CN208796860U - 一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具 - Google Patents

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郑惠茹
李春
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Abstract

一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,包括治具底板、焊接框架及第二层芯片限位板,治具底板上形成有用于定位第一层芯片的若干第一芯片限位槽及用于定位焊接框架的至少一个框架限位槽,焊接框架上形成有若干芯片定位孔,第二层芯片限位板上形成有用于定位第二层芯片的若干第二芯片限位槽,治具底板与第二层芯片限位板之间设置有用于二者相互定位的定位组件,治具底板、焊接框架及第二层芯片限位板由下至上依次叠置,且第一芯片限位槽、芯片定位孔及第二芯片限位槽位置相对应设置。本实用新型可实现芯片单层或双层同步焊接,并可在各层芯片与焊接框架间形成较高的定位精度,确保产品焊点质量及焊接一致性,操作简单方便,可提高焊接效率。

Description

一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具
技术领域
本实用新型涉及一种电容器焊接治具,特别是一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具。
背景技术
目前,现有的双层片式陶瓷电容器,如脉冲功率电容器,其制备用的焊接治具一般仅能实现单面焊接,由于焊接过程无法保证芯片两端所受锡膏表面张力完全平衡,故在焊接锡膏融化时,芯片两端会因所受的表面张力不同而发生位移现象,同时因无法双面同步焊接导致先焊接一面后,在焊接第二面时,不仅加工复杂、成本高,第一面焊接后的焊点形成二次熔融,芯片因自重而与框架分离,且焊点二次熔融后焊点连接弹性降低,焊点变脆,从而降低了焊接质量。
因此,亟需可实现片式陶瓷电容器双层同步焊接的治具,以解决现有技术存在的上述问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是克服现有技术的缺点,提供一种可实现芯片单层或双层同步焊接,并可确保焊接过程精准定位,确保产品焊点质量及焊接一致性,操作简单方便,可提高焊接效率的双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具。
本实用新型采用如下技术方案:
一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,包括有治具底板、焊接框架及第二层芯片限位板,所述治具底板上形成有用于定位第一层芯片的若干第一芯片限位槽及用于定位焊接框架的至少一个框架限位槽,所述焊接框架上形成有若干芯片定位孔,所述第二层芯片限位板上形成有用于定位第二层芯片的若干第二芯片限位槽,治具底板与第二层芯片限位板之间设置有用于二者相互定位的定位组件,所述治具底板、焊接框架及第二层芯片限位板由下至上依次叠置,且第一芯片限位槽、芯片定位孔及第二芯片限位槽位置相对应设置。
进一步地,所述定位组件为分设于治具底板和第二层芯片限位板上的定位针和与定位针相配合的定位孔。
进一步地,所述定位组件包括凸出于治具底板上表面设置的定位针和开设于第二层芯片限位板上的与定位针相配合的定位孔。
进一步地,所述治具底板上开设有若干透气孔。
进一步地,所述第二层芯片限位板上开设有若干透气孔。
进一步地,所述治具底板上设置有两个框架限位槽。
进一步地,所述第二芯片限位槽内壁凸出形成有若干间隔设置的限位凸块。
进一步地,所述第一、第二芯片限位槽形成用于定位单个芯片的限位槽,所述芯片定位孔形成用于定位单个芯片的定位孔。
进一步地,所述第一、第二芯片限位槽形成用于定位两个并联芯片的限位槽,所述芯片定位孔形成用于定位两个并联芯片的定位孔。
进一步地,所述治具底板及第二层芯片限位板均使用合成石材料制成。
由上述对本实用新型的描述可知,与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
通过在治具底板和第二层芯片限位板上设置芯片限位槽,并在治具底板与第二层芯片限位板之间设置定位组件、在治具底板上设置框架限位槽,可实现芯片单层或双层同步焊接,并可在各层芯片与焊接框架间形成较高的定位精度,确保焊接过程精准定位,有效防止双层芯片在焊接过程中的位移现象,保证各层芯片焊接平整、牢固,确保产品焊点质量及焊接一致性,操作简单方便,可提高焊接效率,可靠性高;同时,通过在治具底板及第二层芯片限位板上设置透气孔,良好的透气效果可进一步保证焊接效果。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的治具底板的俯视图;
图2是本实用新型实施例一的治具底板的立体图;
图3是本实用新型实施例一的焊接框架安装芯片状态下的俯视图;
图4是本实用新型实施例一的第二层芯片限位板的俯视图;
图5是本实用新型实施例一的第二层芯片限位板的立体图;
图6是本实用新型实施例一的治具整体装配后的俯视图;
图7是本实用新型实施例二的治具底板的立体图;
图8是本实用新型实施例二的焊接框架的俯视图;
图9是本实用新型实施例二的焊接框架安装芯片状态下的俯视图;
图10是本实用新型实施例二的第二层芯片限位板的立体图;
图11是本实用新型实施例二的治具整体装配后的俯视图。
图中:1.治具底板,2.芯片,3.焊接框架,4.透气孔,5.第一芯片限位槽,6.定位针,7.框架限位槽,8.第二层芯片限位板,9.第二芯片限位槽,10.定位孔,11.限位凸块。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本实用新型作进一步的描述。
实施例一
参照图1至图6,本实用新型的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,包括有治具底板1、焊接框3架及第二层芯片限位板8,治具底板1上形成有用于定位第一层芯片2的若干第一芯片限位槽5及用于定位焊接框架3的两个框架限位槽7,焊接框架3上形成有若干芯片定位孔,第二层芯片限位板8上形成有用于定位第二层芯片2的若干第二芯片限位槽9,治具底板1与第二层芯片限位板8之间设置有用于二者相互定位的定位组件,定位组件包括凸出于治具底板1上表面设置的定位针6和开设于第二层芯片限位板8上的与定位针6相配合的定位孔10。治具底板1、焊接框架3及第二层芯片限位板8由下至上依次叠置,且第一芯片限位槽5、芯片定位孔及第二芯片限位槽9位置相对应设置。
治具底板1及第二层芯片限位板8上均开设有若干透气孔4。第二芯片限位槽9内壁凸出形成有若干间隔设置的限位凸块11。第一芯片限位槽5、第二芯片限位槽9形成用于定位单个芯片的限位槽,芯片定位孔形成用于定位单个芯片的定位孔。
治具底板1及第二层芯片限位板8均使用合成石材料制成,平均线性热膨胀系数为7.1*10-6/K,焊接框架3的平均线性热膨胀系数为6.5*10-6/K,两种材料线性热膨胀系数相近,可有效确保在高温焊接过程中变型量接近,相对位移量小,可提高定位精度,同时避免因膨胀系数不匹配而形成在产品前后、左右方向上的挤压而损伤芯片。
参照图1至图6,本实用新型的双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,用于制备双层脉冲功率电容器时,先在治具底板1上盖上焊接框架3,焊接框架3通过框架限位槽7相对治具底板1定位;然后将若干脉冲功率电容器芯片2通过焊接框架3的芯片定位孔装配于治具底板1的第一芯片限位槽5中;再将第二层芯片限位板8盖于焊接框架3上方,同时第二层芯片限位板8的定位孔10与治具底板1上的定位针6配合定位连接;最后将若干脉冲功率电容器芯片2装配于第二芯片限位槽9中,再进行回流焊焊接,从而制得双层脉冲功率电容器。
本实施例的治具可实现单层单只或多只以及双层单只或多只单个脉冲功率电容器的同步定位焊接。
实施例二
参照图7至图11,本实施例与实施例一的区别在于:第一芯片限位槽5、第二芯片限位槽9形成用于定位两个并联芯片2的限位槽,芯片定位孔形成用于定位两个并联芯片2的定位孔。本实施例的治具可实现单层单只或多只以及双层单只或多只两两并联脉冲功率电容器的同步定位焊接。
上述仅为本实用新型的两个具体实施方式,但本实用新型的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。

Claims (10)

1.一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:包括有治具底板、焊接框架及第二层芯片限位板,所述治具底板上形成有用于定位第一层芯片的若干第一芯片限位槽及用于定位焊接框架的至少一个框架限位槽,所述焊接框架上形成有若干芯片定位孔,所述第二层芯片限位板上形成有用于定位第二层芯片的若干第二芯片限位槽,治具底板与第二层芯片限位板之间设置有用于二者相互定位的定位组件,所述治具底板、焊接框架及第二层芯片限位板由下至上依次叠置,且第一芯片限位槽、芯片定位孔及第二芯片限位槽位置相对应设置。
2.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述定位组件为分设于治具底板和第二层芯片限位板上的定位针和与定位针相配合的定位孔。
3.如权利要求2所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述定位组件包括凸出于治具底板上表面设置的定位针和开设于第二层芯片限位板上的与定位针相配合的定位孔。
4.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述治具底板上开设有若干透气孔。
5.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述第二层芯片限位板上开设有若干透气孔。
6.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述治具底板上设置有两个框架限位槽。
7.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述第二芯片限位槽内壁凸出形成有若干间隔设置的限位凸块。
8.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述第一、第二芯片限位槽形成用于定位单个芯片的限位槽,所述芯片定位孔形成用于定位单个芯片的定位孔。
9.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述第一、第二芯片限位槽形成用于定位两个并联芯片的限位槽,所述芯片定位孔形成用于定位两个并联芯片的定位孔。
10.如权利要求1所述的一种双层同步定位的片式陶瓷电容器焊接治具,其特征在于:所述治具底板及第二层芯片限位板均使用合成石材料制成。
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