CN208791497U - 一种热电玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种热电玻璃，包括现有玻璃基板（1），其特征在于：在玻璃基板（1）的两面分别通过纳米薄膜沉积技术制备的P型Bi—Sb—Te薄膜（2）以及N型Bi—Te—Se薄膜（3），所述P型Bi—Sb—Te薄膜（2）厚度为10nm~10000nm，N型Bi—Te—Se薄膜（3）厚度为10nm~10000nm。本实用新型的优点：利用纳米薄膜技术，在玻璃表面复合热电薄膜材料而制成，工艺简单、成本较低；制得的一种热电玻璃的热电优值高，可应用于汽车、飞机、微电子器件、建筑等领域。
Description
技术领域
本实用新型属新型能源技术领域，涉及热电材料领域，具体涉及一种热电玻璃。
背景技术
在众多的新型能源中，热电材料制成的器件既可以用于热电发电，也可以用于热电制冷，同时具有体积小、重量轻、坚固、工作中无噪音等诸多优点。最重要的是，它不会造成任何环境污染，使用寿命长，且易于控制。自19世纪人们陆续发现了塞贝克效应和帕尔贴效应以来，科学家们便开始对热电材料展开了全面的探索与革新。迄今为止，已发现了Bi2Te3及其合金、PbTe及其合金和SiGe合金等多种热电材料，而如何利用纳米薄膜技术，将热电材料与玻璃这一功能基底材料联系起来，已经成为建材行业的迫切需要解决的技术难题。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决热电材料与玻璃基底材料结合的问题，提供的发明了一种热电玻璃。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种热电玻璃，包括现有玻璃基板，其特征在于：在玻璃基板的两面分别通过纳米薄膜沉积技术制备的P型Bi—Sb—Te薄膜以及N型Bi—Te—Se薄膜，从而两面形成P-N结；
所述P型Bi—Sb—Te薄膜厚度为10nm~10000nm，N型Bi—Te—Se薄膜厚度为10nm~10000nm。
优选地，所述P型Bi—Sb—Te薄膜厚度为100nm~1000nm，N型Bi—Te—Se薄膜厚度为100nm~1000nm。
利用塞贝克效应和帕尔贴效应，可使得两面形成P-N结的玻璃成为能实现电能与热能交互转变的材料，从而可以实现玻璃具有温差发电或电制冷的功能。
本实用新型的优点：利用纳米薄膜技术，在玻璃表面复合热电薄膜材料而制成，工艺简单、成本较低；制得的一种热电玻璃的热电优值高，可应用于汽车、飞机、微电子器件、建筑等领域。
附图说明：
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
结合图1对本实用新型做进一步说明，一种热电玻璃，包括现有玻璃基板1，以及在玻璃基板1的两面分别通过纳米薄膜沉积技术制备的P型Bi—Sb—Te薄膜2和N型Bi—Te—Se薄膜3，本实施方式中的纳米薄膜沉积技术为磁控溅射镀膜技术，具体为，在高真空的溅射腔体中，利用Bi—Sb—Te合金靶及Bi—Te—Se合金靶，工作气压0.5Pa，溅射功率100W，在玻璃基板两面上分别直流磁控溅射制备厚度为400nm的P型Bi—Sb—Te薄膜2和厚度为500nm的N型Bi—Te—Se薄膜3，两面形成P-N结结构。
分别利用塞贝克效应和帕尔贴效应，可使玻璃成为能实现电能与热能交互转变的材料，从而可以实现玻璃具有温差发电或电制冷的功能，本法制得的一种热电玻璃，具有热电优值高、工艺简单、成本低等特点。
Claims (2)
1.一种热电玻璃，包括现有玻璃基板（1），其特征在于：在玻璃基板（1）的两面分别通过纳米薄膜沉积技术制备的P型Bi—Sb—Te薄膜（2）以及N型Bi—Te—Se薄膜（3）；
所述P型Bi—Sb—Te薄膜（2）厚度为10nm~10000nm，N型Bi—Te—Se薄膜（3）厚度为10nm~10000nm。
2.根据权利要求1所述一种热电玻璃，其特征在于：优选地，所述P型Bi—Sb—Te薄膜（2）厚度为100nm~1000nm，N型Bi—Te—Se薄膜（3）厚度为100nm~1000nm。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201821446004.2U CN208791497U (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 一种热电玻璃 |
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| CN201821446004.2U Active CN208791497U (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 一种热电玻璃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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2018
- 2018-09-05 CN CN201821446004.2U patent/CN208791497U/zh active Active
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