CN207072980U - 一种多晶硅片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的上、下表面上设有平行沟槽,沿沟槽方向设有凹凸坑;所述硅片本体四角设有45°的倒角;所述凹凸坑通过不规则金刚石摩擦产生。本实用新型提供的多晶硅片,其表面平滑、有平行沟槽,且沟槽中有不规则金刚石摩擦产生的沿着沟槽方向的凹凸坑,表面损伤层薄,在10um以下,不但增加了硅片的强度,而且还有利于降低硅耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能技术领域,具体涉及一种多晶硅片。
背景技术
在太阳能光伏领域,切片行业是重要的一环,通过精密机床,将硅棒切成尺寸统一的方形薄片。传统的切片工艺一般使用普通钢线或者螺旋钢线带动砂浆进行多线切割,形成的硅片表面粗糙,没有硅片的切割方向锯痕痕迹,且碳化硅摩擦硅片距离较短,产生随机的凹凸坑,且切割过程过硅耗较高,砂线切割方式在多年的生产中,虽然在不断优化,但在切割效率及切割成本方面几乎达到了瓶颈,因此寻找一种光电转换效率高,生产效率高、生产成本低的多晶硅片是大势所趋。
发明内容
发明目的:针对现有技术的不足,本实用新型提供一种多晶硅片,不但增加了硅片的强度,而且还有利于降低硅耗。
技术方案:本实用新型所述的多晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的上、下表面上设有平行沟槽,沿沟槽方向设有凹凸坑;所述硅片本体四角设有45°的倒角。
进一步完善上述技术方案,所述硅片本体的上、下表面相对平行。
进一步地,所述硅片本体厚度为200um±20um,边长为156.75mm±0.25mm。
进一步地,所述凹凸坑通过不规则金刚石摩擦产生。
进一步地,所述平行沟槽的深度小于10um。
有益效果:与现有技术相比,本实用新型的优点:本实用新型提供的多晶硅片,其表面平滑、有平行沟槽,且沟槽中有不规则金刚石摩擦产生的沿着沟槽方向的凹凸坑;表面损伤层薄,在10um以下,不但增加了硅片的强度,而且还有利于降低硅耗;基本无线痕产生,生产效率高,生产成本低;与传统的砂浆切割而成的硅片相比,生产金刚线硅片,没有废砂浆产生,有利于环保。
附图说明
图1为本实用新型的主视图;
图2为本实用新型的侧视图。
具体实施方式
下面通过附图对本实用新型技术方案进行详细说明。
实施例1:如图1、图2所示的多晶硅片,包括硅片本体1,硅片本体1为上、下两平行表面的方形薄片,方形薄片厚度为200um±20um,边长为156.75mm±0.25mm,硅片本体1两条边交界处形成45°倒角a;硅片本体1厚度均匀,上、下表面相对平滑并设有平行沟槽,平行沟槽的深度小于10um,沟槽中有不规则金刚石摩擦产生的沿着沟槽方向的凹凸坑。
硅片表面损伤层薄,硅片强度增加,硅耗较小,且表面平整光滑,基本无线痕产生,生产成本低,生产效率高,有利于环保。
如上,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。
Claims (5)
1.一种多晶硅片,包括硅片本体,其特征在于:所述硅片本体的上、下表面上设有平行沟槽,沿沟槽方向设有凹凸坑;所述硅片本体四角设有45°的倒角。
2.根据权利要求1所述的多晶硅片,其特征在于:所述硅片本体的上、下表面相对平行。
3.根据权利要求1所述的多晶硅片,其特征在于:所述硅片本体厚度为200um±20um,边长为156.75mm±0.25mm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅片,其特征在于:所述凹凸坑通过不规则金刚石摩擦产生。
5.根据权利要求1所述的多晶硅片,其特征在于:所述平行沟槽的深度小于10um。
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CN201720892250.XU CN207072980U (zh) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 一种多晶硅片 |
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CN (1) | CN207072980U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108357002A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-08-03 | 山东大海新能源发展有限公司 | 一种太阳能级硅片及其生产方法 |
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