CN207425833U - 用于rc-igbt晶圆背面加工的基片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于RC‑IGBT晶圆背面加工的基片，其包括能键合于RC‑IGBT晶圆背面的基片体，所述基片体的形状与待键合的RC‑IGBT晶圆的形状相一致，在基片体上设有注入图形，基片体键合于RC‑IGBT晶圆的背面后，利用基片体的注入图形能向RC‑IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC‑IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。本实用新型结构紧凑，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种基片，尤其是一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，属于微电子的技术领域。
背景技术
RC-IGBT晶圆背面表面需要形成图形化分布的P型掺杂和N型掺杂交错的区域。为了在RC-IGBT晶圆背面形成图形化的P型掺杂和N型掺杂交错的区域，目前主流的加工方法是对P型杂质进行整体注入，N型杂质进行图形化注入，其中，N型杂质的掺杂浓度远大于P型杂质的掺杂浓度，然后通过激活杂质形成P型掺杂和N型掺杂交错的图形。
现有技术中，RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入需要进行光刻加工工序，过程如下：通过晶圆背面进行涂光刻胶，使用背面N型图形光刻版进行曝光，然后显影后形成N型掺杂的注入阻挡层，对晶圆背面进行整体注入，去除剩余光刻胶图形。
因此，现有技术中需要对RC-IGBT晶圆背面进行光刻加工工序，导致晶圆背面光刻加工工序成本高、生产周期长，不利于RC-IGBT进一步发展。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其结构紧凑，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。
按照本实用新型提供的技术方案，所述用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体，所述基片体的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体上设有注入图形，基片体键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。
所述基片体呈圆形，基片体上设置缺角或缺口。
所述基片体的材料包括玻璃。
所述基片体的厚度为待键合RC-IGBT晶圆厚度的1/5～1/2。
所述基片体的厚度为50μm～300μm。
注入图形包括若干贯通基片体的圆孔，圆孔在基片体上呈矩形或品字形均匀排列。
本实用新型的优点：基片体能键合在RC-IGBT晶圆的背面，利用基片体上的注入图形对RC-IGBT晶圆进行N型离子注入，能在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域，基片体与RC-IGBT晶圆分离后，能重复使用；基片体直接与RC-IGBT晶圆键合后即能进行N型杂质离子的注入，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。。
附图说明
图1为本实用新型基片体的一种结构示意图。
图2为本实用新型基片体的另一种结构示意图。
附图标记说明：1-基片体、2-缺角以及3-缺口与4-圆孔。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
为了能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，本实用新型包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体1，所述基片体1的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体1上设有注入图形，基片体1键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体1的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。
具体地，所述基片体1的材料包括玻璃，当然，基片体1也可以采用其他能与RC-IGBT晶圆键合的材料，具体材料的类型可以根据需要进行选择，此处不再赘述。基片体1的形状与待键合的RC-IGBT晶圆相一致，从而当基片体1键合于RC-IGBT晶圆的背面后，能与RC-IGBT晶圆的背面有效对应，提高对RC-IGBT晶圆进行N型杂质离子注入的可靠性。在具体实施是，在N型杂质离子注入前的工艺等均可以采用现有常用的工艺步骤，而在进行N型杂质离子注入时，所需的工艺条件等均与现有相同，不会增加N型杂质离子注入的复杂度。
在基片体1上预先设置注入图形，注入图形的形状可以根据RC-IGBT晶圆背面需要形成的N型杂质区域相关，从而当基片体1键合于RC-IGBT晶圆的背面后，能利用注入图形将N型杂质离子注入到RC-IGBT晶圆的背面，基片体1中注入图形外的区域作为阻挡层，从而在激活后，能利用注入的N型杂质离子形成所需的N型掺杂区域。本实用新型实施例中，当注入N型杂质离子后，将基片体1与RC-IGBT晶圆的背面分离，且基片体1可以重复利用，只要基片体1的注入图形满足待形成N型掺杂区域的需求即可；而基片体1的可重复利用特性，在省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序后，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本。
进一步地，所述基片体1呈圆形，基片体1上设置缺角2或缺口3。图1中，基片体1为设置缺角2的示意图，图2中，基片体1为设置缺口3的示意图，具体实施时，基片体1上设置缺角2或缺口3的情况，主要与待键合RC-IGBT晶圆的形状相关，基片体1上设置缺角2或缺口3能与待键合RC-IGBT晶圆的形状相一致。基片体1的形状与RC-IGBT晶圆的形状相一致后，在进行N型杂质离子注入时，N型杂质离子只会通过注入图形注入到RC-IGBT晶圆的背面，不会影响RC-IGBT晶圆背面其他区域位置的设定。
具体实施时，所述基片体1的厚度为待键合RC-IGBT晶圆厚度的1/5～1/2。本实用新型实施例中，所述基片体1的厚度为50μm～300μm。此外，注入图形包括若干贯通基片体1的圆孔4，圆孔在基片体1上呈矩形或品字形均匀排列。圆孔4贯通基片体1，使得注入的N型杂质离子能注入到RC-IGBT晶圆的背面；圆孔4在基片体1规则排列后，能形成相应的注入图形。
Claims (6)
1.一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体(1)，所述基片体(1)的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体(1)上设有注入图形，基片体(1)键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体(1)的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。
2.根据权利要求1所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)呈圆形，基片体(1)上设置缺角(2)或缺口(3)。
3.根据权利要求1或2所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)的材料包括玻璃。
4.根据权利要求1或2所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)的厚度为待键合RC-IGBT晶圆厚度的1/5～1/2。
5.根据权利要求1所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)的厚度为50μm～300μm。
6.根据权利要求1或2或5所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：注入图形包括若干贯通基片体(1)的圆孔，圆孔在基片体(1)上呈矩形或品字形均匀排列。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107706143A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-02-16 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 用于rc‑igbt晶圆背面加工的基片 |
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