有沉积有和没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的电阻和距离之间的关系进行对比。通过对比检测试验显示，没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的表面电阻要大于沉积有低电阻层材料的导电玻璃的电阻，没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的电阻约为沉积有低电阻材料的导电膜玻璃的5～6.5倍，相关检测结果显示，设置低电阻材料沉积层对于增强ITO导电膜玻璃的导电性能和降低其电阻具有重要作用。
采用分光光度计对于导电膜玻璃的透光率进行测量，相关检测结果显示，本实施例制备的ITO导电膜玻璃的可见光透过率为87.31％。
实施例2
一种ITO导电膜玻璃，包括玻璃基板、氮化硅沉积层、第一低电阻材料层、第一ITO导电膜层、第二低电阻材料层、第二IITO导电膜层。
其中，玻璃基板采用白玻璃，小孔孔径为300nm，小空个数为18个；氮化硅沉积层沉积在玻璃基板上面，厚度为30nm；第一低电阻材料层为3nm网格状的金属铜，通过电镀方法沉积在氮化硅沉积层上方；第一ITO导电膜层通过利用平面磁控技术，使用磁控溅射镀膜机将ITO靶材在氮化硅沉积层距离10cm，进行溅射；第二低电阻材料层为8nm的圆形网格状的金属铝；第二ITO导电膜层通过利用平面磁控技术，使用磁控溅射镀膜机将ITO靶材在氮化硅沉积层距离10cm，进行溅射。
再通过采用四摇针法对均为使用溅射法制作的有沉积有和没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的电阻和距离之间的关系进行对比。通过对比检测试验显示，没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的表面电阻要大于沉积有低电阻层材料的导电玻璃的电阻，没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的电阻约为沉积有低电阻材料的导电膜玻璃的6～7.6倍，相关检测结果显示，设置低电阻材料沉积层对于增强ITO导电膜玻璃的导电性能和降低其电阻具有重要作用。
采用分光光度计对于导电膜玻璃的透光率进行测量，相关检测结果显示，本实施例制备的ITO导电膜玻璃的可见光透过率为86.11％。
实施例3
一种ITO导电膜玻璃，包括玻璃基板、氮化硅沉积层、第一低电阻材料层、第一ITO导电膜层、第二低电阻材料层、第二IITO导电膜层。
其中，玻璃基板采用白玻璃，小孔孔径为260nm，小空个数为20个；氮化硅沉积层沉积在玻璃基板上面，厚度为55nm；第一低电阻材料层为10nm网格状的金属银，通过电镀方法沉积在氮化硅沉积层上方；第一ITO导电膜层通过利用平面磁控技术，使用磁控溅射镀膜机将ITO靶材在氮化硅沉积层距离10cm，进行溅射；第二低电阻材料层为12nm的圆形网格状的金属铜；第二ITO导电膜层通过利用平面磁控技术，使用磁控溅射镀膜机将ITO靶材在氮化硅沉积层距离10cm，进行溅射。
再通过采用四摇针法对均为使用溅射法制作的有沉积有和没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的电阻和距离之间的关系进行对比。通过对比检测试验显示，没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的表面电阻要大于沉积有低电阻层材料的导电玻璃的电阻，没有沉积低电阻层材料的导电玻璃的电阻约为沉积有低电阻材料的导电膜玻璃的5.3～6.9倍，相关检测结果显示，设置低电阻材料沉积层对于增强ITO导电膜玻璃的导电性能和降低其电阻具有重要作用。
采用分光光度计对于导电膜玻璃的透光率进行测量，相关检测结果显示，本实施例制备的ITO导电膜玻璃的可见光透过率为86.42％。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
Claims (7)
1.一种ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的ITO导电膜玻璃包括：玻璃基片(1)、氮化硅沉积层(2)、第一低电阻材料层(3)、第一ITO导电膜层(4)、第二低电阻材料层(5)和第二ITO导电膜层(6)；
所述的第一低电阻材料层形貌为方形网格状；
所述的第二低电阻材料层形貌为圆形网格状。
2.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的玻璃基片为普通玻璃、白玻璃和钢化玻璃中的一种，所述的玻璃基片的沉积面为用机器或砂纸进行打磨使其表面分布有凹凸有致的小孔，小孔孔径为30～500nm，小孔数量不少于8个。
3.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的氮化硅沉积层可以为单层或多层沉积；所述的氮化硅沉积层的厚度在20nm～60nm。
4.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的第一低电阻材料层材料为铜、铝、钨或银中的一种。
5.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的ITO导电膜的厚度为5nm～30nm。
6.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的第二低电阻材料层材料为铝、铜和银中的一种。
7.根据权利要求4或6所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的第一低电阻材料层和第二低电阻材料层的厚度为1nm～15nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201820913669.3U CN209024413U (zh) | 2018-06-13 | 2018-06-13 | 一种ito导电膜玻璃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201820913669.3U CN209024413U (zh) | 2018-06-13 | 2018-06-13 | 一种ito导电膜玻璃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN209024413U true CN209024413U (zh) | 2019-06-25 |
Family
ID=66868201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201820913669.3U Active CN209024413U (zh) | 2018-06-13 | 2018-06-13 | 一种ito导电膜玻璃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN209024413U (zh) |
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2018
- 2018-06-13 CN CN201820913669.3U patent/CN209024413U/zh active Active
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