CN207452299U - 一种单晶炉中保温筒提升装置 - Google Patents
一种单晶炉中保温筒提升装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207452299U CN207452299U CN201721212970.3U CN201721212970U CN207452299U CN 207452299 U CN207452299 U CN 207452299U CN 201721212970 U CN201721212970 U CN 201721212970U CN 207452299 U CN207452299 U CN 207452299U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat
- single crystal
- preservation cylinder
- slide unit
- crystal growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004321 preservation Methods 0.000 title claims abstract description 25
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种单晶炉中保温筒提升装置，包括设置在单晶炉内的炉底板，所述炉底板上方平行设有托盘，托盘为环状，所述炉底板底面设有滑台模组，滑台模组竖直设置，该滑台模组的滑块固设有钼杆，钼杆顶端竖直向上穿过炉底板后和托盘固接。本实用新型所述的一种单晶炉中保温筒提升装置，结构简单，设计合理，采用提升中保温筒的设计，加快保温筒内热场件通过炉壁循环水热量散失速率，达到快速降温目的，有效避免了直拉法单晶硅停炉工艺中工时的浪费，降低了成本。
Description
技术领域
本实用新型属于单晶炉生产领域，尤其是涉及一种单晶炉中保温筒提升装置。
背景技术
目前，单晶硅拉制过程中主要通过保温筒来提高单晶炉内的保温性能，单晶拉制完成后单晶炉内留存着运行时产生的大量热量主要通过单晶炉壁水冷系统进行降温冷却，由于保温筒对炉壁的隔热作用，使得单晶炉停炉后炉内的热量无法及时散失，为保证炉内热场件的使用寿命，只能通过延长停炉时间达到热场件降温效果。综上所述，现有技术存在缺点有：(1)现有单晶炉保温筒对炉壁有隔热作用，停炉后炉内热量无法及时散失，停炉时间延长，生产成本升高；(2)CZ单晶炉拆炉时炉内热场件由于内外部温差骤变，导致热场件使用寿命降低。
发明内容
有鉴于此，本实用新型旨在提出一种单晶炉中保温筒提升装置，以满足单晶硅拉直完成后快速冷却需求。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种单晶炉中保温筒提升装置，包括设置在单晶炉内的炉底板，所述炉底板上方平行设有托盘，托盘为环状，所述炉底板底面设有滑台模组，滑台模组竖直设置，该滑台模组的滑块固设有钼杆，钼杆顶端竖直向上穿过炉底板后和托盘固接。
进一步的，所述滑台模组数量为两个，两个所述滑台模组关于托盘中心线对称设置，两个滑台模组共用一个电机驱动，两个滑台模组间设有传动用软轴。
进一步的，所述钼杆外部套装有波纹管，波纹管设置在滑块和炉底板间。
进一步的，所述托盘顶面设有用于卡装保温筒的环状凹槽。
相对于现有技术，本实用新型所述的一种单晶炉中保温筒提升装置具有以下优势：
本实用新型所述的一种单晶炉中保温筒提升装置，结构简单，设计合理，采用提升中保温筒的设计，加快保温筒内热场件通过炉壁循环水热量散失速率，达到快速降温目的，有效避免了直拉法单晶硅停炉工艺中工时的浪费，降低了成本。
附图说明
构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型实施例所述的一种单晶炉中保温筒提升装置示意图；
附图标记说明：
1-托盘；2-滑台模组；3-钼杆；4-减速机；
5-电机；6-炉底板；7-波纹管；8-滑块；
9-软轴。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
如图1所示，一种单晶炉中保温筒提升装置，包括设置在单晶炉内的炉底板6，还包括炉底板6上方水平设置的托盘1，托盘1为环状，所述托盘1顶面设有用于卡装保温筒的环状凹槽；所述炉底板6底面设有两个滑台模组2，两个滑台模组2分别竖直设置，该滑台模组2底端分别设有一减速机4，两个滑台模组2共用一个电机5驱动，本实施例中，为了保证两个滑台模组工作同步性，同时因为单晶炉炉身构造需求，在两个减速机4间设有软轴9，实现两个滑台模组运转同步性，电机5通过软轴驱动两个减速机4，然后通过减速机5驱动各自对应的滑台模组的丝杠，进而带动滑块8上下移动，本实施例中，软轴9设置在向背离炉体中心方向即向外弯曲的弧状管道内，弧状管道固接在两个滑台模组间，本实施例中，在滑块8上固设有钼杆3，钼杆3顶端竖直向上穿过炉底板6后和托盘1固接。
本实施例中，所述钼杆3外部套装有波纹管7，波纹管7设置在滑块8和炉底板6间。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种单晶炉中保温筒提升装置，包括设置在单晶炉内的炉底板(6)，其特征在于：所述炉底板(6)上方平行设有托盘(1)，托盘(1)为环状，所述炉底板(6)底面设有滑台模组(2)，滑台模组(2)竖直设置，该滑台模组(2)的滑块(8)上固设有钼杆(3)，钼杆(3)顶端竖直向上穿过炉底板(6)后和托盘(1)固接。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉中保温筒提升装置，其特征在于：所述滑台模组(2)数量为两个，两个所述滑台模组关于托盘(1)中心线对称设置，两个滑台模组共用一个电机(5)驱动，两个滑台模组(2)间设有传动用软轴(9)。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉中保温筒提升装置，其特征在于：所述钼杆(3)外部套装有波纹管(7)，波纹管(7)设置在滑块(8)和炉底板(6)间。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉中保温筒提升装置，其特征在于：所述托盘(1)顶面设有用于卡装保温筒的环状凹槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721212970.3U CN207452299U (zh) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 一种单晶炉中保温筒提升装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721212970.3U CN207452299U (zh) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 一种单晶炉中保温筒提升装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207452299U true CN207452299U (zh) | 2018-06-05 |
Family
ID=62283675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721212970.3U Active CN207452299U (zh) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 一种单晶炉中保温筒提升装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207452299U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109487336A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-03-19 | 杭州弘晟智能科技有限公司 | 一种单晶炉快速冷却装置 |
| CN110453277A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-15 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种直拉法单晶炉热场快速冷却装置及冷却方法 |
| CN112126973A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-25 | 四川晶科能源有限公司 | 一种单晶炉拆装装置 |
| CN115305564A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-11-08 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种单晶炉及单晶硅制备方法 |
-
2017
- 2017-09-20 CN CN201721212970.3U patent/CN207452299U/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109487336A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-03-19 | 杭州弘晟智能科技有限公司 | 一种单晶炉快速冷却装置 |
| CN110453277A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-15 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种直拉法单晶炉热场快速冷却装置及冷却方法 |
| CN112126973A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-25 | 四川晶科能源有限公司 | 一种单晶炉拆装装置 |
| CN115305564A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-11-08 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种单晶炉及单晶硅制备方法 |
| CN115305564B (zh) * | 2022-08-01 | 2023-09-01 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种单晶炉及单晶硅制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN207452299U (zh) | 一种单晶炉中保温筒提升装置 | |
| CN206570382U (zh) | 一种铸铝合金精炼装置 | |
| CN102146526A (zh) | 镁合金的熔炼设备及一种新型镁合金节能生产新工艺 | |
| CN201245726Y (zh) | 托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托 | |
| CN204100794U (zh) | 非晶合金用的洁净熔融系统 | |
| CN206609281U (zh) | 一种硅锰合金微波冶炼炉 | |
| CN204959003U (zh) | 一种具有控温排气功能的电磁加热反应釜回转窑 | |
| CN110424050A (zh) | 一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置 | |
| CN206157261U (zh) | 一种新型导流筒提升装置 | |
| CN203021614U (zh) | 一种淬火炉全自动淬火机构 | |
| CN205313102U (zh) | 一种节能减排、高效率的石墨化炉 | |
| CN205662558U (zh) | 一种废铜回收熔炼铸造设备 | |
| CN105716420A (zh) | 一种用于制备新型铝材的搅拌式反应釜 | |
| CN209445833U (zh) | 一种高温加热炉清渣系统 | |
| CN208680446U (zh) | 一种涡轮叶片铸造装置 | |
| CN208038491U (zh) | 金属铸件固溶时效热处理装置 | |
| CN110421161A (zh) | 一种用于钐钴永磁体制备的多室真空连续炉 | |
| CN208832984U (zh) | 一种熔融石英炉自动排气装置 | |
| CN209010572U (zh) | 一种新型立式升降横磁炉 | |
| CN208116750U (zh) | 一种铁水罐的加盖保温装置 | |
| CN206553654U (zh) | 一种升级后多晶硅铸锭炉的溢流防护结构 | |
| CN206986325U (zh) | 一种单晶炉导流筒防沉积结构 | |
| CN206868427U (zh) | 除铁器降温装置 | |
| CN209778927U (zh) | 一种热处理用退火装置 | |
| CN204478836U (zh) | 一种熔铸炉冷却系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210629 Address after: 300384 No.12 Haitai East Road, Huayuan Industrial Zone, New Technology Industrial Park, Binhai New Area, Tianjin Patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. Address before: 010070 No.15, Saihan baoli'er street, Hohhot, Inner Mongolia Autonomous Region Patentee before: INNER MONGOLIA ZHONGHUAN SOLAR MATERIAL Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 300384 No.12 Haitai East Road, Huayuan Industrial Zone, New Technology Industrial Park, Binhai New Area, Tianjin Patentee after: TCL Zhonghuan New Energy Technology Co.,Ltd. Address before: 300384 No.12 Haitai East Road, Huayuan Industrial Zone, New Technology Industrial Park, Binhai New Area, Tianjin Patentee before: TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR CO.,LTD. |