CN208904057U - 一种深紫外led灯珠的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种深紫外LED灯珠的封装结构，包括：深紫外LED芯片、支架和透镜；所述支架具有一放置深紫外LED芯片的凹腔；所述凹腔的侧壁端面，在靠近支架对称轴的一侧，沿着对称轴上凸形成一圈围坝；所述透镜在朝向深紫外LED芯片的一侧，具有一圈与所述围坝配合的凹槽；所述凹腔的侧壁端面，在远离支架对称轴的一侧，与透镜粘合固定，使得所述围坝嵌入凹槽内。本实用新型提供了一种深紫外LED灯珠的封装结构，结构简单工艺也简单，并且可以使用有机胶水进行封装。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED，尤其涉及LED封装结构。
技术背景
传统的深紫外封装器件采用有机胶来封装，由于深紫外线可以照射到有机胶的位置，有机胶水耐紫外能力差，老化快；为了解决这个问题，现有技术采用无机胶水来替代有机胶水。现有的无机深紫外封装，工艺复杂，有的采用激光熔融的方式，实现玻璃和支架的贴合，有的在石英玻璃上镀一层合金，从而实现玻璃和支架共晶，达到紧密结合。
发明内容
本实用新型所要解决的主要技术问题是提供一种深紫外LED灯珠的封装结构，结构简单工艺也简单，并且可以使用有机胶水进行封装。
为了解决上述的技术问题，本实用新型提供了一种深紫外LED灯珠的封装结构，包括：深紫外LED芯片、支架和透镜；
所述支架具有一放置深紫外LED芯片的凹腔；所述凹腔的侧壁端面，在靠近支架对称轴的一侧，沿着对称轴上凸形成一圈围坝；所述透镜在朝向深紫外LED芯片的一侧，具有一圈与所述围坝配合的凹槽；所述凹腔的侧壁端面，在远离支架对称轴的一侧，与透镜粘合固定，使得所述围坝嵌入凹槽内在一较佳实施例中：所述凹腔的侧壁端面，在远离支架对称轴的一侧，与透镜通过有机胶粘合固定。
在一较佳实施例中：所述深紫外LED芯片为倒装芯片，所述凹腔的底部设置有焊盘；倒装芯片与焊盘通过回流焊焊接。
在一较佳实施例中：所述深紫外LED芯片为倒装芯片，所述凹腔的底部设置有焊盘，所述焊盘表面涂有助焊剂，倒装芯片与焊盘通过共晶焊焊接。
相较于现有技术，本实用新型的技术方案具备以下有益效果：
本实用新型提供的一种深紫外LED灯珠的封装结构，通过围坝将深紫外LED芯片发出的光线进行遮挡，使其无法照射到透镜与支架的粘合处，因此粘合处使用的胶水就可以是有机胶水，在性能与无机封装相当的情况下，大大降低了成本。并且本实用新型的封装结构工艺也很简单，封装器件的可靠性和气密性都比较好。
附图说明
图1为本实用新型优选实施例中深紫外LED灯珠的封装结构的剖视图。
图2为围坝对紫外光线的阻挡示意图。
具体实施方式
为了使本发明技术方案更加清楚，现将本发明结合实施例和附图做进一步详细说明：
参考图1，一种深紫外LED灯珠的封装结构，包括：深紫外LED芯片1、支架2和透镜3；
所述支架2具有一放置深紫外LED芯片1的凹腔21；所述凹腔21的侧壁端面，在靠近支架2对称轴的一侧，沿着对称轴上凸形成一圈围坝22；所述透镜3在朝向深紫外LED芯片1的一侧，具有一圈与所述围坝22配合的凹槽；所述凹腔21的侧壁端面，在远离支架2对称轴的一侧，与透镜3粘合固定，使得所述围坝22嵌入凹槽内。
从图2可以看出，由于围坝的存在，深紫外LED芯片1发出的光线就被围坝22遮挡，使其无法照射到透镜3与支架1的粘合处，因此粘合处使用的胶水4就可以是有机胶水，在性能与无机封装相当的情况下，大大降低了成本。
本实施例中，所述深紫外LED芯片1为倒装芯片，所述凹腔21的底部设置有焊盘；倒装芯片与焊盘通过回流焊焊接。或者，所述深紫外LED芯片1为倒装芯片，所述凹腔21的底部设置有焊盘，所述焊盘表面涂有助焊剂，倒装芯片与焊盘通过共晶焊焊接。
所述支架1主要材料为ALN陶瓷，导热率高，陶瓷表面上分别镀镍、镀钯、镀金；因此，本实用新型的封装结构通过点胶和烧结就可以实现支架和透镜的贴合，封装结构工艺也很简单，封装器件的可靠性和气密性都比较好。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种深紫外LED灯珠的封装结构，其特征在于包括：深紫外LED芯片、支架和透镜；
所述支架具有一放置深紫外LED芯片的凹腔；所述凹腔的侧壁端面，在靠近支架对称轴的一侧，沿着对称轴上凸形成一圈围坝；所述透镜在朝向深紫外LED芯片的一侧，具有一圈与所述围坝配合的凹槽；所述凹腔的侧壁端面，在远离支架对称轴的一侧，与透镜粘合固定，使得所述围坝嵌入凹槽内。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED灯珠的封装结构，其特征在于：所述凹腔的侧壁端面，在远离支架对称轴的一侧，与透镜通过有机胶粘合固定。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外LED灯珠的封装结构，其特征在于：所述深紫外LED芯片为倒装芯片，所述凹腔的底部设置有焊盘；倒装芯片与焊盘之间涂有锡膏，通过回流焊焊接。
4.根据权利要求1所述的一种深紫外LED灯珠的封装结构，其特征在于：所述深紫外LED芯片为倒装芯片，所述凹腔的底部设置有焊盘，所述焊盘表面涂有助焊剂，倒装芯片与焊盘通过共晶焊焊接。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146315A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-05-12 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种全无机封装的倒装uv-led器件及制作方法 |
| CN112490338A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-12 | 中芯先进半导体(深圳)有限公司 | 一种无胶共晶安装透镜的方法及led封装结构 |
| CN113557609A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-10-26 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种led发光装置及其制造方法 |
| CN114122238A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-03-01 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | 一种聚光型紫外发射器件封装结构 |
| US11658271B2 (en) | 2020-04-09 | 2023-05-23 | Cheng Mei Optronics Inc. | DUV LED module structure |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146315A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-05-12 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种全无机封装的倒装uv-led器件及制作方法 |
| US11658271B2 (en) | 2020-04-09 | 2023-05-23 | Cheng Mei Optronics Inc. | DUV LED module structure |
| CN112490338A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-12 | 中芯先进半导体(深圳)有限公司 | 一种无胶共晶安装透镜的方法及led封装结构 |
| CN113557609A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-10-26 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种led发光装置及其制造方法 |
| WO2022151115A1 (zh) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种led发光装置及其制造方法 |
| CN113557609B (zh) * | 2021-01-14 | 2023-12-05 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种led发光装置及其制造方法 |
| CN114122238A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-03-01 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | 一种聚光型紫外发射器件封装结构 |
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