CN207408574U - 一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及玻璃生产技术领域，具体涉及一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，包括用以支撑待测柱状磁缸的支架、可滑动的设置于所述支架上的安装座，所述安装座设于所述待测柱状磁缸的正下方且其运动方向平行所述待测柱状磁缸的轴心线方向，所述安装座至少包括与所述待测柱状磁缸的外侧周部相配合的圆弧状主体部，所述主体部上沿其弧形延伸方向间隔设有多个用以安装高斯仪探针的安装孔，所述安装孔沿所述主体部的径向延伸，本实用新型的磁场测量装置通过多点位测量待测磁缸的磁感应强度，可以准确的反映磁控溅射区域的总磁感应强度，从而可以根据待镀设膜层的厚度等参数需要更加准确的分析和调整磁场的分布。
Description
技术领域
本实用新型涉及玻璃生产技术领域，具体涉及一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置。
背景技术
在玻璃镀膜生产中磁控溅射镀膜采用的阴极靶材主要有两种，一种是旋转靶，采用的是柱状磁缸；另一种是平面靶，采用的是平面磁缸。溅射膜层的厚度均匀性，主要与磁场的均匀性相关，因此需要测量磁缸磁场的均匀性，以便分析调节。
目前测量柱状磁缸磁场均匀性的方法为通过高斯仪测量磁缸正下方一条直线的磁感应强度，通过一条直线上的磁感应强度，认为代表此根磁缸的磁场分布情况。但磁缸正下方位置并不是磁控溅射的溅射区域，并且磁控溅射的区域是一条非绝对直线的条形区域，并不是一条直线。磁控溅射旋转靶溅射采用的柱状磁缸，单根旋转靶的主要溅射区域在磁缸正下方离磁缸中心约±20°左右，故现有技术测得的柱状磁缸的磁感应强度并不能准确反映其磁场分布情况。
发明内容
本实用新型提供一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，通过设置多点位测量点从而准确的测量柱状磁缸的磁场分布。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，包括用以支撑待测柱状磁缸的支架、沿所述待测柱状磁缸的轴向滑动设置的安装座，所述安装座设于所述待测柱状磁缸的正下方，所述安装座至少包括与所述待测柱状磁缸的周部相配合的圆弧状主体部，所述主体部上沿其周向间隔设有多个用以安装高斯仪探针的安装孔，所述安装孔沿所述主体部的径向延伸。
进一步的，所述安装座的内壁与所述待测柱状磁缸的外壁相贴触或具有间隙。
进一步的，所述主体部的圆弧角度为10°～90°。
进一步的，所述主体部的圆弧角度为90°。
进一步的，所述安装孔均匀间隔设置于所述主体部上，每相邻的两个所述安装孔之间的夹角为5°～10°。
进一步的，所述安装座还包括设于所述主体部下方用以支撑所述主体部的支撑底座。
进一步的，所述支架包括设于所述待测柱状磁缸正下方的滑轨，所述安装座的所述支撑底座可滑动的设于所述滑轨上。
进一步的，所述支架还包括用以固定所述待测柱状磁缸两端部的两固定端头，所述待测柱状磁缸架设于两所述固定端头之间。
进一步的，所述安装孔为通孔。
采用以上技术方案后，本实用新型与现有技术相比具有如下优点：本实用新型的磁场测量装置通过设置多点位测量点从而可以更加准确的测量待测柱状磁缸的磁场分布，反映磁控溅射区域的总磁感应强度，为后续磁控溅射镀膜生产提供磁场分析和调整的依据。
附图说明
附图1为本实用新型的磁场测量装置的轴测图；
附图2为本实用新型的磁场测量装置的主视图；
附图3为本实用新型的磁场测量装置的左视图；
附图4为本实用新型中安装座的轴测图。
其中，1、支架；101、固定端头；102、滑轨；2、安装座；201、主体部；202、支撑底座；203、安装孔；3、待测柱状磁缸；4、高斯仪探针；5、滑块。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1至图4所示，一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，包括用以支撑待测柱状磁缸3的支架1、可滑动的设置于支架1上的安装座2，安装座2设于待测柱状磁缸3的正下方且其运动方向平行待测柱状磁缸3的轴心线方向，安装座2至少包括与待测柱状磁缸3的外侧周部相配合的圆弧状主体部201，主体部201上沿其弧形延伸方向间隔设有多个用以安装高斯仪探针4的安装孔203，安装孔203沿主体部201的径向延伸。
本实施例中，安装孔203为通孔，从而便于高斯仪探针4对待测柱状磁缸3的测量。
当将安装座2设置于待测柱状磁缸3的正下方用于测量时，安装座2的内壁与待测柱状磁缸3的外壁相贴触或具有间隙。
支架1包括用以固定待测柱状磁缸3两端部的两固定端头101，两固定端头101分别设于支架1的两侧，待测柱状磁缸3水平架设于两固定端头101之间。
支架1上还设有滑轨102，滑轨102设于待测柱状磁缸3的正下方并且与待测柱状磁缸3相平行。
安装座2的主体部201下方连接有呈U型的支撑底座202，支撑底座202的上部与主体部201固定相连，安装座2的下部与滑块5固定相连，滑块5可沿滑轨102滑动从而带动安装座2上的高斯仪探针4移动。可以通过设置与滑块5相连的驱动组件或者通过手动调整滑块5的移动。
为准确测量待测柱状磁缸3的磁场分布，安装座2主体部201的圆弧角度范围优选为10°～90°。安装孔203均匀间隔设置在主体部201上，每相邻的两个安装孔203之间的夹角优选为5°～10°。
实际测量时，高斯仪探针4插入安装孔203中用螺丝固定即可，通过滑动安装座2或将高斯仪换至另一个安装孔203可以方便的改变测量位置。
以主体部201的圆弧角度为90°、每相邻的两个安装孔203之间的夹角为5°为例加以说明，则该装置可以测量待测磁缸正下方±45°磁场的范围，并且沿待测柱状磁缸3的周向每5°可以作为一个测量点，从而准确的测量待测柱状磁缸3的磁场分布。
本实用新型的磁场测量装置通过多点位测量待测柱状磁缸3的磁感应强度，可以准确的反映磁控溅射区域的总磁感应强度，从而可以根据待镀设膜层的厚度等参数需要更加准确的分析和调整磁场的分布。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于： 包括用以支撑待测柱状磁缸的支架、可滑动的设置于所述支架上的安装座，所述安装座设于所述待测柱状磁缸的正下方且其运动方向平行所述待测柱状磁缸的轴心线方向，所述安装座至少包括与所述待测柱状磁缸的外侧周部相配合的圆弧状主体部，所述主体部上沿其弧形延伸方向间隔设有多个用以安装高斯仪探针的安装孔，所述安装孔沿所述主体部的径向延伸。
2.根据权利要求1所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述安装座的内壁与所述待测柱状磁缸的外壁相贴触或具有间隙。
3.根据权利要求1所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述主体部的圆弧角度为10°～90°。
4.根据权利要求3所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述主体部的圆弧角度为90°。
5.根据权利要求3所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述安装孔均匀间隔设置于所述主体部上，每相邻的两个所述安装孔之间的夹角为5°～10°。
6.根据权利要求1所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述安装座还包括设于所述主体部下方用以支撑所述主体部的支撑底座。
7.根据权利要求6所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述支架包括设于所述待测柱状磁缸正下方的滑轨，所述安装座的所述支撑底座可滑动的设于所述滑轨上。
8.根据权利要求7所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述支架还包括用以固定所述待测柱状磁缸两端部的两固定端头，所述待测柱状磁缸架设于两所述固定端头之间。
9.根据权利要求1所述的一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置，其特征在于：所述安装孔为通孔。
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| CN201721538178.7U CN207408574U (zh) | 2017-11-17 | 2017-11-17 | 一种适用于磁控溅射镀膜生产中柱状磁缸的磁场测量装置 |
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|---|---|---|---|---|
| CN112578320A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 测量方法和半导体结构的形成方法 |
| CN115216746A (zh) * | 2022-07-25 | 2022-10-21 | 深圳南玻应用技术有限公司 | 镀膜装置和磁场强度均匀性在线检测及调控方法 |
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