CN208225875U - 具有复合电极的电容器器件结构及电容器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型针对现有技术中电容器的电容密度低、器件的抗疲劳特性不佳，连续弯曲多次后电学性能易受到破坏且无法恢复的不足提供一种具有复合电极的电容器器件结构、电容器，这种结构包括顶电极结构和底电极结构，顶电极结构和底电极结构均为复合电极结构，这种电容器包括具有复合电极的电容器器件结构，顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成分立的器件阵列，采用本实用新型结构的具有复合电极的电容器器件结构，极大地降低了底电极和顶电极的面电阻，从而降低器件的高频损耗，也可以减小薄膜弯曲过程中产生的裂缝的，从而有效提高器件的可弯曲特性以及抗疲劳特性，采用本实用新型结构的具有复合电极的电容器，可极大地降低电极的面电阻和抗弯曲特性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种具有复合电极的电容器器件结构、电容器。
背景技术
近些年来，透明柔性电子器件受到越来越多的关注，比如可弯曲的透明显示屏，基于塑料基底的薄膜太阳能电池，以及各种各样的可穿戴设备等。在这些设备中，透明柔性电容器起着重要作用，比如在液晶显示(LCD)和有机发光二极管显示(OLED)的像素驱动电路中作为一种充放电元件，在太阳能电池的透明窗口作为一种储能元件，在透明的数字电路中作为基本的逻辑元件等。传统的平板电容器为金属-绝缘体-金属的三明治结构，由于金属的存在，这种结构的电容器是不透明的，将其应用于显示器件的驱动系统中会显著降低开口率，增加系统能耗，并且不利于全透明显示的实现其在透明电子领域的使用受到限制，另外，这种电容器还存在如电容密度比较低、抗疲劳。目前透明电容器多采用无机透明导电薄膜作为取代金属，来实现电容器的透明性，但无机导电薄膜在表面应力的作用下容易产生裂纹，使器件的抗疲劳特性不佳，即连续弯曲多次后电学性能如电容密度、漏电流密度、工作频率范围等性能受到破坏无法恢复。针对这个问题，如何对导电薄膜进行改性，以提高器件的抗疲劳特性将是一件非常有意义的事情。有机高分子导电材料作为导电电极，在它制备的过程中需要烘干，需要将溶剂蒸发掉，因其溶剂有毒性，所以，在制作过程中散发毒性。
实用新型内容
本实用新型的目的是，针对现有技术电容器的电容密度低、器件的抗疲劳特性不佳，连续弯曲多次后电学性能易受到破坏且无法恢复的不足提供一种具有复合电极的电容器器件结构、电容器。
本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的：
一种具有复合电极的电容器器件结构,包括顶电极结构和底电极结构，顶电极结构和底电极结构间设置有介质层，顶电极结构和底电极结构均为复合电极结构，所述的复合电极结构包括底层、顶层和导线层，所述导线层网状分布在所述底层表面，顶层设置在底层上覆盖所述导线层，底层和顶层均为导电氧化物薄膜，导线层与顶层和底层均欧姆连接；
顶层通过ALD沉积的方式沉积在设置有导线层的底层上；
介质层通过ALD沉积方式沉积在底电极的顶层上；
介质层为Al2O3、Y2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5中的一层或两层以上的原子层沉积复合层；
导电氧化物薄膜为AZO或ITO薄膜或二者的原子层沉积复合薄膜；
介质层的厚度为5～50nm，所述导电氧化物薄膜的厚度为5-200nm，所述导线层的导线为纳米级柔性导线；
底电极的底层通过ALD沉积方式沉积在衬底上；
导线层中的导线相互导通固定连接成一体；
底电极的底层通过ALD沉积方式沉积在衬底上，所述的顶层通过ALD沉积的方式沉积在设置有导线层的底层上，所述的介质层通过ALD沉积方式沉积在底电极的顶层上，所述顶电极的底层通过ALD沉积方式沉积在介质层上。
一种电容器，包括上述的具有复合电极的电容器器件结构，顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成分立的器件阵列。
采用本实用新型结构的具有复合电极的电容器器件结构，由于采用复合电极结构，复合电极结构均由底层、网状导线层和顶层欧姆连接组成，底层和顶层均为导电氧化物薄膜，导线层为柔性导线网状分布在底层和顶层间，柔性导线的加入一方面极大地降低了底电极和顶电极的面电阻，从而降低器件的高频损耗；另一方面可以减小薄膜弯曲过程中产生的裂缝的，从而有效提高器件的可弯曲特性以及抗疲劳特性。
采用本实用新型结构的具有复合电极的电容器器件结构，采用导电薄膜来取代金属，可用宽禁带的高介电常数(k)材料作为介质层4，可用纳米导线作为导线层，在可构造出全透明的电容器的同时，可极大地降低电极的面电阻和抗弯曲特性，在采用透明导电薄膜的前提下，采用高介电常数(k)材料作为介质层时其在5-7mm张应力半径下弯曲1000次保持电学性能良好，复合电极的面电阻可降低到20欧姆以下。
附图说明
图1：PEN塑料表面的原子力显微镜(AFM)照片。
图2：氧气的等离子体处理PEN表面，用ALD方法在PEN上沉积一层AZO薄膜之后的AFM(原子力显微镜)照片。
图3：在图2的基础上制备的设置有银纳米线(AgNW)的AZO/AgNW/AZO复合电极的AFM照片。
图4：用磁控溅射的方法在未经过任何处理的PEN表面沉积一层AZO薄膜之后的AFM照片。
图5：在图4的基础上用ALD方法沉积一层AZO薄膜之后的AFM照片。
图6：在图4的基础上制备的掺银纳米线的AZO/AgNW/AZO复合电极的AFM照片。
图7：基于AZO电极电容器与AZO//AgNW/AZO复合电极电容器在0V直流偏压下的电容密度随频率变化的关系图。
图8：AZO电极电容器和AZO/AgNW/AZO复合电极电容器分别在7mm张应力半径下的漏电流密度-电压(I-V)关系图。其中，(a)为AZO电极电容器在未弯、弯曲、弯曲后释放状态下的I-V关系图，(b)为AZO/AgNW/AZO复合电极电容器在未弯、弯曲、弯曲后释放状态下的I-V关系图，(c)为AZO电极电容器连续弯曲100次、200次之后的I-V关系图，(d)为AZO/AgNW/AZO复合电极电容器连续弯曲200、400、600、800、1000次之后的I-V关系图；
图9是本实用新型电容器器件实施例结构示意图。
附图标记说明
1-底层；2-导线层；3-顶层；4-介质层；5-衬底；11-顶电极结构11；12-底电极结构12；
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步地描述：
本实用新型优选采用如下具有复合电极的电容器器件结构：
如图9所示，包括底电极结构12和顶电极结构11，在底电极结构12和顶电极结构11间设置介质层4，介质层4优选为高介电常数的材料也称为高k材料，更优选其k值为8-180，高k材料层最好为Al2O3、Y2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5中的一层或两层或两层以上的复合层。底电极结构12和顶电极结构11统称为电极结构，均采用复合电极结构。复合电极结构包括底层1、设置在底层上的导线层2及设置在底层上将导线层固定在底层上的顶层3。底层和顶层均为导电薄膜，较好采用透明氧化物导电薄膜，最好是掺杂的氧化物导电薄膜，掺杂可以提高氧化物本身的载流子浓度，使氧化物薄膜面电阻大幅度降低，导线可以是金属导线，也可以是非金属导线，比如碳素纤维、碳纳米线，金属导线和非金属导线均需具有良好的延展性，这样可以提高电极的延展性能和柔性，导线可随机网格分布在底层上形成导线层2，导线与底层欧姆连接，各导线间电连通，可以相互连接成一体，也可是是相互交错，可保证电容器的透光性和导电性，导线可以是微米级的，导线优选为金属纳米线或碳纳米管，更优选为银纳米线、铜纳米线、铝纳米线、金纳米线等，这些导线不仅延展性优良，且具有良好的经济性能。采用纳米级的导线的好处在于：当在薄膜表面铺设纳米导线后，纳米导线间会形成空隙，空隙透光，纳米线与纳米线相互搭接形成透光的区域，当底层和顶层均为透明导电薄膜时可获得透明的复合电极结构，且由于纳米线与纳米线间的间距很小时也可以透光，因此导电均匀性好，可获得透光性好且导电均匀性好柔性好的透明复合电极结构。在导电薄膜上设置纳米导线，可显著降低导电薄膜的面电阻，因此，可提高导电薄膜的电学性能。本实用新型中，为了提高导线与底层间的结合紧密度在底层上设置了顶层覆盖导线，顶层与底层一样，均采用氧化物导电薄膜，导线与顶层间欧姆连接，通过顶层将导线固定在底层上。在底层上设置顶层，可以将导线固定在底层上，改善了导线与导线间的连接关系，将原来导线与导线间的线接触连接变为线与面的连接、面与面的连接，有效地提高了电极的导电性能，有效减少电极的面电阻。如当为纳米级导线且底层和顶层均采用AZO或ITO薄膜时，由于导线非常细、透光性良好，且底层和顶层均为透明导电薄膜，因此可得到透明复合电极结构，透明复合电极结构的透光率的大小视导线的密度大小而不同，导线直径相同时，密度越小，透光率越高，透明性越好但导电性会比密度高的要低，因此需在透光性和导电性中进行选择。更好地，底层通过ALD的方法沉积而成，顶层通过ALD的方法沉积在底层和导线层上，将导线包裹固定在底层上。由于原子层沉积方法是一种可以将薄膜以单原子层形式一层一层的镀在基底表面的方法，其独特的自限制沉积模式使得ALD技术成为目前唯一可以在复杂的纳米结构上沉积厚度精确可控、具有高保型性薄膜的方法，因此采用ALD沉积得到的底层导电薄膜和顶层导电薄膜可以最大限度的将导线包裹住，使导线与底层导电薄膜间、顶层层导电薄膜间的线接触变成面接触，形成包裹的结构，导线与导电薄膜间的接触充分、连接牢固，形成电学性能均一的复合导电薄膜，可以极大的降低电极的面电阻，从而降低器件的高频损耗；同时可以减小薄膜弯曲过程中产生裂缝的大小，从而有效提高器件的可弯曲特性以及抗疲劳特性。由于在导电薄膜上或导电薄膜间设置有延展性良好的导线，导线形成了薄膜的骨架结构，因此，可以提高薄膜的柔性，极大地提高其抗疲劳性能。
采用透明的复合导电薄膜作为透明的复合电极结构、介质层4为Al2O3、Y2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5中的一层或两层或两层以上的复合层时，导线采用纳米导线时可得到柔性透明具有复合电极的电容器器件结构。
下面以在塑料衬底上制备透明柔性导电薄膜为例对本实用新型制备电容器的方法进行详细描述。
(1)用物理或化学方法对衬底表面进行预处理，提高衬底表面的亲水性：
物理方法：用磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发等方法在衬底表面沉积一层氧化物导电薄膜，该氧化物导电薄膜最好为AZO或ITO导电薄膜；也可以是普通的氧化物导电薄膜。优选导电薄膜的厚度为5～200nm，优选的处理温度为20～150℃；
化学方法：用O2或N2的等离子体对衬底表面进行预处理；优选的处理温度为20～150℃，表面处理5～15分钟；
(2)在经过步骤(1)处理后的亲水性衬底上按如下方法制备出透明柔性电容器的结构：
(a)用ALD的方法在亲水性衬底上制备AZO或ITO导电薄膜作为底层；导电薄膜的厚度优选为5～200nm。
(b)将金属纳米线或碳纳米管铺设在底层表面；可以采用旋涂的方法，或其它方法将金属纳米线和碳纳米管设置在作为底层的氧化物导电薄膜上；旋涂时，旋涂转速可采用2500-4000转/秒的速度，此时分散液浓度优选为1～10mg/mL；
(c)用ALD的方法在步骤(b)所得底层的表面继续沉积AZO或ITO薄膜，从而形成作为电极顶层的导电薄膜，从而得到复合电极结构。顶层导电薄膜的厚度优选为5～200nm。底层薄膜材料与顶层薄膜材料可以采用相同的，也可以采用不同的；
(d)由步骤(c)得到的复合电极结构作为底电极，在底电极上沉积一层高k材料作为介质层4；介质层4厚度优选为5～50nm；
(e)再按步骤(a)、(b)、(c)的方法在介质层4上分别沉积顶电极的底层、导线层和顶层，从而得到透明柔性具有复合电极的电容器器件结构。
(3)对步骤(2)制备的具有复合电极的电容器器件结构的顶电极进行光刻，湿法腐蚀，形成分立的器件阵列，即得透明柔性电容器或电容器器件。单个器件大小优选为100μm×100μm。
在上述方法中也可不对衬底进行亲水性处理。由于通过对塑料衬底表面进行物理或化学方法的预处理，可以显著提高塑料表面的亲水性，从而为后续ALD的沉积打下基础。因此当采用ALD的方法在衬底上制备导电薄膜时，最好进行亲水处理。当然也可采用其它材质的衬底，衬底的材质要兼顾ALD的处理温度。
也可以采用普通方法如用磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发等方法在衬底、底层上制备氧化物导电薄膜，但最好采用ALD的方法来制备氧化物导电薄膜包覆导线层，原因在于对于纳米线之类的具有高长径比的材料，用ALD的技术沉积薄膜将其完全包裹住是最好的办法，因为ALD独特随型性的沉积模式，使得所有导电薄膜在纳米导线上的包覆没有任何死角，并且被包覆表面各处的氧化物导电薄膜的厚度高度一致，这是磁控溅射、脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发等技术无可比拟的，领导为这些技术方法通常会存在薄膜沉积的死角，使得纳米导线不能被氧化物导电薄膜完全包覆住。
优选地，步骤(2)中底电极的厚度为20～400nm，介质层4的厚度为5～50nm，顶电极的厚度为20～400nm。底电极和顶电极的厚度不包括导线层的厚度。
本实用新型中优选采用原子层沉积(ALD)法制备透明具有复合电极的电容器器件结构。该方法可以将高k材料和透明导电薄膜在同一个反应腔内原位沉积，从而得到高质量的电极-介质层4界面。ALD的工艺温度很低，非常适合在塑料基底上沉积薄膜。为了提高电容器器件的抗疲劳特性，在无机薄膜中掺入碳纳米管(CNT)、金属纳米线等导电性和柔韧性俱佳的材料，做成强劲的钢筋混凝土结构。由于纳米线或纳米管的加固作用，器件由于反复弯曲产生的裂纹尺度明显缩小，电学性能容易恢复。当然，导线可以是微米级的，只是透明性和导电性与纳米级的导线相比均差些，导电薄膜也可以是非透明的，在非透明的导电薄膜上设置导线的目的是为了减少电极的面电阻，得到低面电阻的复合电极。导线也可以是纳米级导线、微米级导线的混合导线。导线呈网状分布在导电薄膜上，也就是各导线相互交错相互搭接，相互导通地交错在一起。采用本实用新型结构的具有复合电极的电容器器件结构，可以使电容器得到高的电容量，其电容密度可达10-14fF/μm2，因此，本电容器可在小电压下工作，当其应用于显示器时，可在保证单个像素的色彩亮度的同时可以有效降低能耗；另外，本实用新型结构的电容器，其漏电流密度低，可达10-10-10-7A/cm2，单个像素在关闭的状态下电容器可以维持恒定的极板电压更长时间。本实用新型优选的方案中，导电薄膜采用ZnO或ITO，可以显著降低电极的电阻，可以有效减小电容器的损耗。本实用新型的电容器应用于透明像素驱动电路中可以提高屏幕整体的开口率，有利于降低能耗。
当采用ALD的方法形成底层导电薄膜和顶层导电薄膜时，本实用新型具有如下优点和效果：
(1)采用ALD技术实现电容器电极-介质层4界面的原位沉积，制备好的器件不须经过任何后续处理即拥有优异的电学性能。同时，原位沉积法很适合大规模的工业化生产。
(2)用ALD的方法将透明导电薄膜包裹在导电性和机械性能都非常优异的碳纳米管、银纳米线、铜纳米线、金纳米线等柔性纳米导线上，形成强度很高、延展性良好的钢筋混凝土结构，降低薄膜面电阻的同时还可以有效提高薄膜的可弯曲性以及抗疲劳特性，它的电阻的电阻率与非ALD形成的导电薄膜相比低三个数量级。
实施例1
在20℃下，用O2等离子体对塑料表面进行预处理。在150℃下，用ALD的方法沉积AZO导电薄膜作为底层，再用旋涂的方法在底层上铺设纳米导线，再用ALD的方法在底层上沉积AZO导电薄膜覆盖导线层，制得一层100nm厚的AZO/AgNW/AZO复合薄膜作为底电极，在150℃下，在底电极上沉积一层10nm厚的ZrO2(k值约为22)薄膜作为介质层4,在150℃下，在介质层4上用ALD的方法沉积AZO导电薄膜作为底层，再用旋涂的方法在底层上铺设纳米导线，再用ALD的方法在底层上沉积AZO导电薄膜覆盖导线层，制得一层100nm厚的AZO/AgNW/AZO复合薄膜作为顶电极。对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
实施例2
为了便于叙述，将如下方法简称为ALD加旋涂的方法：用ALD的方法沉积导电薄膜作为底层，再用旋涂的方法在底层上铺设纳米导线，再用ALD的方法在底层上沉积导电薄膜覆盖导线层。
在80℃下，用O2的等离子体对塑料表面进行预处理，在100℃下，用ALD加旋涂的方法制备一层60nm厚的AZO/CNT/AZO复合薄膜作为底电极，在100℃下，在底电极上沉积一层10nm厚的ZrO2(k值约为22)薄膜作为介质层4。在100℃下，在介质层4上用ALD加旋涂的方法制备一层60nm厚的AZO/CNT/AZO复合薄膜作为顶电极，对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
实施例3
在20℃下，用磁控溅射的方法在PEN表面沉积一层20nm厚的AZO薄膜，在80℃下，用ALD加旋涂的方法制备一层80nm厚的AZO/AgNW/AZO复合薄膜作为底电极，在80℃下，在底电极上沉积一层20nm厚的TiO2(k值约为80)薄膜作为介质层4，在80℃下，在介质层4上用ALD加旋涂的方法制备一层80nm厚的AZO/AgNW/AZO复合薄膜作为顶电极，对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
实施例4
在80℃下，用磁控溅射的方法在PEN表面沉积一层100nm厚的AZO薄膜，在125℃下，用ALD加旋涂的方法制备一层200nm厚的AZO/CuNW/AZO复合薄膜作为底电极，在125℃下，在底电极上沉积一层20nm厚的HfO2(k值约为25)薄膜作为介质层4，在125℃下，在介质层4上用ALD加旋涂的方法制备一层200nm厚的AZO/CuNW/AZO复合薄膜作为顶电极，对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
实施例5
在100℃下，用磁控溅射的方法在PEN表面沉积一层20nm厚的ITO薄膜。在150℃下，用ALD加旋涂的方法制备一层150nm厚的ITO/AgNW复合薄膜作为底电极，在150℃下，在底电极上沉积一层20nm厚的TiO2/HfO2(k值约为40)复合薄膜作为介质层4。在150℃下，在介质层4上用ALD加旋涂的方法制备一层150nm厚的ITO/AgNW/ITO复合薄膜作为顶电极，对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
实施例6
在100℃下，用N2的等离子体对塑料表面进行预处理，在150℃下，用ALD加旋涂的方法制备一层60nm厚的ITO/CNT/ITO复合薄膜作为底电极，在150℃下，在底电极上沉积一层10nm厚的TiO2/ZrO2(k值约为40)薄膜作为介质层4，在150℃下，在介质层4上用ALD加旋涂的方法制备一层60nm厚的ITO/CNT/ITO复合薄膜作为顶电极，对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
实施例7
在150℃下，用磁控溅射的方法在PEN表面沉积一层20nm厚的AZO薄膜，在125℃下，用ALD加旋涂的方法制备一层100nm厚的AZO/CNT复合薄膜作为底电极，在125℃下，在底电极上沉积一层20nm厚的TiO2/Y2O3(k值约为30)薄膜作为介质层4，在125℃下，在介质层4上用ALD加旋涂的方法制备一层100nm厚的AZO/CNT/AZO复合薄膜作为顶电极，对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
实施例8
在150℃下，用N2的等离子体对塑料表面进行预处理。在80℃下，用ALD加旋涂的方法制备一层60nm厚的AZO/AgNW/AZO复合薄膜作为底电极，在80℃下，在底电极上沉积一层20nm厚的ZrO2(k值约为22)薄膜作为介质层4，在80℃下，在介质层4上用ALD加旋涂的方法制备一层60nm厚的AZO/AgNW/AZO复合薄膜作为顶电极，对顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成一个个的器件，单个器件大小优选为100μm×100μm。
表1：本实用新型电容器实施例电学性能表，表中所列实施例其底层、顶层导电薄膜的厚度在5～200nm，介质层的厚度为5～50nm。
Claims (10)
1.一种具有复合电极的电容器器件结构，包括顶电极结构（11）和底电极结构（12），顶电极结构（11）和底电极结构（12）间设置有介质层（4），其特征在于，所述顶电极结构（11）和底电极结构（12）均为复合电极结构，所述的复合电极结构包括底层、顶层和导线层，所述导线层网状分布在所述底层表面，顶层设置在底层上覆盖所述导线层，底层和顶层均为导电氧化物薄膜，导线层与顶层和底层均欧姆连接。
2.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述的顶层通过ALD沉积的方式沉积在设置有导线层的底层上。
3.如权利要求1或2所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述的介质层通过ALD沉积方式沉积在底电极的顶层上。
4.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于：介质层（4）为Al2O3、Y2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5中的一层或两层以上的原子层沉积复合层。
5.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述导电氧化物薄膜为AZO或ITO薄膜或二者的原子层沉积复合薄膜。
6.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于：所述介质层（4）的厚度为5～50 nm，所述导电氧化物薄膜的厚度为5-200nm，所述导线层的导线为纳米级柔性导线。
7.如权利要求1或2所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，底电极的底层通过ALD沉积方式沉积在衬底上。
8.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，所述的导线层中的导线相互导通固定连接成一体。
9.如权利要求1所述的具有复合电极的电容器器件结构，其特征在于，底电极的底层通过ALD沉积方式沉积在衬底上，所述的顶层通过ALD沉积的方式沉积在设置有导线层的底层上，所述的介质层通过ALD沉积方式沉积在底电极的顶层上，所述顶电极的底层通过ALD沉积方式沉积在介质层上。
10.一种电容器，其特征在于：包括权利要求1-9各项之一所述的具有复合电极的电容器器件结构，顶电极进行光刻、湿法腐蚀，形成分立的器件阵列。
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|---|---|---|---|---|
| CN108336070A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-07-27 | 无锡博硕珈睿科技有限公司 | 电容器器件结构、电容器及电容器的制造方法 |
| WO2023211020A1 (ko) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 주성엔지니어링(주) | 캐패시터 전극 형성 방법 |
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2018
- 2018-02-11 CN CN201820246010.7U patent/CN208225875U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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