CN207664959U - 一种迟滞比较器电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种迟滞比较器电路，包括MOS管M5、三极管Q1、三极管Q2和MOS管M0，所述MOS管M5的源极连接MOS管M0的源极、MOS管M6的源极、MOS管M8的源极和MOS管M12的源极，MOS管M0的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M0的漏极连接三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极。本实用新型迟滞比较器电路电流镜放大器结合电流镜比例切换电路，使得迟滞电压不会随着工艺而变化。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种比较器电路，具体是一种迟滞比较器电路。
背景技术
迟滞比较器是一个具有迟滞回环传输特性的比较器。在反相输入单门限电压比较器的基础上引入正反馈网络，就组成了具有双门限值的反相输入迟滞比较器。
迟滞比较器是一个具有迟滞回环传输特性的比较器。在反相输入单门限电压比较器的基础上引入正反馈网络，就组成了具有双门限值的反相输入迟滞比较器。由于反馈的作用这种比较器的门限电压是随输出电压的变化而变化的。它的灵敏度低一些，但抗干扰能力却大大提高。
现有的采用内部迟滞元器件形成的比较器，其迟滞电压会随着集成电路的工艺偏差变化而变化。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种迟滞比较器电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种迟滞比较器电路，包括MOS管M5、三极管Q1、三极管Q2和MOS管M0，所述MOS管M5的源极连接MOS管M0的源极、MOS管M6的源极、MOS管M8的源极和MOS管M12的源极，MOS管M0的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M0的漏极连接三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极，三极管Q2的集电极连接MOS管M2的漏极、MOS管M2的栅极和MOS管M4的栅极，三极管Q1的集电极连接MOS管M1的漏极、MOS管M1的栅极和MOS管M9的栅极，MOS管M4的漏极连接MOS管M5的漏极、MOS管M5的栅极和MOS管M6的栅极，MOS管M4的源极连接MOS管M2的源极、MOS管M1的源极MOS管M3的源极MOS管M9的源极MOS管M7的源极和MOS管M11的源极，MOS管M6的漏极连接MOS管M3的漏极、MOS管M10的漏极、MOS管M8的栅极和MOS管M7的栅极，MOS管M8的漏极连接MOS管M7的漏极、MOS管M12的栅极和MOS管M11的栅极，MOS管M11的漏极连接MOS管M12的漏极和MOS管M10的栅极。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述MOS管M0、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M8和MOS管M12均为PMOS管。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述MOS管M2、MOS管M4、MOS管M1、MOS管M3、MOS管M9、MOS管M7、MOS管M11和MOS管M10均为NMOS管。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型迟滞比较器电路电流镜放大器结合电流镜比例切换电路，使得迟滞电压不会随着工艺而变化。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，一种迟滞比较器电路，包括MOS管M5、三极管Q1、三极管Q2和MOS管M0，所述MOS管M5的源极连接MOS管M0的源极、MOS管M6的源极、MOS管M8的源极和MOS管M12的源极，MOS管M0的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M0的漏极连接三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极，三极管Q2的集电极连接MOS管M2的漏极、MOS管M2的栅极和MOS管M4的栅极，三极管Q1的集电极连接MOS管M1的漏极、MOS管M1的栅极和MOS管M9的栅极，MOS管M4的漏极连接MOS管M5的漏极、MOS管M5的栅极和MOS管M6的栅极，MOS管M4的源极连接MOS管M2的源极、MOS管M1的源极MOS管M3的源极MOS管M9的源极MOS管M7的源极和MOS管M11的源极，MOS管M6的漏极连接MOS管M3的漏极、MOS管M10的漏极、MOS管M8的栅极和MOS管M7的栅极，MOS管M8的漏极连接MOS管M7的漏极、MOS管M12的栅极和MOS管M11的栅极，MOS管M11的漏极连接MOS管M12的漏极和MOS管M10的栅极。
MOS管M0、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M8和MOS管M12均为PMOS管。MOS管M2、MOS管M4、MOS管M1、MOS管M3、MOS管M9、MOS管M7、MOS管M11和MOS管M10均为NMOS管。
本实用新型的工作原理是：1.“电流镜放大器”结合“电流镜比例切换电路”
M1,M2,M3,M4,M5,M6形成电流镜放大器；
M9,M10形成电流镜比例切换电路。(电路中的M9比例为m＝N。实际应用中，该m可以根据需要的不同迟滞电压，修改为不同的比例)
2.输入三极管差分对Q0,Q1形成输入三极管差分对。
1)M10起到开关的作用，在输出发生高到低，或者低到高的变化的时候，控制M9的接入或者断开；
2)M9与M1形成另外一个电流镜，通过与开关M10结合，变化整个比较器电路的比较比例；于是在输入差分对管中，得到成比例的偏置电流，该比例与工艺无关。根据三极管的特性，最终产生与工艺无关的迟滞电压。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (3)
1.一种迟滞比较器电路，包括MOS管M5、三极管Q1、三极管Q2和MOS管M0，其特征在于，所述MOS管M5的源极连接MOS管M0的源极、MOS管M6的源极、MOS管M8的源极和MOS管M12的源极，MOS管M0的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M0的漏极连接三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极，三极管Q2的集电极连接MOS管M2的漏极、MOS管M2的栅极和MOS管M4的栅极，三极管Q1的集电极连接MOS管M1的漏极、MOS管M1的栅极和MOS管M9的栅极，MOS管M4的漏极连接MOS管M5的漏极、MOS管M5的栅极和MOS管M6的栅极，MOS管M4的源极连接MOS管M2的源极、MOS管M1的源极MOS管M3的源极MOS管M9的源极MOS管M7的源极和MOS管M11的源极，MOS管M6的漏极连接MOS管M3的漏极、MOS管M10的漏极、MOS管M8的栅极和MOS管M7的栅极，MOS管M8的漏极连接MOS管M7的漏极、MOS管M12的栅极和MOS管M11的栅极，MOS管M11的漏极连接MOS管M12的漏极和MOS管M10的栅极。
2.根据权利要求1所述的一种迟滞比较器电路，其特征在于，所述MOS管M0、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M8和MOS管M12均为PMOS管。
3.根据权利要求1所述的一种迟滞比较器电路，其特征在于，所述MOS管M2、MOS管M4、MOS管M1、MOS管M3、MOS管M9、MOS管M7、MOS管M11和MOS管M10均为NMOS管。
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2017
- 2017-12-20 CN CN201721794944.6U patent/CN207664959U/zh active Active
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