CN208000935U - Dbl桥堆封装体及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了DBL桥堆封装体及电子设备，涉及电子配件技术领域，包括：封装壳体，封装壳体的外部延伸出第一至第四料片中呈外折状的引脚，第一至第四料片的其余部分封装于封装壳体的内部，第一料片、第三料片和第四料片上设置有交错的芯粒，芯粒通过跳线与相对应的料片相连。本实用新型的目的在于通过采用有弹性的跳线连接料片，加工料片时应力变小，不易损坏，同时，引脚呈外折状且凸出于壳体外部，使本体变薄，焊接面积变大，散热效果更好。

Description

DBL桥堆封装体及电子设备

技术领域

本实用新型涉及电子配件技术领域，尤其是涉及DBL桥堆封装体及电子设备。

背景技术

随着技术的发展，越来越多的电子设备朝着小型化、集成化方向发展。电子封装技术是一个非常重要的关键环节，它不仅关系到电路性能可靠性和稳定性，而且对电路的电性能和热性能，以及整机的小型化和集成化，均有重要的作用。

其中，整流桥封装结构在实际应用中发现，其中引脚结构的散热面积小，风冷散热效果较差，影响了功率器件工作的可靠性；而且，封装较厚，料片加工过程中应力大易损坏变形。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供DBL桥堆封装体及电子设备，通过采用有弹性的跳线连接料片，加工料片时应力变小，不易损坏，同时，引脚呈外折状且凸出于壳体外部，使本体变薄，焊接面积变大，散热效果更好。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种DBL桥堆封装体，其中，包括：封装壳体，所述封装壳体的外部延伸出第一至第四料片中呈外折状的引脚，所述第一至第四料片的其余部分封装于所述封装壳体的内部，所述第一料片、所述第三料片和所述第四料片上设置有交错的芯粒，所述芯粒通过跳线与相对应的料片相连。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述第一料片上设置有两个所述芯粒，所述第三料片和所述第四料片上各设置有一个所述芯粒，且四个所述芯粒呈折线方式排列。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述第一料片上设置的第一芯粒通过所述跳线与所述第三料片的相对应区域相连，所述第三料片上设置的第二芯粒通过所述跳线与所述第二料片的相对应区域相连，所述第一料片上设置的第三芯粒通过所述跳线与所述第四料片的相对应区域相连，所述第四料片上设置的第四芯粒通过所述跳线与所述第二料片的相对应区域相连。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述跳线包括连接于一体的圆台槽和折板结构；

所述折板结构包括三段，第一段与所述圆台槽水平连接，第二段由所述第一段的末端向下倾斜弯折延伸形成，第三段由所述第二段的末端沿水平方向弯折延伸形成。

结合第一方面的第三种可能的实施方式，本实用新型实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述第三段连接于所述芯粒的上方，所述圆台槽连接于与所述芯粒相对应的料片上方。

结合第一方面、，本实用新型实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，所述封装壳体包括上封装体和下封装体，在所述上封装体与所述下封装体之间设置有放置引脚的匹配凹槽。

结合第一方面的第五种可能的实施方式，本实用新型实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，每个所述引脚分为上水平段、垂直段和下水平段；

所述上水平段部分设置于所述凹槽内，所述垂直段由所述上水平段凸出于所述凹槽的部分按照固定圆角弯折延伸形成，所述下水平段由所述垂直段向外水平弯折延伸形成。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，所述第一至第四料片均为表面镀锡的铜。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第八种可能的实施方式，其中，所述封装壳体的厚度为1.5mm。

第二方面，本实用新型实施例还提供一种电子设备，其中，包含如上任一所述的DBL桥堆封装体。

本实用新型实施例带来了以下有益效果：

本实用新型提供的DBL桥堆封装体及电子设备，包括：封装壳体，封装壳体的外部延伸出第一至第四料片中呈外折状的引脚，第一至第四料片的其余部分封装于封装壳体的内部，第一料片、第三料片和第四料片上设置有交错的芯粒，芯粒通过跳线与相对应的料片相连。本实用新型的目的在于通过采用有弹性的跳线连接料片，加工料片时应力变小，不易损坏，同时，引脚呈外折状且凸出于壳体外部，使本体变薄，焊接面积变大，散热效果更好。

本实用新型的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的DBL桥堆封装体外部立体图；

图2为本实用新型实施例提供的DBL桥堆封装体外部侧视图；

图3为本实用新型实施例提供的DBL桥堆封装体内部结构俯视图；

图4为本实用新型实施例提供的DBL桥堆封装体内部结构仰视图；

图5为本实用新型实施例提供的DBL桥堆封装体内部结构立体图；

图6为本实用新型实施例提供的DBL桥堆封装体俯视图。

图标：

100-封装壳体；110-上封装体；120-下封装体；210-第一料片；220-第二料片；230-第三料片；240-第四料片；211-引脚；310-第一芯粒；320-第二芯粒；330-第三芯粒；340-第四芯粒；400-跳线。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

目前，随着技术的发展，越来越多的电子设备朝着小型化、集成化方向发展。电子封装技术是一个非常重要的关键环节，它不仅关系到电路性能可靠性和稳定性，而且对电路的电性能和热性能，以及整机的小型化和集成化，均有重要的作用。其中，整流桥封装结构在实际应用中发现，其中引脚结构的散热面积小，风冷散热效果较差，影响了功率器件工作的可靠性；而且，封装较厚，料片加工过程中应力大易损坏变形。

基于此，本实用新型实施例提供的供DBL桥堆封装体及电子设备，通过采用有弹性的跳线连接料片，加工料片时应力变小，不易损坏，同时，引脚呈外折状且凸出于壳体外部，使本体变薄，焊接面积变大，散热效果更好。

为便于对本实施例进行理解，首先对本实用新型实施例所公开的DBL桥堆封装体进行详细介绍。

如图1和图2所示，DBL桥堆封装体包括：封装壳体100，封装壳体100的外部延伸出第一至第四料片中呈外折状的引脚211。

进一步的，封装壳体100包括上封装体110和下封装体120，在上封装体110与下封装体120之间设置有放置引脚211的匹配凹槽。

进一步的，每个引脚211分为上水平段、垂直段和下水平段；上水平段部分设置于凹槽内，垂直段由上水平段凸出于凹槽的部分按照固定圆角弯折延伸形成，下水平段由垂直段向外水平弯折延伸形成。四个引脚211均分在封装壳体100相对的两侧。

如图3至图6所示，第一至第四料片的其余部分封装于封装壳体100的内部，第一料片210、第三料片230和第四料片240上设置有交错的芯粒，芯粒通过跳线400与相对应的料片相连。

进一步的，第一料片210上设置有两个芯粒，第三料片230和第四料片240上各设置有一个芯粒，且四个芯粒呈折线方式排列。

第一料片210上设置的第一芯粒310通过跳线400与第三料片230的相对应区域相连，第三料片230上设置的第二芯粒320通过跳线400与第二料片220的相对应区域相连，第一料片210上设置的第三芯粒330通过跳线400与第四料片240的相对应区域相连，第四料片240上设置的第四芯粒340通过跳线400与第二料片220的相对应区域相连。

进一步的，跳线400包括连接于一体的圆台槽和折板结构。圆台槽为口大底小的结构，口部与相连的折板结构处于同一平面，底部连接于对应的料片上。折板结构包括三段，第一段与圆台槽水平连接，第二段由第一段的末端向下倾斜弯折延伸形成，第三段由第二段的末端沿水平方向弯折延伸形成。

进一步的，跳线400的第三段连接于芯粒的上方，圆台槽连接于与芯粒相对应的料片上方。采用跳线的方式将芯粒与料片连接，减小加工过程中的焊接应力，不易损坏。

进一步的，第一至第四料片均为表面镀锡的铜。

进一步的，封装壳体100的厚度为1.5mm。通过外折的引脚211使得整体结构更薄。

进一步的，一种电子设备包含上述实施例提供的DBL桥堆封装体。DBL桥堆封装体最大可通过3A电流，适合紧凑的大瓦数电路中。

本实用新型实施例带来了以下有益效果：

本实用新型提供的DBL桥堆封装体及电子设备，包括：封装壳体，封装壳体的外部延伸出第一至第四料片中呈外折状的引脚，第一至第四料片的其余部分封装于封装壳体的内部，第一料片、第三料片和第四料片上设置有交错的芯粒，芯粒通过跳线与相对应的料片相连。本实用新型的目的在于通过采用有弹性的跳线连接料片，加工料片时应力变小，不易损坏，同时，引脚呈外折状且凸出于壳体外部，使本体变薄，焊接面积变大，散热效果更好。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本实用新型各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本实用新型的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本实用新型各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本实用新型的具体实施方式，用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制，本实用新型的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种DBL桥堆封装体，其特征在于，包括：封装壳体，所述封装壳体的外部延伸出第一至第四料片中呈外折状的引脚，所述第一至第四料片的其余部分封装于所述封装壳体的内部，所述第一料片、所述第三料片和所述第四料片上设置有交错的芯粒，所述芯粒通过跳线与相对应的料片相连。

2.根据权利要求1所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，所述第一料片上设置有两个所述芯粒，所述第三料片和所述第四料片上各设置有一个所述芯粒，且四个所述芯粒呈折线方式排列。

3.根据权利要求1所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，所述第一料片上设置的第一芯粒通过所述跳线与所述第三料片的相对应区域相连，所述第三料片上设置的第二芯粒通过所述跳线与所述第二料片的相对应区域相连，所述第一料片上设置的第三芯粒通过所述跳线与所述第四料片的相对应区域相连，所述第四料片上设置的第四芯粒通过所述跳线与所述第二料片的相对应区域相连。

4.根据权利要求1所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，所述跳线包括连接于一体的圆台槽和折板结构；

所述折板结构包括三段，第一段与所述圆台槽水平连接，第二段由所述第一段的末端向下倾斜弯折延伸形成，第三段由所述第二段的末端沿水平方向弯折延伸形成。

5.根据权利要求4所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，所述第三段连接于所述芯粒的上方，所述圆台槽连接于与所述芯粒相对应的料片上方。

6.根据权利要求1所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，所述封装壳体包括上封装体和下封装体，在所述上封装体与所述下封装体之间设置有放置引脚的匹配凹槽。

7.根据权利要求6所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，每个所述引脚分为上水平段、垂直段和下水平段；

所述上水平段部分设置于所述凹槽内，所述垂直段由所述上水平段凸出于所述凹槽的部分按照固定圆角弯折延伸形成，所述下水平段由所述垂直段向外水平弯折延伸形成。

8.根据权利要求1所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，所述第一至第四料片均为表面镀锡的铜。

9.根据权利要求1所述的DBL桥堆封装体，其特征在于，所述封装壳体的厚度为1.5mm。

10.一种电子设备，其特征在于，包含如权利要求1至9任一所述的DBL桥堆封装体。