CN207166466U

CN207166466U - 通带外低频高抑制滤波器

Info

Publication number: CN207166466U
Application number: CN201720420431.2U
Authority: CN
Inventors: 王俊元
Original assignee: XIAMEN SONGYUAN ELECTRONICS CO Ltd
Current assignee: Xiamen Songyuan Electronics Co.,Ltd.
Priority date: 2017-04-20
Filing date: 2017-04-20
Publication date: 2018-03-30
Anticipated expiration: 2027-04-20

Abstract

本实用新型涉及无线通信技术领域，具体涉及通带外低频高抑制滤波器，包括一长方体或立方体结构的介质本体，介质本体上两相对面设有四个贯穿孔，设有贯穿孔的任一侧面上设有金属馈电层，且该介质本体与设有金属馈电层相邻的一侧面设有输入输出电极，所属金属馈电层与输入输出电极电性连接，介质本体的各侧面涂设有金属导体层，金属馈电层包括四个馈电窗口，四个馈电窗口对应设置在四个贯穿孔上，金属馈电层还包括三个长条形馈电片，其中两个长条形馈电片位于四个馈电窗口一侧，另一个长条形馈电片位于四个馈电窗口另一侧，在金属馈电层的位于四个馈电窗口另一侧还设有两L型馈电孔，两L型馈电孔还分别与输入输出电极电性连接，有效提高了滤波器抗干扰能力。

Description

通带外低频高抑制滤波器

技术领域

本实用新型涉及无线通信技术领域，具体涉及通带外低频高抑制滤波器。

背景技术

随着无线通信技术发展，越来越多的电子设备采用了无线传输功能。在无线电波中藉由电波载波加载数据、影片数据，再由传输设备发射出去或接收回来，再传送过程会有许多不同的频率同时存在，对于接设备造成了相对的干扰作用，为确保数或数据在过程中能被相同的通频率信道接收及维持良好的接收质量，在无线发射或接收电路放入一种滤波的组件叫做滤波器(Filter)，目前主流的滤波器依制程可分LTCC，SAW，介质滤波器，陶瓷滤波器，石英滤波器等，而陶瓷滤波器是采用陶瓷制成的多孔型结构。

现有的陶瓷滤波器因其电波频率波长短，易和外围物质或自体产生共振效应对滤波器通道产生干扰，其滤波过程中容易受到影响频段信道外的信号衰减能力,滤波质量大大降低。

发明内容

为此，需要提供一种通带外低频高抑制滤波器，通过对介质基板的结构及涂覆的金属电极层的设计改进，从而大大的提高了滤波器的滤波质量，并且有效地提高了滤波器的抗干扰能力。

为实现上述目的，本实用新型提供了通带外低频高抑制滤波器，包括一长方体或立方体结构的介质本体，所述介质本体上两相对面设有四个贯穿孔，设有贯穿孔的任一侧面上设有金属馈电层，且该介质本体与设有金属馈电层相邻的一侧面设有输入输出电极，所属金属馈电层与输入输出电极电性连接，所述介质本体的各侧面涂设有金属导体层，所述金属馈电层包括四个馈电窗口，四个馈电窗口对应设置在四个贯穿孔上，所述金属馈电层还包括三个长条形馈电片，其中两个长条形馈电片位于四个馈电窗口一侧，另一个长条形馈电片位于四个馈电窗口另一侧，在所述金属馈电层的位于四个馈电窗口另一侧还设有两L型馈电片，两L型馈电片还分别与输入输出电极电性连接，在所述金属馈电层的位于馈电窗口两端侧设有两个长条形馈电片。

进一步的，所述四个贯穿孔为圆孔，四个贯穿孔的圆心处于同一直线上且与介质本体设有贯穿孔的该面长边沿平行。

更进一步的，四个馈电窗口同一水平设置，其中中间两个馈电窗口边缘与中间两个贯穿孔边缘不相接触，两端两个馈电窗口的部分边缘与贯穿孔部分边缘合设。

进一步的，所述两L型馈电孔设置在两端两个馈电窗口的上方。

进一步的，其中两个长条形馈电片水平平行设置在四个馈电窗口的下方，另一长条形馈电片水平设置在四个馈电窗口的上方。

进一步的，其中一个长条形馈电片垂直设置在馈电窗口的左方，另一长条形馈电片垂直设置在馈电窗口的右方。

区别于现有技术，上述技术方案通过设计一个通带外低频高抑制滤波器，通过在介质本体上设计一排贯穿孔，并在其中具有贯穿孔的一面设置金属导体层，金属馈电层设置四个馈电窗口设置在四个贯穿孔上，设置两长条形馈电片在馈电窗口的下方，设置一长条形馈电片在馈电窗口的上方，从而使得共地电极加大更好地存储能量，使得整个金属导体层的等效电路结构电性能特征大大增强，实现通带外低频高抑制滤波的同时能够有效提高滤波器的抗干扰能力。

附图说明

图1为本实施例的立体结构示意图。

图2为本实施例的立体结构示意图（带局部剖视）。

图3为本实施例的等效电路图。

图4为本实施例的结构电性能特性。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

请参阅图1和图2，本实施例通带外低频高抑制滤波器，包括一长方体或立方体结构的陶瓷介质本体1，在其他实施例中，也可以采用立方体的陶瓷介质本体1。所述介质本体1上两相对面设有四个贯穿孔21、22、23、24，在本实施例中，四个贯穿孔21、22、23、24轴向与长方体介质本体1的上侧面11和下侧面12平行，且该四个贯穿孔21、22、23、24贯穿于长方体介质本体1的前后两相对侧面，四个贯穿孔21、22、23、24为圆孔，且四个贯穿孔21、22、23、24的圆心处于同一直线上且与介质本体1前侧面13的长边沿平行。

在本实施例中，长方体介质本体1的前侧面13设有金属馈电层3，对于其他实施例也不限于此，只需要在设有贯穿孔的任一侧面上设有金属馈电层3即可。在本实施例中，且该介质本体1与设有金属馈电层相邻的上侧面11设有输入输出电极4，所属金属馈电层与输入输出电极4电性连接。

本实施例中，所述介质本体1的各侧面涂设有金属导体层3，所述金属馈电层3包括四个馈电窗口31、32、33、34，四个馈电窗口31、32、33、34对应设置在四个贯穿孔21、22、23、24上，所述金属馈电层3还包括三个长条形馈电片35、36、37，在所述金属馈电层的位于馈电窗口两端侧设有两个长条形馈电片310、311。本实施例中，其中两个长条形馈电片35、36水平平行设置在四个馈电窗口31、32、33、34的下方，另一长条形馈电孔37水平设置在四个馈电窗口31、32、33、34的上方。在其他实施例中，也可以将其中两个长条形馈电片35、36水平平行设置在四个馈电窗口31、32、33、34的上方，另一长条形馈电孔37水平设置在四个馈电窗口31、32、33、34的下方，在该同一侧，也就是同样在所述金属馈电层3的位于四个馈电窗口31、32、33、34另一侧还设有两L型馈电片38、39，两L型馈电片38、39还分别与输入输出电极电性4连接。其中一个长条形馈电片310垂直设置在馈电四个馈电窗口31、32、33、34的左方，另一长条形馈电片311垂直设置在四个馈电窗口31、32、33、34口的右方。利用长条形馈电片310、311共地电极加大靠近使其电容性形成等效电路的电容，从而通过与介质本体构成叠加电路结构，从而改变部分电容的电容值。

四个馈电窗口31、32、33、34同一水平设置，其中中间两个馈电窗口32、33边缘与中间两个贯穿孔22、23边缘不相接触，两端两个馈电窗口31、34的部分边缘与贯穿孔21、24部分边缘合设。从而构成等效电路中的电容结构，进而通过与介质本体电容构成叠加电路结构，从而改变部分电容的电容值。

本实施例中，其中一个长条形馈电片310垂直设置在馈电四个馈电窗口31、32、33、34的左方，另一长条形馈电片311垂直设置在四个馈电窗口31、32、33、34口的右方。利用长条形馈电片310、311利用共地电极加大靠近使其电容性形成等效电路的电容，从而通过与介质本体构成叠加电路结构，从而改变部分电容的电容值。

参考图3所示，该图显示的是本实施例的等效电路图，该等效电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C25、电容C26、电容C27、电容C28、电容C29、电容C30、电容C31、电感L2和电感L4，两个贯穿孔22、23周围的两个馈电窗口32、33，以及其上方的长条形馈电孔35、36，和其下方的长条形馈电孔37构成等效电路中的电容C21, 电容C22, 电容C23, 电容C25, 电容C26，进而通过与电容C3和电容C5构成电路结构，从而改变电容C3和电容C5的电容值，在两个贯穿孔21、24一侧加入两L型馈电孔38、39，两L型馈电片38、39还分别与输入输出电极电性4连接，利用两L型馈电片38、39共地电极加大靠近使其电容性形成等效电路的电容C24和电容C27，从而通过与电容C1和电容C5构成电路结构，从而改变电容C1和电容C5的电容值，使得整个电路具备通带外低频高抑制功能滤波特性。

参考图4所示，该图示意了本实施例的结构电性能特性，该图示意了本实施例的结构电性能特性，从图中可以看出，本实施例的结构设计能够很好地实现通带外低频高抑制功能滤波，整个特征曲线平滑稳定，且抗噪性能好，大大提高了滤波器的滤波质量。在图4中标示红色曲线表示滤波器过带及带外抑制特性,标示点4,5,6数值很低即是有很好的抑制指标。

在本实施例中，所述馈电层的馈电片的制作可以采用印刷工艺或者蚀刻工艺完成。采用印刷工艺制作馈电片时其流程如下：

在承印的介质本体上设置网板，网板离介质本体之间间隙2mm，采用刮刀将网板下压将金属材料印制在介质本体上。烘干后，馈电片则印制完成。

采用蚀刻工艺制作馈电片时则将设计好的馈电片设计覆盖在感光板上经过曝光，然后将其设置在介质本体上，采用蚀刻机将馈电片蚀刻至介质本体上。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。此外，在本文中，“大于”、“小于”、“超过”等理解为不包括本数；“以上”、“以下”、“以内”等理解为包括本数。

尽管已经对上述各实施例进行了描述，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改，所以以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利保护范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围之内。

Claims

1.通带外低频高抑制滤波器，其特征在于：包括一长方体或立方体结构的介质本体，所述介质本体上两相对面设有四个贯穿孔，设有贯穿孔的任一侧面上设有金属馈电层，且该介质本体与设有金属馈电层相邻的一侧面设有输入输出电极，所属金属馈电层与输入输出电极电性连接，所述介质本体的各侧面涂设有金属导体层，所述金属馈电层包括四个馈电窗口，四个馈电窗口对应设置在四个贯穿孔上，所述金属馈电层还包括三个长条形馈电片，其中两个长条形馈电片位于四个馈电窗口一侧，另一个长条形馈电片位于四个馈电窗口另一侧，在所述金属馈电层的位于四个馈电窗口另一侧还设有两L型馈电片，两L型馈电片还分别与输入输出电极电性连接，在所述金属馈电层的位于馈电窗口两端侧设有两个长条形馈电片。

2.根据权利要求1所述的通带外低频高抑制滤波器，其特征在于：所述四个贯穿孔为圆孔，四个贯穿孔的圆心处于同一直线上且与介质本体设有贯穿孔的该面长边沿平行。

3.根据权利要求2所述的通带外低频高抑制滤波器，其特征在于：四个馈电窗口同一水平设置，其中中间两个馈电窗口边缘与中间两个贯穿孔边缘不相接触，两端两个馈电窗口的部分边缘与贯穿孔部分边缘合设。

4.根据权利要求1所述的通带外低频高抑制滤波器，其特征在于：所述两L型馈电片设置在两端两个馈电窗口的上方。

5.根据权利要求1所述的通带外低频高抑制滤波器，其特征在于：其中两个长条形馈电片水平平行设置在四个馈电窗口的下方，另一长条形馈电片水平设置在四个馈电窗口的上方。

6.根据权利要求1所述的通带外低频高抑制滤波器，其特征在于：两个长条形馈电片的其中一个长条形馈电片垂直设置在馈电窗口的左方，另一长条形馈电片垂直设置在馈电窗口的右方。