CN208501081U - 蒸镀掩模 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供蒸镀掩模，在设从P1点至Q1点的尺寸为X1，设从P2点至Q2点的尺寸为X2，且设规定的值为αX时，蒸镀掩模满足并且满足|X1‑X2|≤60μm。

Description

蒸镀掩模
技术领域
本实用新型涉及蒸镀掩模。
背景技术
近年，对于在智能手机或平板电脑等可移动设备中使用的显示装置，要求高精细化，例如要求像素密度为500ppi以上。另外，即使对于可移动设备，应对超高清的需要也在不断高涨，这种情况下，要求显示装置的像素密度为例如800ppi以上。
在显示装置中，由于响应性良好、能耗低且对比度高，有机EL显示装置正在受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知这样的方法：使用形成有以所希望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模，以所希望的图案形成像素。具体来说，首先，使蒸镀掩模紧密贴合于有机EL显示装置用的基板，接着，将紧密贴合的蒸镀掩模和基板一起放入蒸镀装置中，执行使有机材料蒸镀到基板上的蒸镀工序。这种情况下，为了精密地制作具有高像素密度的有机EL显示装置，要求按照设计精密地再现蒸镀掩模的贯通孔的位置或形状。
作为蒸镀掩模的制造方法，已知如下的方法：例如如专利文献1所公开的，通过使用了光刻技术的蚀刻，在金属板上形成贯通孔。例如，首先，通过曝光/显影处理在金属板的第1面上形成第1抗蚀剂图案，另外，通过曝光/显影处理在金属板的第2面上形成第2抗蚀剂图案。接下来，对金属板的第1面中的未被第1抗蚀剂图案覆盖的区域进行蚀刻，在金属板的第1面上形成第1开口部。然后，对金属板的第2面中的未被第2抗蚀剂图案覆盖的区域进行蚀刻，在金属板的第2面上形成第2开口部。此时，通过以使第1开口部和第2开口部互相连通的方式进行蚀刻，由此能够形成贯通金属板的贯通孔。用于制作蒸镀掩模的金属板例如可以通过对铁合金等母材进行轧制来获得。
作为其它的蒸镀掩模的制造方法，已知如下的方法：例如如专利文献2所公开的，利用镀覆处理来制造蒸镀掩模。例如在专利文献2所记载的方法中，首先，准备具有导电性的基材。接下来，通过曝光/显影处理，在基材上形成隔开规定的间隙配置的抗蚀剂图案。该抗蚀剂图案被设置于待形成蒸镀掩模的贯通孔的位置处。然后，将镀覆液供给至抗蚀剂图案的间隙中，通过电镀处理在基材上析出金属层。然后，使金属层从基材分离，由此能够得到形成有多个贯通孔的蒸镀掩模。
专利文献1：日本特许第5382259号公报
专利文献2：日本特开2001-234385号公报
在使用蒸镀掩模来使蒸镀材料在基板上成膜的情况下，蒸镀材料不仅附着于基板上，也附着于蒸镀掩模上。例如，在蒸镀材料中，也存在沿着相对于蒸镀掩模的法线方向大幅地倾斜的方向朝向基板的蒸镀材料，但这样的蒸镀材料在到达基板之前到达并附着于蒸镀掩模的贯通孔的壁面上。这种情况下，在基板中的位于蒸镀掩模的贯通孔的壁面附近的区域中，蒸镀材料难以附着，其结果是，可以想到：附着的蒸镀材料的厚度比其它部分小，或者产生未附着蒸镀材料的部分。即，可以认为，蒸镀掩模的贯通孔的壁面附近的蒸镀变得不稳定。因此，在为了形成有机EL显示装置的像素而使用了蒸镀掩模的情况下，像素的尺寸精度或位置精度低下，其结果是，有机EL显示装置的发光效率变得低下。
为了解决这样的课题，可以考虑减小用于制造蒸镀掩模的金属板的厚度。这是因为，通过减小金属板的厚度，能够减小蒸镀掩模的贯通孔的壁面的高度，由此，能够降低蒸镀材料中的附着于贯通孔的壁面上的蒸镀材料的比例。
对于用于制作蒸镀掩模的金属板，有时使用通过将母材轧制至规定的厚度而得到的轧制件。为了减小这样的金属板的厚度，需要增大金属板的轧制率。在此，轧制率是指根据(母材的厚度-金属板的厚度)/(母材的厚度)所计算出的值。可是，金属板的伸展率对应于宽度方向(与母材的输送方向垂直的方向)的位置而不同。并且，轧制率越大，基于轧制所引起的变形的不均匀的程度会变得越大。因此，已知：在以大轧制率轧制出的金属板上会出现波动形状。具体来说，可以列举出被称作边纹(耳伸び)的、在金属板的宽度方向上的侧缘处形成的波动形状。另外，可以列举出被称作中央波纹(中伸び)的、在金属板的宽度方向上的中央处形成的波动形状。即使在轧制后实施了退火等热处理的情况下，也会出现这样的波动形状。
另外，还存在如下情况：通过利用了镀覆处理的制箔工序，来制作具有规定的厚度的金属板。可是，在制箔工序中，若电流密度不均匀，则制作出的金属板的厚度也会变得不均匀。由此，存在如下可能性：在金属板的宽度方向上的侧缘处，出现同样的波动形状。
在由像这样形成有波动形状的金属板来制作出蒸镀掩模并将其张紧设置的情况下，蒸镀掩模的伸展在宽度方向上不同，由此，贯通孔的位置可能发生偏移。更具体来说，在金属板中的波动形状较大的部分形成为蒸镀掩模的情况下，与波动形状较小的部分相比，长度方向尺寸变长。在此，设想如下的情况：对在宽度方向上互不相同的第1位置部分和第2位置部分施加拉伸力，来张紧设置蒸镀掩模。这种情况下，若第1位置部分处的蒸镀掩模的长度方向长度比第2位置部分处的长度方向长度短，则张力被以第1位置部分的长度方向长度变得与第2位置部分的长度方向长度相等的方式施加于蒸镀掩模。因此，存在如下可能性：第1位置部分比第2位置部分大幅地伸展，从而，蒸镀掩模的长度方向中央部在宽度方向上向第1位置部分侧偏移。这种情况下，存在张紧设置时的贯通孔的位置发生偏移的可能性。
若张紧设置时的蒸镀掩模的贯通孔的位置像这样发生偏移，则会导致经由该贯通孔蒸镀到基板上的蒸镀材料的位置发生偏移，从而，存在有机EL显示装置的像素的尺寸精度或位置精度降低的担忧。
实用新型内容
本实用新型是考虑了这样的课题而完成的，其目的在于提供一种能够提高张紧设置时的贯通孔的位置精度的蒸镀掩模。
本实用新型是蒸镀掩模，该蒸镀掩模在第1方向上延伸，其中，所述蒸镀掩模具备：中心轴线，其在所述第1方向上延伸，且被配置于和所述第1方向垂直的第2方向的中心位置处；P1点和Q1点，它们被设置于所述中心轴线的一侧，且沿着所述第1方向互相分离；以及P2点和Q2点，它们被设置于所述中心轴线的另一侧，且沿着所述第1方向互相分离，所述P1点和所述P2点被有意配置成在蒸镀时关于所述中心轴线互相对称，所述Q1点和所述Q2点被有意配置成在蒸镀时关于所述中心轴线互相对称，在设从所述P1点至所述Q1点的尺寸为X1，设从所述P2点至所述Q2点的尺寸为X2，设规定的值为αX时，满足
【算式1】
且满足
【算式2】
|X1-X2|≤60μm。
在本实用新型的蒸镀掩模中，可以是，所述蒸镀掩模还具备：第1耳部和第2耳部，它们构成所述蒸镀掩模在所述第1方向上的一对端部；和多个贯通孔，它们被设置于所述第1耳部与所述第2耳部之间，在蒸镀时供蒸镀材料通过，所述P1点和所述P2点被定位在形成于所述第1耳部侧的对应的所述贯通孔的中心点处，所述Q1点和所述Q2点被定位在形成于所述第2耳部侧的对应的所述贯通孔的中心点处。
在本实用新型的蒸镀掩模中，可以是，在所述第1耳部与所述第2耳部之间设置有多个形成有所述贯通孔的有效区域，多个所述有效区域具有沿着所述蒸镀掩模的所述第1方向排列的第1有效区域和第2有效区域，所述第1有效区域被配置于所述第1耳部侧，所述第2有效区域被配置于所述第2耳部侧，所述P1点和所述P2点被定位在形成于所述第1有效区域的对应的所述贯通孔的中心点处，所述Q1点和所述Q2点被定位在形成于所述第2有效区域的对应的所述贯通孔的中心点处。
在本实用新型的蒸镀掩模中，可以是，在多个所述有效区域中，所述第1有效区域被配置在最靠所述第1耳部侧的位置处，在多个所述有效区域中，所述第2有效区域被配置在最靠所述第2耳部侧的位置处。
在本实用新型的蒸镀掩模中，可以是，在多个所述贯通孔中，与所述P1点和所述P2点对应的所述贯通孔分别形成于最靠所述第1耳部侧的位置处，在多个所述贯通孔中，与所述Q1点和所述Q2点对应的所述贯通孔分别形成于最靠所述第2耳部侧的位置处。
根据本实用新型，能够提高张紧设置时的贯通孔的位置精度。
附图说明
图1是示出具备本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置的蒸镀装置的图。
图2是示出使用图1所示的蒸镀掩模装置制造出的有机EL显示装置的剖视图。
图3是示出本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置的俯视图。
图4是示出图3所示的蒸镀掩模的有效区域的部分俯视图。
图5是沿图4的V-V线的剖视图。
图6是沿图4的VI-VI线的剖视图。
图7是沿图4的VII-VII线的剖视图。
图8是将图5所示的贯通孔及其附近的区域放大并示出的剖视图。
图9是用于说明图3的蒸镀掩模中的尺寸X1和尺寸X2的示意图。
图10是示出如下工序的图：轧制母材，得到具有所希望的厚度的金属板。
图11是示出对通过轧制所得到的金属板进行退火的工序的图。
图12是用于在整体上说明蒸镀掩模的制造方法的一例的示意图。
图13是示出在金属板上形成抗蚀剂膜的工序的图。
图14是示出使曝光掩模紧密贴合于抗蚀剂膜的工序的图。
图15是示出使抗蚀剂膜显影的工序的图。
图16是示出第1面蚀刻工序的图。
图17是示出利用树脂包覆第1凹部的工序的图。
图18是示出第2面蚀刻工序的图。
图19是示出与图18连续的第2面蚀刻工序的图。
图20是示出从长条金属板除去树脂和抗蚀剂图案的工序的图。
图21是示出通过轧制得到的长条金属板的一例的立体图。
图22是对下述情况进行说明的立体图：在波动形状被压缩而大致成为平坦的状态的长条金属板上形成蒸镀掩模。
图23是示出在长条金属板上形成的多个蒸镀掩模的立体图。
图24是示出从图23所示的长条金属板切出的蒸镀掩模的俯视图。
图25是示出蒸镀掩模的尺寸测量装置的一例的图。
图26是示出张力施加装置的一例的图。
图27是示出图24所示的蒸镀掩模的张紧设置状态的一例的俯视图。
图28是示出图24所示的蒸镀掩模的张紧设置状态的另一例的俯视图。
图29是示出蒸镀掩模的优劣判定结果的图。
具体实施方式
下面，参照附图对本实用新型的一个实施方式进行说明。并且，在本说明书所附的附图中，为了便于图示和理解，根据实物适当地变更比例和纵横的尺寸比等而夸张地示出。
图1～图28是用于说明本实用新型的一个实施方式的图。在以下的实施方式及其变形例中，列举如下的蒸镀掩模的制造方法为例进行说明，该蒸镀掩模的制造方法用于在制造有机EL显示装置时使有机材料以所期望的图案在基板上成图。但是并不限于这样的应用，对于各种用途中使用的蒸镀掩模，均可应用本实用新型。
并且，在本说明书中，“板”、“片”、“膜”的术语并不是仅基于称呼上的不同而被相互区分开的。例如，“板”是也包含可称为片或膜这样的部件在内的概念。
另外，“板面(片面、膜面)”是指在整体或大体观察作为对象的板状(片状、膜状)的部件的情况下，作为对象的板状部件(片状部件、膜状部件)的与平面方向相一致的面。另外，针对板状(片状、膜状)的部件使用的法线方向是指相对于该部件的板面(片面、膜面)的法线方向。
此外，关于本说明书中使用的对形状或几何学的条件和物理特性以及它们的程度进行指定的例如“平行”、“垂直”、“相同”、“同等”等术语、以及长度、角度和物理特性的值等，并不限定于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来进行解释。
(蒸镀装置)
首先，参照图1对蒸镀装置90进行说明，其中，该蒸镀装置90实施使蒸镀材料蒸镀到对象物上的蒸镀处理。如图1所示，蒸镀装置90在其内部具备蒸镀源(例如坩埚94)、加热器96和蒸镀掩模装置10。另外，蒸镀装置90还具备用于使蒸镀装置90的内部成为真空气氛的排气单元。坩埚94收纳有机发光材料等蒸镀材料98。加热器96对坩埚94加热而使蒸镀材料98在真空气氛下蒸发。蒸镀掩模装置10被配置成与坩埚94对置。
(蒸镀掩模装置)
以下，对蒸镀掩模装置10进行说明。如图1所示，蒸镀掩模装置10具备蒸镀掩模20、和支承蒸镀掩模20的框架15。框架15在沿蒸镀掩模20的面方向将其拉伸的状态下进行支承，以免蒸镀掩模20挠曲。如图1所示，蒸镀掩模装置10以蒸镀掩模20面对作为供蒸镀材料98附着的对象物的基板、例如有机EL基板92的方式配置于蒸镀装置90内。在以下的说明中，将蒸镀掩模20的面中的有机EL基板92侧的面称作第1面20a，将位于第1面20a的相反侧的面称作第2面20b。
如图1所示，蒸镀掩模装置10可以具备配置在有机EL基板92的与蒸镀掩模20相反的一侧的面上的磁铁93。通过设置磁铁93，能够借助磁力将蒸镀掩模20向磁铁93侧吸引，从而能够使蒸镀掩模20紧密贴合于有机EL基板92。
图3是示出从蒸镀掩模20的第1面20a侧观察蒸镀掩模装置10的情况的俯视图。如图3所示，蒸镀掩模装置10具备多个蒸镀掩模20，所述蒸镀掩模20在俯视图中具有大致矩形状的形状，各蒸镀掩模20在蒸镀掩模20的长度方向D1上的一对端部26a、26b处被固定于框架15。
蒸镀掩模20包含有金属板，在该金属板上形成有贯通蒸镀掩模20的多个贯通孔25。从坩埚94蒸发并到达蒸镀掩模装置10的蒸镀材料98穿过蒸镀掩模20的贯通孔25而附着于有机EL基板92。由此，能够按照与蒸镀掩模20的贯通孔25的位置相对应的所希望的图案使蒸镀材料98在有机EL基板92的表面上成膜。
图2是示出使用图1的蒸镀装置90所制造出的有机EL显示装置100的剖视图。有机EL显示装置100具备：有机EL基板92；和包含蒸镀材料98的像素，其被设置成图案状。
并且，在希望进行基于多个颜色的彩色显示的情况下，分别准备搭载有与各颜色对应的蒸镀掩模20的蒸镀装置90，并将有机EL基板92依次放入各蒸镀装置90中。由此，能够使例如红色用的有机发光材料、绿色用的有机发光材料和蓝色用的有机发光材料依次蒸镀到有机EL基板92上。
另外，蒸镀处理有时在高温气氛下的蒸镀装置90的内部实施。这种情况下，在蒸镀处理期间，保持在蒸镀装置90内部的蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92也被加热。此时，蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92显示出基于各自的热膨胀系数的尺寸变化的行为。这种情况下，若蒸镀掩模20或框架15与有机EL基板92的热膨胀系数有很大差异，则由于它们的尺寸变化的差异而发生位置偏移，其结果是，附着于有机EL基板92上的蒸镀材料的尺寸精度、位置精度会降低。
为了解决这样的课题，优选使蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数是与有机EL基板92的热膨胀系数同等的值。例如，在使用玻璃基板作为有机EL基板92的情况下，作为蒸镀掩模20和框架15的主要材料，可以使用含镍的铁合金。例如，作为构成蒸镀掩模20的金属板的材料，可以使用含有30质量％以上且54质量％以下的镍的铁合金。作为含镍的铁合金的具体例，能够列举出含有34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还包含有钴的超因瓦合金材、包含38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。
另外，在蒸镀处理时，在蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92的温度达不到高温的情况下，蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数与有机EL基板92的热膨胀系数不特别需要为同等的值。这种情况下，作为构成蒸镀掩模20的材料，也可以使用上述的铁合金以外的材料。例如，可以使用含铬的铁合金等、上述的含镍的铁合金以外的铁合金。作为含铬的铁合金，例如可以使用被称作所谓的不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
(蒸镀掩模)
接下来，对蒸镀掩模20详细地进行说明。如图3所示，蒸镀掩模20具备：一对耳部(第1耳部17a和第2耳部17b)，它们构成蒸镀掩模20的长度方向D1上的一对端部(第1端部26a和第2端部26b)；和中间部18，其位于一对耳部17a、17b之间。
(耳部)
首先，对耳部17a、17b详细地进行说明。耳部17a、17b是蒸镀掩模20中的被固定于框架15的部分。在本实施方式中，其与中间部18构成为一体。并且，耳部17a、17b也可以由与中间部18分开的部件构成。这种情况下，耳部17a、17b例如通过焊接与中间部18接合。
(中间部)
接下来，对中间部18进行说明。中间部18包括：有效区域22，其形成有从第1面20a到达第2面20b的贯通孔25；和周围区域23，其位于有效区域22的周围，包围有效区域22。有效区域22是蒸镀掩模20中的面对有机EL基板92的显示区域的区域。
如图3所示，中间部18包含有沿着蒸镀掩模20的长度方向D1隔开规定的间隔排列的多个有效区域22。一个有效区域22对应一个有机EL显示装置100的显示区域。因此，根据图1所示的蒸镀掩模装置10，能够进行有机EL显示装置100的拼版蒸镀(多面付蒸着)。
如图3所示，有效区域22例如在俯视图中具有大致四边形形状，更准确地说，在俯视图中具有大致矩形的轮廓。另外，尽管未图示，但各有效区域22可以根据有机EL基板92的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如，各有效区域22可以具有圆形的轮廓。
以下，对有效区域22详细地进行说明。图4是从蒸镀掩模20的第2面20b侧将有效区域22放大并示出的俯视图。如图4所示，在图示的示例中，在各有效区域22中形成的多个贯通孔25在该有效区域22中沿着互相垂直的两个方向分别以规定的间隔进行排列。对于贯通孔25的一例，主要参照图5～图7更详细地进行叙述。图5～图7分别是图4的有效区域22的沿着V-V方向～VII-VII方向的剖视图。
如图5～图7所示，多个贯通孔25从作为沿着蒸镀掩模20的法线方向N的一侧的第1面20a朝向作为沿着蒸镀掩模20的法线方向N的另一侧的第2面20b贯通。在图示的例子中，如后面所详述的，在作为蒸镀掩模20的法线方向N上的一侧的金属板21的第1面21a上，通过蚀刻形成有第1凹部30，在作为蒸镀掩模20的法线方向N上的另一侧的金属板21的第2面21b上，形成有第2凹部35。第1凹部30与第2凹部35连接，由此，第2凹部35和第1凹部30形成为互相连通。贯通孔25由第2凹部35、和与第2凹部35连接的第1凹部30构成。
如图5～图7所示，沿着蒸镀掩模20的法线方向N的各位置处的、各第2凹部35在沿蒸镀掩模20的板面的截面上的开口面积随着从蒸镀掩模20的第2面20b侧朝向第1面20a侧而逐渐变小。同样，沿着蒸镀掩模20的法线方向N的各位置处的、各第1凹部30在沿蒸镀掩模20的板面的截面上的开口面积随着从蒸镀掩模20的第1面20a侧朝向第2面20b侧而逐渐变小。
如图5～图7所示，第1凹部30的壁面31和第2凹部35的壁面36通过周状的连接部41连接。连接部41由如下的伸出部的棱线限定，其中，所述伸出部的棱线是相对于蒸镀掩模20的法线方向N倾斜的第1凹部30的壁面31、和相对于蒸镀掩模20的法线方向N倾斜的第2凹部35的壁面36汇合而成的。并且，连接部41在蒸镀掩模20的俯视图中限定出贯通孔25的开口面积最小的贯通部42。
如图5～图7所示，在沿着蒸镀掩模20的法线方向N的另一侧的面、即蒸镀掩模20的第1面20a上，相邻的两个贯通孔25沿着蒸镀掩模20的板面互相分离。即，在如后述的制造方法那样从与蒸镀掩模20的第1面20a相对应的金属板21的第1面21a侧对该金属板21进行蚀刻来制作第1凹部30的情况下，在相邻的两个第1凹部30之间残留有金属板21的第1面21a。
同样，如图5和图7所示，在沿着蒸镀掩模20的法线方向N的一侧、即蒸镀掩模20的第2面20b侧，相邻的两个第2凹部35也可以沿着蒸镀掩模20的板面互相分离。即，可以在相邻的两个第2凹部35之间残存有金属板21的第2面21b。在以下的说明中，将金属板21的第2面21b的有效区域22中的未被蚀刻而残留的部分也称作顶部43。通过以残留有这样的顶部43的方式制作蒸镀掩模20，能够使蒸镀掩模20具有充分的强度。由此，能够抑制蒸镀掩模20例如在处理中等发生破损。并且，若顶部43的宽度β过大，则存在如下可能：在蒸镀工序中发生遮蔽，由此使得蒸镀材料98的利用效率降低。因此，优选的是，以避免顶部43的宽度β变得过大的方式来制作蒸镀掩模20。例如，优选使顶部43的宽度β为2μm以下。并且，顶部43的宽度β通常对应于切断蒸镀掩模20的方向而变化。例如，存在图5和图7所示的顶部43的宽度β互不相同的情况。这种情况下，无论在哪个方向上将蒸镀掩模20切断，都可以以顶部43的宽度β为2μm以下的方式来构成蒸镀掩模20。
并且，如图6所示，根据区域，也可以以相邻的两个第2凹部35被连接在一起的方式实施蚀刻。即，可以存在如下的区域：在相邻的两个第2凹部35之间未残存金属板21的第2面21b。另外，虽然未图示，但也可以以遍及第2面21b的整个区域使相邻的两个第2凹部35连接在一起的方式实施蚀刻。
在如图1所示那样将蒸镀掩模装置10收纳于蒸镀装置90的情况下，如在图5中以双点划线所示，蒸镀掩模20的第1面20a面对有机EL基板92，蒸镀掩模20的第2面20b位于保持有蒸镀材料98的坩埚94侧。因此，蒸镀材料98通过开口面积逐渐变小的第2凹部35并附着于有机EL基板92。如在图5中以从第2面20b侧朝向第1面20a的箭头所示的，蒸镀材料98不仅从坩埚94朝向有机EL基板92沿着有机EL基板92的法线方向N移动，而且也可能沿着相对于有机EL基板92的法线方向N大幅地倾斜的方向移动。此时，如果蒸镀掩模20的厚度较大，则斜着移动的蒸镀材料98很多在穿过贯通孔25到达有机EL基板92之前先到达并附着于第2凹部35的壁面36。从而，为了提高蒸镀材料98的利用效率，认为下述方案是优选的：减小蒸镀掩模20的厚度t，由此减小第2凹部35的壁面36或第1凹部30的壁面31的高度。即，作为用于构成蒸镀掩模20的金属板21，可以说，使用在能够确保蒸镀掩模20的强度的范围内使厚度t尽可能小的金属板21是优选的。考虑到这一点，在本实施方式中，优选的是，蒸镀掩模20的厚度t被设定为85μm以下，例如被设定为5μm以上且85μm以下。并且，厚度t是周围区域23的厚度、即蒸镀掩模20中的没有形成第1凹部30和第2凹部35的部分的厚度。因此，也可以说厚度t是金属板21的厚度。
在图5中，通过连接部41和第2凹部35的壁面36的其它任意位置的直线L1相对于蒸镀掩模20的法线方向N所成的最小角度由标号θ1表示，其中，所述连接部41是贯通孔25的具有最小开口面积的部分。为了使斜着移动的蒸镀材料98尽可能到达有机EL基板92而不到达壁面36，增大角度θ1是有利的。在增大角度θ1上，除了减小蒸镀掩模20的厚度t以外，减小上述的顶部43的宽度β也是有效的。
在图7中，标号α表示金属板21的第1面21a的有效区域22中的未被蚀刻而残存的部分(以下，也称作肋部)的宽度。肋部的宽度α和贯通部42的尺寸r2根据有机EL显示装置的尺寸和显示像素数来适当地决定。在表1中，示出了在5英寸的有机EL显示装置中的显示像素数、以及对应于显示像素数所要求的肋部的宽度α和贯通部42的尺寸r2的值的一例。【表1】
显示像素数 肋部的宽度 贯通部的尺寸
FHD(Full High Definition) 20μm 40μm
WQHD(Wide Quad High Definition) 15μm 30μm
UHD(Ultra High Definition) 10μm 20μm
虽然不限定，但本实施方式的蒸镀掩模20在制作450ppi以上的像素密度的有机EL显示装置的情况下特别有效。以下，参照图8，针对为了制作这样的高像素密度的有机EL显示装置而要求的蒸镀掩模20的尺寸的一例进行说明。图8是将图5所示的蒸镀掩模20的贯通孔25及其附近的区域放大并示出的剖视图。
在图8中，作为与贯通孔25的形状相关的参数，从蒸镀掩模20的第1面20a至连接部41为止的在沿着蒸镀掩模20的法线方向N的方向上的距离、即第1凹部30的壁面31的高度由标号r1表示。而且，第1凹部30与第2凹部35相连接的部分处的第1凹部30的尺寸、即贯通部42的尺寸由标号r2表示。另外，在图8中，直线L2与金属板21的法线方向N所成的角度由标号θ2表示，其中，所述直线L2是连接连接部41和第1凹部30在金属板21的第1面21a上的末端缘的直线。
在制作450ppi以上的像素密度的有机EL显示装置的情况下，贯通部42的尺寸r2优选设定为10以上且60μm以下。由此，能够提供可制作出高像素密度的有机EL显示装置的蒸镀掩模20。优选的是，将第1凹部30的壁面31的高度r1设定为6μm以下。
接下来，对图8所示的上述的角度θ2进行说明。角度θ2相当于以如下方式飞来的蒸镀材料98中的能够到达有机EL基板92的蒸镀材料98的倾斜角度的最大值：蒸镀材料相对于金属板21的法线方向N倾斜，且在连接部41附近通过贯通部42。这是因为，通过连接部41且以比角度θ2大的倾斜角度飞来的蒸镀材料98在到达有机EL基板92之前附着于第1凹部30的壁面31上。从而，通过减小角度θ2，能够抑制以大倾斜角度飞来并通过了贯通部42的蒸镀材料98附着于有机EL基板92上，由此，能够抑制蒸镀材料98附着到有机EL基板92中的比与贯通部42重合的部分靠外侧的部分上。即，减小角度θ2有助于对附着于有机EL基板92上的蒸镀材料98的面积或厚度的偏差进行抑制。根据这样的观点，例如以角度θ2成为45度以下的方式形成贯通孔25。并且，在图8中，示出了如下的例子：第1凹部30在第1面21a上的尺寸、即贯通孔25在第1面21a上的开口尺寸比第1凹部30在连接部41处的尺寸r2大。即，示出了角度θ2的值是正值的例子。可是，虽然未图示，但第1凹部30在连接部41处的尺寸r2也可以比第1凹部30在第1面21a上的尺寸大。即，角度θ2的值也可以是负值。
另外，如图3所示，蒸镀掩模20如上述那样形成为：从构成第1端部26a的第1耳部17a起遍及至构成第2端部26b的第2耳部17b在长度方向D1(第1方向)上延伸。在此，长度方向D1是与轧制母材55(参照图10)时的输送方向平行的方向，并且是排列有多个有效区域22的蒸镀掩模20的长度方向。并且，输送这一用语如后述那样被用来表示基于辊对辊(roll-to-roll)的对母材55的输送。另外，后述的宽度方向D2(第2方向)是在金属板21或长条金属板64的面方向上与长度方向D1垂直的方向。并且，蒸镀掩模20具有中心轴线AL，该中心轴线AL在长度方向D1上延伸，且被配置于宽度方向D2的中心位置。在宽度方向D2上的贯通孔25的个数为奇数的情况下，中心轴线AL通过宽度方向D2的中央的贯通孔25的中心点。另一方面，在宽度方向D2上的贯通孔25的个数为偶数的情况下，中心轴线AL通过在宽度方向D2的中央附近彼此相邻的2个贯通孔25之间的中间点。
关于本实施方式的蒸镀掩模20，如图9所示，在设从后述的P1点至Q1点的尺寸为X1，设从P2点至Q2点的尺寸为X2，且设规定的值为αX时，为
【算式5】
，并且，满足
【算式6】
|X1-X2|≤60μm…(2)
其中，式(1)的左边是指规定的值与尺寸X1之差、和规定的值与尺寸X2之差的平均值的绝对值。式(2)的左边是指尺寸X1与尺寸X2之差的绝对值。
在此，P1点和Q1点被设置于蒸镀掩模20的中心轴线AL的一侧(图9中的左侧)，且沿着长度方向D1互相分离。P2点和Q2点被设置于蒸镀掩模20的中心轴线AL的另一侧(图9中的右侧)，且沿着长度方向D1互相分离。P1点和P2点在蒸镀时相对于中心轴线AL互相对称地配置。更具体来说，P1点和P2点是被意图在蒸镀时相对于中心轴线AL互相对称地配置的点，并且是在设计时被相对于中心轴线AL互相对称地配置的点。同样，Q1点和Q2点在蒸镀时相对于中心轴线AL互相对称地配置。
在本实施方式中，P1点、Q1点、P2点以及Q2点被定位于设在第1耳部17a与第2耳部17b之间的对应的上述贯通孔25的中心点处。即，在本实施方式中，多个有效区域22具有：被配置于最靠第1耳部17a的一侧的第1有效区域22A；和被配置于最靠第2耳部17b的一侧的第2有效区域22B。P1点和P2点被定位于在第1有效区域22A中形成的贯通孔25的中心点处。并且，与P1点和P2点对应的贯通孔25形成于第1有效区域22A的多个贯通孔25中的最靠第1耳部17a的一侧的贯通孔处。另一方面，Q1点和Q2点被定位于在第2有效区域22B中形成的贯通孔25的中心点处。并且，与Q1点和Q2点对应的贯通孔25形成于第2有效区域22B的多个贯通孔25中的最靠第2耳部17b的一侧的贯通孔处。尺寸X1是指静置于后述的台81等上的蒸镀掩模20的P1点与Q1点之间的直线距离，尺寸X2是指蒸镀掩模20的P2点与Q2点之间的直线距离。静置于台81等上的蒸镀掩模20如后述那样弯曲成C字状(参照图24)，但详情在后面叙述。并且，与P1点和Q1点对应的贯通孔25被定位于最靠第1侧缘27a的一侧，与P2点和Q2点对应的贯通孔25被定位于最靠第2侧缘27b的一侧。
式(1)所示的规定的值αX可以是设计值(或规格值)。这种情况下，αX是尺寸X1的设计值，也是尺寸X2的设计值。这是因为：在设计时，P1点、Q1点、P2点以及Q2点被定位成相对于蒸镀掩模20的中心轴线AL对称，因此尺寸X1和尺寸X2相同。在此，设计值是为了实现下述意图而设定的数值：在将蒸镀掩模张紧设置于框架15的情况下，使贯通孔25配置于所希望的位置(蒸镀目标位置)，并且，所述设计值是非张紧设置时的数值。
接下来，对制造蒸镀掩模20的方法进行说明。
金属板的制造方法
首先，对为了制造蒸镀掩模而使用的金属板的制造方法进行说明。
(轧制工序)
首先，如图10所示，准备由含镍的铁合金构成的母材55，将该母材55朝向具有一对轧制辊56a、56b的轧制装置56沿箭头D1所示的方向输送。到达一对轧制辊56a、56b之间的母材55被一对轧制辊56a、56b轧制，其结果是，母材55的厚度降低，且该母材被沿着输送方向伸展。由此，能够得到厚度t0的板材64X。如图10所示，可以通过将板材64X卷绕于芯61上而形成卷体62。关于厚度t0的具体值，优选如上述那样为5μm以上且85μm以下。
并且，图10只是示出了轧制工序的概要，用于实施轧制工序的具体的结构或顺序并不特别限定。例如轧制工序可以包括：热轧工序，其中，以使构成母材55的因瓦合金材的结晶排列发生变化的温度以上的温度对母材进行加工；或者冷轧工序，其中，以使因瓦合金材的结晶排列发生变化的温度以下的温度对母材进行加工。另外，使母材55或板材64X通过一对轧制辊56a、56b之间时的朝向并不限于一个方向。例如，在图10和图11中，也可以是：以从纸面左侧向右侧的朝向、和从纸面右侧向左侧的朝向反复使母材55或板材64X在一对轧制辊56a、56b之间通过，由此逐渐对母材55或板材64X进行轧制。
(纵切工序)
然后，可以实施如下的纵切工序：将通过轧制工序所得到的板材64X的宽度方向上的两端分别遍及规定的范围切掉，以使板材64X的宽度处于规定的范围内。该纵切工序是为了去除因轧制而可能在板材64X的两端产生的裂纹所实施的。通过实施这样的纵切工序，由此能够防止以裂纹为起点而发生板材64X断裂的现象、即所谓的板断裂。
(退火工序)
然后，为了将由于轧制而蓄积在板材64X内的残留应力(内部应力)去除，如图11所示，使用退火装置57对板材64X进行退火，由此得到长条金属板64。如图11所示，可以一边在输送方向(长度方向)上拉伸板材64X或长条金属板64，一边实施退火工序。即，可以是：退火工序不是作为所谓的间歇式退火、而是作为一边输送一边进行的连续退火来实施。
优选的是，上述的退火工序在非还原气氛或惰性气体气氛中实施。在此，非还原气氛是指不含氢等还原性气体的气氛。“不含还原性气体”是指氢等还原性气体的浓度为4％以下。另外，惰性气体气氛是指存在90％以上的氩气、氦气、氮气等惰性气体的气氛。通过在非还原气氛或惰性气体气氛中实施退火工序，能够抑制在长条金属板64的第1面64a和第2面64b上生成上述的镍氢氧化物。
通过实施退火工序，能够获得在一定程度上去除了残留变形的厚度t0的长条金属板64。并且，厚度t0通常与蒸镀掩模20的厚度t相等。
并且，可以通过反复进行上述的轧制工序、纵切工序和退火工序，来制作厚度t0的长条的金属板64。另外，在图11中，示出了一边将长条金属板64在长度方向上拉伸一边实施退火工序的例子，但不限于此，也可以在长条金属板64被卷绕于芯61的状态下实施退火工序。即，可以实施间歇式退火。并且，在长条金属板64被卷绕于芯61的状态下实施退火工序的情况下，有时会导致在长条金属板64上带有与卷体62的卷绕直径相对应的翘曲的倾向。因此，根据卷体62的卷绕直径或构成母材55的材料，一边在长度方向上拉伸长条金属板64一边实施退火工序是有利的。
(切断工序)
然后，实施如下的切断工序：将长条金属板64的宽度方向上的两端分别遍及规定的范围切掉，由此，将长条金属板64的宽度调整为所希望的宽度。这样，能够得到具有所希望的厚度和宽度的长条金属板64。
蒸镀掩模的制作方法
接下来，主要参照图12～图20，对使用长条金属板64制作蒸镀掩模20的方法进行说明。在以下所说明的蒸镀掩模20的制造方法中，如图12所示，供给长条金属板64，在该长条金属板64上形成贯通孔25，进而将长条金属板64裁断，由此得到由片状的金属板21构成的蒸镀掩模20。
更具体来说，蒸镀掩模20的制造方法包括：供给呈带状延伸的长条的金属板64的工序；对长条的金属板64实施使用了光刻技术的蚀刻，从第1面64a侧在长条金属板64上形成第1凹部30的工序；以及，对长条金属板64实施使用了光刻技术的蚀刻，从第2面64b侧在长条金属板64上形成第2凹部35的工序。然后，使形成于长条金属板64上的第1凹部30和第2凹部35互相连通，由此在长条金属板64上制作出贯通孔25。在图13～图20所示的例子中，第1凹部30的形成工序是在第2凹部35的形成工序之前实施的，并且，在第1凹部30的形成工序与第2凹部35的形成工序之间还设置有将制作出的第1凹部30密封的工序。以下，对各工序的详情进行说明。
在图12中示出了用于制作蒸镀掩模20的制造装置6。如图12所示，首先，准备将长条金属板64卷绕于芯61上而成的卷体(金属板卷)62。然后，使该芯61旋转而将卷体62卷出，由此如图12所示那样供给呈带状延伸的长条金属板64。并且，对于长条金属板64，在形成贯通孔25后形成片状的金属板21、进而形成蒸镀掩模20。
所供给的长条金属板64被输送辊72输送至蚀刻装置(蚀刻构件)70。利用蚀刻装置70实施图13～图20所示的各个处理。并且，在本实施方式中，在长条金属板64的宽度方向上分配多个蒸镀掩模20。即，从在长度方向上占据长条金属板64的规定的位置的区域，制作出多个蒸镀掩模20。这种情况下，优选的是，以蒸镀掩模20的长度方向与长条金属板64的轧制方向一致的方式在长条金属板64上分配多个蒸镀掩模20。
首先，如图13所示，在长条金属板64的第1面64a上和第2面64b上形成含有负性的感光性抗蚀剂材料的抗蚀剂膜65c、65d。作为形成抗蚀剂膜65c、65d的方法，可以采用如下的方法：将形成有含有丙烯系光硬化性树脂等感光性抗蚀剂材料的层的膜、即所谓的干膜，粘贴在长条金属板64的第1面64a上和第2面64b上。
接下来，准备曝光掩模68a、68b，该曝光掩模68a、68b使光不透过抗蚀剂膜65c、65d中的希望去除的区域，将曝光掩模68a、68b分别如图14所示那样配置在抗蚀剂膜65c、65d上。作为曝光掩模68a、68b，例如使用使光不透过抗蚀剂膜65c、65d中的希望去除的区域的玻璃干板。然后，通过真空紧密贴合使曝光掩模68a、68b充分地紧密贴合于抗蚀剂膜65c、65d。并且，作为感光性抗蚀剂材料，也可以使用正性的感光性抗蚀剂材料。这种情况下，作为曝光掩模，使用使光透过抗蚀剂膜中的希望去除的区域的曝光掩模。
然后，隔着曝光掩模68a、68b使抗蚀剂膜65c、65d曝光(曝光工序)。而且，为了在曝光后的抗蚀剂膜65c、65d上形成图像，对抗蚀剂膜65c、65d进行显影(显影工序)。通过以上步骤，如图15所示，能够在长条金属板64的第1面64a上形成第1抗蚀剂图案65a，并在长条金属板64的第2面64b上形成第2抗蚀剂图案65b。并且，显影工序也可以包含抗蚀剂热处理工序，其中，该抗蚀剂热处理工序用于提高抗蚀剂膜65c、65d的硬度、或者用于使抗蚀剂膜65c、65d相对于长条金属板64更加牢固地紧密贴合。抗蚀剂热处理工序在氩气、氦气、氮气等惰性气体的气氛中以例如100℃以上且400℃以下的温度实施。
接下来，如图16所示，实施如下的第1面蚀刻工序：使用第1蚀刻液，对长条金属板64的第1面64a的未被第1抗蚀剂图案65a覆盖的区域进行蚀刻。例如，第1蚀刻液被从配置在面对所输送的长条金属板64的第1面64a的一侧的喷嘴，隔着第1抗蚀剂图案65a朝向长条金属板64第1面64a喷射。其结果是，如图16所示，在长条金属板64的未被第1抗蚀剂图案65a覆盖的区域中，推进第1蚀刻液的侵蚀。由此，在长条金属板64的第1面64a上形成多个第1凹部30。作为第1蚀刻液，例如使用含有氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。
然后，如图17所示，利用树脂69覆盖第1凹部30，其中，该树脂具有针对在后面的第2面蚀刻工序中使用的第2蚀刻液的耐受性。即，利用具有针对第2蚀刻液的耐受性的树脂69，将第1凹部30密封。在图17所示的例中，树脂69的膜形成为：不仅覆盖所形成的第1凹部30，还覆盖第1面64a(第1抗蚀剂图案65a)。
接下来，如图18所示，实施如下的第2面蚀刻工序：对长条金属板64的第2面64b的未被第2抗蚀剂图案65b覆盖的区域进行蚀刻，在第2面64b上形成第2凹部35。实施第2面蚀刻工序，直至第1凹部30和第2凹部35互相连通而形成贯通孔25为止。作为第2蚀刻液，与上述的第1蚀刻液相同，例如使用含有氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。
并且，第2蚀刻液的侵蚀在长条金属板64的与第2蚀刻液接触的部分处进行。从而，侵蚀不仅在长条金属板64的法线方向N(厚度方向)上推进，还在沿着长条金属板64的板面的方向上推进。在此，优选的是，在分别形成于面对第2抗蚀剂图案65b的相邻的两个孔66a的位置处的两个第2凹部35于位于两个孔66a之间的桥部67a的背面侧汇合之前，结束第2面蚀刻工序。由此，如图19所示，能够在长条金属板64的第2面64b残留上述的顶部43。
然后，如图20所示，从长条金属板64除去树脂69。能够通过使用例如碱系剥离液来除去树脂69。在使用碱系剥离液的情况下，如图20所示，在除去树脂69的同时，抗蚀剂图案65a、65b也被除去。并且，也可以在除去树脂69后，使用与用于使树脂69剥离的剥离液不同的剥离液，与树脂69分开地除去抗蚀剂图案65a、65b。
像这样形成有多个贯通孔25的长条金属板64被在夹持着该长条金属板64的状态下旋转的输送辊72、72输送至切断装置(切断构件)73。并且，借助因该输送辊72、72的旋转而作用于长条金属板64的张力(拉伸应力)，使上述的供给芯61旋转，从卷体62供给长条金属板64。
然后，利用切断装置73，将形成有多个贯通孔25的长条金属板64切断成规定的长度和宽度，由此得到形成有多个贯通孔25的片状的金属板21、即蒸镀掩模20。
蒸镀掩模的优劣判定方法
接下来，参照图21～图24，针对测量蒸镀掩模20的上述的尺寸X1和尺寸X2来判定蒸镀掩模20的优劣的方法进行说明。在此，对测量尺寸X1和尺寸X2并根据测量结果来判定蒸镀掩模20的优劣的方法进行说明。即，通过测量尺寸X1和尺寸X2，能够检测出蒸镀掩模20的贯通孔25是否如设计的那样被配置，由此，能够判定出蒸镀掩模20的贯通孔25的位置精度是否满足规定的基准。
其中，为了获得厚度小的金属板21，需要使轧制母材来制造金属板21时的轧制率增大。可是，轧制率越大，基于轧制所引起的变形的不均匀的程度会变得越大。例如，如图21所示，长条金属板64至少部分地具有因长度方向D1上的长度根据宽度方向D2的位置而不同所引起的波动形状。例如，在长条金属板64中的沿着长度方向D1延伸的侧缘64e，出现了波动形状。
另一方面，在对抗蚀剂膜65c、65d进行曝光的上述曝光工序中，通过真空吸附等使曝光掩模紧密贴合于长条金属板64上的抗蚀剂膜65c、65d。因此，通过与曝光掩模的紧密贴合，如图22所示，长条金属板64的侧缘64e的波动形状被压缩，长条金属板64成为大致平坦的状态。在该状态下，如在图22中以虚线所示，设置于长条金属板64的抗蚀剂膜65c、65d按照规定的图案被曝光。
当曝光掩模被从长条金属板64除去时，在长条金属板64的侧缘64e再次出现波动形状。图23是示出通过进行蚀刻而沿着宽度方向D2分配有多个蒸镀掩模20的状态下的长条金属板64的图。如图23所示，被分配的3个蒸镀掩模20中的至少面对长条金属板64的侧缘64e的蒸镀掩模20由波动形状比较大的部分形成。在图23中，标号27a表示以与长条金属板64的侧缘64e对置的方式被分配的蒸镀掩模20的侧缘中的、位于长条金属板64的中央侧的侧缘(以下，称作第1侧缘)。另外，在图23中，标号27b表示位于第1侧缘27a的相反侧且与长条金属板64的侧缘64e对置的侧缘(以下，称作第2侧缘)。如图23所示，在与长条金属板64的侧缘64e对置的蒸镀掩模20中，第2侧缘27b侧的部分由波动形状比第1侧缘27a侧的部分大的部分形成。
图24是示出通过将与长条金属板64的侧缘64e对置的蒸镀掩模20从长条金属板64切出而得到的蒸镀掩模20的俯视图。如上所述，在蒸镀掩模20的第2侧缘27b侧的部分由波动形状比第1侧缘27a侧的部分大的部分形成的情况下，第2侧缘27b侧的部分在长度方向D1上的长度比第1侧缘27a侧的部分在长度方向D1上的长度长。即，第2侧缘27b在长度方向D1上的尺寸(沿着第2侧缘27b的尺寸)比第1侧缘27a的尺寸(沿着第1侧缘27a的尺寸)大。这种情况下，如图24所示，在蒸镀掩模20上出现如下这样的形状：以在从第1侧缘27a侧朝向第2侧缘27b侧的方向上凸起的方式弯曲。以下，也将这样的弯曲形状称作C字形状。
在本实施方式中，蒸镀掩模20的尺寸X1和尺寸X2的测量是在不对蒸镀掩模20施加张力的情况下进行的。以下，对本实施方式的优劣判定方法进行说明。
(优劣判定系统)
图25是示出了测量蒸镀掩模20的尺寸来判定优劣的优劣判定系统的图。如图25所示，优劣判定系统80具备：载置蒸镀掩模20的台81；尺寸测量装置82；以及判定装置83。
尺寸测量装置82例如被设置于台81的上方，且包含对蒸镀掩模20进行摄像并制成图像的测量相机(摄像部)。台81和尺寸测量装置82中的至少一方能够彼此相对地移动。在本实施方式中，台81静止，尺寸测量装置82能够在与台81平行且互相垂直的2个方向、以及与台81垂直的方向上移动。由此，构成为能够使尺寸测量装置82移动至所希望的位置。并且，优劣判定系统80也可以构成为：尺寸测量装置82静止，台81能够移动。
关于蒸镀掩模20的尺寸测量，能够对应于蒸镀掩模20中的成为测量对象的部分的尺寸的大小，以不同的方法来进行。
在测量对象的尺寸比较小的情况(例如，数百μm以下的情况)下，由于能够使测量对象处于尺寸测量装置82的测量相机的视场内，因此，在不使测量相机移动的情况下对测量对象的尺寸进行测量。
另一方面，在测量对象的尺寸比较大的情况(例如，mm级以上的情况)下，由于难以使测量对象处于尺寸测量装置82的测量相机的视场内，因此，使测量相机移动来对测量对象的尺寸进行测量。这种情况下，尺寸测量装置82根据由测量相机拍摄的图像和测量相机的移动量(在台81移动的情况下，为台的移动量)计算出蒸镀掩模20的尺寸。
判定装置83根据尺寸测量装置82的测量结果，判定是否满足上述的式(1)和式(2)。判定装置83包括运算装置和存储介质。运算装置例如是CPU。存储介质例如是ROM或RAM等存储器。运算装置执行存储于存储介质中的程序，由此，判定装置83实施蒸镀掩模20的尺寸的判定处理。
(尺寸测量方法)
首先，实施对蒸镀掩模20的尺寸X1和尺寸X2进行测量的测量工序。这种情况下，首先，将蒸镀掩模20安静地载置于台81上。此时，蒸镀掩模20被载置于台81上而未被固定。即，未对蒸镀掩模20施加张力。载置于台81上的蒸镀掩模20例如如图24所示那样会弯曲成C字状。
接着，测量台81上的蒸镀掩模20的尺寸X1和尺寸X2(参照图24)。这种情况下，通过图25所示的上述尺寸测量装置82的测量相机拍摄蒸镀掩模20的P1点、Q1点、P2点以及Q2点，根据所拍摄的图像、和在测量相机移动的情况下的其移动量，计算出P1点、Q1点、P2点以及Q2点的坐标。然后，根据计算出的各点的坐标，计算出从P1点至Q1点的直线距离即尺寸X1、和从P2点至Q2点的直线距离即尺寸X2。
(判定方法)
接下来，实施如下的判定工序：根据尺寸测量装置82的测量结果，判定计算出的尺寸X1和尺寸X2是否满足上述的式(1)和式(2)。即，将如上述那样计算出的尺寸X1和尺寸X2代入上述的式(1)中，并将设计值代入αX，将式(1)的左边作为绝对值计算出来。判定该左边的值是否为40μm以下。同样，将计算出的尺寸X1和尺寸X2代入上述的式(2)，将式(2)的左边作为绝对值计算出来，判定该左边的值是否为60μm以下。满足式(1)和式(2)的蒸镀掩模20被判定为良品(合格)，并在后述的蒸镀掩模装置10中被使用。
蒸镀掩模装置的制造方法
接下来，针对使用被判定为良品的蒸镀掩模20来制造蒸镀掩模装置10的方法进行说明。这种情况下，如图3所示，将多个蒸镀掩模20张紧设置于框架15。更具体来说，对蒸镀掩模20施加该蒸镀掩模20的长度方向D1上的张力，将被施加了张力的状态下的蒸镀掩模20的耳部17a、17b固定于框架15。耳部17a、17b例如通过点焊被固定于框架15。
在将蒸镀掩模20张紧设置于框架15时，在蒸镀掩模20上施加有长度方向D1的张力。这种情况下，如图26所示，蒸镀掩模20的第1端部26a被配置于中心轴线AL的两侧的第1夹具86a和第2夹具86b把持，并且，第2端部26b被配置于中心轴线AL的两侧的第3夹具86c和第4夹具86d把持。在第1夹具86a上连结有第1拉伸部87a，在第2夹具86b上连结有第2拉伸部87b。在第3夹具86c上连结有第3拉伸部87c，在第4夹具86d上连结有第4拉伸部87d。在要对蒸镀掩模20施加张力的情况下，通过驱动第1拉伸部87a和第2拉伸部87b，使第1夹具86a和第2夹具86b相对于第3夹具86c和第4夹具86d移动，由此能够在长度方向D1上对蒸镀掩模20施加张力T1、T2。在这种情况下施加于蒸镀掩模20的张力成为第1拉伸部87a的张力T1和第2拉伸部87b的张力T2之和。并且，各拉伸部87a～87d例如可以具有气缸。另外，也可以是：不使用第3拉伸部87c和第4拉伸部87d，且使第3夹具86c和第4夹具86d不能移动。
当对蒸镀掩模20施加长度方向D1的张力T1、T2时，蒸镀掩模20在长度方向D1上伸展，但在宽度方向D2上收缩。在张紧设置时，以如下方式调整第1拉伸部87a的张力T1和第2拉伸部87b的张力T2：像这样发生弹性变形的蒸镀掩模20的所有贯通孔25相对于所希望的位置(蒸镀目标位置)被定位在允许的范围内。由此，能够局部地调整蒸镀掩模20在长度方向D1上的伸展和在宽度方向D2上的收缩，从而能够将各贯通孔25定位在允许的范围内。例如，在未被施加张力的状态的蒸镀掩模20如图24所示那样以在从第1侧缘27a侧朝向第2侧缘27b侧的方向上凸起的方式呈C字状弯曲的情况下，可以使第1侧缘27a侧的第1拉伸部87a的张力T1大于第2拉伸部87b的张力T2。由此，能够对第1侧缘27a侧的部分施加比第2侧缘27b侧的部分大的张力。因此，能够使第1侧缘27a侧的部分比第2侧缘27b侧的部分伸展得更多，从而能够容易地将各贯通孔25定位在允许的范围内。与此相反，在未被施加张力的状态的蒸镀掩模20以在从第2侧缘27b侧朝向第1侧缘27a侧的方向上凸起的方式呈C字状弯曲的情况下，可以使第2侧缘27b侧的第2拉伸部87b的张力T2大于第1拉伸部87a的张力T1。由此，能够对第2侧缘27b侧的部分施加比第1侧缘27a侧的部分大的张力。因此，能够使第2侧缘27b侧的部分比第1侧缘27a侧的部分伸展得更多，从而能够容易地将各贯通孔25定位在允许的范围内。
可是，考虑如下的情况：即使在局部地调整对蒸镀掩模20所施加的张力的情况下，根据蒸镀掩模20所形成的贯通孔25的位置精度，也难以将各贯通孔25定位在允许的范围内。例如，在尺寸X1和尺寸X2相对于设计值大幅地偏离的情况下，蒸镀掩模20在长度方向D1上的伸展变大而使得宽度方向D2上的收缩变大，或者，相反地，长度方向D1的伸展变小而使得宽度方向D2上的收缩变小。由此，在张紧设置时，难以将各贯通孔25相对于所希望的位置(蒸镀目标位置)定位在允许的范围内。式(1)用于抑制因这样的原因而导致发生张紧设置时的各贯通孔25的位置不良。
即，通过如本实施方式这样使静置于台81等上的蒸镀掩模20的尺寸X1和尺寸X2满足式(1)，由此能够使张紧设置时的蒸镀掩模20的长度方向D1上的伸展量收敛于所希望的范围内。因此，能够使张紧设置时的蒸镀掩模20的宽度方向D2上的收缩量收敛于所希望的范围内。其结果是，通过使尺寸X1和尺寸X2满足式(1)，能够在张紧设置时使各贯通孔25的位置调整变得容易。
另外，一般来说，还考虑如下的情况：即使在由形成有波动形状的长条金属板64形成了蒸镀掩模20的情况下，根据波动形状的程度，也难以在张紧设置时将各贯通孔25定位于所希望的位置。这是因为：根据长条金属板64在宽度方向D2上的波动形状的程度的不同，长度方向尺寸在宽度方向D2上不同。这种情况下，尺寸X1和尺寸X2不同，在未张紧设置的状态下，蒸镀掩模20会弯曲成图24所示那样的C字状。
例如，在如图24所示那样弯曲的蒸镀掩模20中，在未张紧设置的状态下，尺寸X1比尺寸X2短。因此，在张紧设置蒸镀掩模20时，如图27所示，以使尺寸X1与尺寸X2相等的方式对蒸镀掩模20施加拉伸力。这种情况下，第1侧缘27a侧的部分比第2侧缘27b侧的部分伸展得更多，蒸镀掩模20在长度方向D1上的中央位置向第1侧缘27a侧偏移，由此，贯通孔25会在宽度方向D2上发生移位。另外，即使在以使尺寸X1和尺寸X2相等的方式进行了张紧设置的情况下，如图28所示，也存在蒸镀掩模20的弯曲形状发生反转的情况。这种情况下，第1侧缘27a成为凸状，且第2侧缘27b弯曲成凹状。这种情况下，贯通孔25也会在宽度方向D2上发生移位。
这样，若贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移变大，则难以将所有的贯通孔25相对于所希望的位置(蒸镀目标位置)定位在允许的范围内。式(2)用于抑制因这样的原因而导致发生张紧设置时的各贯通孔25的位置不良。
即，通过如本实施方式这样使静置于台81等上的蒸镀掩模20的尺寸X1和尺寸X2满足式(2)，由此，能够抑制蒸镀掩模20的长度方向D1上的长度在宽度方向D2上不同的情况，从而能够在张紧设置时抑制长度方向D1的伸展在宽度方向D2上不同的情况。因此，在张紧设置时，能够抑制贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移。其结果是，通过使尺寸X1和尺寸X2满足式(2)，由此，能够在张紧设置时将各贯通孔25容易地定位在允许的范围内。
蒸镀方法
接下来，针对使用所得到的蒸镀掩模装置10使蒸镀材料98蒸镀到有机EL基板92上的方法进行说明。
这种情况下，首先，如图1所示，以使蒸镀掩模20与有机EL基板92对置的方式配置框架15。接着，利用磁铁93使蒸镀掩模20紧密贴合于有机EL基板92。然后，在该状态下，使蒸镀材料98蒸发，使蒸镀材料98通过蒸镀掩模20的贯通孔25飞到有机EL基板92上。由此，能够使蒸镀材料98以规定的图案附着于有机EL基板92上。
这样，根据本实施方式，从P1点至Q1点的尺寸X1、和从P2点至Q2点的尺寸X2满足上述的式(1)和式(2)。由此，根据式(1)，在尺寸X1和尺寸X2满足规定的条件而被判定为良品的蒸镀掩模20中，尺寸X1和尺寸X2从设计值的偏离得到了降低。因此，在张紧设置蒸镀掩模20时，能够使宽度方向D2上的收缩量收敛于所希望的范围内。另外，根据式(2)，尺寸X1和尺寸X2之差得到了降低。因此，在张紧设置时，能够抑制蒸镀掩模20的长度方向D1的伸展在宽度方向D2上不同的情况，从而能够抑制贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移。其结果是，通过使用被判定为良品的蒸镀掩模20来制作蒸镀掩模装置10，能够提高蒸镀掩模装置10中的蒸镀掩模20的各贯通孔25的位置精度，从而能够提高张紧设置时的贯通孔25的位置精度。其结果是，能够以较高的位置精度使蒸镀材料98蒸镀到基板92上，从而能够制作出高精细度的有机EL显示装置100。
另外，根据本实施方式，P1点和P2点被定位在配置于最靠第1耳部17a的一侧的第1有效区域22A的对应的贯通孔25的中心点处，Q1点和Q2点被定位在配置于最靠第2耳部17b的一侧的第2有效区域22B的对应的贯通孔25的中心点处。由此，能够根据在长度方向D1上离得比较远的2个点之间的距离来进行蒸镀掩模20的良品判定，并能够提高蒸镀掩模20的良品判定精度。
另外，根据本实施方式，P1点和P2点被定位在形成于最靠第1耳部17a的一侧的、对应的贯通孔25的中心点处，Q1点和Q2点被定位在形成于最靠第2耳部17b的一侧的、对应的贯通孔25的中心点处。由此，能够根据在长度方向D1上离得更远的2个点之间的距离来进行蒸镀掩模20的良品判定，从而能够提高蒸镀掩模20的良品判定精度。
并且，能够对上述的实施方式施加各种变形。以下，根据需要，参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够和上述的实施方式相同地构成的部分，使用与上述的实施方式中的对应的部分所使用的标号相同的标号，并省略重复的说明。另外，在上述的实施方式所得到的作用效果很明显也能够在变形例中得到的情况下，有时也省略其说明。
(蒸镀掩模的制造方法的变形例)
并且，在上述的本实施方式中，示出了对蒸镀掩模20的尺寸进行测量的例子，其中，该蒸镀掩模20是通过对轧制出的金属板进行蚀刻而制作成的。可是，也能够利用上述的尺寸测量方法和优劣判定系统80，来对通过镀覆处理等其它方法制作出的蒸镀掩模20的尺寸进行测量。
(尺寸X1、X2的变形例)
并且，在上述的本实施方式中，示出了如下的例子：P1点和P2点在配置于最靠第1耳部17a的一侧的第1有效区域22A中被定位在形成于最靠第1耳部17a的一侧的贯通孔25的中心点处。可是，并不限于此，定位有P1点和P2点的贯通孔25可以是配置于最靠第1耳部17a的一侧的第1有效区域22A中的任意的贯通孔25。另外，定位有P1点和P2点的贯通孔25也可以是第1有效区域22A以外的有效区域22的贯通孔25。Q1点和Q2点也相同。另外，P1点和Q1点只要是沿着蒸镀掩模20的长度方向D1配置的任意的2个点，则也可以不被定位于贯通孔25。例如，可以是在蒸镀掩模20的第1面20a或第2面20b上形成的任意的凹部，或者也可以是并非意图供蒸镀材料98通过的其它的贯通孔，甚至可以是蒸镀掩模20的外形尺寸。
实施例
接下来，通过实施例更具体地说明本实用新型，但本实用新型只要不超出其主旨，则不限定于以下的实施例的记载。
对制作出的多个蒸镀掩模20测量了尺寸X1和尺寸X2。蒸镀掩模20的宽度尺寸为67mm。
首先，如图25所示，将蒸镀掩模20水平地载置于台81上。此时，以在蒸镀掩模20上不会产生局部的凹陷的方式将蒸镀掩模20静静地载置于台81上。接下来，测量蒸镀掩模20的从P1点至Q1点的尺寸X1，并测量从P2点至Q2点的尺寸X2。将该测量结果作为αX-X1和αX-X2在图29中示出。在此，将P1点和Q1点、以及P2点和Q2点设定在αX成为600mm这样的贯通孔25的中心处。P1点与P2点之间的距离(或Q1点与Q2点之间的距离)为65mm。
将测量出的尺寸X1和尺寸X2代入上述的式(1)，计算出式(1)的左边。将该计算结果作为|αX-(X1+X2)/2|在图29中示出。在图29中，对于从25个样品分别获得的25个蒸镀掩模20进行尺寸测量。第1～第25样品中的第1～第10样品、第21样品、第22样品、第24样品以及第25样品满足式(1)。
另外，将蒸镀掩模20的尺寸X1和尺寸X2代入上述的式(2)，计算出式(2)的左边。将该计算结果作为|X1-X2|在图29中示出。如图29所示，第1～第25样品中的第1～第6样品、第11～第16样品、第21样品以及第23样品满足式(2)。
因此，如在图29中以综合判定结果所示的那样，第1～第25样品中的第1～第6样品和第21样品满足式(1)和式(2)，被判定为能够提高张紧设置时的贯通孔25的位置精度的蒸镀掩模20。
在此，针对满足上述的式(1)和式(2)就能够提高张紧设置时的贯通孔25的位置精度的理由进行说明。
首先，对式(1)进行说明。如上所述，式(1)用于抑制如下的情况：由于尺寸X1和尺寸X2相对于设计值发生偏离，从而在张紧设置时发生各贯通孔25的位置不良。即，通过使尺寸X1和尺寸X2满足式(1)，能够使张紧设置时的蒸镀掩模20在长度方向D1上的伸展量收敛于所希望的范围内，由此，能够使张紧设置时的蒸镀掩模20在宽度方向D2上的收缩量收敛于所希望的范围内。因此，为了确认满足式(1)是否有助于提高张紧设置时的贯通孔25的位置精度，着眼于张紧设置时的蒸镀掩模20的宽度尺寸Y1(参照图24)。该尺寸Y1相当于长度方向D1上的中央位置处的宽度尺寸。该中央位置处的宽度方向D2上的收缩量会变得最大。并且，在图24中，示出了未被施加张力的蒸镀掩模20，但为了方便，在图24中示出了张紧设置时的尺寸Y1。后述的尺寸Y2也同样。
接下来，对式(2)进行说明。如上所述，式(2)用于抑制如下的情况：由于尺寸X1和尺寸X2互相偏离，从而在张紧设置时发生各贯通孔25的位置不良。即，通过使尺寸X1和尺寸X2满足式(2)，能够在张紧设置时抑制长度方向D1上的伸展在宽度方向D2上不同的情况，从而能够抑制贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移。因此，为了确认满足式(2)是否有助于提高张紧设置时的贯通孔25的位置精度，着眼于蒸镀掩模20的弯曲成C字状的第1侧缘27a的凹陷深度尺寸Y2。该尺寸Y2相当于长度方向D1上的中央位置处的凹陷深度尺寸。更具体来说，将从下述线段至第1侧缘27a的长度方向D1上的中央位置为止的距离作为尺寸Y2，其中，所述线段是连接蒸镀掩模20的第1端部26a与第1侧缘27a的交点PY1、和第2端部26b与第1侧缘27a的交点PY2的线段。这样的尺寸Y2表示第1侧缘27a的最大的凹陷深度。并且，在张紧设置时的蒸镀掩模20的弯曲形状如图28所示那样发生了反转的情况下，只要将尺寸Y2作为第2侧缘27b的凹陷深度尺寸即可。
以下，对尺寸Y1和尺寸Y2的测量方法进行说明。
首先，在尺寸X1和尺寸X2的测量结束后，对蒸镀掩模20施加张力。更具体来说，首先，通过例如图26所示那样的夹具86a～86d保持蒸镀掩模20的第1端部26a和第2端部26b，从第1拉伸部87a～第4拉伸部87d对蒸镀掩模20施加张力。使所施加的张力为如下这样的力：各贯通孔25在长度方向D1上相对于所希望的位置(蒸镀目标位置)被定位在允许的范围内。接着，将施加有张力的蒸镀掩模20固定于图25所示的台81上。接下来，对固定于台81上的蒸镀掩模20的尺寸Y1和尺寸Y2进行测量。将尺寸Y1的测量结果作为αY-Y1在图29中示出。在此，αY是蒸镀掩模20在长度方向D1上的中央位置处的宽度尺寸的设计值。并且，αY是张紧设置时的设计值。另外，将尺寸Y2的测量结果作为Y2在图29中示出。
对测量出的尺寸Y1和尺寸Y2进行了评价。
关于尺寸Y1，以αY-Y1是否为阈值(±4.0μm)以下来进行了评价。在此，阈值被作为如下这样的值来设定：能够容许通过蒸镀所形成的像素的发光效率的偏差，或者能够在可防止与相邻的其它颜色的像素的混色的范围内容许位置偏移。并且，在对蒸镀掩模20施加有长度方向D1的张力的情况下，在长度方向D1上的中央位置处，蒸镀掩模20的宽度尺寸会降低。这种情况下，在长度方向D1上的中央位置处，第1侧缘27a和第2侧缘27b以互相接近的方式变形。因此，考虑第1侧缘27a和第2侧缘27b处的变形的容许值分别为2μm，作为其合计，将阈值设为±4.0μm。对于图29所示的样品中的第1～第10样品、第21样品、第22样品、第24样品以及第25样品，αY-Y1为阈值以下。在第1～第10样品、第21样品、第22样品、第24样品和第25样品中，蒸镀掩模20的宽度尺寸Y1的偏差被抑制，因此，能够抑制张紧设置时的贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移。另一方面，这些第1～第10样品、第21样品、第22样品、第24样品以及第25样品如上述那样满足了式(1)。因此，可以说，满足式(1)就能够提高张紧设置时的贯通孔25的位置精度。
特别是，尺寸Y1表示蒸镀掩模20在长度方向D1上的中央位置处的宽度尺寸。该中央位置是贯通孔25会在宽度方向D2上位置偏移得最多的位置。因此，可以说，在该中央位置处的αY-Y1为阈值以下的情况下，能够进一步抑制长度方向D1上的除中央位置以外的位置处的贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移。
对于尺寸Y2，以尺寸Y2是否为阈值(3.0μm)以下来进行了评价。在此，阈值被作为如下这样的值来设定：能够容许通过蒸镀所形成的像素的发光效率的偏差，或者能够在可防止与相邻的其它颜色的像素的混色的范围内容许位置偏移。对于图29所示的样品中的第1～第6样品、第11～第16样品、第21样品和第23样品，尺寸Y2为阈值以下。由此，在第1～第6样品、第11～第16样品、第21样品和第23样品中，蒸镀掩模20的第1侧缘27a的凹陷的程度变小，因此能够抑制张紧设置时的贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移。另一方面，这些第1～第6样品、第11～第16样品、第21样品和第23样品如上述那样满足了式(2)。因此，可以说，满足式(2)就能够提高张紧设置时的贯通孔25的位置精度。
特别是，尺寸Y2表示蒸镀掩模20的第1侧缘27a在长度方向D1上的中央位置处的凹陷的深度尺寸。该中央位置是贯通孔25会在宽度方向D2上位置偏移得最多的位置。因此，可以说，在该中央位置处的尺寸Y2为阈值以下的情况下，能够进一步抑制长度方向D1上的除中央位置以外的位置处的贯通孔25在宽度方向D2上的位置偏移。

Claims (5)

1.一种蒸镀掩模，其在第1方向上延伸，其特征在于，
所述蒸镀掩模具备：
中心轴线，其在所述第1方向上延伸，且被配置于和所述第1方向垂直的第2方向的中心位置处；
P1点和Q1点，它们被设置于所述中心轴线的一侧，且沿着所述第1方向互相分离；以及
P2点和Q2点，它们被设置于所述中心轴线的另一侧，且沿着所述第1方向互相分离，
所述P1点和所述P2点被有意配置成在蒸镀时关于所述中心轴线互相对称，
所述Q1点和所述Q2点被有意配置成在蒸镀时关于所述中心轴线互相对称，
在设从所述P1点至所述Q1点的尺寸为X1，设从所述P2点至所述Q2点的尺寸为X2，设规定的值为αX时，满足
【算式1】
且满足
【算式2】
|X1-X2|≤60μm。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述蒸镀掩模还具备：
第1耳部和第2耳部，它们构成所述蒸镀掩模在所述第1方向上的一对端部；和
多个贯通孔，它们被设置于所述第1耳部与所述第2耳部之间，在蒸镀时供蒸镀材料通过，
所述P1点和所述P2点被定位在形成于所述第1耳部侧的对应的所述贯通孔的中心点处，
所述Q1点和所述Q2点被定位在形成于所述第2耳部侧的对应的所述贯通孔的中心点处。
3.根据权利要求2所述的蒸镀掩模，其特征在于，
在所述第1耳部与所述第2耳部之间设置有多个形成有所述贯通孔的有效区域，
多个所述有效区域具有沿着所述蒸镀掩模的所述第1方向排列的第1有效区域和第2有效区域，
所述第1有效区域被配置于所述第1耳部侧，所述第2有效区域被配置于所述第2耳部侧，
所述P1点和所述P2点被定位在形成于所述第1有效区域的对应的所述贯通孔的中心点处，
所述Q1点和所述Q2点被定位在形成于所述第2有效区域的对应的所述贯通孔的中心点处。
4.根据权利要求3所述的蒸镀掩模，其特征在于，
在多个所述有效区域中，所述第1有效区域被配置在最靠所述第1耳部侧的位置处，
在多个所述有效区域中，所述第2有效区域被配置在最靠所述第2耳部侧的位置处。
5.根据权利要求2至4中的任意一项所述的蒸镀掩模，其特征在于，
在多个所述贯通孔中，与所述P1点和所述P2点对应的所述贯通孔分别形成于最靠所述第1耳部侧的位置处，
在多个所述贯通孔中，与所述Q1点和所述Q2点对应的所述贯通孔分别形成于最靠所述第2耳部侧的位置处。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111500980A (zh) * 2017-01-10 2020-08-07 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模以及蒸镀掩模的制造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102700135B1 (ko) * 2017-11-16 2024-08-29 엘지이노텍 주식회사 증착용 마스크 및 이의 제조 방법
EP4016658A1 (en) * 2019-01-31 2022-06-22 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask group, manufacturing method of electronic device, and electronic device
JP7233954B2 (ja) * 2019-02-19 2023-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
JP7253143B2 (ja) * 2019-03-25 2023-04-06 大日本印刷株式会社 マスク
CN112981318A (zh) * 2021-02-08 2021-06-18 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版及掩膜版的精度检测方法
TWI825405B (zh) * 2021-03-31 2023-12-11 達運精密工業股份有限公司 金屬遮罩檢測方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402681B2 (ja) * 1993-06-02 2003-05-06 サンエー技研株式会社 露光における位置合わせ方法
JP2001234385A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
JP4173722B2 (ja) * 2002-11-29 2008-10-29 三星エスディアイ株式会社 蒸着マスク、これを利用した有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
JP4534011B2 (ja) * 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 マスクアライメント法を用いたディスプレイの製造方法
JP4692290B2 (ja) * 2006-01-11 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 マスクおよび成膜方法
US8440259B2 (en) * 2007-09-05 2013-05-14 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
KR100971753B1 (ko) * 2007-11-23 2010-07-21 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시장치의 박막 증착용 마스크 조립체
US20090311427A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Advantech Global, Ltd Mask Dimensional Adjustment and Positioning System and Method
KR101182439B1 (ko) * 2010-01-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP5486951B2 (ja) * 2010-02-12 2014-05-07 株式会社アルバック 蒸着マスク、蒸着装置、薄膜形成方法
KR101182239B1 (ko) * 2010-03-17 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체
JP5751810B2 (ja) * 2010-11-26 2015-07-22 日立マクセル株式会社 メタルマスクの製造方法、枠部材及びその製造方法
KR101693578B1 (ko) * 2011-03-24 2017-01-10 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크
CN104303110B (zh) * 2012-05-23 2016-11-16 株式会社尼康 切断机构、接合机构、基板处理系统、基板处理装置及基板处理方法
KR102014479B1 (ko) * 2012-11-28 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 단위 마스크 스트립 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP5382259B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6078747B2 (ja) * 2013-01-28 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法及びレーザ加工装置
JP6068514B2 (ja) * 2013-01-29 2017-01-25 シャープ株式会社 蒸着ユニットおよび蒸着装置
JP5455099B1 (ja) * 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP5516816B1 (ja) * 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5780350B2 (ja) * 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP5641462B1 (ja) * 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP6365137B2 (ja) * 2014-09-03 2018-08-01 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの寸法測定方法、蒸着マスクの張力付与装置および蒸着マスクの寸法測定装置
JP6459040B2 (ja) 2014-12-10 2019-01-30 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
KR102640221B1 (ko) * 2016-09-22 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111500980A (zh) * 2017-01-10 2020-08-07 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模以及蒸镀掩模的制造方法

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