CN208985982U - 一种高性能tvs二极管的叠片结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高性能TVS二极管的叠片结构，包括壳体，所述壳体的左侧设置有第一铜架框，所述壳体的右侧设置有第二铜架框，所述壳体的内部设置有内部设置有引脚架框，本实用新型涉及二极管技术领域。该一种高性能TVS二极管的叠片结构，达到了两芯片分别焊于独立的铜基片上，再用铜跳线跨接。一方面有效的解决了芯片散热的问题，另一方面还能降低内部芯片的高度，而使保护黑胶的厚度更大或能减小黑胶厚度，从而做得更轻薄，在不改变芯片的情况下，能有效提高TVS二极管功率及电压的目的，达到了壳体的散热波纹套有效的进行热传递，进行散热，降低内部芯片的问题，提高芯片的使用寿命的目的。

Description

一种高性能TVS二极管的叠片结构

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，具体为一种高性能TVS二极管的叠片结构。

背景技术

二极管是电子元件当中一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过，反向时阻断。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。常规的TVS二极管叠片是纵向叠片，而且两芯片之间是直接接触。其散热效果不好，直接影响性能的表现，通常两颗芯片只能发挥1.5颗芯片效果，而此设计中的TVS二极管是直接焊于铜基片上，再用铜跳线跨接，散热效果倍增，性能提升非常明显，能充分发挥两颗芯片的性能。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种高性能TVS二极管的叠片结构，解决了现有的TVS二极管叠片是纵向叠片，而且两芯片之间是直接接触，其散热效果不好，直接影响性能的表现，通常两颗芯片只能发挥1.5颗芯片效果的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种高性能TVS二极管的叠片结构，包括壳体，所述壳体的左侧设置有第一铜架框，所述壳体的右侧设置有第二铜架框，所述壳体的内部设置有内部设置有引脚架框，所述引脚架框位于壳体的左侧中部固定连接有第一芯片，所述引脚架框位于壳体的右侧中部固定连接有第二芯片，所述壳体包括内壳，所述内壳的顶部固定连接有内壳散热波纹套，所述内壳散热波纹套的顶部通过散热支架固定连接有外壳散热波纹套，所述外壳散热波纹套的顶部固定连接有外壳，所述散热支架的间隙设置有填充物。

优选的，所述引脚架框与第一铜架框、第二铜架框固定连接。

优选的，所述引脚架框顶部设置有跳线，所述第一芯片、第二芯片通过跳线进行跨接。

优选的，所述壳体的内部设置有黑胶。

优选的，所述第一芯片与第二芯片的规格相同。

(三)有益效果

本实用新型提供了一种高性能TVS二极管的叠片结构。具备以下有益效果：

(1)、该高性能TVS二极管的叠片结构，通过壳体的左侧设置有第一铜架框，壳体的右侧设置有第二铜架框，壳体的内部设置有内部设置有引脚架框，引脚架框位于壳体的左侧中部固定连接有第一芯片，引脚架框位于壳体的右侧中部固定连接有第二芯片，引脚架框与第一铜架框、第二铜架框固定连接，引脚架框顶部设置有跳线，第一芯片、第二芯片通过跳线进行跨接，壳体的内部设置有黑胶，第一芯片与第二芯片的规格相同，达到了两芯片分别焊于独立的铜基片上，再用铜跳线跨接。一方面有效的解决了芯片散热的问题，另一方面还能降低内部芯片的高度，而使保护黑胶的厚度更大或能减小黑胶厚度，从而做得更轻薄，在不改变芯片的情况下，能有效提高TVS二极管功率及电压的目的。

(2)、该高性能TVS二极管的叠片结构，通过壳体包括内壳，内壳的顶部固定连接有内壳散热波纹套，内壳散热波纹套的顶部通过散热支架固定连接有外壳散热波纹套，外壳散热波纹套的顶部固定连接有外壳，散热支架的间隙设置有填充物，达到了壳体的散热波纹套有效的进行热传递，进行散热，降低内部芯片的问题，提高芯片的使用寿命的目的。

附图说明

图1为本实用新型外部结构示意图；

图2为本实用新型内部结构示意图；

图3为本实用新型壳体结构示意图。

图中：1壳体、11内壳、12内壳散热波纹套、13散热支架、14填充物、15外壳散热波纹套、16外壳、2第一铜架框、3第二铜架框、4引脚架框、5第一芯片、6第二芯片、7跳线、8黑胶。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种高性能TVS二极管的叠片结构，包括壳体1，壳体1的左侧设置有第一铜架框2，壳体1的右侧设置有第二铜架框3，壳体1的内部设置有内部设置有引脚架框4，引脚架框4位于壳体1的左侧中部固定连接有第一芯片5，引脚架框4位于壳体1的右侧中部固定连接有第二芯片6，壳体1包括内壳11，内壳11的顶部固定连接有内壳散热波纹套12，内壳散热波纹套12的顶部通过散热支架13固定连接有外壳散热波纹套15，外壳散热波纹套15的顶部固定连接有外壳16，散热支架13的间隙设置有填充物14，达到了壳体的散热波纹套有效的进行热传递，进行散热，降低内部芯片的问题，提高芯片的使用寿命的目的，引脚架框4与第一铜架框2、第二铜架框3固定连接，引脚架框4顶部设置有跳线7，第一芯片5、第二芯片6通过跳线7进行跨接，壳体1的内部设置有黑胶8，第一芯片5与第二芯片6的规格相同，达到了两芯片分别焊于独立的铜基片上，再用铜跳线跨接。一方面有效的解决了芯片散热的问题，另一方面还能降低内部芯片的高度，而使保护黑胶的厚度更大或能减小黑胶厚度，从而做得更轻薄，在不改变芯片的情况下，能有效提高TVS二极管功率及电压的目的。

使用时，壳体1的内壳11设置有内壳散热波纹套12、外壳16设置有外壳散热波纹套15，通过散热支架进行散热，达到了壳体的散热波纹套有效的进行热传递，进行散热，降低内部芯片的问题，提高芯片的使用寿命的目的，在壳体1的内部，第一芯片5、第二芯片6分别独立固定在引脚架框4上，通过跳线7进行跨接，由于两芯片通过跳线跨接，达到了两芯片分别焊于独立的铜基片上，再用铜跳线跨接。一方面有效的解决了芯片散热的问题，另一方面还能降低内部芯片的高度，而使保护黑胶的厚度更大或能减小黑胶厚度，从而做得更轻薄，在不改变芯片的情况下，能有效提高TVS二极管功率及电压的目的。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下。由语句“包括一个......限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素”。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种高性能TVS二极管的叠片结构，包括壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)的左侧设置有第一铜架框(2)，所述壳体(1)的右侧设置有第二铜架框(3)，所述壳体(1)的内部设置有内部设置有引脚架框(4)，所述引脚架框(4)位于壳体(1)的左侧中部固定连接有第一芯片(5)，所述引脚架框(4)位于壳体(1)的右侧中部固定连接有第二芯片(6)；

所述壳体(1)包括内壳(11)，所述内壳(11)的顶部固定连接有内壳散热波纹套(12)，所述内壳散热波纹套(12)的顶部通过散热支架(13)固定连接有外壳散热波纹套(15)，所述外壳散热波纹套(15)的顶部固定连接有外壳(16)，所述散热支架(13)的间隙设置有填充物(14)。

2.根据权利要求1所述的一种高性能TVS二极管的叠片结构，其特征在于：所述引脚架框(4)与第一铜架框(2)、第二铜架框(3)固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种高性能TVS二极管的叠片结构，其特征在于：所述引脚架框(4)顶部设置有跳线(7)，所述第一芯片(5)、第二芯片(6)通过跳线(7)进行跨接。

4.根据权利要求1所述的一种高性能TVS二极管的叠片结构，其特征在于：所述壳体(1)的内部设置有黑胶(8)。

5.根据权利要求1所述的一种高性能TVS二极管的叠片结构，其特征在于：所述第一芯片(5)与第二芯片(6)的规格相同。