CN207053777U - 一种声学传感器 - Google Patents

一种声学传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN207053777U
CN207053777U CN201720782643.5U CN201720782643U CN207053777U CN 207053777 U CN207053777 U CN 207053777U CN 201720782643 U CN201720782643 U CN 201720782643U CN 207053777 U CN207053777 U CN 207053777U
Authority
CN
China
Prior art keywords
acoustic
enclosed construction
acoustic sensor
noise
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201720782643.5U
Other languages
English (en)
Inventor
端木鲁玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Goertek Microelectronics Inc
Original Assignee
Goertek Techology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goertek Techology Co Ltd filed Critical Goertek Techology Co Ltd
Priority to CN201720782643.5U priority Critical patent/CN207053777U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207053777U publication Critical patent/CN207053777U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种声学传感器,包括由基板和外壳组成的第一封闭结构,所述第一封闭结构内部所述基板表面上设有麦克风芯片和第一ASIC芯片,所述第一封闭结构上设有声孔,所述第一封闭结构内部所述基板表面上还设有声学噪音部件和第二封闭结构,所述声学噪音部件固定于所述第二封闭结构内部。本实用新型的声学传感器,将声学传感器内部的噪音部件固定于封闭结构内,使噪音部件产生的噪音信号减弱,从而使产品性能得到提升。

Description

一种声学传感器
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域,尤其涉及一种声学传感器。
背景技术
目前较复杂的声学传感器中,常会引入额外的芯片,如ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit,专用集成电路)信号处理芯片、或其它MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微型机电系统)感知芯片,这些芯片因间断性的发热、固有的触发机理等,可能会出现形变,进而对周围气体造成压缩形成微弱的声源,这些声源形成的声音信号被麦克风芯片拾取,形成噪音声学信号。这些噪音信号不是声学传感器需要拾取的,是无用的噪音信号,会影响声学传感器的正常工作,严重时会使声学传感器失效。
实用新型内容
针对现有问题,本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种声学传感器,使用该声学传感器,可以减弱声学传感器中引入的其他芯片产生的噪音信号,提升产品性能。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:
一种声学传感器,包括由基板和外壳组成的第一封闭结构,所述第一封闭结构内部所述基板表面上设有麦克风芯片和第一ASIC芯片,所述第一封闭结构上设有声孔,其特征在于,所述第一封闭结构内部所述基板表面上还设有声学噪音部件和第二封闭结构,所述声学噪音部件固定于所述第二封闭结构内部。
优选方式为,所述声学噪音部件为第二ASIC芯片或者传感器芯片。
优选方式为,所述第二封闭结构由胶体与基板构成。
优选方式为,所述第二封闭结构由壳体与基板构成。
优选方式为,所述基板对应第二封闭结构处设有通孔。
优选方式为,所述声学噪音部件与所述麦克风芯片的距离大于0.2毫米。
优选方式为,所述声孔设置于所述声学噪音部件处对应的外壳上,所述声孔尺寸大于0.1毫米。
优选方式为,所述声孔有多个,其中,所述多个声孔位于所述声学噪音部件处对应的外壳上,所述多个声孔尺寸大于10微米。
本实用新型的声学传感器与现有技术相比,通过将产生噪音的声学噪音部件封闭在特定结构中,使得噪音部件发出的噪音信号被减弱,减弱了噪音部件对声学传感器的影响。优选地将声学噪音部件远离麦克风芯片设置,在声学噪音部件上部外壳上设置大尺寸声孔,使得噪音能及时从声孔逸出,进一步减弱了声学噪音部件对麦克风芯片的影响。
附图说明
图1为本实用新型实施例一的声学传感器结构示意图;
图2为本实用新型实施例二的声学传感器结构示意图;
图3为本实用新型实施例三的声学传感器结构示意图;
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
现有复杂声学传感器除包含麦克风芯片和ASIC芯片外还引入其他芯片,如MEMS压力芯片,这些芯片因间断性的发热、固有的触发机理等可能会出现形变,进而对周围气体造成压缩,形成微弱的声源,这些声源发出噪音信号进而被声学MEMS拾取。针对上述问题,本实用新型的声学传感器通过将产生噪音的声源部件封闭与特定结构中,以减弱噪音部件对声学传感器的性能影响。
实施例一:
如图1所示,本实施例中,声学传感器包括由基板11和外壳12组成的第一封闭结构14,第一封闭结构14内部基板11表面上设有麦克风芯片16和ASIC芯片17,第一封闭结构14上设有声孔13,此外第一封闭结构14内部基板11表面上还设有声学噪音部件18和第二封闭结构15,声学噪音部件18固定于所述第二封闭结构15内部。本实施例中第二封闭结构15由胶体与基板11构成,声学噪音部件18嵌于由胶体与基板11形成的封闭结构15内部,声学噪音部件18为MEMS压力芯片。声学噪音部件18包裹于胶体内部,产生的微弱声信号被胶体吸收减弱,从而使麦克风芯片16获取的噪音信号减小,使得产品性能提升。
实施例二:
如图2所示,本实施例与实施例一的不同之处在于第二封闭结构15,本实施例中第二封闭结构15由壳体与基板11构成,壳体将声学噪音部件18与麦克风芯片16区分设置于不同腔体,基板11对应声学噪音部件18的地方开有通孔21,声学噪音部件18产生的噪音信号从基板11上的通孔21传出,减少对麦克风芯片16的正常工作的影响。
实施例三:
在实施例一的基础上,本实用新型还可做出如图3所示的变形,本实施例与实施例一的不同之处在于与外壳12对应声学噪音部件18处开有两个声孔31,声学噪音部件18距离声学麦克风芯片16大于0.2毫米,本实施例的设计思路是将声学噪音部件18远离麦克风芯片16设置,且将产生的噪音及时疏导,使声学噪音部件18产生的噪音可及时从声孔31处散逸,从而对麦克风芯片16的影响减小。
以上所述本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种声学传感器,包括由基板和外壳组成的第一封闭结构,所述第一封闭结构内部所述基板表面上设有麦克风芯片和第一ASIC芯片,所述第一封闭结构上设有声孔,其特征在于,所述第一封闭结构内部所述基板表面上还设有声学噪音部件和第二封闭结构,所述声学噪音部件固定于所述第二封闭结构内部。
2.根据权利要求1所述的一种声学传感器,其特征在于,所述声学噪音部件为第二ASIC芯片或者传感器芯片。
3.根据权利要求1所述的一种声学传感器,其特征在于,所述第二封闭结构由胶体与基板构成。
4.根据权利要求1所述的一种声学传感器,其特征在于,所述第二封闭结构由壳体与基板构成。
5.根据权利要求3或4所述的一种声学传感器,其特征在于,所述基板对应第二封闭结构处设有通孔。
6.根据权利要求1所述的一种声学传感器,其特征在于,所述声学噪音部件与所述麦克风芯片的距离大于0.2毫米。
7.根据权利要求1所述的一种声学传感器,其特征在于,所述声孔设置于所述声学噪音部件处对应的外壳上,所述声孔尺寸大于0.1毫米。
8.根据权利要求1所述的一种声学传感器,其特征在于,所述声孔有多个,其中,所述多个声孔位于所述声学噪音部件处对应的外壳上,所述多个声孔尺寸大于10微米。
CN201720782643.5U 2017-06-30 2017-06-30 一种声学传感器 Active CN207053777U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720782643.5U CN207053777U (zh) 2017-06-30 2017-06-30 一种声学传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720782643.5U CN207053777U (zh) 2017-06-30 2017-06-30 一种声学传感器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207053777U true CN207053777U (zh) 2018-02-27

Family

ID=61495624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201720782643.5U Active CN207053777U (zh) 2017-06-30 2017-06-30 一种声学传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207053777U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7763972B2 (en) Stacked package structure for reducing package volume of an acoustic micro-sensor
CN206061135U (zh) 一种mems麦克风
CN204652659U (zh) 一种差分电容式mems麦克风
CN102932722A (zh) Mems传声器
CN204761710U (zh) 一种mems麦克风
CN204968106U (zh) 一种指向性mems麦克风
CN103220610A (zh) Mems传声器及受音装置
CN203748007U (zh) Mems麦克风及电子设备
JP5298384B2 (ja) マイクロホンユニット
CN209526835U (zh) 一种麦克风及环境传感器的封装结构
CN107820147B (zh) 麦克风装置与麦克风装置的控制方法
CN202799144U (zh) Mems麦克风
WO2022100551A1 (zh) Mems压电微扬声器、微扬声器单元及电子设备
CN207053777U (zh) 一种声学传感器
CN106162476B (zh) 抗低频噪音的麦克风单体
CN203446028U (zh) Mems麦克风及电子设备
CN109348388A (zh) 一种mems麦克风封装结构
CN102932721B (zh) Mems传声器
CN202679629U (zh) Mems麦克风
CN202679627U (zh) Mems麦克风
CN208821084U (zh) 一种mems麦克风封装结构
WO2020186884A1 (zh) 麦克风以及电子设备
US9420365B2 (en) Silicon condenser microphone
CN203416415U (zh) 指向性mems传声器
CN203219488U (zh) Mems传声器及受音装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200618

Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province

Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 261031 Room 308, Beizhai Street Investment Service Center, Laoshan District, Qingdao City, Shandong Province

Patentee before: GOERTEK TECHNOLOGY Co.,Ltd.