CN204927460U - 一种改善带外抑制的宽带滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种改善带外抑制的宽带滤波器，该滤波器电极面上的电极导电层延伸到前端面上的无涂层区域内，并在延伸至前端面上的电极导电层上设有第一延伸导电层，所述第一延伸导电层位于相邻的两所述谐振孔之间的无涂层区域内，第一延伸导电层与相邻的两谐振孔之间的局部导电层形成电场中的等效电容；前端面上位于同样的一对谐振孔之间还设有第二延伸导电层，第二延伸导电层与相邻的两谐振孔之间的无涂层区域形成电场中的等效电感。第一延伸导电层和第二延伸导电层设置在同一对谐振孔之间的无涂层区域内，使得这一对谐振孔的局部导电层之间既形成等效电容、又形成等效电感，达到的效果为既形成高抑制比的陷波极点、又形成低损耗的宽频带。

Description

一种改善带外抑制的宽带滤波器

技术领域

本实用新型涉及无线移动通信基站、直放站等设备上使用的陶瓷介质滤波器，具体涉及一种能够改善带外抑制的宽带滤波器。

背景技术

随着无线移动通信技术的迅猛发展，对通信基站、直放站等设备的性能要求越来越高，其中，滤波器作为选频器件在频带内应该具有最好的通频特性，在频带边带应该具有最好的阻频特性，也就是在频带内应该具有最小的插入损耗，在频带边带应该具有最大的抑制比，实现大的矩形系数，传统的陶瓷介质滤波器要实现频带边带很好的阻频特性需要在介质滤波器上增加陷波孔以及相应的附加空间内形成，当使用介质滤波器的系统设备空间有限时，就只能损失频带边带的阻频特性，无法两者兼顾。

另一方面，增大频带宽度是减小频带内插入损耗的最好方式，而陶瓷介质滤波器频带宽度与局部导电层之间的间距、谐振孔的孔径，以及谐振孔之间的孔心间距直接相关，现有的增大频带宽度的常规做法是不断缩小局部导电层之间的间距、不断增加延伸导电层的延伸长度和宽度，这种做法一方面会导致局部导电层之间、以及局部导电层与延伸导电层之间的无涂层区域过小，印刷工艺中经常会出现开放面短路情况，工艺很难控制。

发明内容

为了解决背景技术中的不足，本实用新型的目的在于克服背景技术的缺陷，提供一种改善带外抑制的宽带滤波器，其目的是降低工艺难度的前提下，能够满足低带内损耗、高带外抑制的设计需求。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种改善带外抑制的宽带滤波器，包括由陶瓷材料成型的介质基体，所述介质基体具有作为开方面的前端面、设有外导电层的后端面、设有外导电层的上表面，以及设有信号输入端子、信号输出端子的电极面，所述介质基体上贯通其前端面和后端面的设有一排轴线平行的谐振孔，各所述谐振孔的内表面上均设有内导电层，所述内导电层和外导电层连接，所述前端面上围绕各所述谐振孔的周边均设有局部导电层，所述局部导电层与各自的所述谐振孔内的内导电层连接，每块所述局部导电层四周均为无涂层区域，所述电极面上设有电极导电层，所述电极导电层的一部分延伸到前端面的无涂层区域内，其特征在于：所述电极导电层延伸至前端面的一部分上设有第一延伸导电层，所述第一延伸导电层位于相邻的两所述谐振孔之间的无涂层区域内，所述第一延伸导电层与局部导电层之间为无涂层区域。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括位于两所述谐振孔之间的无涂层区域上还设有第二延伸导电层，所述第二延伸导电层与外导电层连接，所述后端面上位于设置所述第二延伸导电层的两谐振孔之间设有长条形的凹槽，所述凹槽自后端面的表面向前端面方向延伸，所述凹槽各表面上均设有凹槽导体层，所述凹槽导体层与所述内导电层和外导电层均连接，所述凹槽的两端分别与位于所述延伸导电层的两侧的两谐振孔连通。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述第一延伸导电层和第二延伸导电层均设置在同一对谐振孔之间的无涂层区域内，所述第一延伸导电层和第二延伸导电层之间不连接，且所述第一延伸导电层在前端面上的延长线垂直相交于第二延伸导电层。

本实用新型的有益之处在于：本实用新型的一种改善带外抑制的宽带滤波器，一方面，位于两谐振孔之间的无涂层区域内设有的第一延伸导电层，第一延伸导电层与相邻的两谐振孔之间的局部导电层形成电场中的等效电容，借助电容的滤波特性在滤波器的低频边带形成衰减极点，在不增加滤波器体积的前提下将一个谐振孔变成陷波孔来提高频带边带的衰减量，达到不改变产品体积而提高频带边带抑制比的目的，利于产品的设计；

另一方面，位于两谐振孔之间的无涂层区域内设有的第二延伸导电层，第二延伸导电层与相邻的两谐振孔之间的无涂层区域形成电场中的等效电感，对应第二延伸导电层开设在后端面上的凹槽，该凹槽上的凹槽导体层与局部导体层之间的距离小于后端面上的外导电层与局部导电层之间的距离，等效于增加了等效电感值，从而达到增大频带宽度的设计需求，大大降低了工艺难度，降低了因印刷短路引起的报废率，满足宽带的设计要求；

进一步的，第一延伸导电层和第二延伸导电层设置在同一对谐振孔之间的无涂层区域内，使得这一对谐振孔的局部导电层之间既形成等效电容、又形成等效电感，达到的效果为既形成高抑制比的陷波极点、又形成低损耗的宽频带。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。。。

图1是本实用新型优选实施例的带前端面的立体图；

图2是本实用新型优选实施例的带后端面的立体图；

图3时本实用新型优选实施例的等效电路图。

图中：2、介质基体，21、前端面，22、上表面，23、后端面，24、电极面，25、谐振孔，251、第一谐振孔，252、第二谐振孔，253、第三谐振孔；

4、外导电层，5、内导电层，6、局部导电层，8、无涂层区域，10、第一延伸导电层，12、电极导电层，14、第二延伸导电层，16、凹槽，18、凹槽导电层。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，并使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例及实施例附图对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1、如图3所示，本实用新型提供一种改善带外抑制的宽带滤波器，包括由陶瓷材料成型的介质基体2，介质基体2为具有六个平整表面的长方体结构，所述介质基体2具有作为开方面的前端面21、设有外导电层4的后端面23、设有外导电层4的上表面22，以及设有信号输入端子In、信号输出端子Out的电极面24，所述介质基体2上贯通其前端面21和后端面23的设有一排轴线平行的谐振孔25，本实用新型为了便于描述，优选同排、平行设置的三个谐振孔25，分别为第一谐振孔251、第二谐振孔252、第三谐振孔253，三个所述谐振孔25的内表面上均设有内导电层5，所述内导电层5和外导电层4连接，所述前端面21上围绕各所述谐振孔25的周边均设有局部导电层6，所述局部导电层6与各自的所述谐振孔25内的内导电层5连接，每块所述局部导电层6四周均为无涂层区域8，所述电极面24上设有电极导电层12，所述电极导电层12的一部分延伸到前端面21的无涂层区域8内，所述电极导电层12延伸至前端面21的一部分上设有第一延伸导电层10，所述第一延伸导电层10位于第一谐振孔251、第二谐振孔252之间的无涂层区域内，所述第一延伸导电层10与局部导电层6之间为无涂层区域。

位于第一谐振孔251、第二谐振孔252之间的无涂层区域内设有的第一延伸导电层10，第一延伸导电层10与第一谐振孔251、第二谐振孔252的局部导电层6之间形成电场中的等效电容C，借助电容的滤波特性在滤波器的低频边带形成衰减极点，在不增加滤波器体积的前提下将一个第一谐振孔251变成陷波孔来提高频带边带的衰减量，达到不改变产品体积而提高频带边带抑制比的目的，利于产品的设计；

如图2所示，作为本实用新型的进一步改进，位于两所述谐振孔25之间的无涂层区域上还设有第二延伸导电层14，所述第二延伸导电层14与外导电层4连接，所述后端面23上位于设置所述第二延伸导电层14的两谐振孔25之间设有长条形的凹槽16，所述凹槽16自后端面23的表面向前端面21方向延伸，所述凹槽16各表面上均设有凹槽导体层18，所述凹槽导体层18与所述内导电层5和外导电层4均连接，所述凹槽16的两端分别与位于所述延伸导电层的两侧的两谐振孔25连通。

位于两谐振孔25之间的无涂层区域内设有的第二延伸导电层14，第二延伸导电层14与相邻的两谐振孔25之间的无涂层区域形成电场中的等效电感，对应第二延伸导电层14开设在后端面上的凹槽16，该凹槽16上的凹槽导体层18与局部导体层6之间的距离小于后端面23上的外导电层4与局部导电层6之间的距离，等效于增加了等效电感值L，凹槽延伸的深度越大，等效于增加的的等效电感值越大，从而达到增大频带宽度的设计需求，大大降低了工艺难度，降低了因印刷短路引起的报废率，满足宽带的设计要求。

进一步的，第二延伸导电层14与第一延伸导电层10一样，都位于第一谐振孔251、第二谐振孔252之间的无涂层区域内，所述第一延伸导电层10和第二延伸导电层14之间不连接，且所述第一延伸导电层10在前端面21上的延长线垂直相交于第二延伸导电层14。第一延伸导电层10和第二延伸导电层14设置在第一谐振孔251、第二谐振孔252之间的无涂层区域内，使得这一对谐振孔25的局部导电层6之间既形成等效电容、又形成等效电感，达到的效果为既形成高抑制比的陷波极点（第一谐振孔251形成陷波孔）、又形成低损耗的宽频带。

需要指出的是，可以根据实际设计的需要，增加谐振孔25的数量而得到多种新的实施例，这些变换容易理解，在此不再重复描述，但，都包含在本实用新型的保护范围之内。

同时需要指出的是，本实用新型的改善带外抑制的特性并不局限于滤波器，同样适用于双工器中使用，同样具有很好的带外抑制改善。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受所述实施例的限制，其它的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种改善带外抑制的宽带滤波器，包括由陶瓷材料成型的介质基体，所述介质基体具有作为开方面的前端面、设有外导电层的后端面、设有外导电层的上表面，以及设有信号输入端子、信号输出端子的电极面，所述介质基体上贯通其前端面和后端面的设有一排轴线平行的谐振孔，各所述谐振孔的内表面上均设有内导电层，所述内导电层和外导电层连接，所述前端面上围绕各所述谐振孔的周边均设有局部导电层，所述局部导电层与各自的所述谐振孔内的内导电层连接，每块所述局部导电层四周均为无涂层区域，所述电极面上设有电极导电层，所述电极导电层的一部分延伸到前端面的无涂层区域内，其特征在于：所述电极导电层延伸至前端面的一部分上设有第一延伸导电层，所述第一延伸导电层位于相邻的两所述谐振孔之间的无涂层区域内，所述第一延伸导电层与局部导电层之间为无涂层区域。

2.根据权利要求1所述的一种改善带外抑制的宽带滤波器，其特征在于：位于两所述谐振孔之间的无涂层区域上还设有第二延伸导电层，所述第二延伸导电层与外导电层连接，所述后端面上位于设置所述第二延伸导电层的两谐振孔之间设有长条形的凹槽，所述凹槽自后端面的表面向前端面方向延伸，所述凹槽各表面上均设有凹槽导体层，所述凹槽导体层与所述内导电层和外导电层均连接，所述凹槽的两端分别与位于所述延伸导电层的两侧的两谐振孔连通。

3.根据权利要求2所述的一种改善带外抑制的宽带滤波器，其特征在于：所述第一延伸导电层和第二延伸导电层均设置在同一对谐振孔之间的无涂层区域内，所述第一延伸导电层和第二延伸导电层之间不连接，且所述第一延伸导电层在前端面上的延长线垂直相交于第二延伸导电层。